El Transistor de Unin Bipolar (BJT)

Jess Pizarro Pelez

I.E.S. Trinidad Arroyo Dpto. de Electrnica

BJT (Bipolar Junction Transistor)

Dispositivo electrnico formado por dos uniones PN.

Tres zonas de dopado:
Emisor: zona muy dopada. Base: zona estrecha y poco dopada. Colector: zona ms ancha y con dopaje intermedio.

Transistores PNP y NPN

TRANSISTOR ESTRUCTURA EQUIVALENTE SMBOLO

NPN

PNP

FUNCIONAMIENTO

El diodo emisor se polariza en directa El diodo colector en inversa

FUNCIONAMIENTO

Base y Emisor son una unin PN polarizada en directa. S Vee > 0V los e- del emisor se acercan a la barrera.

FUNCIONAMIENTO

Cuando Vee > Vu (0.6V - 0.7V) el diodo conduce. Aparece una corriente entre base y emisor. Como la base est poco dopada, la corriente es pequea.

FUNCIONAMIENTO

Si Vcc>0 el diodo de colector est en inversa. Los e- del emisor son atrados por el colector. Base muy estrecha => los e- pueden atravesar la barrera y pasar al colector. Colector mas dopado que base => la gran mayora de epasan al colector y unos pocos a la base.

FUNCIONAMIENTO
IE IC

IB

I E I B IC I C I E I CBO

: Caracterstica de cada transistor

- Porcentaje de e- que pasan a C (0 1) - Muy elevado (0.95-0.99)

FUNCIONAMIENTO
IE IC

IB

: Ganancia. Caracterstica de cada transistor I C I B Relacin entre IB e IC (0 - ) 1 1

FUNCIONAMIENTO
IE IC

IB

En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequea corriente IB

FUNCIONAMIENTO
IE IC

IB

En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequea corriente IB

FUNCIONAMIENTO
IE IC

IB

En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequea corriente IB

FUNCIONAMIENTO
IE IC

IB

En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequea corriente IB