Tema VII.

Leccin 16

Dispositivos semiconductores de potencia. Interruptores El diodo de potencia

16.1 Construccin y encapsulado 16.2 Caractersticas estticas 16.2.1 Curvas caractersticas 16.2.2 Estados de bloqueo y conduccin 16.2.3 Clculo de prdidas 16.3 Caractersticas dinmicas 16.3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa 16.3.2 Entrada en conduccin: Recuperacin directa 16.3.3 Clculo de prdidas

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia 16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia 16.4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos 16.4.3 Diodos Schotkky 16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales 16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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16.1 Construccin y encapsulado

CARACTERSTICAS CARACTERSTICASDESEABLES: DESEABLES: --Corriente elevada con Corriente elevada conbaja bajacada cadade detensin tensin --Tensin inversa elevada con mnimas Tensin inversa elevada con mnimasfugas fugas

COMPARACIN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:

Tipo Tipo Mercurio Mercurio Selenio Selenio Germanio Germanio Silicio Silicio Oxido Oxidode de cobre cobre Cada Cadade de tensin tensin directa directa(V) (V) 15 15aa19 19 11 0,5 0,5 11 0,6 0,6 Corriente Corriente de defugas fugas baja baja alta alta baja baja muy muybaja baja alta alta Tensin Temp. Densidad Tensin Intensidad Temp. Intensidad Densidad inversa interna directa de inversa interna directa decorriente corriente 2 mx. (V) mx. (C) mx. (A) (A/cm 2 mx. (C) mx. (V) mx. (A) (A/cm) ) 400 400 150 150 120 120 200 200 70 70 20.000 20.000 50 50 800 800 3.500 3.500 30 30 5.000 5.000 50 50 200 200 1.000 1.000 10 10 4.000 4.000 11 100 100 100 100 11

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16.1 Construccin y encapsulado

ENCAPSULADOS DO - 5
- Aislamiento - Conexin Elctrica - Disipacin trmica

Terminal de cobre (nodo) Soldaduras Au-Si Cierre aislante

Cierre metlico Base de cobre (ctodo) P N

Pastilla semiconductora

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16.1 Construccin y encapsulado

DO 200AC Grandes corrientes (3500 5000 A)
Base de cobre (nodo) Pastilla semiconductora Cierre metlico Cierre cermico Soldaduras Base de cobre (ctodo)

P N

Cierre metlico

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16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:
Vd rd VF

id tg = 1/rd VRRM IR
VR

Vd

VAK

Diodo real

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16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:

id

Vd = 0 rd = 0 VAK
Diodo ideal

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin:
DIODO IDEAL
Ve V

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

VS V

DIODO REAL
Vd rd
Ve V

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

VS V-Vd -rdid

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin. Parmetros:
Intensidad media nominal (IFAV): Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C normalmente). Intensidad de pico repetitivo (IFRM ): Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a determinada temperatura de la cpsula. Intensidad de pico nico (IFSM ): Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo:

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

Ve V VS

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16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM ): Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ): Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido. Tensin inversa de pico nico (VRSM ): Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms. Tensin de ruptura (VR): Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
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16.2 Caractersticas estticas

Clculo de prdidas:
id

Pdis =

1 T

v F (t) i d (t) dt
VF id

P = Vdd I +rdd (I )22 dis I dm (I def P dis = V dm+r def )

V :: dd V Idm :: Idm rr :: dd Idef I ::
def

Tensin Tensinumbral. umbral. Corriente Corrientemedia. media. Resistencia Resistenciadinmica. dinmica. Corriente eficaz. Corriente eficaz.

Vd

rd

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16.3 Caractersticas dinmicas

Entrada de conduccin: Recuperacin directa
Diodo Ideal: Cierre
t

Diodo Real:

id did/dt Id

VF

Id
VFP t

Vd

-VR trd

trd t ::tiempo tiempode derecuperacin recuperacindirecta directa

rd

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16.3 Caractersticas dinmicas

Salida de conduccin: Recuperacin inversa
Pico de corriente de recuperacin Inversa:
id Id Qrr=Irrtrr/2

Irr = t a

did dt

Tiempo de recuperacin inversa:

Irr

t rr = t a + t b
ta = tiempo de almacenamiento. tb = tiempo de cada. Carga de Almacenamiento:
ta VF trr tb

Q rr =
t rr = 2 Q rr di d dt

1 t rr Irr 2
Irr = 2 Q rr di d dt

Vrr

VR

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16.3 Caractersticas dinmicas

Clculo de prdidas:
Las prdidas de entrada en conduccin son muy pequeas ( trd << trr) y suelen despreciarse!
id Id Qrr=Irrtrr/2

Irr trr

Pdis

1 = T

v F (t) i d (t) dt

VF

P = Qrr VR fSS P dis dis = Q rrV Rf

ff : Frec. de conmutacin. S S: Frec. de conmutacin. Observar la dependencia de las prdidas con la frecuencia de conmutacin.
VR t

(aproximacin de la salida de conduccin)

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV I ::1A 1A 6000 6000A A

FAV

: 400 3600 V V RRM V RRM: 400 3600 V V : 1,2V (a II ) Fmax V Fmax: 1,2V (a FAVmax FAVmax) tt : 10 s rr rr: 10 s Aplicaciones: Aplicaciones:--Rectificadores Rectificadoresde deRed. Red. --Baja frecuencia (50Hz). Baja frecuencia (50Hz).

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):
IFAV I ::30A 30A 200 200A A
FAV

V : 400 1500 V RRM V RRM: 400 1500 V : 1,2V (a II ) V Fmax V Fmax: 1,2V (a FAVmax FAVmax) tt : 0,1 - 10 s rr rr: 0,1 - 10 s Aplicaciones: Aplicaciones:--Conmutacin Conmutacina aalta altafrecuencia frecuencia(>20kHz). (>20kHz). --Inversores. Inversores. --UPS. UPS. --Accionamiento Accionamientode demotores motoresCA. CA.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos Schotkky:
IFAV I ::1A 1A 120 120A A
FAV

V : 15 150 V RRM V RRM: 15 150 V : 0,7V (a II ) V Fmax V Fmax: 0,7V (a FAVmax FAVmax) tt : 5 ns rr rr: 5 ns Aplicaciones: Aplicaciones:--Fuentes Fuentesconmutadas. conmutadas. --Convertidores. Convertidores. --Diodos Diodosde delibre librecirculacin. circulacin. --Cargadores de bateras. Cargadores de bateras.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):
IFAV I ::0,45A 0,45A 2 2A A
FAV

V : 7,5kV 18kV R V R: 7,5kV 18kV : 20V 100V V RRM V RRM: 20V 100V tt : 150 ns rr rr: 150 ns Aplicaciones: Aplicaciones:--Aplicaciones Aplicacionesde dealta altatensin. tensin.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):
IFAV I ::50A 50A 7000 7000A A
FAV

V : 400V 2500V RRM V RRM: 400V 2500V ::2V V FF V 2V tt :10 s rr rr:10 s Aplicaciones: Aplicaciones:--Aplicaciones Aplicacionesde dealta altacorriente. corriente.

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16.4 Tipos de diodos de potencia

nodo 200V 60A Ctodo (roscado) Schottky 120A 150V

DO - 5

Rectificador 1500V 168A 1.8V

Encapsulado cermico 600V/6000A

Alta Tensin 40.000V 0.45A 32V (VF) 32

Fast 1500V 168A 1.8V

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16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

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