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Una memoria ideal Lee y escribe en tiempo insignificante, conserva su valor almacenado indefinidamente, ocupa un espacio insignificante y consume energa insignificante
Cualquier memoria se compone de un arreglo' de memoria 'clulas', donde cada clula tiene un bit de datos.
Aqu cada clula de memoria est diseado como un simple flipflop, usando dos pares de transistores conectados consecutivamente.
Datos se lleva a cabo siempre y cuando se suministra la alimentacin. Por lo tanto la tecnologa SRAM es voltil.
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la ltima posicin de memoria accedida.
En esta tecnologa se hace cada celda de memoria de un solo transistor MOS. Dentro del transistor hay incrustada una 'puerta flotante'.
La tecnologa EPROM es no voltil. Puede EPROM, sin embargo, ser borrado exponindolo a la luz ultravioleta intensa. Esto le da a los electrones atrapados la energa para dejar la puerta flotante.
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces.
Flash representa una evolucin de tecnologa de puerta flotante. Con un solo transistor por clula de memoria, utiliza tanto HEI y NFT para permitir elctrico de escritura y borrado. No incluye los transistores interruptor adicional que tiene EEPROM, as que slo se puede borrar en bloques. Por lo tanto, vuelve a la excepcionalmente alta densidad de EPROM.
Flash
Tiene desgaste mech-anisms, as que no puede ser escrito y borrado indefinidamente. Aparte de su incapacidad para borrar byte por byte, Flash es una tecnologa increblemente poderosa. Ahora es un elemento central de una gran variedad de productos, incluyendo cmaras digitales, 'memory sticks', ordenadores porttiles y memoria de programa del microcontrolador.