Universidad de Oviedo

Leccin 4

EL DIODO DE POTENCIA
Sistemas Electrnicos de Alimentacin 5 Curso. Ingeniera de Telecomunicacin

Ideas generales sobre diodos de unin PN

Ecuacin caracterstica del diodo: donde:

i = IS(e -1)

V VT

VT = kT/q

IS = Aqni2(Dp/(NDLp)+Dn/(NALn))

Operacin con polarizacin directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensin interna de equilibrio de la unin:

i ISe
DIODOS DE POTENCIA

V VT

(dependencia exponencial)

Operacin con polarizacin directa con V > VO >> VT:

i (V-Vg)/rd

donde Vg es la tensin de codo del diodo y rd su resistencia dinmica

Polarizacin inversa con V << -VT

i -IS

(corriente inversa de saturacin que es muy pequea y casi independiente de la tensin)

Ideas generales sobre diodos de unin PN

Curva caracterstica

(recta)
1

i [mA]

pendiente = 1/rd (exponencial)

+
V

P N

-1 0

DIODOS DE POTENCIA

Vg

V [V]

i [A]
-1
0

V [V]

-0,8 (constante)

Ideas generales sobre diodos de unin PN Avalancha primaria

+ + + -

+ i [A] V [Volt.]
0

DIODOS DE POTENCIA

+ V -40

La corriente aumenta fuertemente si se producen pares electrn-hueco adicionales por choque con la red cristalina de electrones y huecos suficientemente acelerados por el campo elctrico de la zona de transicin

+ +

--

-2

Concepto de diodo ideal

En polarizacin directa, la cada de tensin es nula, sea cual sea el valor de la corriente directa conducida

i
nodo

+
V

DIODOS DE POTENCIA

curva caracterstica V
En polarizacin inversa, la corriente conducida es nula, sea cual sea el valor de la tensin inversa aplicada

Ctodo

El diodo semiconductor encapsulado

nodo
nodo
Encapsulado (cristal o resina sinttica)

Terminal
Contacto metalsemiconductor

DIODOS DE POTENCIA

P N
Marca sealando el ctodo

Oblea de semiconductor Contacto metalsemiconductor

Ctodo

Ctodo

Terminal

Encapsulados de diodos Axiales

DIODOS DE POTENCIA

DO 35

DO 41

DO 15

DO 201

Encapsulados de diodos

Para usar radiadores

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos

Para grandes potencias

DO 5
DIODOS DE POTENCIA

B 44

Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos

DIODOS DE POTENCIA

2 diodos en ctodo comn

2 diodos en serie

Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos

Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)

DIODOS DE POTENCIA

Nombre del dispositivo

Encapsulados de diodos Agrupaciones de 2 diodos. Diversos encapsulados para el mismo dispositivo

Nombre del dispositivo

Encapsulados

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados de diodos Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

Dual in line

Encapsulados de diodos Agrupaciones de 4 diodos (puentes de diodos)

DIODOS DE POTENCIA

+ -

Encapsulados de diodos Puentes de diodos. Toda la gama de Fagor

DIODOS DE POTENCIA

Encapsulados mixtos de diodos y otros dispositivos Dan origen a mdulos de potencia - Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia - Minimizan las inductancias parsitas del conexionado

- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc

- Se pueden pedir a medida

DIODOS DE POTENCIA

Electrnica militar Control de Motores

Circuito equivalente esttico

i
Curva caracterstica ideal

Curva caracterstica real

Curva caracterstica asinttica. Pendiente = 1/rd

DIODOS DE POTENCIA

V 0 Vg
ideal
Circuito equivalente asinttico Modelo asinttico

rd Vg

Caractersticas fundamentales de cualquier diodo 1 -Mxima tensin inversa soportada 2 -Mxima corriente directa conducida 3 -Cada de tensin en conduccin 4 -Corriente de inversa en bloqueo 5 -Velocidad de conmutacin 1 Mxima tensin inversa soportada

DIODOS DE POTENCIA

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente polarizada

Baja tensin
15 V

Media tensin
100 V 150 V 200 V

Alta tensin
500 V

30 V
Ejemplo de clasificacin 45 V 55 V 60 V 80 V

600 V
800 V 1000 V 1200 V

400 V

1 Mxima tensin inversa soportada El fabricante suministra (a veces) dos valores: - Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM - Tensin inversa mxima de pico no repetitivo VRSM

DIODOS DE POTENCIA

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser determinante del deterioro irreversible del componente

2 Mxima corriente directa conducida El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores: - Corriente eficaz mxima IF(RMS) - Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM - Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM

DIODOS DE POTENCIA

Depende de la cpsula

3 Cada de tensin en conduccin La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente

ideal

rd

Vg
DIODOS DE POTENCIA

i
ID

5A

V
VD

3 Cada de tensin en conduccin La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin soportable por el diodo

DIODOS DE POTENCIA

3 Cada de tensin en conduccin Se obtiene directamente de las curvas tensin corriente

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

DIODOS DE POTENCIA

1,25V @ 25A

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V En escala lineal no son muy tiles Frecuentemente se representan en escala logartmica
2,2V @ 25A

3 Cada de tensin en conduccin Curva caracterstica en escala logartmica

IF(AV) = 25A, VRRM = 200V

IF(AV) = 22A, VRRM = 600V

DIODOS DE POTENCIA

0,84V @ 20A

1,6V @ 20A

3 Cada de tensin en conduccin Los Schottky tienen mejor comportamiento en conduccin para VRRM < 200 (en silicio)

DIODOS DE POTENCIA

0,5V @ 10A

3 Cada de tensin en conduccin Schottky de VRRM relativamente alta

DIODOS DE POTENCIA

0,69V @ 10A

La cada de tensin en conduccin no slo va creciendo al aumentar VRRM, sino que se aproxima a la de un diodo PN

3 Cada de tensin en conduccin

Schottky

Schottky

DIODOS DE POTENCIA

Similares valores de VRRM y similares cadas de tensin en conduccin PN

4 Corriente de inversa en bloqueo Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco) y de la temperatura (mucho) Crece con IF(AV) Algunos ejemplos de diodos PN Crece con Tj IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

4 Corriente de inversa en bloqueo Dos ejemplos de diodos Schottky IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

Crece con IF(AV) Crece con Tj Decrece con VRRM

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

DIODOS DE POTENCIA

5 Velocidad de conmutacin Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin

R a V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2 i
V1/R

i + V t t

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo (apagado)

V
-V2

5 Velocidad de conmutacin Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de a a b, es decir, de conduccin a bloqueo (apagado)

R a
V1
DIODOS DE POTENCIA

b V2

i + V

V1/R

trr
ts -V2/R

t
tf (i= -0,1V2/R)

ts = tiempo de almacenamiento (storage time )

tf = tiempo de cada (fall time ) trr = tiempo de recuperacin inversa (reverse recovery time )

V
-V2

5 Velocidad de conmutacin Comportamiento real de un diodo en conmutacin

Transicin de b a a, es decir, de bloqueo conduccin (encendido)

R a V1
DIODOS DE POTENCIA

i
i + V 0,9V1/R 0,1V1/R

b V2

td

tr

tfr
td = tiempo de retraso (delay time ) tr = tiempo de subida (rise time ) tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time ) El tiempo de recuperacin directa genera menos problemas reales que el de recuperacin inversa

5 Velocidad de conmutacin
Informacin suministrada por los fabricantes Corresponde a conmutaciones con cargas con comportamiento inductivo

DIODOS DE POTENCIA

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

5 Velocidad de conmutacin STTA506D

Ms informacin suministrada por los fabricantes

DIODOS DE POTENCIA

5 Velocidad de conmutacin La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a clasificar los diodos

VRRM
Standard Fast Ultra Fast Schottky 100 V - 600 V 100 V - 1000 V 200 V - 800 V 15 V - 150 V

IF
1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 50 A 1 A 150 A

trr > 1 s 100 ns 500 ns 20 ns 100 ns < 2 ns

DIODOS DE POTENCIA

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto, tambin de los diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)
www.irf.com Direcciones web www.onsemi.com www.st.com www.infineon.com

Prdidas en diodos Son de dos tipos: - Estticas en conduccin (en bloqueo son despreciables) - Dinmicas Prdidas estticas en un diodo

iD
DIODOS DE POTENCIA ideal

iD

Forma de onda frecuente

rd

Potencia instantnea perdida en conduccin: pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (Vg + rd iD(t)) iD(t) Potencia media en un periodo:
T

Vg

PDcond

1 pDcond (t )dt T
0

PDcond = VgIM + rd Ief2

IM : Valor medio de iD(t) Ief : Valor eficaz de iD(t)

Prdidas dinmicas (prdidas de conmutacin) en un diodo Las conmutaciones no son perfectas Hay instantes en los que conviven tensin y corriente

La mayor parte de las prdidas se producen en la salida de conduccin

10 A

iD

trr
t DIODOS DE POTENCIA
3A 0,8 V
Potencia instantnea perdida en la salida de conduccin:

VD t

pDsc (t) = vD (t)iD (t) =

Potencia media en un periodo:

-200 V

1 PD pDsc (t )dt T
0

trr

Informacin de los fabricantes sobre prdidas Estticas

DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

Informacin de los fabricantes sobre prdidas Dinmicas

DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

Informacin de los fabricantes sobre prdidas Dinmicas

DIODOS DE POTENCIA

(de las hojas de caractersticas (Datasheet) del diodo STTA506)

Caractersticas Trmicas Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado

El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de 175-150C

Magnitudes trmicas:

- Resistencias trmicas, RTH en C/W

- Increm. de temperaturas, T en C - Potencia perdida, P en W Ley de Ohm trmica: T=PRTH

Si
DIODOS DE POTENCIA
P (W)

RTHjc

RTHca

j
Unin (oblea)

a
Ambiente

Magnitudes elctricas: - Resistencias elctricas, R en - Difer. de tensiones, V en voltios - Corriente, I en A

c
Encapsulado Equivalente elctrico

RTH R T V PI

Caractersticas Trmicas Equivalente elctrico

RTH R T V PI

TJ

RTHjc TC

RTHca

a
Ta

Si
P (W)

RTHjc

RTHca

c
P

j
Unin

a
Ambiente

DIODOS DE POTENCIA

0 K

c Encapsulado
Por tanto:

T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca) Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca

Y tambin:

Caractersticas Trmicas

La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)

La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)
IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

DIODOS DE POTENCIA

Cpsula RTHca [C/W]

TO 3 30

TO 5 105

TO 66 45

TO 220 60

TOP 3 40

Para reducir la temperatura de la unin hay que disminuir la resistencia trmica entre la cpsula y el ambiente.

Para ello se coloca un radiador en la cpsula.

Caractersticas Trmicas

RTHrad

j
TJ RTHrad

RTHjc

c
TC
RTHca P

a
Ta

Si R
P (W)

THjc

RTHca

a j
Unin
Ambiente

0 K

DIODOS DE POTENCIA

c Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc +

(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]