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El transistor Bipolar de Puerta Aislada Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Este dispositivo aparece en los aos 80 Mezcla caractersticas de un transistor bipolar y de un MOSFET La caracterstica de salida es la de un bipolar pero se controla por tensin y no por corriente
C EL IGBT DE POTENCIA
MOSFET
Bipolar
G E
Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)
Es similar a la de un MOSFET Slo se diferencia en que se aade un sustrato P bajo el sustrato N Es el dispositivo ms adecuado para tensiones > 1000 V
EL IGBT DE POTENCIA
El MOSFET es el mejor por debajo de 250 V En los valores intermedios depende de la aplicacin, de la frec.,etc.
El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)
EL IGBT DE POTENCIA
Control de motores
Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia
Problema:
EL IGBT DE POTENCIA
Coeficiente de temperatura negativo A mayor temperatura, menor cada de tensin Conduce ms corriente
Se calienta ms
Esto es un problema para paralelizar IGBTs
Encapsulados de IGBT
MTP TO 247
EL IGBT DE POTENCIA
EL IGBT DE POTENCIA
Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales Media tensin 250 V 300 V (Poco usuales) Alta tensin 600 V 900 V 1200 V
Caractersticas bsicas
EL IGBT DE POTENCIA
C
En ocasiones, el encapsulado incorpora internamente un diodo
G E
Caractersticas elctricas
Tensin de saturacin colector-emisor (como en bipolares)
EL IGBT DE POTENCIA
Caractersticas dinmicas
Circuito equivalente del IGBT
La base del bipolar no del accesible
EL IGBT DE POTENCIA
Esto da lugar a la llamada cola de corriente (current tail) Problema: aumento de prdidas de conmutacin
Cola de corriente
Caractersticas dinmicas
Al contrario que en el MOSFET, los tiempos de conmutacin del IGBT no dan informacin sobre las prdidas de conmutacin Causa: No tienen en cuenta el efecto de cola de corriente Este efecto es muy significativo en el conjunto de prdidas Adems, el tiempo de cada de la tensin VCE no queda definido Este tiempo es muy importante para definir las prdidas
EL IGBT DE POTENCIA
Tipos de Tiristores
DIAC
TRIAC
GTO
TIRISTORES
Seguir teniendo aplicaciones debido a que es de los semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia
TIRISTORES
Estructura de 4 capas
SCR
Caracterstica V-I Puerta
IA nodo A
VAK
TIRISTORES
Zona de transicin
Encapsulados de SCR
ADD A PACK
MAGN A PACK
PACE PACK
TIRISTORES
TO-200
TIRISTORES
800 V
1000 V 1200 V
Caractersticas de disparo
Para disparar el SCR hay que introducir corriente por la puerta Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones: 1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor
IG
TIRISTORES
Caractersticas de disparo
El circuito de disparo debe tener una recta de carga tal que el punto de corte est en la zona de disparo seguro Z1 V1
IG
V 1 / Z1
TIRISTORES
VGK
V1
Caractersticas de disparo
2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente nodo-ctodo sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento (Latching Current)
IA
Se apaga
IG
TIRISTORES
Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo aunque no tenga corriente en puerta
Caractersticas de disparo
Podramos disparar el SCR con un pulso de corriente Esto funciona con carga resistiva ya que la corriente crece rpidamente y se alcanza fcilmente la corriente de enclavamiento IA Z1 = R
IA V1 IG IG Z1
Se apaga
Z1 = Ls
TIRISTORES
Para evitar esto, se suele disparar los SCR con trenes de pulsos IG
Caractersticas de disparo
El SCR se puede llegar a disparar por derivada de tensin Si la tensin nodo-ctodo cambia muy bruscamente, puede inducirse corriente en la puerta y entrar en conduccin
i VAK
dVAK grande dt
TIRISTORES
IA
TIRISTORES
IA
IMANTENIMIENTO
El apagado esttico se utiliza en aplicaciones de red (50 Hz) El tiristor se apaga de forma natural
VAK
TIRISTORES
IA
VAK
Ejemplo de funcionamiento
V1
Disparo
R1 V1
VR VR
VT
TIRISTORES
VT
TRIAC
T1
T2
TIRISTORES
Su uso es comn en aplicaciones de baja potencia (pero relativamente alta comparada con la potencia de muchos sistemas de alimentacin) 200, 400, 600, 800, 1000 V Especificaciones tpicas 1- 50 A
TRIAC
Hay 4 posibilidades de funcionamiento
T2
+ IG
T2
+
IG
T2
IG
T1
IG
T1
T1
T1
IG >
35 mA 30 mA 40 mA
35 mA 30 mA 60 mA
70 mA 30 mA 60 mA
35 mA 30 mA 40 mA
TIRISTORES
IH < IL <
IH Corriente de mantenimiento
IL Corriente de enclavamiento
TRIAC
Ejemplo
Nivel de comparacin
RL (Carga) C
Comp. con Histresis
VG
R VRL
: ngulo de disparo Controlando el ngulo de disparo se controla la potencia que se le da a RL A este tipo de control se le llama control de fase VComp
TIRISTORES
VG
DIAC
No es un interruptor
T2
- 30 V
30 V
VT12
TIRISTORES
GTO
K
TIRISTORES
GTO
Soporta altas tensiones Puede manejar corrientes elevadas La cada de tensin en conduccin es relativamente baja
TIRISTORES