iActividad N. 10: Trabajo Colaborativo N.

Por Luisa Yirley Balln Coca 1051184940

100414 Fsica Electrnica Grupo 95

Presentado a Freddy Tllez Tutor

Universidad Nacional Abierta y a Distancia (UNAD) CEAD Chiquinquir Boyac Ingeniera de sistemas

2013

1. Objetivos 1.1. Objetivo General Analizar cada uno de los semiconductores junto con estructura atmica, que mediante consulta se expongan sus principales caractersticas y diferencias permitiendo as ampliar los conocimientos adquiridos a travs de este curso. 1.2. Objetivos Especficos Conocer cada uno de los materiales y procedimientos para hacer un circuito. Saber identificar las diferentes caractersticas y diferencias que existen entre lo que son los conductores, aislantes y semiconductores. Aprender a conocer los diferentes Diodos que existen. Conocer el software Workbench para realizar los circuitos.

FASE 1 Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. 1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo. 1.1 Materiales Aislantes. Son aquellos cuyos tomos tienen 8 electrones de valencia o ms de cuatro. Entre ms electrones se tengan en la capa de valencia mejor aislante ser el material. Por otro lado los tomos que tienen menos de 4 electrones de valencia se hacen inestables y por ello es ms fcil liberar los electrones de estos tomos que de los que tienen ms de 4 electrones de valencia, que es cuando se hacen ms estables. Decimos que un tomo es estable cuando su capa de valencia se encuentra saturada de electrones, estos tomos no se combinan debido a que tienen su capa de valencia llena. Un tomo con 7 electrones de valencia puede aceptar un electrn, pero un tomo que tiene uno o dos electrones de valencia puede cederlos fcilmente. En este caso las bandas de valencia y conduccin se encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se muevan con mayor libertad y facilidad. La magnitud de la banda prohibida es muy grande (6 eV), de forma que todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula. Ejemplos: Entre los materiales ms empleados como aislantes se encuentran: el caucho, los plsticos, el papel, la resina, el diamante, lana de roca, lana de vidrio, polietileno expandido, agramiza, la cermica y el vidrio. 1.2 Materiales Conductores. Entre menos electrones existan en la rbita de valencia de un tomo, mejor conductor ser, debido a que se requiere menos energa para liberar un electrn de valencia que para liberar un nmero mayor. Los materiales conductores tienen uno o dos electrones de valencia, pero entre estos los mejores conductores son los que tienen un electrn de valencia. Para los conductores la banda de conduccin y la de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as los electrones se mueven por toda la banda de conduccin. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Ejemplos: Como el oro, la plata y el cobre. De estos tres, el ms empleado en circuitos elctricos es el cobre. 1.3 Materiales Semiconductores. Existe una clasificacin adicional para algunos elementos cuyo comportamiento no es totalmente el de un conductor, pero tampoco el de un aislante. Son aquellos materiales cuyos tomos tienen cuatro electrones de valencia, como el germanio y el silicio.

A continuacin describiremos algunas de sus principales caractersticas, as como el comportamiento de estos elementos. Los materiales semiconductores son aquellos que tienen cuatro electrones de valencia y sus tomos pueden enlazarse entre ellos, compartiendo sus electrones, comn en el silicio (Si) y en el germanio (Ge). Los materiales semiconductores puros se denominan intrnsecos y cuando se les agregan impurezas se les denomina extrnsecos. En el caso de los semiconductores estas dos bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento. La magnitud de la banda prohibida es pequea (1 eV), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida. El germanio y el silicio son semiconductores. Ejemplos: El germanio y el silicio

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Los semiconductores tipo N: Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres. Los materiales tipo P: Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. 3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo. Diodo BARITT: (Del ingls: BARrier Injected Transit Time) Diodo semejante al diodo IMPATT donde los portadores de carga llamados a atravesar la regin de deplexin no provienen de una avalancha sino que son engendrados por inyeccin de portadores minoritarios en uniones polarizadas en el sentido de la conduccin. Diodo de avalancha: Diodo de rectificacin en el que, mediante una tcnica apropiada, se reparte la ruptura inversa, debida al fenmeno de avalancha, en todo el volumen de la unin. El diodo soporta, as, grandes corrientes en conduccin inversa sin destruirse. Diodo de capacidad variable (VARACTOR o VARICAP): Diodo semiconductor con polarizacin inversa cuya capacidad entre los terminales disminuye en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos.

Diodo de conmutacin: Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado de conduccin y el estado de bloqueo, y a la inversa. Diodo semiconductor: Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones. Diodo de seal: Diodo semiconductor empleado para la deteccin o el tratamiento de una seal elctrica de baja potencia. Diodo de unin: Diodo formado por la unin de un material semiconductor de tipo n y otro semiconductor de tipo p. Diodo Gunn: Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin de tres capas de tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia. Diodo IMPATT: (Del ingls: IMPAct Avalanche and Transit Time) Diodo cuyo funcionamiento asocia la multiplicacin por avalancha de los portadores de carga y su tiempo de propagacin en la unin. Esto conduce, para ciertas frecuencias muy elevadas, a una resistencia negativa que permite utilizar el diodo en modo amplificador o en modo oscilador. Diodo lser: Diodo electroluminiscente (LED) cuya estructura contiene una cavidad ptica y que est concebido de modo que permita la emisin estimulada, y por tanto la radiacin de una onda luminosa quasi-monocromtica y coherente (laser). Diodo PIN: (Del ingls P region-Intrinsic regin-N regin) Unin pn semiconductora que posee dos regiones, una fuertemente dopada n, representada como n++, y otra fuertemente dopada p, representada por p++, y una zona intrnseca de dopado muy dbil. Diodo Schottky: Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300 MHz.

Diodo Schokley: Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones. Diodo TRAPPAT: (Del ingls, TRAPped Plasma Avalanche Transit time) Diodo de hiperfrecuencia de semiconductores que, cuando su unin se polariza en avalancha, presenta una resistencia negativa a frecuencias inferiores al dominio de frecuencias correspondiente al tiempo de trnsito del diodo. Esta resistencia negativa se debe a la generacin y desaparicin de un plasma de electrones y huecos que resultan de la ntima interaccin entre el diodo y una cavidad de hiperfrecuencias de resonancias mltiples. Diodo tnel: Diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Diodo unitnel: Diodo tnel cuyas corrientes de pico y valle son aproximadamente iguales. 4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un transistor NPN y uno PNP? Caractersticas: PNP Un tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo (esto en cuanto a su simbologa). NPN NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del

transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. Diferencias: Transistor NPN: La principal diferencia radica en que este elemento tiene dos partes negativas (cargadas de electrones), con respecto a una positiva. La polarizacin se realiza de tal forma que el emisor se dispone en direccin del diodo, donde el ctodo proviene de base y colector. Transistor PNP: La principal diferencia radica en que este elemento tiene dos partes positivas, con respecto a una negativa. La polarizacin se realiza de tal forma que el emisor se dispone en direccin del diodo, donde el nodo proviene de base y colector. 5. Cul es la importancia de los elementos semiconductores en el actual desarrollo tecnolgico? Los semiconductores han jugado un papel muy importante para el desarrollo de la actual tecnologa, puesto que por medio de la invencin de los transistores por parte de Shockley en 1951, han jalonado la evolucin de las tecnologas modernas; es de observar un ejemplo con la evolucin de las computadoras, la cuales en sus inicios eran equipos gran volumen, que ocupaban grandes espacios y adems generaban gran cantidad de calor y exagerados costos de creacin y mantenimiento. Entonces se concluye que la integracin de transistores y otros elementos en un solo cuerpo encapsulado, permiti minimizar los tamaos de los componentes electrnicos, mejorar el rendimiento y velocidad de proceso de datos; con lo cual se llega a la poca de la micro tecnologa y la nanotecnologa, lo cual se representa en la miniaturizacin de los componentes electrnicos los cuales son de uso comercial, y otros de uso exclusivo por agencias militares. Por tanto la evolucin del transistor evoluciono hasta la creacin de microchip, el cual es un componente comn en la tecnologa actual, los cuales se han especializado en la realizacin de clculos avanzados para la solucin de problemas, necesidades y apoyo en investigacin cientfica; un ejemplo claro es la agencia gubernamental NASA de USA, quienes dedican todos sus esfuerzos para el descubrimiento de nuevos mundos, trascendiendo la frontera formada por la capa atmosfrica. FASE 2 Simulacin de Circuitos Electrnicos: realice la simulacin de los siguientes circuitos y analice los resultados obtenidos. 1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench.

Explique lo sucedido: En el primer circuito, se puede apreciar la polarizacin directa del diodo, lo que permite que al activar el circuito, el diodo admite que el flujo de corriente siga hacia el indicador de sonda roja, pasando por el diodo sin ningn problema, con lo cual esta es encendida, se puede deducir que la corriente sigue la ruta de la flecha la cual nos representa el sentido de la corriente, del nodo al ctodo.

En el segundo circuito, observamos que el diodo est invertido con relacin al primer circuito, lo que indica que esta polarizado inversamente, la corriente no circula por el diodo el cual por estar polarizado inversamente no permite el libre flujo de la corriente, es por esto que el indicador no est encendido. 2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida. a) Rectificador de Media Onda

Explique lo sucedido. Al construir este circuito y al realizar la simulacin por medio del software Workbench, en la rectificacin de media onda se observa que se elimina la parte negativa o positiva de una seal de corriente alterna de entrada ( ) convirtindola en corriente directa de salida ( ), su curva es de transferencia y es una onda senosoidal. b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

Explique lo sucedido: Al construir este circuito y al realizar la simulacin por medio del software Workbench, en la rectificacin de Onda Completa con Puente de Greatz, se observa que segn la grfica del osciloscopio, tenemos una corriente continua la cual es una onda cuadrada, con valores negativos, el efecto que tiene la aplicacin del diodo rectificador es que durante un periodo la polaridad de la entrada hace que el diodo dos y el diodo tres conduzcan, mientras que el diodo uno y el diodo cuatro se hallan en estado de no-conduccin, para la regin negativa de la entrada los diodos conductores son diodo uno y diodo cuatro, despus de un ciclo completo los voltajes de entrada y de salida aparecern en el mismo eje X realizando as la rectificacin de onda completa. 3. Aplicacin del Transistor como Amplificador: Construya el siguiente circuito y realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal de salida.

Explique lo sucedido: Podemos observar una seal senosoidal sobre el eje porque su amplitud es pequea (2mV) y una onda cuadrada que pasa de un estado a otro de tensin, a intervalos regulares, en un tiempo muy reducido. De acuerdo al osciloscopio, tenemos que hay dos entradas de voltaje, pero se presenta un pico y una perdida posterior de voltaje, el cual se estabiliza y presenta ciclos. Esto se debe principalmente a que se aplica un voltaje al transistor, el cual amplifica el

voltaje aplicado, al amplificar la seal alterna en la entrada, se consigue modificar la tensin de base-emisor del circuito, tenemos entonces que: Por medio de una pequea corriente aplicada a la base se pueden tener ms poder sobre otra mucho ms intensa entre colector y emisor. Esto significa que pequeas corrientes se pueden transformar en otras ms fuertes. Anlisis de las Grficas y los Resultados Obtenidos. Grfica Rectificador de Media Onda:

En esta grfica se observa una onda senosoidal, porque este tipo de seal vara a intervalos peridicos. La forma de onda que generalmente se usa para la corriente alterna es este tipo de seal. Grfica Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz:

En esta grfica se observa una onda cuadrada, porque la onda de corriente alterna (CA) que alterna su valor entre dos valores extremos sin pasar por los valores intermedios (al contrario de lo que sucede con la onda senoidal y la onda triangular, etc.). La mayora de estas ondas funcionan haciendo pasar la corriente continua a travs de un transformador, primero en una direccin y luego en otra. El dispositivo de conmutacin que cambia la direccin de la corriente debe actuar con rapidez. A medida que la corriente pasa a travs de la cara primaria del transformador, la polaridad cambia 100 veces cada segundo. Como consecuencia, la corriente que sale del secundario del transformador va alternndose, en una frecuencia de 50 ciclos completos por segundo. La direccin del

flujo de corriente a travs de la cara primaria del transformador se cambia muy bruscamente, de manera que la forma de onda del secundario es "cuadrada".

Grfica Aplicacin del Transistor como Amplificador:

En esta grfica se observa una onda mixta, porque tiene una onda senosoidal y una onda cuadrada.

Conclusiones Conoc cada uno de los materiales y procedimientos necesarios para hacer un circuito. Identifiqu las diferentes caractersticas y diferencias que existen entre lo que son los conductores, aislantes y semiconductores. Aprend a conocer los diferentes Diodos que existen. Aprenda a manejar el software Workbench para realizar los circuitos propuestos en la gua.

Bibliografa Manual Electronics Workbench. Por Luis Amaya y Carlos Collazos. Copyright (c) 1989, 1992-1996 Interactive Image Technologies Ltd. Informacin encontrada en: http://www.fisicacollazos.260mb.com/archivos/Manual%20Electronics%20WorkbenchE CI.pdf Carpeta Ewb512PROFESIONAL, aplicacin WEWB32. Elaborado por Andrs Heredia. Publicado en Febrero 17, 2012. Software descargado en: https://sites.google.com/site/andreshere/fisica-electronica Mdulo de Fsica Electrnica. Elaborado para la UNAD por: Freddy Reynaldo Tllez Acua. Universidad Nacional Abierta y a Distancia (UNAD). Facultad de Ciencias Bsicas e Ingeniera. 2008. Electrnica Fcil. El osciloscopio. Informacin http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Uso-del-osciloscopio.php recuperada de: