Un amplificador operacional (comnmente

abreviado A.O., op-amp u OPAM), es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia):

ESTRUCTURA INTERNA
Los terminales son: - V+: entrada no inversora - V-: entrada inversora - VOUT: salida - VS+: alimentacin positiva - VS-: alimentacin negativa

Los terminales de alimentacin pueden recibir diferentes nombres, por ejemplos en los A.O. basados en FET VDD y VSS respectivamente. Para los basados en BJT son VCC y VEE.

Configuraciones
Comparador
Seguidor No inversor Sumador inversor Restador Inversor

 Comparador

Esta es una aplicacin sin la retroalimentacin. Compara entre las dos entradas y saca una salida en funcin de qu entrada sea mayor. Se puede usar para adaptar niveles lgicos.

 Seguidor

Es aquel circuito que proporciona a la salida la misma tensin que a la entrada. Se usa como un buffer, para eliminar efectos de carga o para adaptar impedancias (conectar un dispositivo con gran impedancia a otro con baja impedancia y viceversa) Como la tensin en las dos patillas de entradas es igual: Vout = Vin Zin =

- Presenta la ventaja de que la impedancia de entrada es elevadsima, la de salida prcticamente nula

 No inversor

El voltaje de entrada, ingresa por el pin positivo, pero como conocemos que la ganancia del amplificador operacional es muy grande, el voltaje en el pin positivo es igual al voltaje en el pin negativo y positivo, conociendo el voltaje en el pin negativo podemos calcular la relacin que existe entre el voltaje de salida con el voltaje de entrada haciendo uso de un pequeo divisor de tensin. Zin = , lo cual nos supone una ventaja frente al amplificador inversor.

 Sumador inversor La salida est invertida Para resistencias independientes R1, R2,... Rn La expresin se simplifica bastante si se usan

resistencias del mismo valor Impedancias de entrada: Zn = Rn

 Restador Inversor
Para resistencias independientes R1,R2,R3,R4: Igual que antes esta expresin puede simplificarse con

resistencias iguales La impedancia diferencial entre dos entradas es Zin = R1 + R2 Cabe destacar que este tipo de configuracin tiene una resistencia de entrada baja

 Amplificador diferencial.

Es un amplificador con dos entradas, dos alimentaciones (positiva y negativa con respecto a masa), y una o dos salida. Como tensiones de salida Vs pueden tomarse: Vc1, Vc2 o Vc2-Vc1 (salida flotante) El amplificador diferencial tiene por objeto amplificar la diferencia entre las tensiones aplicadas a sus entradas, proporcionando una salida Vs que no est influida (en pequea medida) por cualquier tensin comn a las seales de entrada. siendo D la amplificacin o ganancia.

Alimentacin. El amplificador operacional puede ser polarizado, tanto con tensiones simples cmo con tensiones simtricas, si utilizamos tensiones simples, a la salida no podremos conseguir valores menores de 0V. EL valor de estas tensiones no suele ser fijo, dando los fabricantes un margen entre un mximo y un mnimo, no teniendo ninguna consecuencia en el funcionamiento del amplificador, el valor de tensin que se escoja, nicamente las tensiones de salida nunca superaran las tensiones de alimentacin.

EL BJT EN CONMUTACIN
Los circuitos de conmutacin son aquellos en los que el paso de bloqueo a saturacin se considera inmediato, es decir, el transistor no permanece en la zona activa. Los circuitos tpicos del transistor en conmutacin son los multivibradores y la bscula de Schmitt. Los multivibradores se aplican en los sistemas electrnicos de temporizacin, generacin de seales cuadradas, intermitencias, etc. Las bsculas de Schmitt tienen su principal aplicacin en sistemas de deteccin que utilizan sensores, de forma que se comporta como un interruptor activado por las variaciones de algn parmetro fsico detectado por el sensor. El transistor BJT en CORTE. El transistor BJT en SATURACION.

Que es un transistor FET

El transistor FET es un dispositivo semiconductor que

controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El transistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si.

COMPARACIN ENTRE UN BJT Y FET Transistor BJT Transistor FET

Es un dispositivo controlado por corriente. Existen dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP. Es un dispositivo bipolar, esto es, la conduccin esta en funcin de dos tipos de portadores: electrones y huecos. La impedancia de entrada es mnima. Es un dispositivo controlado por voltaje Existen dos transistores de efecto de campo: de FET de canal N y canal P. Es un dispositivo unipolar, la conduccin esta en funcin de electrones(canal N) o bien de huecos(canal P). Tiene una impedancia de entrada , con niveles de 1 hasta cientos de megaohms, lo cuales una caracterstica muy importante para su diseo.

Tiene mayor sensibilidad en su salida a Tiene menor sensibilidad en su salida cambio en su variable de entrada, por respectivo a su variable de entrada. tanto tiene una ganancia de voltaje en ca. Son inestables , cambios en la Son mas estables a cambios en la

CLASIFICACIN DEL TRANSISTOR FET

Los FETS se clasifican en FETS de canal-n y FETS de canal-p de acuerdo al tipo de material de la regin central de este dispositivo. Con respecto a su construccin y material de dopado, los FETS se clasifican en: El transistor de efecto de campo de unin, JFET (Junctin Field Transistor) El transistor de efecto de campo metal-xido semiconductor, MOSFET (MetalOxide Semiconductor Field-Effect Transistor. Que a su vez se divide en dos tipos MOSFET de tipo decremental MOSFET de tipo incremental

El MOSFET se ha convertido en uno de los dispositivos ms utilizados en el diseo y construccin de circuitos integrados para computadoras digitales, en parte debido a su estabilidad trmica.

Diferencia entre BJT y MOSFET

Transistor bjt
BJT es un transistor bipolar

TRANSISTOR MOSFET
MOSFET es un transistor

de juntura. Un BJT tiene un emisor, colector y la base BJT se prefieren para aplicaciones de baja corriente. La operacin de BJT es depende de la corriente en la base.

Metal Oxide Semiconductor Field-Efecto. un MOSFET tiene una puerta, fuente y el drenaje. los MOSFET son para funciones de alta potencia. El funcionamiento del MOSFET depende de la tensin en el electrodo de puerta de aislamiento de xido.

Diferencia entre un transistor BJT y MOSFET

Partes de un transistor FET

Los terminales de este tipo de transistor se llaman

Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).

Polarizacin de un transistor FET

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con

respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET

 El transistor de juntura bipolar es un dispositivo

operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El transistor FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas

dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.
Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

 Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta

estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta).

Curva caracterstica del transistor FET

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye.

 Si ahora se repite este grfico

para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver grficos a la derecha)

 Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de

un transistor FET de canal tipo P en el grfico inferior derecha. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] )

donde:

- IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIN Aislador o separador (buffer) Amplificador de RF Mezclador Amplificador con CAG PRINCIPAL VENTAJA USOS Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida, de salida baja receptores Bajo ruido Baja distorsin de intermodulacin Facilidad para controlar ganancia Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones Receptores, generadores de seales Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores de cc, sistemas de control de direccin Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controlas de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Generadores de frecuencia patrn, receptores Integracin en gran escala, computadores, memorias

Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Troceador Ausencia de deriva

Resistor variable por voltaje Amplificador de baja frecuencia Oscilador Circuito MOS digital

Se controla por voltaje

Capacidad pequea de acoplamiento Mnima variacin de frecuencia Pequeo tamao

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensin con

una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenaje-fuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilizacin de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia

pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.