Transistores Bipolares

El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector, ligeramente dopada. Colector, de extensin mucho mayor, su dopaje es intermedio.

El transistor no polarizado

Un transistor tiene tres regiones dopadas, como se muestra en la Figura. La regin inferior es el emisor, la regin intermedia es la base y la regin superior es el colector. En un transistor real, la regin de la base es mucho ms estrecha comparada con las regiones de colector y de emisor. El transistor de la Figura es un dispositivo npn porque tiene una regin n entre dos regiones p. Recuerde que los portadores mayoritarios son los electrones libres en un material de tipo n y los huecos en un material de tipo p.

Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman uno de los diodos diodo emisor, mientras que el colector y la base forman el otro diodo colector.

En al siguiente figura vemos al transistor npn, primeramente cuando est sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusin, donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. El resultado son dos zonas de deplexin una en la unin E-B (WE) y otra en la unin C-B. Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si)a 25C y 0.3V para el Ge a 25C.

El transistor polarizado
Un transistor no polarizado es como dos diodos en oposicin. Cada diodo tiene una barrera de potencial de aproximadamente 0,7 V. Cuando se conectan al transistor fuentes de tensin externas, circularn corrientes a travs de las distintas partes del transistor.

La siguiente Figura muestra un transistor polarizado. Los signos menos representan los electrones libres. El trabajo que realiza el emisor fuertemente dopado es el siguiente: emite o inyecta sus electrones libres en la base. La base ligeramente dopada tambin tiene un propsito bien definido: pasar los electrones inyectados por el emisor al colector. El colector debe su nombre precisamente a que recolecta la mayor parte de los electrones de la base.

Electrones del emisor

La Figura muestra la forma habitual de polarizar un transistor. La fuente de la izquierda, Vbb. polariza en directa el diodo de emisor y la fuente de la derecha,Vcc, polariza en inversa el diodo de colector. Aunque son posibles otros mtodos de polarizacin, polarizar en directa el diodo de emisor y en inversa el diodo de colector es el que proporciona resultados ms tiles.

Electrones de la base

En el instante en que se aplica la polarizacin directa al diodo de emisor de la Figura, los electrones del emisor todava no han entrado en la regin de la base. Si, en la Figura, Vbb es mayor que la barrera de potencial emisor-base, los electrones del emisor entrarn en la base.

En teora, estos electrones libres pueden fluir en cualquiera de las dos direcciones: pueden desplazarse hacia la izquierda y salir de la base, pasando a travs de RB en el camino hacia el terminal positivo de la fuente, o pueden fluir hacia el colector. Qu camino seguirn los electrones libres? La mayora irn hacia el colector. Por qu? Existen dos razones: la base est ligeramente dopada y es muy estrecha. Slo unos pocos electrones libres se recombinarn con los huecos en la base ligeramente dopada de la Figura. Despus, como electrones de valencia, fluirn a travs de la resistencia de base hasta el terminal positivo de la fuente de alimentacin VBB.

Electrones del colector

Casi todos los electrones libres entran en el colector, como se muestra en la Figura. Una vez que estn en el colector, se ven atrados por la fuente de tensin Vcc, por lo que fluyen a travs del colector y atraviesan Rc hasta alcanzar el terminal positivo de la tensin de alimentacin del colector.

En resumen, lo que ocurre es lo siguiente: Vbb polariza en directa l diodo de emisor, forzando a los electrones libres del emisor a entrar en la base. La base es estrecha y est poco dopada, proporcionando el tiempo suficiente para que todos los electrones se difundan hasta el colector. Estos electrones atraviesan el colector, la resistencia Rc y entran en el terminal positivo de la fuente de tensin Vcc-

Corrientes del transistor

En las siguientes Figuras se muestran el smbolo esquemtico de un transistor npn. Si prefiere utilizar la direccin de la corriente convencional, utilice la Figura a. Si prefiere la direccin del flujo de electrones, utilice la. Figura b. En la siguiente Figura, se ilustran las tres corrientes diferentes que hay en un transistor: corriente de emisor Ie, corriente de base Ib y corriente de colector Ic.

Transistor pnp

Comparacin de las corrientes

Dado que el emisor es la fuente de los electrones, es la corriente ms grande. La mayor parte del flujo de electrones del emisor llega al colector, por lo que la corriente de colector es prcticamente igual que la corriente de emisor. En comparacin, la corriente de base es muy pequea, a menudo menor que el 1% por ciento de la corriente de colector.

Relacin de corrientes

Recordemos la ley de Kirchoff: la suma de todas las corrientes que entran en un punto o unin es igual a la suma de todas las corrientes que salen del punto o unin. Cuando se aplica a un transistor, la ley de las corrientes de Kirchhoff proporciona esta importante relacin: Esto quiere decir que la corriente de emisor es igual a la suma de la corriente de colector y la corriente de base. Puesto que la corriente de base es muy pequea, la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor estas ecuaciones son validas para el transistor pnp):

Alfa

El alfa de continua (simbolizada por dc) se define como la corriente continua de colector dividida entre la corriente continua de emisor:

Dado que la corriente de colector es prcticamente igual que la corriente de emisor, el alfa de continua es un poco menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, el alfa de continua normalmente es mayor que 0,99. Incluso en un transistor de alta potencia, el alfa de continua normalmente es mayor que 0,95.

La beta de continua (simbolizada por dc) de un transistor se define como la relacin de la corriente continua del colector y la corriente continua de base:

La beta de continua tambin se conoce como ganancia de corriente porque una corriente de base pequea controla a una corriente de colector mucho ms grande. La ganancia de corriente es una importante ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. En los transistores de baja potencia (menos de 1 W), la ganancia de corriente normalmente est comprendida entre 100 y 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1 W) tienen usualmente ganancias de corriente comprendidas entre 20 y 100.

Ejemplo 1

Un transistor tiene una corriente de colector de 10 mA y una corriente de base de 40 uA. Cul es la ganancia de corriente del trnasistor?

Un transistor tiene una corriente de colector de 2 mA. Si la ganancia de corriente es 135, cul es la corriente de base?

La conexin en emisor comn

La forma mas utilizada de de conectar un transistor: es en emisor comn (EC). En la siguiente Figura, el lado comn o tierra de cada una de las fuentes de tensin est conectada al emisor. Por ello, el circuito se denomina conexin en emisor comn (EC). El circuito tiene dos mallas: la malla de la izquierda es la malla de la base y la de la derecha es la malla de colector.

En la malla de base, la fuente VBB polariza en directa al diodo de emisor con RB como resistencia limitadora de corriente. Cambiando VBB o RB. podemos cambiar la corriente de base y, por tanto, cambiar la corriente de colector. En otras palabras, la corriente de base controla la corriente de colector. Esto es importante: significa que una corriente pequea (de base) controla una comente grande (de colector). En la malla de colector, una tensin de fuente Vcc polariza en inversa al diodo de colector a travs de Rc. La tensin de alimentacin Vcc debe polarizar en inversa el diodo de colector como se muestra, o de lo contrario, el transistor no funcionar apropiadamente. Dicho de otra manera, el colector debe ser positivo para recolectar la mayor parte de los electrones libres inyectados en la base.

En la Figura a, el flujo de la corriente de base en la malla izquierda genera una tensin en la resistencia de base RB con la polaridad indicada. De forma similar, el flujo de la corriente de colector en la malla derecha genera una tensin en la resistencia de colector Rc con la polaridad indicada.

Curva caracterstica de entrada

A qu le recuerda la grfica de IB en funcin de VBE? Es parecida a la grfica de un diodo ordinario, Y por qu no iba a ser as? Se trata de un diodo de emisor polarizado en directa, por lo que es lgico obtener la grfica habitual del diodo de la corriente en funcin de la tensin. Esto implica que podemos Utilizar cualquiera de las aproximaciones del diodo estudiadas anteriormente. Si utilizamos un diodo ideal, VBE = 0. Con la segunda aproximacin, VBE = 0,7 V.

Ejemplo 3

Utilizando la segunda aproximacin, calcule la corriente de base en el siguiente circuito de la Figura. Cul es la tensin en la resistencia de base? Y la corriente de colector si dc = 200 ?