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Para los transistores, suponer vBE=0,7V en las regiones activa o de saturacin, vCEsat=0,2 V, 1= 2=1 ! " #= $=2!
%a& 'uponiendo (ue V)1=V)2=0, di)u*ar la caracter+stica de transferencia %vo en funcin de vs&. ,-u. valores de V)1 " V)2 se re(uieren para eli/inar la /a"or parte de la distorsin de cruce0 %)& 'uponer (ue el circuito est1 polari2ado para tener una corriente cero en todos los transistores para vo=0, " (ue la tensin de salida es una onda senoidal de 1!. V de pico sin distorsin de cruce. 3i)u*ar la gr1fica correspondiente a la corriente de colector en los cuatro transistores en funcin del tie/po. %c& 4eali2a una ta)la con los valores no/inales /15i/os de la corriente de colector " la tensin de colector, " la disipacin de potencia /15i/a (ue utili2ar+a/os en el dise6o t.r/ico de cada uno de los cuatro transistores. 7o/ar una salida senoidal a la 8ora de calcular la disipacin de potencia en el peor caso para los transistores. 'olucin9 a& Caracter+sticas de configuracin
)&
Calculando :
4.< Para el circuito de la =ig. >allar9 a& SV : . . . . . . . . . )& SI : . . . c& S : . . . . . . . . . . . . d& SR : . . . . . . . . . . . e& .Ic :. . . . . . . . . . . . f& ptos.Q: . . . . . . . . . . g& Ai : . . . . . . . . . . . . 8& ?: . . . . . . . . . . . . 'i 9 1,2 = 1! %:?:C:@A&, 1,2 =2! %=:?@A& , Vcc=B!. V, 4i=1. !Co8/, 4f= 0.Bo8/ , C = 0.2 !, @ = $.$ /VDEC ? = 0.7! %factor de acopla/iento t.r/ico del diodo& , :CBF%2BEC& = #n@, 4A=G. !o8/, 4 = 0.2!H, #= 2 !, Vi=2. !Vpp, 7final = I0EC
VCC 2.2V VCC R3 222 Q1 BC372 D1 1N1202C R$ 6 3.22k %&'(A 7 0) 1 R4 1.22 2 R2 1.22 3
R6 0k
C2 100"#
4 R 6.22 0
Q3
Q2 MJD117T4
R1 10k 0
C3 1"#
11 Q3 R1 !.33k 10 V2 !.7 V
C3 1"#
A ora:
Y en el "unto $ tenemos
VCC
2.2V
Q1 BC372 1 R4 1.22 2
(allando )ce3
(allando ,
-e la ecuaci.n:
Y adems
Tenemos que
/eem"lazando tenemos:
(allando 0'
0a#emos que:
/eem"lazando tenemos:
(allando: 01 2
(aciendo "ara este caso:
Tenemos:
/eem"lazando tenemos:
(allando Ai:
3inalmente:
A ora allando Ai