UNIVERSIDAD PRIVADA ANTENOR ORREGO

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA




POLARIZACIN DE TRANSISTORES BIPOLARES
-LABORATORIO-


CURSO :
CIRCUITOS ANALGICOS I



DOCENTE :
ING. GUILLERMO EVANGELISTA ADRIANZN


INTEGRANTES :

MUOZ PREZ, RENATO JOSEPH.
ROMERO REATEGUI, FRANCISCO.
VARGAS QUIROZ, JHOFRANN.
VILLENA LINGAN, LUIS.

CICLO :
V



SEMESTRE :
2013 10






TRUJILLO PER
POLARIZACIN DE TRANSISTORES BIPOLARES

I. OBJETIVOS
- Estudiar el anlisis y el manejo de caractersticas de los circuitos de polarizacin
BJT.
- Obtener sus puntos de operacin, recta de carga y ganancia en pequea seal.
- Estudiar un desarrollo teorico del circuito, tanto en polarizacin DC como en
AC.

II. FUNDAMENTO TERICO
EL TRANSISTOR BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en
dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de
la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de
electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
- Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
- Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
- Colector: de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su
funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores,
y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado
de corte, estado de saturacin y estado de actividad.
TIPOS DE TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR (BJT)
NPN:
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y
"P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo. El smbolo de un transistor NPN:



PNP:
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo. El smbolo de un transistor PNP:

Zonas de Operacin del transistor
CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector
y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la batera. El
transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
IB = IC = IE = 0; VCE = VCC
SATURACION.- Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un
incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se
puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el
Colector.
IB IC; Vcc = RC x IC.
ACTIVA.- Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.
Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en
conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.



III. MATERIALES Y EQUIPOS REQUERIDOS
Materiales Instrumentos
1 resistencia de 2 K 2 Fuente DC variables
1 resistencia de 5.6 K 1 Multmetro
1 resistencia de 56 K 2 Cables de fuentes
1 resistencia de 3.6 K Osciloscopio
1 resistencia de 820 K
1 resistencia de 330 K
1 resistencia de 47 K
1 resistencia de 10 K
1 resistencia de 20 K
1 resistencia de 4.7 K
1 resistencia de 1 K
2 condensadores de 100 uF > 25V
2 transistores NPN 2N3904
2 condensadores de 10uF >25V
Protoboard
Cablecillos





IV. PROCEDIMIENTO
a) Armar el circuito de la Fig. 1

Aplicando mallas en CE se determinar el punto Q y graficar la recta de carga.

b) Medir con el multmetro los voltajes de los terminales del BJT a tierra:
VB = 0.614 V VC = 8.15 V VE = 0 V

Evaluar: VBE = 0.614 V IC = 2.14 mA VCE = 8.14 V

c) Aplicar en Vin una seal sinusoidal de 10 mV de frecuencia 1 KHz y determinar
con el osciloscopio la seal de salida
Vo = 180 mV

La ganancia de tensin ser:

Av = Vo/Vin = 180 mV / 10 mV = 18












Fig. 1
10mv sen(2 1KHz t)
d) Armar el circuito de la Fig. 2

Aplicando mallas por C E se determina el punto de reposo Q y se puede graficar la
recta de carga.

e) Medir con el multmetro los voltajes de los terminales del BJT a tierra:
VB = 0.672 V VC = 8.34 V VE = 0 V

Evaluar: VBE = 0.672 V IC = 1.93 mA VCE = 8.32 V

f) Aplicar en Vi una seal sinusoidal de 10 mV de frecuencia 1 KHz y determinar con
el osciloscopio la seal de salida

Vo = 115.35 mV

La ganancia de tensin ser:

Av = Vo/Vin = 115.35 mV / 10 mV =11.54













Fig. 2

g) Armar el circuito de la Fig. 3


h) Medir con el multmetro los voltajes de los terminales del BJT a tierra:
VB = 2.4 V VC = 7.43 V VE = 2.15 V

Evaluar: VBE = 0.686 V IC = 2.20 mA VCE = 5.13 V

i) Aplicar en Vin una seal sinusoidal de 10 mV de frecuencia 1 KHz y determinar
con el osciloscopio la seal de salida
Vo = 14.535 mV

La ganancia de tensin ser:

Av = Vo/Vin = 14.535 mV / 10 mV = 1.454













Fig. 3 10mv sen(2 1KHz t)
j) Armar el circuito de la Fig. 4:

Aplicando mallas por C E se determina el punto de reposo Q y se puede graficar la
recta de carga en DC y AC.

k) Medir con el multmetro los voltajes de los terminales del BJT a tierra
VB = 0.672 V VC = 6.235 V VE = 0 V

Evaluar: VBE = 0.672 V IC = 2.764 mA VCE = 6.230 V

l) Aplicar en Vin una seal sinusoidal de 10 mV de frecuencia 1 KHz y determinar
con el osciloscopio la seal de salida:
Vo = 103 mV

La ganancia de tensin ser:

Av = Vo/Vin = 103 mV / 10 mV = 10.3 mV











Fig. 4
10mv sen(2 1KHz t)
m) Armar el circuito de la Fig. 5

Aplicando mallas por C E se determina el punto de reposo Q y se puede graficar la
recta de carga DC y AC, as como las ganancia en seal respectiva.

n) Medir con el multmetro los voltajes de los terminales del BJT a tierra:
VB = 0.083 V VC = 7.12 V VE = 0.74 V

Evaluar: VBE = 0.686 V IC = 2.15 mA VCE = 7.55 V

o) Aplicar en Vin una seal sinusoidal de 10 mV de frecuencia 1 KHz y determinar
con el osciloscopio la seal de salida

Vo = 4 mV
La ganancia de tensin ser:

Av = Vo/Vin = 4 mV / 10 mV = 0.4









Fig. 5
10mv sen(2 1KHz
t)
p) Calcular, tericamente, la polarizacin de cada caso, trazar las rectas de carga DC y
AC as como el punto Q y comprobar los resultados experimentales.
Anlisis de los Circuitos en DC

FIGURA 1 :



Malla B-E:

12
12
12 0.6
820000
13.9
B B
B
B
B
B
I R V
V
I
R
I
A I

= +

=
=

Malla C-E:

12
12
12 8.14
2000
1.93
C C CE
CE
C
C
C
C
I R V
V
I
R
I
mA I
= +

=
=


Hallando :

1.93
13.9
138.85
C
B
I
I
mA
A
|
|

|
=
=
=

Recta de Carga:

1.93
8.15
C
CE
I mA
Q
V V
=

`
=
)













0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15
I
C

(
m
A
)
VCE
FIGURA 2 :


Aplicando Thevenin:



3.6
12
56 3.6
0.725
(56 )(3.6 )
56 3.6
3.38
th
th
th
th
k
V x
k k
V V
k k
R
k k
R k
=
+
=
=
+
= O







Malla B-E:
0.725 0.672
3.38
15.68
th B th
th
B
th
B
B
V I R V
V V
I
R
I
K
A I

= +

=
=

Malla C-E:
12
12
12 8.32
2000
1.84
C C CE
CE
C
C
C
C
I R V
V
I
R
I
mA I
= +

=
=

Hallando :

1.84
15.68
117.35
C
B
I
I
mA
A
|
|

|
=
=
=

Recta de Carga:

1.84
8.32
C
CE
I mA
Q
V V
=

`
=
)



FIGURA 3 :


Aplicando Thevenin:

0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15
I
C

(
m
A
)
VCE
20
12
56 20
3.16
(56 )(20 )
56 20
14.74
th
th
th
th
k
V x
k k
V V
k k
R
k k
R k
=
+
=
=
+
= O


Malla B-E:
( )
3.16 0.672 1 2.29
14.74 1
11.69
th B th E B C
th C E
B
th E
B
B
V I R R I I V
V V I R
I
R R
Kx mA
I
k k
A I

= + + +

=
+

=
+
=

Malla C-E:
12 ( )
12
12 5.13
3000
2.29
C C E B C CE
CE
C
C E
C
C
I R R I I V
V
I
R R
I
mA I
= + + +

=
+

=
=

Hallando :

2.29
11.69
195.89
C
B
I
I
mA
A
|
|

|
=
=
=





Recta de Carga:

2.29
5.13
C
CE
I mA
Q
V V
=

`
=
)



FIGURA 4 :







0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15
I
C

(
m
A
)
VCE

Malla B-E:
12 (2 ) (330 2 )
(2 )
330 2
16.71
C B
th C
B
B
I K I K K V
V V I K
I
K K
A I

= + + +

=
+
=

Malla C-E:
12 (2 ) 330 ( )
12
2
12 6.23
2000
2.89
C B CE
CE
C
C
C
I K K I V
V
I
K
I
mA I
= + +

=
=

Hallando :

2.89
16.71
172.95
C
B
I
I
mA
A
|
|

|
=
=
=

Recta de Carga:

2.89
6.23
C
CE
I mA
Q
V V
=

`
=
)



FIGURA 5 :











0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15
I
C

(
m
A
)
VCE
Malla B-E:
12 ( )
12
12 0.672 4.7 2.46
5.6 4.7
24.1
B B E B C
C E
B
B E
B
B
I R R I I V
V I R
I
R R
Kx mA
I
k k
A I

= + + +

=
+

=
+
=

Malla C-E:
24 ( )
24
24 7.55
4.9
2.46
C C E B C CE
CE
C
C E
C
C
I R R I I V
V
I
R R
I
K
mA I
= + + +

=
+

=
=

Hallando :

2.46
24.1
102.1
C
B
I
I
mA
A
|
|

|
=
=
=

Recta de Carga:

2.46
7.55
C
CE
I mA
Q
V V
=

`
=
)





Analisis de los Circuitos en AC

a) Circuito equivalente en AC
Tipo: Emisor comn
Donde:
Vcc = 12 v Rc= 2k
R1= 820 k
Anlisis matemtico: BJT emisor comn:

0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15
I
C

(
m
A
)
VCE
Parmetros:
hie = h11 = vBE / iB = Resistencia de entrada = R directa del diodo B-E
hre = h12 = vBE / vCE = Reversin de seal de salida a entrada
hfe = h21 = iC / iB = Ganancia directa de corriente = = HFE = Hfe
hoe = h22 = iC / vCE = Conductancia de salida = 1/RoCE


















iB = vBE / hie
Av= Vo/Vin = - *Ro/ hie
Vo = - * iB*Ro
Calculando:
1. Resistencia de entrada:

hie= vBE / iB
hie= 0.614v / 13.9 = 44.17k
2. Reversin de seal de salida
a entrada:hre = vBE / vCE
hre = 0.614 V / 8.14 V
hre = 0.08
3. Ganancia directa de corriente:

hfe = iC / iB
hfe = 2.14/ 13.9
hfe = 153.95








La ganancia calculada en
parmetros hbridos coincidi
en un 90.2 % con lo hallado en
corriente continua siendo
aquella 202.
d) Circuito equivalente en AC

Tipo: Emisor comn

Donde:
Vcc = 12 v Rc= 2k
R1= 56 k R2 = 3.6 k
Calculando:
1. Resistencia de entrada:

hie= vBE / iB
hie= 0.672v / 14.2 = 47.32k
2. Reversin de seal de salida
a entrada:hre = vBE / vCE
hre = 0.672 V / 8.32 V
hre = 0.08
3. Ganancia directa de corriente:

hfe = iC / iB
hfe =1.93/ 14.2
hfe = 135.92












La ganancia calculada en
parmetros hbridos coincidi en un
86.7 % con lo hallado en corriente
continua siendo aquella 117.35.
g) Circuito equivalente en AC

Tipo: Emisor comn

Donde:
Vcc = 12 v Rc= 2k
R1= 56 k R2 = 20 k
Calculando:
4. Resistencia de entrada:

hie= vBE / iB
hie=0.686v / 11.69= 58.68k
5. Reversin de seal de salida
a entrada:hre = vBE / vCE
hre = 0.686 V / 5.13 V
hre = 0.13
6. Ganancia directa de corriente:

hfe = iC / iB
hfe =2.20/ 11.69
hfe = 188.2













La ganancia calculada en
parmetros hbridos coincidi
en un 96.1 % con lo hallado en
corriente continua siendo
aquella 195.89
j) Circuito equivalente en AC

Tipo: Emisor comn


Donde:
Vcc = 12 v Rc= 2k
R1= 56 k R2 = 3.6 k
Calculando:
7. Resistencia de entrada:

hie= vBE / iB
hie= 0.672v/ 16.71=40.22K
8. Reversin de seal de salida
a entrada:
hre = vBE / vCE
hre = 0.672 v / 6.23 v = 0.11
9. Ganancia directa de corriente:

hfe = iC / iB
hfe =2.76mA/ 16.71
hfe = 165.17



Conclusin:
- Mediante el trabajo grupal logramos trabajar y analizar el manejo de
polarizacin de transistores BJT tpicos.

- Se logr calcular los puntos de operacin, recta de carga y ganancia en
pequea seal, as mismo se realiz la comprobacin de la ganancia de
cada uno de ellos en relacin al equivalente BJT en parmetros hbridos (H)
es decir en corriente alterna, simplificado con pequea seal y baja
frecuencia, todo ello en funcin de los modelos presentados en la prctica.

ANEXOS:

- Simulaciones de los circuitos en AC y DC.
- Datasheet 2N3904.


La ganancia calculada en
parmetros hbridos coincidi en
un 95.5 % con lo hallado en
corriente continua siendo aquella
172.95