P. 1
[DSE] 2 Amplificacion de pequeña señal con transistores BJT y FET

[DSE] 2 Amplificacion de pequeña señal con transistores BJT y FET

4.71

|Views: 32.337|Likes:
Publicado porOskar Casquero

More info:

Published by: Oskar Casquero on Feb 12, 2008
Copyright:Attribution Non-commercial Share Alike

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as DOC, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

10/13/2014

pdf

text

original

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.a. Tema: Amplificación de pequeña señal con transistores BJT
Las señales de pequeña amplitud y baja frecuencia permiten al BJT trabajar en la zona lineal. En estas condiciones, el modelo de parámetros híbridos se convierte en la mejor herramienta para analizar el funcionamiento del transistor BJT en pequeña señal. De este modo,  el comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones lineales y sencillas.  el transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por elementos lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrónica (Ohm, Kirchoff, Thevenin) para su resolución.

2.a.1. Definición de los parámetros híbridos
Para conseguir el modelo de pequeña señal de un transistor BJT analizaremos el transistor como un cuadripolo, desarrollando las ecuaciones que relacionan las tensiones y corrientes de entrada y salida.

variables iI y vI, valores instantáneos de entrada variables iS y vS, valores instantáneos de salida las variables iS y vI son dependientes, mientras iI y vS son independientes vI = f1 (iI , vS ) iS = f 2 (iI , vS )

1

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa Desarrollando estas funciones en serie de Taylor: ∆v I = ∆iS = ∂v I ∂iI ∂iS ∂i I ⋅ ∆i I +
vS = kte

∂v I ∂v S ∂iS ∂v S

⋅ ∆v S
iI = kte

⋅ ∆i I +
vS = kte

⋅ ∆v S
iI = kte

Las derivadas parciales son los incrementos de las variables y en pequeña señal, dado que dichos incrementos son pequeños, coinciden con los valores instantáneos: vI = iS = ∆v I ∆i I ∆i S ∆i I ⋅ iI +
vS = kte

∆v I ∆v S ∆i S ∆v S

⋅ vS
iI = kte

⋅ iI +
v S = kte

⋅ vS
iI = kte

2

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

Rescribiendo las ecuaciones de otra manera, el significado de los parámetros híbridos se entiende mucho mejor: vi = is = vi ii is ii ⋅ ii +
vs = 0

vi vs is vs

⋅ vs
ii = 0

⋅ ii +
vs = 0

⋅ vs
ii =0

hi [Ω] impedancia de entrada con la salida en cortocircuito.

hr [adimensional] ganancia inversa de tensión con entrada en circuito abierto.

hf [adimensional] ganancia de corriente con la salida cortocircuitada.

3

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

ho [Ω-1] conductancia de salida con la entrada en circuito abierto. v I = hi ⋅ i I + hr ⋅ v S iS = h f ⋅ i I + ho ⋅ v S Estas ecuaciones permiten dibujar el circuito equivalente de pequeña señal del BJT.

2.a.2. Circuito equivalente del BJT para pequeña señal
Dependiendo del electrodo común, cambiarán los subíndices de las corrientes, tensiones y parámetros híbridos. El circuito equivalente de pequeña señal es el mismo en un PNP que en NPN.

2.a.2.1. Emisor común
vbe = hie ⋅ ib + hre ⋅ vce ic = h fe ⋅ ib + hoe ⋅ vce
ib vbe ib vbe ic vce ic vce ib ic

vbe

vce

4

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.a.2.2. Colector común
vbc = hic ⋅ ib + hrc ⋅ vec ie = h fc ⋅ ib + hoc ⋅ vec
ib vbc ie vec ib ie

ib vbc

ie vec

vbc

vec

2.a.2.3. Base común
veb = hib ⋅ ie + hrb ⋅ vcb ic = h fb ⋅ ie + hob ⋅ vcb

ie veb ie veb

ic vcb ic vcb

ie

ic

veb

vcb

2.a.3. Valores típicos de los parámetros híbridos
En la siguiente tabla se muestran los valores típicos de los parámetros híbridos, siendo Q[|IC|=1.3mA, |VCE|=5V], Ta=25ºC eta fS=1Khz. EK KK BK hi 2.1 KΩ 2.1 KΩ 20 Ω hr 10-4 1 ~10-4 hf 100 -101 -0.99 ho 10-2 (KΩ)-1 10-2 (KΩ)-1 10-4 (KΩ)-1

5

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa      hib es menor que en las otras dos configuraciones. hrb eta hre son muy pequeños (la salida apenas influye en la entrada). hfb es menor que uno. hfb eta hfc son negativos. hob es menor que en las otras dos configuraciones.

2.a.4. Criterios para simplificar el circuito equivalente
Para lograr un circuito equivalente más sencillo, aplicaremos dos simplificaciones:  Despreciar hr en el circuito de entrada. Es decir, despreciamos el la influencia que la salida pueda tener en la entrada.  Si ho*Rl≤0.1, despreciamos ho en el circuito de salida.

2.a.5. Relación entre las distintas configuraciones

Los fabricantes de transistores sólo facilitan los parámetros híbridos en emisor común. Por esta razón, nos conviene conocer la relación que tienen colector y base común con emisor común. NOTA: cuando no se conozcan los parámetros híbridos de emisor común, se utilizarán las siguientes equivalencias: hie = VT V = T ⋅ h fe I BQ I CQ h fe = β hoe = I CQ VA

6

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.a.5.1. Circuito equivalente de colector común con parámetros de emisor común

2.a.5.2. Parámetros híbridos de colector común en función de los de emisor común

7

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.a.5.3. Circuito equivalente de base común con parámetros de emisor común

2.a.5.4. Parámetros híbridos de base común en función de los de emisor común

8

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa I i = −( I b + h fe ⋅ I b + I hoe ) Ib = − I hoe = − Ii = hib = Vib I ib Vi hie

Vi = −hoe ⋅ Vi 1 hoe

h + 1 + hie ⋅ hoe Vi V + h fe i + hoe ⋅ Vi = fe ⋅ Vi hie hie hie =
Vob = 0

hie h 1 = ie ⋅ hie ⋅ hoe h fe + 1 + hie ⋅ hoe h fe + 1 1 + h fe + 1 h fe + 1 + hie ⋅ hoe hie ⋅ Vi

Ii =

h + h ⋅h  V  I i = h fe ⋅ I b + I hoe = h fe ⋅  − i  − hoe ⋅ Vi = − fe ie oe ⋅ Vi  h  hie  ie  h ⋅h 1 + ie oe h + h ⋅h h h fe I h fb = ob = − fe ie oe = − fe ⋅ I ib V = 0 h fe + 1 + hie ⋅ hoe h fe + 1 1 + hie ⋅ hoe ob h fe + 1

9

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa Ib = −Io Vo + Io = h fe ⋅ I b = Vo ⋅ hoe − h fe ⋅ I o 1 + hie ⋅ hoe hoe 1 hie + hoe

I o ⋅ (1 + hie ⋅ hoe ) = Vo ⋅ hoe − h fe ⋅ I o Io = hob = I ob Vob =−
I ib =0

hoe ⋅Vo h fe + 1 + hie ⋅ hoe 1 h ⋅h 1 + ie oe h fe + 1

hoe h = − oe ⋅ h fe + 1 + hie ⋅ hoe h fe + 1

V   I CQ  VT = hie ⋅ hoe =  T ⋅ h fe  ⋅  ⋅ h fe I  V  V CQ  A  A   h ⋅h V ⇒ ie oe = T h fe VA ⇒ hie ⋅ hoe h fe + 1 ≈
h fe >>1

VT VA

VT << 1 VA hib = h fe hie h h fb = h fb = oe h fe + 1 h fe + 1 h fe + 1

2.a.5. Análisis de las diferentes configuraciones

10

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

Análisis de las distintas configuraciones teniendo en cuenta todas las simplificaciones. h fe ⋅ RL hie

∆v = −

∆i = −h fe Ro = ∞

Ri = hie

∆v = −

Ri = hie + ( h fe + 1) ⋅ RE

hie + ( h fe + 1) ⋅ RE

h fe ⋅ RL

∆i = −h fe Ro = ∞

∆v =

hie + ( h fe + 1) ⋅ RL

(h

fe

+ 1) ⋅ RL

∆i = h fe + 1 Ro = hie + RS h fe + 1

Ri = hie + ( h fe + 1) ⋅ RL

∆v =

h fe ⋅ RL hie hie h fe + 1

∆i =

h fe h fe + 1

Ri =

Ro = ∞

2.a.6. Criterios para elegir la configuración adecuada

11

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa Δi 99 -0.99 -100 Δv -452 469 0.99 Ri Ro 2.1 KΩ 147 KΩ 20 Ω 4.88 MΩ 920 KΩ 30 Ω

E.K. B.K. K.K.

 Cuando se requiera amplificar tensión, no se pueden utilizar las configuraciones de KK (Δv≈1) y BK (Ri⇊), siendo la de EK la más adecuada.  A la hora de elegir la etapa de entrada, en ocasiones es más importante la resistencia de entrada que la ganancia de tensión. o Para lograr una resistencia de entrada grande, utilizaremos KK. o Para lograr una resistencia de entrada pequeña, utilizaremos BK.  A la hora de elegir la etapa de salida, el criterio más importante la resistencia de salida. o Para lograr una resistencia de entrada grande, utilizaremos BK. o Para lograr una resistencia de entrada pequeña, utilizaremos KK.

2.a.7. Variaciones de los parámetros híbridos
Los parámetros híbridos de un transistor varían con la temperatura y el punto de trabajo. Los fabricantes proporcionan las curvas de variación de los parámetros híbridos en emisor común para una temperatura y punto de trabajo dados.

Ejemplo: cuando T=25ºC, el transistor tiene hie=10K, siendo Q [IC=1mA; VCE=5v]. Calcular hie a T=100ºC cuando Q [IC=20mA; VCE=5v]. hie [ I c = 20mA] = 0.2 ⇒ hie [ I c = 20mA] = 0.2 ⋅ hie [ I c = 1mA] = 0.2 ⋅10 = 2 K hie [ I c = 1mA] hie [T j = 100º C ] hie [T j = 25º C ]

T = 25 º C Ic = 20 mA Vce = 5 v

≈ 1.8 ⇒ hie [T j = 100º C ] = 1.8 ⋅ hie [T j = 25º C ] = 1.8 ⋅ 2 = 3.6 K

T =100 º C Ic = 20 mA Vce = 5 v

12

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.b. Tema: Amplificación de pequeña señal con transistores FET
Las señales de pequeña amplitud y baja frecuencia permiten al FET trabajar en la zona lineal. En estas condiciones, el modelo de parámetros híbridos se convierte en la mejor herramienta para analizar el funcionamiento del transistor en alterna. De este modo,  el comportamiento del transistor se puede describir mediante unas ecuaciones lineales y sencillas.  el transistor se puede sustituir por un circuito equivalente compuesto por elementos lineales, lo cual permite utilizar las leyes comunes de la electrónica (Ohm, Kirchoff, Thevenin) para su resolución. Para conseguir el modelo de pequeña señal de un transistor FET analizaremos el transistor como un cuadripolo, desarrollando las ecuaciones que relacionan las tensiones y corrientes de entrada y salida.

iG=0 vGS

iD

FET

vDS

tensión Vgs, tensión instantánea de entrada. variables Id eta Vds, valores instantáneos de salida. la variable Id aldagaia es dependiente, mientras Vgs eta Vds son independientes. iD = f (vGS , vDS ) Desarrollando esta función en serie de Taylor: ∂i ∂i ∆iD = D ⋅ ∆vGS + D ⋅ ∆vDS ∂iGS vDS = kte ∂vDS vGS = kte Las derivadas parciales son los incrementos de las variables y en pequeña señal, dado que dichos incrementos son pequeños, coinciden con los valores instantáneos:

i i id = d ⋅ v gs + d ⋅ vds v gs vds = 0 vds v gs = 0

1 id = g m ⋅ v gs + ⋅ vds rd

 gm [Ω-1] TRANSCONDUCTANCIA o corriente de salida con respecto a la tensión de entrada con la salida en cortocircuito. 13

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

gm =

2 ⋅ I DQ ⋅ I DS VT

 1/rd [Ω-1] conductancia de salida cuando no hay señal a la entrada. o rd [Ω] àRESISTENCIA DE DRENADOR. Estas ecuaciones permiten dibujar el circuito equivalente de pequeña señal del FET.

2.b.2. Análisis de las diferentes configuraciones

A la hora de analizar las distintas configuraciones supondremos que r d >> RL, por lo tanto, podemos despreciar rd. ∆v = − g m ⋅ RL Ri = ∞ ∆i = ∞

Ro = ∞

∆v =

g m ⋅ RL 1 + g m ⋅ RL Ro =

∆i = ∞ 1 gm

Ri = ∞

14

Diseinu eta Simulazio Elektronikoa

2.b.3. Variación de los parámetros
Los parámetros gm eta rd varían con la temperatura y el punto de trabajo del transistor.

gm

rd

Ta

15

You're Reading a Free Preview

Descarga
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->