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Tiene una gran capacidad de conduccin de corriente en estado activo y buena capacidad de tensin de bloqueo en estado pasivo Tiene

e velocidad de conmutacin rpida Operan en base a mecanismos fsicos diferentes a los de los BTJ las cuales es necesario comprenderlo para saber optimizar su funcionamiento Tiene una estructura de orientacin vertical del dopaje alterno tipo p y tipo n Existen MOSFET de tipo n y del tipo p En sus capas externas posee + dopaje del tipo n y se llama fuente y drenaje Su capa central se la denomina cuerpo y es donde se establece el canal Para su funcionamiento se aplica una tensin que polariza el positivo de la compuerta con respecto a la fuente convirtiendo as la superficie de silicio debajo del oxido de compuerta en una capa o canal de tipo n lo que conecta la fuente con el drenaje y permite el flujo de corrientes apreciables Para determinar la cantidad de corriente que fluir es muy importante saber el espesor de oxido de compuerta, el ancho de compuerta y el numero de zonas de compuerta fuente conectadas VDMOS significa difusin vertical MOSFET de

La fuente est construida con muchos miles de pequeas reas de manera poligonal conectadas en paralelo y rodeadas por la zona de la compuerta. La forma geomtrica de las zonas de la fuente influye hasta cierto grado en la resistencia en estado activo del MOSFET El ancho de la compuerta W del MOSFET es la longitud perifrica de cada celda multiplicada por el nmero de celdas que constituyen el dispositivo Es deseable una relacin muy grande entre el ancho y el largo de la compuerta, pues as se maximiza la ganancia del dispositivo Existe un BJT npn parastico entre los contactos de fuente y drenaje, donde la zona de cuerpo de tipo p sirve como base del BJT parastico. Para reducir la posibilidad de que este transistor jams se encienda, la zona de cuerpo de tipo p se pone en cortocircuito con la zona de fuente mediante el traslape de la metalizacin de fuente sobre la zona del cuerpo de tipo p Como resultado de este cortocircuito del cuerpo hay un diodo parastico conectado entre drenaje y fuente del MOSFET. Este diodo integral sirve en convertidores

En tercer trmino, ya est el traslape de la metalizacin de compuerta a travs de la regin de arrastre n -, donde sobresale hacia la superficie del chip. Este traslape de la metalizacin de la compuerta tiene dos propsitos. Primero, tiende a intensificar la conductividad de la regin de arrastre en la interconexin n- -Si02 al formar una capa de acumulacin, lo que ayuda a disminuir la resistencia en estado activo. En segundo lugar, la metalizacin tiende a actuar como placa de campo cuando el MOSFET est apagado, lo que impide que el radio de curvatura de la zona de despoblacin del drenaje-cuerpo pn se reduzca demasiado y de este modo tambin la tensin de ruptura del dispositivo.

TRANSISTORES DE POTENCIA

MOSFET

BJT GTO IGBT

CONEXIN MOSFET EN PARALELO Los MOSFET se conectan muy fcilmente en paralelo, como los dos que se muestran en la figura 22-16, debido al coeficiente positivo de temperatura de su resistencia en estado activo. Para la misma temperatura de unin, si rDS(enc) de T2 excede la de TI> entonces, durante el estado activo, TI tiene una corriente ms alta y por ende una mayor prdida de potencia que T2, pues aparece la misma tensin a travs de ambos transistores. Por tanto, la temperatura de unin de TI aumentar junto con su resistencia en estado activo.

Simbologa MOSFET tipo n y tipo p

CARACTERISTICAS I-V El MOSFET, como el BJT, es un dispositivo de tres terminales donde la entrada, la compuerta en el caso del MOSFET, controla el flujo de corriente entre las terminales de salida, la fuente y el drenaje. La terminal de la fuente es comn entre la entrada y la salida de un MOSFET. En aplicaciones de electrnica de potencia, el MOSFET sirve como interruptor para controlar el flujo de potencia a la carga de una manera anloga al BJT. En estas aplicaciones, el MOSFET atraviesa las caractersticas de iD-vDS desde el corte a travs de la zona activa hasta la zona hmica conforme se enciende el dispositivo, y de nuevo cuando se apaga. El MOSFET est en estrangulamiento cuando la tensin de compuerta-fuente es menor que la tensin de umbral VeS(lh), que suele ser de unos cuantos voltios en la mayora de los MOSFET de potencia. El dispositivo es un circuito abierto y debe rechazar la tensin de la fuente de alimentacin aplicada al circuito. Esto significa que la tensin de ruptura de drenaje-fuente BVDS debe ser mayor que la tensin aplicada de drenaje-fuente para evitar la ruptura y la disipacin alta de potencia que conlleva.

CAPAS DE INVERSIN Y EFECTO DEL CAMPO La parte de la compuerta de la estructura MOSFET es la clave para entender cmo trabaja el MOSFET. La parte de la compuerta consta de la metalizacin de la compuerta, el dixido de silicio debajo del conductor, que e denomina xido de la compuerta, y el silicio debajo del xido. Esta zona forma un condensador (o capacitor) de alta calidad Se le denomina condensador MOS. Aunque el condensador que se muestra suele estar compuesto por metalizacin de aluminio, aislante Si02 y una capa de fondo de silicio, la misma estructura bsica se fabrica en otros semiconductores, como arseniuro de galio, y se usan otros aislantes, como nitruro de aluminio o nitruro de silicio para el aislante. Cuando se aplica una tensin positiva pequea de compuertafuente a la estructura del capacitor en el diagrama simplificado del MOSFET de canal n de la figura 225a, se forma una zona de degradacin en la interconexin entre el Si02 y el silicio. La carga positiva inducida en la metalizacin superior (el lado de la compuerta) por la tensin aplicada requiere una carga negativa igual en la placa inferior, que es el lado de silicio del xido de la compuerta.

CONTROL DE LA COMPUERTA DEL FLUJO DE CORRIENTE DE DRENAJE Ahora el MOSFET de canal n tiene tanto una alimentacin VGS de compuerta-fuente como una alimentacin VDD de drenajefuente. Al principio se supone que VGS es mayor que VGS(th) Yque VDD es pequeo. El MOSFET est en la zona hmica con un valor relativamente pequeo de ID, y la capa de inversin tiene un espesor espacial mente uniforme VDD se incrementa poco a poco hasta valores cada vez mayores, mientras VGS se mantiene constante. La corriente de drenaje se incrementar inicialmente en proporcin al aumento de VDD, pues la capa de inversin aparece como resistencia hmica que conecta el drenaje a la fuente. Este aumento de la corriente causa una cada de tensin a lo largo del canal, como Vcs(x) (tensin de canal a fuente), donde x es la distancia desde la fuente hasta la ubicacin x en el canal donde se especifica la tensin.

PRDIDAS POR CONDUCCIN EN ESTADO ACTIVO

Salvo con frecuencias de conmutacin mayores, casi toda la potencia disipada en un MOSFET en una aplicacin de potencia de modo conmutado ocurre cuando el dispositivo est en estado activo. La disipacin instantnea de potencia en el estado activo del MOSFET est dada por: = 0 2
La resistencia del estado activo tiene varios componentes Con tensiones de ruptura bajas (unos cuantos cientos de voltios o menos), todos estos componentes de resistencia contribuyen con mayor o menor igualdad a la resistencia toral de estado activo.

REA DE OPERACIN SEGURA (AOS)


El rea de operacin segura (AOS) de un MOSFET de potencia tiene tres factores que lo determinan: la mxima corriente de drenaje IDM, la temperatura interna de la unin Tj, regida por la disipacin de potencia en el dispositivo, y la tensin de ruptura BYDSS'