Resumen Capitulo 3

Los dispositivos semiconductores poseen las siguientes caractersticas: Ms pequeos Ms ligeros Ms resistentes Ms eficientes

Adems estos: No requieren periodo de calentamiento No tienen requisitos de disipacin de calor Tienen menores voltajes de operacin

Los transistores:
Son dispositivos de tres terminales con tres capas de semiconductor, siendo la parte central la parte ms angosta que las otras dos. Las dos capas exteriores son de tipo n o de tipo p cn el material opuesto en la parte central. Una de las dos uniones P_N del transistor se encuentra en polarizacin directa mientras que la otra esta en polarizacin inversa.

La corriente:
La corriente del emisor en DC es siempre la mayor corriente de un transistor mientras que la corriente de la base siempre es la ms pequea. La corriente del emisor siempre es la suma de las otras dos. La corriente del colector (Ic) est compuesta por dos componentes: el componente mayoritario y la corriente minoritaria, La corriente del colector tambin es llamada corriente de fuga. La flecha en el smbolo del transistor define la direccin del flujo de corriente convencional para la corriente del emisor y por tanto define la direccin de las otras corrientes del dispositivo.

Un dispositivo de tres terminales requiere dos conjuntos de caractersticas para definir de forma completa sus caractersticas.

Regiones de la grafica y la recta de carga:

En la regin activa de un transistor, la unin base-emisor se encuentra en polarizacin directa mientras que la unin colector-base se encuentra en polarizacin inversa. En la regin de corte las uniones base-emisor y colector-base de un transistor se encuentran ambas en polarizacin inversa. En la regin de saturacin las uniones base-emisor se encuentran en polarizacin directa. En promedio como primera aproximacin, el voltaje base-emisor de un transistor puede suponerse de 0.7 V. El Parmetro alfa relaciona la corriente del emisor con la corriente del colector y es aproximadamente 1. La impedancia entre las terminales para una unin en la polarizacin directa siempre ser relativamente pequea mientras que la impedancia entre las terminales de una unin en polarizacin inversa es relativamente grande. La flecha en el smbolo de un transistor NPN apunta hacia afuera de un dispositivo, mientras para un PNP apunta hacia dentro del transistor. Para propsitos de amplificacin lineal, el corte para la configuracin de un emisor comn est definido por Ic=Iceo. El parmetro (B) proporciona una importante relacin entre las corrientes de la base y el colector y generalmente se encuentra entre 50 y 400.