G.

- Analice la resistencia del diodo en el sentido de conduccin y en el de bloqueo: Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y la polaridad de VD encontraremos que el valor de la resistencia directa , de acuerdo a como se define con la ley de Ohm es:

(Corto circuito) donde es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e es la corriente en sentido directo a travs del diodo. El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin. El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay conduccin. En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo ( ): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo ): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva ): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. H.- En qu se diferencian los electrodos libres de los de valencia. Cmo participan en los semiconductores para efecto de conductividad. Una diferencia que existe es que los electrones de valencia de un tomo son los electrones que tiene para compartir, enlaces covalentes, con otros tomos y as completar el octeto, o cuando los enlaces son inicos son los electrones que ceden; en cambio los electrones que no son de valencia no se pueden compartir. Los electrones de valencia no son electrones nacidos en valencia, sino que se trata de aquellos electrones que se encuentran en los ltimos niveles de energa del tomo, es por esto que son los principales responsables del tipo de enlace qumico que tendrn los tomos; por otro lado hemos visto los electrones de la ltima capa estn sujetos en forma bastante ligera y pueden ser desalojados completamente por colisin con otros electrones o mediante la accin de fuerzas capaces de excitarlos (Estas fuerzas sern estudiadas ms adelante) y producir el desplazamiento de dichos electrones, a los que se les conoce como electrones libres.

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. I.- En los semiconductores se utiliz el trmino hueco como si fuese una partcula autnoma y se mueven en la direccin de la intensidad del campo elctrico. Realmente existen?. Como se explican? Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos vecinos se le une completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. J.- La recombinacin es un proceso opuesto a la formacin de pares, como tal no contribuye a la conductividad, sin embargo es un proceso importante en los semiconductores. Por qu? Los electrones pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un electrn atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en l. A este fenmeno se le denomina recombinacin, y supone la desaparicin de un electrn y de un hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad elctrica. K.- Como intervienen los niveles de Fermi para explicar la conductividad de los semiconductores?

La energa de Fermi tambin juega un papel importante en la comprensin del misterio de por qu los electrones no contribuyen significativamente al calor especfico de slidos a temperaturas ordinarias, mientras que son contribuyentes dominantes a la conductividad trmica y la conductividad elctrica. Dado que slo una pequea fraccin de los electrones en un metal se encuentran dentro de la energa trmica kT de la energa de Fermi, estn "congelados" de capacidad calorfica por el principio de Pauli. A temperaturas muy bajas, el calor especfico de electrones se convierte en importante. Esta energa es importante a la hora de entender el comportamiento de partculas ferminicas, como por ejemplo los electrones. Los fermiones son partculas de spin semi entero que verifican el Principio de exclusin de Pauli que dicta que dos fermiones no pueden ocupar simultneamente el

mismo estado cuntico. De esta manera, cuando un sistema posee varios electrones, estos ocuparn niveles de energa mayores a medida que los niveles inferiores se van llenando. La energa de Fermi es un concepto que tiene muchas aplicaciones en la teora del orbital, en el comportamiento de los semiconductores y en la fsica del estado slido en general. En fsica del estado slido la superficie de Fermi es la superficie en el espacio de momentos en la que la energa de excitacin total iguala a la energa de Fermi. Esta superficie puede tener una topologa no trivial. Brevemente se puede decir que la superficie de Fermi divide los estados electrnicos ocupados de los que permanecen libres. L.- Usted habr observado que el diodo Zener, tiene las caractersticas particulares que lo diferencian de los diodos comunes. Cules son? Podrn ser estas propiedades tiles para estabilizar una fuente de tensin. Cmo?

Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin. Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente. En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia. Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo Zener. El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa. Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa acta como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado.