POLARIZACION DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE

CAMPO DE UNION J-FET

(JUNTION FIELD EFFECT TRANSISTOR)
TEORIA PREVIA
El transistor de efecto de campo (JFET) tiene las siguientes ventajas y desventajas con
respecto del transistor bipolar
VENTAJAS
- su impedancia de entrada es extremadamente alta (tpicamente 100M o ms).
- Su tamao fsico es aproximadamente un 20 o 30% del espacio que ocupa un BJT.
Esto lo hace idneo para su integracin en gran escala, sobre el MOSFET que es
ms pequeo que el JFET.
- Su consumo de potencia es mucho ms pequea que la del BJT.
- Su velocidad de conmutacin es mucho mayor que la del BJT.
- Es menos ruidoso que el BJT, esto lo hace idneo para amplificadores de alta
fidelidad.
- Es afectado en menor grado por la temperatura.
DESVENTAJAS
- Su ganancia de voltaje es mucho menor que en el BJT.
- Es susceptible al dao en su manejo, sobre todo el MOSFET.
- Su ancho de banda o respuesta en frecuencia es menor que en el BJT.
CONSTRUCCIN
FUNCIONAMIENTO
1.- V
GS
= 0 y V
DS
variable
El canal n se comporta como una resistencia cuyo valor depende del voltaje existente entre
D y S. Cuando V
DS
llega a ser lo suficientemente grande la corriente i
DS
comienza a ser
constante, V
DS
puede incrementarse hasta BV
DS0
(punto en el que ocurre el rompimiento
por avalancha), la nomenclatura significa voltaje de ruptura entre D y S con V
GS
= 0.
La curva que se obtiene para cuando se mantiene en corto las terminales de Gate y Source,
mientras varia el voltaje entre Dren y Source, es la siguiente:
I
DSS
= Corriente entre D y S con V
GS
= 0.
V
PO
= Voltaje entre D y S a partir del cual la corriente comienza a ser constante. Aqu
comienza la regin de saturacin
BV
DS0
= Voltaje de ruptura entre D y S con V
GS
= 0.
NOTA: Como el canal N se comporta como una resistencia a medida que se incrementa
V
DS
, entonces el mismo potencial presente en el canal hace que se forme una regin de
agotamiento o campo elctrico que va incrementndose en intensidad hasta que se cierra
por completo en el punto A, cualquier aumento posterior en la tensin V
DS
mantendr al
potencial de A con respecto de tierra constante, razn por la cual la corriente i
DS
comienza
a ser constante.
2.- V
GS
y V
DS
variables:
El voltaje V
GS
es negativo en los FET`S de canal N, esto para controlar la anchura del
canal, a medida que se incrementa V
GS
negativamente se origina una regin de agotamiento
entre compuerta y fuente que va reduciendo la corriente i
DS
gradualmente:
Denotaremos por V
PX
a un voltaje cualquiera producido bajo la condicin de un voltaje V
GS

de valor x y en el cual la corriente comienza a hacerse constante (saturarse). La relacin
existente entre el nuevo V
PX
y cualquier V
GS
es:
V
PX
= Vpo + V
GS
BV
DSX
= BV
DS0
+ V
GS
El canal se cierra por completo cuando V
GS
= V
Gsoff
, en este momento la corriente i
DS
es
aproximadamente cero.
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA
Es una grafica de la corriente de salida en funcin del voltaje de entrada.
La ecuacin que representa a esta curva es:
2
1
GS
DS DSS
GSoff
v
i I
V
_



,

i
DS
= I
PO
2
1
GS
DS PO
PO
v
i I
V
_
+

,

donde I
DSS
= I
PO
y V
GSoff
= -Vpo
Algunos parmetros importantes del FET son los siguientes:
I
DSS
= Corriente de saturacin entre D y S con la tensin V
GS
= 0.
V
GSoff
= Voltaje que produce la oclusin o cierre del canal.
I
GSS
= Corriente inversa de saturacin entre G y S con V
DS
= 0.
BV
DS0
= voltaje de ruptura entre D y S con V
GS
= 0.
BV
GSS
= Voltaje de ruptura entre G y S con V
DS
= 0.
Y
fS
= Admitancia de transferencia directa para source comn con V
GS
= 0.
EJERCICIO:
El JFET 2N5457 tiene los siguientes parmetros:
I
DSS
= 5mA
V
GSoff
= -6V
I
GSS
= 1nA
BV
GSS
= -25V
Y
FS
= g
FS
= 5000 S
1.- Obtener la ecuacin de la curva de transconductancia.
2
5 1
6
GS
DS
v
i mA
_

,
2
5 1
6
GS
DS
v
i mA
_
+

,
2.- Obtener la corriente entre drenador y fuente para los siguientes voltajes compuerta-
fuente.
V
GS
0V -2 -4 -6 -8
i
DS
5mA 2.22mA .555mA 0 .555mA

El resultado i
DS
= .555mA para V
GS
= -8 no existe ya que para el funcionamiento del FET
es solo media parbola.
3.- Calcular la impedancia de entrada de este dispositivo cuando V
GS
= -15V a temperatura
ambiente y a 100 C.
25
15
1
GS
i
C
GSS
V V
Z
I nA

o
Z
i
= 15G
T2-T1
10
100 25
100
(100 )
(100 )
( )
=2
181.02
15
181
83
GSS
C C
GSS
C
C
C
i
i
i
I Z
I nA
V
Z
nA
Z M

o
o
o
TRANSCONDUCTANCIA EN UN PUNTO
Si derivamos la ecuacin de la curva de transconductancia se obtendr el valor de la
conductancia en un punto en particular sobre la curva llamado g
m
:
2
1
GS
DSS
GSoff
DS
m
GS GS
V
I
V
i
g
V V
_

,



2
1
DSS GS
m
GSoff GSoff
I V
g
V V
_

,
g
m
indica que tanto control tiene el voltaje de entrada V
GS
sobre la corriente de salida:
En la figura se observa como para un mismo incremento de V
GS
se obtienen diferentes
amplitudes de corriente.
Q
2
tiene mayor pendiente, es decir mayor conductancia, por lo tanto hay un mayor control
de i
DS
para el mismo V
GS
.
POLARIZACIN DEL JFET
Algunas de las formas tpicas de polarizacin de un JFET son las siguientes:
- POLARIZACIN FIJA O DE COMPUERTA
- AUTOPOLARIZACIN
- POLARIZACION POR DIVISIN DE VOLTAJE
- POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE
POLARIZACIN FIJA
Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET, en este caso la malla
de compuerta. Cabe mencionar que para este dispositivo la corriente de reposo es fijada por
el voltaje de compuerta.
ANALISIS
El voltaje en la compuerta siempre ser negativo respcto al Terminal de Source en jun
JFET de canal N:
V
GS
= V
G (+)
V
S (-)
ANLISIS EN LA MALLA DE COMPUERTA
Ley de Voltajes de Kirchoff en malla de compuerta.
+V
GG
+ V
RG
+ V
GS
= 0
Como se supone que la unin compuerta-fuente esta polarizada inversamente, entonces
significa que no existe corriente y por lo tanto V
RG
= 0
V
GS
= -V
GG
Esta ecuacin representa la recta de polarizacin
Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada por una recta
vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.
De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el punto de operacin
para el caso de los posibles cambios en los parmetros que puede presentar un FET an
cuando tratndose del mismo tipo ya que las tcnicas de fabricacin no son tan perfectas
como para que I
DSS
y V
GS off
sean constantes de un dispositivo a otro.
Este tipo de polarizacin es la peor forma de polarizar a un JFET ya que el punto de
operacin (I
DSQ
, V
DSQ
) bastante es inestable.
ANLISIS EN LA MALLA DEL DREN
Por Ley de Voltajes de Kirchoff
-V
DD
+ V
RD
+ V
DS
= 0
En terminus de la corriente de Dren:
V
DD
= I
DS
R
D
+ V
DS

i
DS
=
D
DS DD
R
V V

Ecuacin de la recta de carga en C.C.
En la figura, el punto de operacin depende el punto de operacin fijado en la curva de
transconductancia.
EJEMPLO: Encontrar la variacin del punto de operacin para el circuito mostrado:
V
DD
= 12V
V
GG
= -1V
R
D
= 470
R
G
= 1M
max
min
20
8
6
2
DSSMAX
DSSMIN
GSoff
GSoff
I mA
I mA
V V
V V

'

FET 2N5486
SOLUCIN
I
DSQmax
= 20mA mA 89 . 13
6
1
1
2

,
_

I
DSQmin
= 8mA mA 2
2
1
1
2

,
_

I
DSQ
= 11.9mA
AUTOPOLARIZACIN
LVK en malla de compuerta
0 + +
RS GS RG
V V V
0 +
DS S GS
i R V
S
GS
DS
R
V
i
A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de polarizacin. Esta recta tiene
pendiente negativa y pasa por el origen, como se observa en la siguiente figura:
La recta representa una S
R
pequea y proporciona un elevado valor de m
g
, ideal para
una buena ganancia de corriente, la desventaja es la inestabilidad debido a los cambios en
los parmetros del JFEt, como puede observarse.
La recta ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la inestabilidad y los
valores de transconductancia, es decir, no se sacrifican una u otra.
La recta produce buena estabilidad del punto de operacin, sin embargo produce
valores de
m
g
bajos que se traducen en una baja ganancia de corriente.
Generalmente muchos diseadores optan por el tipo de polarizacin dado por la recta
Este tipo de polarizacin es mejor que la polarizacin fija ya que el punto de operacin es
ms estable.
En la recta la
S
R
puede llamarse ptima ya que esta recta pasa por el centro de una de
las curvas de transconductancia.
S
R
ptima puede calcularse:
GSoff
S
DSS
V
R
I

Las coordenadas del punto de operacin cuando se presenta S

R
ptima es:

DSQ
I
0.382 DSS
I

GSQ
V
0.382 GSoff
V
Estas ecuaciones pueden demostrarse a partir del siguiente anlisis:
2
1

,
_

GSoff
GS
DSS DS
V
V
I i
Normalizando:
2
1

,
_

GSoff
GS
DSS
DS
V
V
I
i
Si el punto de operacin esta a la mitad de la curva entonces:
K
V
V
I
i
GSoff
GS
DSS
DS

( )
0 1 3
2 1
1
2
2
2
+
+

K K
K K K
K K
Resolviendo la ecuacin cuadrtica:
48 . 2
382 . 0
2
1

K
K
Como:
DSS
DS
I
i
K

Y como
DS
i
<
DSS
I
entonces la solucin es:
382 . 0
1
K
.
El mismo razonamiento se obtiene para GSQ
V
GSoff GSQ
V V 382 . 0
ANLISIS EN LA MALLA DE DREN
LVK en malla de compuerta
DSS DS
I K i
1

( )
0
DD RD DS RS
DD DS D S DS
V V V
V i R R
v
v
+ +
+ +
A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de carga en C.C.
EJERCICIO: Polarizar el FET de la figura de tal modo que el punto de operacin se ubique
a la mitad de la curva de transconductancia y a la mitad de la recta de polarizacin.
Calcular adems el valor de m
g
en el punto de operacin.
Solucin:
DSS
GSoff
S
I
V
R
DD DS
DS
D S
V
i
R R
v

+
220 214
S
R
DSQ
RD
D
I
V
R
La coordenada del punto Q cuando se elige Rs ptima es:
( )
mA
mA
R
I
V V V
I
V
R
V V
mA I I
D
DSQ
RS DSQ DD
DSQ
RD
D
GSQ
DSS DSQ
35 . 5
35 . 5 220 6 12
15 . 1
35 . 5 382 . 0

900
D
R
G
R
se propone de un valor de tal modo que se aproveche la alta impedancia del JFET.
En este caso se propone de:
M R
G
1
( )
( )

,
_

,
_

3
5 . 1
1
3
14 2
1
2
mA
g
V
V
V
I
g
m
GSoff
GS
GSoff
DSS
m
S g
m
5768
POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE
Para simplificar el anlisis en la malla de compuerta encontraremos el circuito equivalente
de Thvenin para facilitar.
LVK en malla de compuerta:
0
RG GS RS
GG GS S DS
V V V
V R i
v
v
+ + +
+
GG GS
DS
S
V
i
R
v

Esta ecuacin representa la ecuacin de la recta de polarizacin. Esta ecuacin puede

escribirse como:
S
GG
GS
S
DS
R
V
V
R
i +
1
Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a
S
GG
R
V
como se
observa en la figura:
De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor que las dos anteriores
debido a que

DSQ
I
es menor, sin embargo para conseguir esto es necesario aplicar
valores elevados de
DD
V para que GG
V
sea lo ms grande posible y asi el punto de
operacin sea ms estable.
ANLISIS EN LA MALLA DE DREN
( )
DS S D DS DD
RS DS RD DD
V R R i V
V V V V
+ +
+ +
Esta es la Ecuacin de la recta de carga
EJERCICIO: Polarizar un JFET por divisor de tensin y de tal modo que se cumplan los
siguientes datos:
Punto de operacin a la mitad de la recta de carga y a la mitad de la curva de
transconductancia, el voltaje de alimentacin V V
DD
12 y calcular el valor de m
g
en el
punto de operacin.

D S
DS DD
DS
R R
V V
i
+

Solucin:
Se elige arbitrariamente
2
GG
V
V

mA
V
I
V V
Rs
Rs
V V
I
V V V
mA I I
DSQ
GSQ GG
GSQ GG
DSQ
GSoff GSQ
DSS DSQ
06 . 3
91 . 3
91 . 1 382 . 0
06 . 3 382 . 0

1278 Rs
mA
V
I
V V V
R
DSQ
RS DSQ DD
D
06 . 3
91 . 3 6 12

683
D
R
DD
GG
G
V
V
R
R

1
1
Eligiendo
M R
G
1
M R 2 . 1
1
G
GG
DD
R
V
V
R
2
M R 6
2
EJERCICIO: Para cada uno de los circuitos de polarizacin con FET, determinar el punto
de operacin.
a)
Solucin:
El punto de operacin se obtiene analticamente a partir de la interseccin de la curva de
transconductancia con la recta de polarizacin.
Rs
V V
i
V
V
I i
GS GG
DS
GSoff
GS
DSS DS

,
_

2
1
igualando ambas ecuaciones obtenemos el punto de operacin.
2
1

,
_

GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
V
V
I
Rs
V V
0 1
2 1 1
2
1
2
2
2
2
+

,
_

+
+

GSQ
GSoff DSS
GSQ
GSoff
GSoff
GSQ
GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
V
V RsI
V
V
V
V
V
V
RsI
V V
Esta ecuacin tiene analoga con:
GSQ
GSoff DSS
GSoff
V x
c
V RsI
b
V
a
donde
c bx ax

+ +
1
604 . 0
2 1
0625 . 0
16
1 1
2
2
Resolviendo la ecuacin cuadratica:
( ) ( )
( )
V V
V
GSQ
GSQ
546 . 7
0625 . 0 2
0625 . 0 4 604 . 0 604 . 0
1
2

t

V V
GSQ
12 . 2
2

Este ltimo valor de GSQ
V
es el correcto ya que para el otro, el canal estara cerrado por
completo e
0
DSQ
I
.
Rs
V
Rs
V
I
GSQ
RS
DSQ


mA I
DSQ
767 . 1
o de otra manera
2
4
212
1 8

,
_

mA I
DSQ
mA I
DSQ
767 . 1

,
_

GSoff
GSQ
GSoff
DSS
m
V
V
V
I
g 1
2
S g
m
1880
( ) Rs R I V V
D DSQ DD DSQ
+
b)
V V
DSQ
05 . 4
1
2
12
6
3
25
100
1
1
1.6
50
1.2
OFF
DD
DSS
GS
ds
S
D
L
DATOS
V V
I mA
V V
r K
R K
R M
R K
R K
rs
R K

La curva de transconductancia es:
2
1

,
_

GSoff
GS
DSS DS
V
V
I i
La recta de polarizacin es:
Rs
V V
i
GS GG
DS

igualando ambas ecuaciones para encontrar el punto de operacin:

2
2
2
2
1
1
GSoff
GSQ
GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
GSoff
GSQ
DSS
GSQ GG
V
V
V
V
Rs I
V V
V
V
I
Rs
V V
+

,
_

Reacomodando:
9
1 1
0 1
2 1 1
2
2
2
2

+ +
+

,
_

+
GSoff
S DSS
GG
GSQ
GSoff DSS
GSQ
GSoff
V
a
c bx ax
R I
V
V
V RsI
V
V
( ) ( )
V V
V
c
V
V
R R
R
V
Rs I
V
c
V RsI
b
GSQ
GSQ
GG
DD GG
DSS
GG
GSoff DSS
338 . 6
9
1
2
818 . 0
9
1
4 833 . 0 833 . 0
818 . 0
091 . 1
1
833 . 0
2 1
1
2
2 1
1

,
_

,
_

V V
GSQ
16 . 1
2

( )
1000
16 . 1 091 . 1

DSQ
GSQ GG
DSQ
I
Rs
V V
I
mA I
DSQ
25 . 2
( ) Rs R I V V
D DSQ DD DSQ
+
V V
DSQ
15 . 6

,
_

GSoff
GSQ
GSoff
DSS
m
V
V
V
I
g 1
2
S g
m
2451