1.

Introduccin a la Fsica Electrnica

1.3 Bandas de energa y portadores de carga en semiconductores
Bandas de conduccin y de valencia y como se forman las bandas prohibidas. Concepto de dopado en semiconductores. Propiedades elctricas de semiconductores

 Fuerzas de enlace y bandas de energa en slidos

Las fuerzas de Coulomb son simples: atractiva entre electrones y el ncleos, repulsiva entre electrones y entre ncleos. La fuerza entre tomos se da por la suma de todas las fuerzas individuales, y el hecho de que los electrones estn localizados en la regin exterior del tomo y el ncleo en el centro. Cuando dos tomos estn muy cerca, la fuerza entre ellos es siempre repulsiva, debido a que los electrones estn en el exterior y los ncleos se rechazan. A menos que ambos tomos sean iones de la misma carga, las fuerzas entre los tomos es siempre atractiva a distancias internucleares r muy largas. Desde que la fuerza sea repulsiva a pequeas r, y atractiva a grandes r, existe una distancia a la cual la fuerza es cero.

 Enlace inico
Enlace cuando uno de los tomos es negativo (tiene un electrn extra) y otro tomo es positivo (ha perdido un electrn). Entonces existe una fuerte atraccin directa Coulombica. Un ejemplo es el NaCl. En la molcula hay ms electrones alrededor de Cl, forman Cl- y menos alrededor de Na, formando Na+. Los enlaces inicos son los ms fuertes. En slidos reales, el enlace inico generalmente se combina con un enlace covalente.

 Enlace Covalente
En un enlace covalente, los electrones se comporten entre las molculas, para saturar la valencia. El ejemplo ms sencillo es la molcula de H2,

Dos tomos

Seis tomos

Slido de 1022 tomos

Electrones deben ocupar diferentes energas debido al Principio de Exclusin de Pauli

 Bandas de Energa

Eg (Si) = 1.12 eV Eg (GaAs) = 1.42 eV

Niveles degenerados de energa en tomos aislados separados en bandas de valencia y de conduccin en el estado slido. Excitaciones trmicas en semiconductores por arriba de los 0oK permite a los electrones saltar la energa de banda prohibida de la bande de valencia a la de conduccin esencialmente la energa necesaria para romper un enlace.

 El resultado ms importante de la aplicacin de la mecnica cuntica a la descripcin de los electrones es que los niveles permitidos de energa de los electrones se agrupan en dos bandas. Las bandas estn separadas por regiones de energa que los electrones en los slidos no pueden poseer: niveles prohibidos.

Diagramas de bandas de energa (E-k)

Banda directa (GaAs) Banda indirecta (Si)

Variaciones de Bandas de Energa con aleaciones

 Portadores de carga en semiconductores

El mecanismo de conduccin de corriente es relativamente fcil de visualizar en el caso de un metal; los tomos de un metal estn inmersos en un mar de electrones relativamente libres, y estos electrones se mueven en grupo bajo la influencia de un campo elctrico. Sin embargo, en el caso de los semiconductores las propiedades elctricas dependen de la temperatura, dopado y, campos elctricos y magnticos.

Electrones y Huecos
A T=0K todos los enlaces permanecen intactos aislante

A T>0K excitaciones trmica pueden causar que los enlaces se rompan resultando en electrones y huecos libres conduccin

Estructuras de banda ideal y real en semiconductores

 Masa efectiva de portadores

Cuando el borde de la banda de conduccin esta en k = 0 se puede representar la estructura de banda como una parbola simple

h k E (k ) = EC + * 2me
2 2

donde Ec es la energa de la banda de conduccin y me* es la masa efectiva del electrn. 1 2

d E me = 2 2 dh k
*

Parbola estrecha masa efectiva pequea GaAs me* = 0.063m0 Si me* = 0.19m0

Similarmente, la relacin de la energa para la banda de valencia es

h 2k 2 E = EV * 2mh
donde EV es la energa de la banda de valencia y mh* es la masa efectiva de un hueco Existen dos bandas cerca del tope de la banda de valencia de diferentes espesores, para huecos pesados y huecos ligeros. GaAs mhh*=0.45m0, mlh*=0.08m0 Si mhh* =0.49m0, mlh*=0.16m0

 Material Intrnseco

Un cristal perfecto de semiconductor sin impurezas. No hay portadores de carga a T = 0 K. A temperaturas mayores se generan EHPs como electrones en la banda de valencia excitados trmicamente a travs de la banda prohibida hacia la banda de conduccin. Si una concentracin de portadores en estado estacionario se mantiene. Se da una recombinacin a la misma razn de su generacin ri = gi

 Material Extrnseco
Cuando un tomo del grupo V (As) o del grupo III (B) substituye a un tomo de Si en la red, un electrn es donado o aceptado y el semiconductor se vuelve tipo-n o tipo-p respectivamente.
En [ND] un semiconductor extrnseco a cualquier temperatura, la concentracin de portadores tiene dos contribuciones:

1. Trmica 2. Dopado [ ND or NA ] En un semiconductor tipo-n a temperatura ambiente

n = ND and p = ni2 / ND semiconductor tipo-p

[NA]

n = ni2/NA and p = NA

 A 0oK los electrones extras asociados con los tomos donadores estn fijos a los sitios donadores en el nivel de energa Ed Conforme la temperatura se incrementa, hay suficiente energa trmica para ionizar los tomos donadores, esto es, para que un electrn realice la transicin hacia la banda de conduccin, donde Ed <<Eg. Para crear huecos en la banda de valencia en un semiconductor tipo-p, los electrones necesitan nicamente una energa de Ea para alcanzar el nivel aceptor, donde Ea <<Eg.

Niveles de ionizacin de dopantes

0 ED = S
25 meV para Si 7 meV para GaAs

* me E m H 0

Niveles de energa del Hidrgeno

Niveles donadores Niveles aceptores

50 meV para Si, GaAs cf. kBT a 300 K = 26 meV

Los diferentes dopantes tienen diferentes niveles de ionizacin y niveles profundos (|E| > 3kBT), lo cual puede ser importante, pero este modelo da el orden correcto de magnitud.

Electrones y huecos en pozos cunticos

Densidad de estados (DoS)

Para obtener la densidad de portadores por unidad de volumen primero se calcula el nmero de estados permitidos (incluyendo el spin) por rango de energa por unidad de volumen, la densidad de estados, Para electrones en la banda de conduccin donde la relacin E-k es de la forma, h 2k 2 E = EC + * 2me La densidad de estados se determina por,

2m N (E ) = 4 h2

* e

12 E
2

Similarmente, para huecos en la banda de conduccin donde la relacin E-k es de la forma,

h 2k 2 E = EV * 2mh
La densidad de estados esta dada por,

2m N (E ) = 4 h2

* h

12 E
2

La contribucin de huecos ligeros y pesados

3 * 2 h

3 3 * 2 * 2 = mlh + mhh

Energa de Fermi
La probabilidad de que un electrn ocupe un estado electrnico con energa E esta dada por la distribucin de Fermi-Dirac

F (E) =

1 + exp

( E E F ) / k BT

La energa de Fermi es la energa por la cual la probabilidad de ocupacin de un electrn es exactamente La funcin de distribucin de Fermi se simplifica para un electrn en la banda de conduccin,

(E E ) > 3k T
F B

F (E ) e

(E EF

) k BT

Para un hueco en la banda de valencia

(E EF ) < 3k BT

F (E ) 1 e

( E E F ) k BT

La concentracin de electrones en la banda de conduccin es:

n=

Ec

f ( E ) N ( E )dE

La concentracin de huecos en la banda de valencia es:

p = [1 f ( E )]N ( E )dE
Ec

Concentracin de electrones
La densidad de electrones en la banda de conduccin esta dada por,
Etop Etop

n=

n(E )dE = N (E )F (E )dE

0 0

Tomando en el fondo de la banda de conduccin E=0 Tomando la expresin simplificada de F(E),

2m n = 4 h2

* e

E EF E exp dE kT 0
1 2

Con x = E / kT

2m n = 4 h2

* e

2 3 EF 1 2 2 x ( ) k T exp x B k T e dx B 0

EF 2m k T n = 2 exp h k T B
* e B 2
2

Densidad efectiva de estados en la banda de conduccin, NC

Tomando el fondo de la banda de conduccin como EC en vez de E=0,

EC EF n = N C exp k T B
Para Si (300 K) Para GaAs (300 K)

NC = 2.8 x 1019 cm-3 NC = 4.7 x 1017 cm-3

Concentracin de Huecos
De manera similar para huecos en la banda de valencia,

EF EV p = NV exp k T B

2m k T where NV = 2 h
* h B 2

La densidad de estados efectiva en la banda de valencia, NV Para Si (300 K) Para GaAs (300 K) NV = 1.04 x 1019 cm-3 NV = 7 x 1018 cm-3

 Ley de accin de masa

Eg np = n = N C NV exp k T B
2 i

Esta expresin es independiente de EF y es vlida para semiconductores extrnsecos.

Eg ni = N C NV exp 2k T B
Para Si (300 K) Para GaAs (300 K) ni = 9.65 x 109 cm-3 ni = 2.25 x 106 cm-3

Ley de accin de masa para semiconductores extrnsecos

EF Ei n = ni exp kT B
El producto np es entonces,

Ei E F p = n i exp k T B

Ei EF np = ni exp k T B

EF Ei ni exp k T B

np = ni2
Por lo tanto la ley de accin de masa permanece para semiconductores extrnsecos

Clculo para el nivel de Fermi extrnseco

A 300K generalmente hay suficiente energa trmica para ionizar completamente los tomos dopantes, para un semiconductor tipo-n n = ND (concentracin de donadores)

EC EF n = N C exp k T B EC E F N D = N C exp k T B NC EC EF = k BT ln N D

Conforme la concentracin de tomo donadores incrementa el nivel de Fermi se desplaza hacia la banda de conduccin.

Similarmente para un semiconductor tipo-p, p = NA (concentracin de aceptores)

EF EV p = NV exp k T B EF EV N A = NV exp k T B NV E F EV = k BT ln N A

Conforme la concentracin de tomos aceptores incrementa el nivel de Fermi se desplaza hacia la banda de valencia

A menudo es til expresar la densidad de portadores en trminos de la concentracin intrnseca de portadores y del nivel de Fermi intrnseco, Para electrones,

Ei E F EC Ei exp n = N C exp k BT k BT

EC EF n = N C exp k T B

E F Ei Ei E F n = ni exp Similarmente para p = ni exp k T k T B huecos, B

Densidad intrnseca de portadores para Si, Ge y GaAs en funcin del inverso de la temperatura

La dependencia de la temperatura de la energa de banda prohibida, Eg, se ha determinado experimentalmente de la siguiente expresin:

1.6

Energy Bandgap (eV)

Donde Eg(0), y son parametros de ajuste.

1.4 1.2 1 0.8 0.6 0.4 0.2

Eg (GaAs) = 1.42 eV Eg (Si) = 1.12 eV Eg (Ge) = 0.66 eV

Temperature (K) 0 0 200 400 600 800 1000 1200

Densidad de electrones en funcin de la temperatura

A bajas temperaturas la energa trmica es insuficiente para ionizar todos los tomos donadores, entonces n < ND A altas temperaturas la energa trmica es suficiente para ionizar todos los tomos, entonces n = ND A ciertas temperaturas la densidad intrnseca de portadores se vuelve comparable a la concentracin de donadores y ms all de este punto el semiconductor se vuelve intrnseco

Compensacin y neutralidad de la carga espacial

Si tanto las impurezas donadoras como aceptoras estn presentes al mismo tiempo, el nivel de Fermi se ajusta para preservar la neutralidad de carga
+ n+ NA = p + ND

+ n = p + ND NA

Conductividad y Movilidad
(bajo la influencia de un pequeo campo elctrico, F)
F=0

Movimiento trmico aleatorio th Electrones dispersados de tomos No existe desplazamiento neto a lo largo del tiempo Tiempo promedio entre colisiones

t ~ 10 12 s

Conductividad y Movilidad
(bajo la influencia de un pequeo campo elctrico, F)
F

Electrones acelerados en la direccin opuesta al campo aplicado entre colisiones tal que un desplazamiento neto y una componente adicional de la velocidad de deriva x

* qF t = me x

e c = m* F e

Similarmente para huecos en la banda de valencia movindose en direccin del campo elctrico

La movilidad del electron (cm2V-1s-1)

p = pF

x = n F

Densidad de corriente de deriva

La densidad de corriente del electrn se encuentra por el producto de la carga y la velocidad para todos los electrones por unidad de volumen,

In J n = = qn x = qn n F A

Similar para los huecos,

J p = qp x = qp p F

Conductividad
La densidad de corriente de deriva total es sencillamente la suma de ambas densidades de corriente, del electrn y del hueco

J = Jn + J p J = (qn n + qp p )F

= q (n n + p p )

conductividad

Dependencia de la temperatura con la movilidad para dispersin de red y de impurezas

Variacin de la movilidad con la concentracin de impurezas para Si, Ge y GaAs a 300 K.

La movilidad debido a dos o ms mecanismos de dispersin,

1 2

+...

Efectos de campo alto

En muchos casos se alcanza un limite superior para la velocidad de deriva de portadores en un campo alto. Este lmite ocurre cerca de vth (107 cm/s), y representa el punto en el cual la energa generada por el campo elctrico se transfiere a la red en vez de incrementar la velocidad de portadores

El Efecto Hall
Al aplicarse un campo elctrico E a un cristal, los portadores libres adquieren una velocidad promedio denominada velocidad de arrastre proporcional al campo elctrico aplicado
v d = E

El coeficiente de proporcionalidad es la movilidad del portador, n para electrones y p para huecos.

 Al aplicar un campo magntico B perpendicular a la trayectoria de la corriente I, la trayectoria de los electrones que viajan con una velocidad vd se ve afectada por la fuerza de Lorentz

r r r F = q(vd x B )

Desviacin de los electrones, origen a un campo elctrico Ey Condicin de neutralidad de fuerzas

qEy = q(vd B)

 Considerando las expresiones para la densidad de corriente

j = nqvd

I j= wd

IB Ey = nqwd

Voltaje y constante Hall

1 IB VH = E y w = nq d

1 nq

es llamada la constante de Hall (RH)

IB VH = R H d

VH d RH = IB

Movilidad de portadores

n n = = nR H qn
Densidad de portadores

p =

p qp

= pR H

1 n= R Hq

1 p= R Hq