24

1 Introduccion 1.1 Objetivos 1.1.1 Objetivo general 1.1.2 Objetivo especifico 1.2 Marco teorico radiofrecuencia superheterodino 1.2.2.1 Seccin de RF 1.2.2.2 Seccin de mezclador/convertidor 1.2.2.3 Seccin de detector 1.2.2.4 Seccin de audio 1.2.2.5 Operacin del receptor 1.2.2 Conversin de frecuencias 1.2.3 Rastreo del oscilador local 1.2.4 Frecuencia imagen 2. Diagrama de bloques 2.1 Recepcin de AM 2.2 Receptor Superheterodino 3. Circuito 3.1 Concepto de Inductancia 3.2 Calculo de la inductancia 3.3 Resonancia Paralelo 3.4 Anlisis de la resonancia paralelo 3.5 Curva de resonancia de circuitos paralelos 3.6 Transistores de efecto de campo 3.7 Caractersticas 3.8 La bobina 3.9 Amplificador Emisor Comn 3.10 Impedancia de entrada 3.11 Deteccin de ondas moduladoras en amplitud 3.12 Detectores a diodo poro ondas moduladas en amplitud 3.13 Detectores a cristal 3.14 Circuito elctrico 3.15 Listado de Componentes 3.16 Principio de Funcionamiento 3.17 Armado del circuito 3.18 Problemas 4. Biografa 1.2.1 Receptor sintonizado de 1.2.2 Receptor

24

RECEPTORES DE AM

1 Introduccion
La recepcion de AM es el proceso inverso de la transmision de AM.Un receptor de AM convencional simplemente convierte una onda de amplitud modulada nuevamente a la fuente original de informacion es decir, demodula la onda AM. Cuando se demodula una onda AM, la portadora y la porcion de la envolvente que lleva la informacion(bandas laterales)se trasladan del espectro de radiofrecuencia a la fuente original de informacion.

1.1 Objetivos 1.1.1 Objetivo general

Estudiar en detalle el funcionamiento de los receptores en amplitud modulada.

1.1.2 Objetivo especifico

Entender para que sirve un receptor en AM.

1.2 Marco teorico

Hay dos tipos bsicos de receptores de radio: coherentes y no coherentes. Con un receptor coherente o sincrnico, las frecuencias generadas en el receptor y utilizadas para la demodulacin se sincronizan para oscilar a frecuencias generadas en el transmisor (el receptor debe tener algn medio de recuperar la portadora recibida y de sincronizarse con ella). Con receptores no coherentes o asncronos, o no se generan frecuencias en el receptor o las frecuencias utilizadas para la demodulacin son completamente independientes de la frecuencia de la portadora del transmisor. La deteccin no coherente frecuentemente se llama deteccin de envolvente, porque la informacin se recupera a partir de la forma de onda recibida detectando la forma de la envolvente modulada.

1.2.1 Receptor sintonizado de radiofrecuencia

El receptor sintonizado a radiofrecuencia (TRF) fue uno de los primeros tipos de receptores de AM y se utiliz extensamente hasta mediados de los aos cuarenta. El TRF reemplaz a los receptores anteriores de tipo superregenerativo y de cristal, y lo ms probable es que todava sea el diseo ms sencillo disponible. Un TRF es esencialmente un receptor, de tres etapas, que incluye una etapa de RF, una etapa de detector y una etapa de audio. Por lo general, se requieren de dos o tres

24

amplificadores de RF para filtrar y desarrollar suficiente amplitud de las seales, para manejar la etapa de detector. El detector convierte directamente las seales de RF a banda base y la etapa de audio amplifica las seales de informacin a un nivel donde se puedan utilizar. Los receptores TRF son ventajosos para los receptores diseados para la operacin de un solo canal por su sencillez y alta sensitividad. (Un receptor de un solo canal tiene una frecuencia de operacin fija y, por lo tanto, puede recibir solamente una banda especfica de frecuencias que son nicas, para las transmisiones de una sola estacin.) Sintonizar un TRF introduce cuatro desventajas que limitan su utilidad slo a aplicaciones para una sola estacin. La desventaja principal de un TRF es que su selectividad (ancho de banda) vara cuando se sintoniza sobre un rango amplio de frecuencias de entrada. El ancho de banda del filtro de entrada de RF vara con la frecuencia central del circuito sintonizado. Esto causa un fenmeno llamado efecto piel (skin) En radio frecuencias, el flujo de corriente se limita al rea ms lejana del conductor y entre ms alta sea la frecuencia, menor es el rea. Por lo tanto, en radiofrecuencias, la resistencia del conductor aumenta con la frecuencia. En consecuencia, el Q del circuito tanque (XL/R) permanece relativamente constante sobre un amplio rango de frecuencias y por lo tanto, el ancho de banda (f/Q) aumenta con la frecuencia. Como resultado, la selectividad del filtro de entrada, cambia sobre cualquier rango apreciable de frecuencias entrada. Si el ancho de banda del filtro de entrada se establece en el valor deseado, para seales de RF de banda baja, ser excesivo para las seales de banda alta y posiblemente cause interferencia al canal adyacente. La segunda desventaja de los receptores TRF es la inestabilidad debido al gran nmero de amplificadores de RF que se sintonizan a la misma frecuencia central. Cuando se utilizan amplificadores de mltiples etapas de alta ganancia, la posibilidad de que una seal de realimentacin haga que la etapa de RF empiece a oscilar es bastante alta. Este problema se puede reducir, en parte, sintonizando cada amplificador de RF a una frecuencia diferente, ya sea ligeramente arriba o ligeramente abajo de la frecuencia central. Esta tcnica se llama sintonizacin en cascada. Los amplificadores de RF con sintonizacin en cascada tienen una ganancia menor que los amplificadores sintonizados en la frecuencia central. La tercera desventaja de los receptores TRF es que su ganancia no es uniforme en un rango muy amplio de frecuencias. Esto se debe a las relaciones L/C no uniformes de los circuitos tanque acoplados con transformador en los amplificadores de RF (o sea, que la relacin de la inductancia a la capacidad, en un amplificador sintonizado, no es la misma que la de los otros amplificadores sintonizados) La cuarta desventaja del TRF es que requiere de sintonizacin multietapas. Para cambiar las estaciones, cada filtro de RF debe sintonizarse simultneamente a la nueva banda de frecuencia, de preferencia con un solo ajuste. Esto requiere de exactamente las mismas caractersticas para cada circuito sintonizado que, por supuesto, es imposible de lograr. Como se podr imaginar, este problema es an ms severo, cuando se utiliza la sintonizacin en cascada. Con el desarrollo del receptor superheterodino los receptores TRF rara vez se utilizan, excepto para propsitos especiales de receptores de una sola estacin y, por lo tanto, no justifican una mayor discusin.

24

Ejemplo
Para un receptor de banda de radiodifusin comercial de AM (535 a 1605 kHz) con un factor Q del filtro de entrada de 54, determine el ancho de banda en el punto alto y bajo del espectro de RF. El ancho de banda en el punto de baja frecuencia del espectro de AM est centrado alrededor de una frecuencia de portadora de 540 kHz y es

El ancho de banda en el punto en el punto de alta frecuencia del espectro de AM se centra alrededor de una frecuencia de portadora de 1600 kHz y es

El ancho de banda -3dB en el punto de baja frecuencia del espectro de AM es, exactamente, 10 kHz, que es el valor deseado. Sin embargo, el ancho de banda en el punto de alta frecuencia es casi de 30 kHz, tres veces el rango deseado. En consecuencia, cuando se sintonizan las estaciones en el punto alto del espectro, se recibiran simultneamente tres estaciones. Para lograr un ancho de banda de 10 kHz, en el punto de alta frecuencia del espectro, se requiere un Q de 160 (1600 kHz/10 kHz) Con una Q de 160. El ancho de banda en el punto de baja frecuencia es

que es obviamente demasiado selectivo (angosto) porque bloqueara aproximadamente dos tercios del ancho de banda de la informacin.

1.2.2 Receptor superheterodino

24

En 1918 Edwin H. Armstrong (1890-1954) invent el receptor heterodino o superhet y an tiene amplio uso, en muchas variantes. La selectividad no uniforme del TRF condujo al desarrollo del receptor superheterodino cerca del final de la Primera Guerra Mundial. Aunque la calidad del receptor superheterodino ha mejorado enormemente, desde su diseo original, su configuracin bsica no ha cambiado mucho y an se utiliza actualmente, para una gran variedad de servicios de radio comunicaciones. El receptor superheterodino continua utilizndose, debido a que sus caractersticas de ganancia, selectividad y sensitividad son superiores a las otras configuraciones de receptores. Heterodino significa mezclar dos frecuencias juntas en un dispositivo no lineal o trasladar una frecuencia a otra utilizando mezclas no lineales. Un diagrama en bloques de un receptor superheterodino no coherente se muestra en la figura. Esencialmente, hay cinco secciones para un receptor superheterodino: la seccin de RF, la seccin de mezclador/convertidor, la seccin de IF, la seccin de detector de audio y la seccin de amplificador de audio.

1.2.2.1 Seccin de RF
La seccin de RF generalmente consiste de un preselector y una etapa de amplificador. Pueden ser circuitos separados o un solo circuito combinado. El preselector es un filtro pasa-bandas de sintonizacin amplia con una frecuencia central ajustable, que se sintoniza a la frecuencia portadora deseada. El propsito principal del preselector es proporcionar suficiente limitacin inicial de bandas para evitar que una frecuencia especfica de radio indeseada, llamada frecuencia imagen, entre al receptor. El preselector tambin reduce el ancho de banda de ruido del receptor y proporciona la etapa inicial, para reducir el ancho de banda general del receptor al ancho de banda mnimo requerido para pasar las seales de informacin. El amplificador de RF determina la sensitividad (o sensibilidad) del receptor (o sea, coloca el umbral de la seal).

24

Adems, debido a que el amplificador de RF es el primer dispositivo activo que encuentra la seal recibida, es el primer contribuyente de ruido y, por lo tanto, un factor predominante para determinar la figura de ruido para el receptor. Un receptor puede tener uno o ms amplificadores de RF o puede no tener ninguno, dependiendo de la sensitividad deseada. Incluir amplificadores de RF tiene varias ventajas en un receptor y son las siguientes: 1. Mayor ganancia, por lo tanto mejor sensitividad 2. Mejor rechazo a la frecuencia imagen 3. Mejor relacin de seal a ruido 4. Mejor selectividad

1.2.2.2 Seccin de mezclador/convertidor

La seccin de mezclador/convertidor incluye una etapa de oscilador de radiofrecuencia (llamada comnmente oscilador local) y una etapa de mezclador/ convertidor (llamada comnmente el primer detector) El oscilador local puede ser cualquiera de los circuitos osciladores discutidos en el captulo correspondiente, dependiendo de la estabilidad y la exactitud deseadas. La etapa del mezclador es un dispositivo no lineal y su propsito es convertir radiofrecuencias a frecuencias intermedias (traslacin de frecuencias de RF a IF) El heterodinaje se lleva a cabo en la etapa del mezclador y las radiofrecuencias se convierten a frecuencias intermedias. Aunque las frecuencias de la portadora y banda lateral se trasladan de RF a IF, la forma de la envolvente permanece igual y, por lo tanto, la informacin original contenida en la envolvente permanece sin cambios. Es importante observar que, aunque la portadora y las frecuencias laterales superiores e inferiores cambian de frecuencia, el proceso de heterodinaje no cambia el ancho de banda. La

24

frecuencia intermedia, ms comn, utilizada en los receptores de la banda de radiodifusin de AM es de 455 Khz.

1.2.2.3 Seccin de IF
La seccin de IF consiste de una serie de amplificadores de IF y filtros pasabandas y frecuentemente se llama banda de IF. La mayor parte de la ganancia y selectividad del receptor se logra en la seccin de IF. La frecuencia central y el ancho de banda de IF son constantes, para todas las estaciones, y se seleccionan para que su frecuencia sea menor que cualquiera de las seales de RF que se van a recibir. La IF siempre es inferior en frecuencia a la RF, puesto que es ms fcil y menos costoso construir amplificadores estables de alta ganancia para las seales de baja frecuencia. Adems, los amplificadores de IF, de baja frecuencia, tienen menor probabilidad de oscilar que su contraparte de RF. Por lo tanto, no es poco comn ver un receptor con cinco o seis amplificadores de IF y un solo amplificador de RF, o posiblemente sin amplificacin de RF.

1.2.2.3 Seccin de detector

El propsito de la seccin de detector es convertir nuevamente las seales de IF a la informacin de fuente original. El detector se llama generalmente detector de audio o el segundo detector en un receptor de banda de radiodifusin debido a que las seales de informacin son audiofrecuencias. El detector puede ser tan simple como un solo diodo o tan complejo como un circuito de fase cerrada o un demodulador balanceado.

1.2.2.4 Seccin de audio

La seccin de audio abarca varios amplificadores de audio en cascada, y una o ms altoparlantes. El nmero de amplificadores que se utilizan depende de la potencia deseada para la seal de audio.

1.2.2.5 Operacin del receptor

Durante el proceso de demodulacin en un receptor superheterodino, las seales recibidas experimentan dos o ms traslaciones de frecuencia: primero, la RF se convierte a IF; luego, la IF se convierte a la informacin fuente (banda base) Los trminos de RF y de IF son dependientes del sistema, y frecuentemente son engaosos, porque no necesariamente indican un rango especfico de frecuencias. Por ejemplo, la RF para la banda comercial de radiodifusin de AM tiene frecuencias entre 535 y 1605 kHz, y las seales de IF son frecuencias entre 450 y 460 Khz. En los receptores comerciales de banda de radiodifusin de FM, se utilizan frecuencias intermedias hasta de 10.7 Mhz, que son considerablemente ms altas que las seales de RF de banda de radiodifusin en AM. Las frecuencias intermedias simplemente se refieren a las frecuencias que se utilizan dentro de un transmisor o receptor, que caen en algn punto intermedio de las radiofrecuencias y las frecuencias de la informacin de fuente original.

1.2.2 Conversin de frecuencias

24

La conversin de frecuencias en la etapa de mezclador/ convertidor es idntica a la conversin de frecuencias en la etapa del modulador de un transmisor excepto que en el receptor las frecuencias se convierten a frecuencia menor en lugar de frecuencia mayor. En el mezclador/convertidor, las seales de RF se combinan con la frecuencia del oscilador local en un dispositivo no lineal. La salida del mezclador contiene un nmero infinito de frecuencias armnicas y de productos cruzados, que incluyen las frecuencias de suma y de diferencia, entre las frecuencias de la portadora de RF deseada ydel oscilador local. Los filtros de IF se sintonizan con las frecuencias de diferencia. El oscilador local est diseado de tal forma que su frecuencia de oscilacin siempre est por encima o por debajo de la portadora de RF deseada, por una cantidad igual a la frecuencia central de IF. Por lo tanto, la diferencia entre RF y la frecuencia del oscilador local es siempre igual a IF. El ajuste para la frecuencia central del preselector y el ajuste para la frecuencia del oscilador local estn sintonizados en banda. La sintonizacin en banda significa que los dos ajustes estn mecnicamente unidos, para que un solo ajuste cambie la frecuencia central del preselector y, al mismo tiempo, cambie la frecuencia del oscilador local. Cuando la frecuencia del oscilador local se sintoniza por encima de RF, se llama inyeccin lateral superior o inyeccin de oscilacin superior. Cuando el oscilador local se sintoniza por debajo de RF, se llama inyeccin lateral inferior o inyeccin de oscilacin inferior. En los receptores de banda de radiodifusin de AM, siempre se utiliza la inyeccin lateral superior (la razn de esto se explica posteriormente en este captulo) Matemticamente, la frecuencia del oscilador local es: Para la inyeccin lateral superior: flo = f rf + fif (4-6a) Para la inyeccin lateral inferior: flo = f rf -fif (4-6b) en donde flo = frecuencia del oscilador local (hertz) frf = radiofrecuencia (hertz) fif =frecuencia intermedia (hertz)

Ejemplo
Para un receptor de AM superheterodino que utiliza inyeccin lateral superior y tiene una frecuencia del oscilador local de 1355 kHz, determine la portadora de IF, frecuencia lateral superior, y frecuencia lateral inferior, para una onda de RF, que incluya una portadora y frecuencias laterales superiores e inferiores de 900, 905 y 895 kHz, respectivamente. Debido a que se utiliza inyeccin lateral superior, las frecuencias intermedias son la diferencia entre las frecuencias de radio y la frecuencia del oscilador local. Arreglando la ecuacin, da

Las frecuencias intermedias superiores e inferiores son

24

Observe que las frecuencias laterales (en el proceso de resta) experimentan una inversin de banda lateral durante el proceso de heterodinaje (o sea, la frecuencia de RF lateral superior se traslada a una frecuencia de IF lateral inferior, y la frecuencia de RF lateral inferior se traslada a una frecuencia de IF lateral superior) Esto se llama comnmente inversin de banda lateral. La inversin de banda lateral no es perjudicial para la AM convencional de doble banda lateral, puesto que, ambas bandas laterales contienen exactamente la misma informacin.

1.2.3 Rastreo del oscilador local

El rastreo es la habilidad del oscilador local, dentro de un receptor, para oscilar por encima o por debajo de la portadora de radiofrecuencias seleccionada por una cantidad que es igual a la frecuencia intermedia en toda la banda de radiofrecuencias. Con la inyeccin lateral superior, el oscilador local debe rastrear por encima de la portadora de RF, que est entrando por una frecuencia fija igual a frf + fif y con la inyeccin lateral inferior, el oscilador local debe rastrear por debajo de la portadora por una frecuencia fija igual a frf fif. Para sintonizar diferentes frecuencias, debemos utilizar capacitores variables .Los capacitores en banda (tndem) de las radios antiguas son relativamente grandes, costosos e inexactos, y son algo difciles de compensar. En consecuencia, se reemplazan con circuitos electrnicamente sintonizados de estado slido. Los circuitos sintonizados electrnicamente son ms pequeos, menos costosos y ms exactos, relativamente inmunes a los cambios ambientales, se compensan ms fcilmente y se adaptan ms fcilmente que sus contrapartes mecnicas, al control remoto digital y sintonizacin por medio de botones. As como con los mdulos para osciladores de cristal, explicados en el captulo de osciladores, los circuitos sintonizados electrnicamente utilizan diodos de capacidad variable, de estado slido (diodos de varactor/varicaps) La figura 4.8 muestra un diagrama esquemtico para un preselector y un oscilador local sintonizados electrnicamente. El voltaje con polarizacin inversa de -1 a -10V procede de un control de sintonizacin simple. Al cambiar la posicin del brazo selector de un resistor variable de precisin, la polarizacin inversa de c.c. para los dos diodos de sintonizacin (Vc1 y Vc2) se cambia.

24

La capacidad del diodo y, en consecuencia, la frecuencia de resonancia del circuito sintonizado vara con la polarizacin inversa. La compensacin de tres puntos con sintonizacin electrnica se lleva a cabo de la misma forma que para la sintonizacin mecnica. En un receptor superheterodino, la mayor parte de la selectividad del receptor se realiza en la etapa de IF. Para una reduccin mxima del ruido, el ancho de banda de los filtros de IF es igual al ancho de banda mnimo necesario para pasar la seal de informacin, que con la transmisin de doble banda lateral es igual a dos veces la frecuencia ms alta para la seal de modulacin. Para una frecuencia mxima de 5 Khz. para la seal de modulacin, el ancho de banda de IF mnimo, con rastreo perfecto, es de 10 Khz. Para una frecuencia central de IF de 455 kHz, es necesario un pasa-bandas de 450 a 460 Khz. Sin embargo, en la realidad, algunas portadoras de RF se rastrean hasta 3 Khz., por encima o por debajo de los 455 Khz. Por lo tanto, el ancho de banda de RF tiene que extenderse para permitir que las seales de IF, procedentes de las estaciones fuera de rastreo, pasen a travs de los filtros de IF.

1.2.4 Frecuencia imagen

La frecuencia imagen es cualquier otra frecuencia que no sea la portadora de la frecuencia de radio seleccionada que, si se le permite entrar a un receptor y mezclarse con el oscilador local, producir una frecuencia de producto cruzado que es igual a la frecuencia intermedia. Una frecuencia imagen es equivalente a una segunda frecuencia de radio que producir una IF que interferir con la IF de la frecuencia de radio deseada. Una vez que una frecuencia imagen se ha mezclado en forma descendente hasta llegar a la IF, no puede sacarse por filtracin o supresin. Si la portadora de RF seleccionada y su frecuencia imagen entran a un receptor, al mismo tiempo, ambas se mezclan con la frecuencia del oscilador local y producen diferentes frecuencias que son iguales a la IF. En consecuencia, dos estaciones diferentes reciben y se demodulan simultneamente, produciendo dos conjuntos de frecuencias de informacin. Para que una radiofrecuencia

24

produzca un producto cruzado igual a la IF, tiene que quitarse de la frecuencia del oscilador local por un valor igual a la IF. Con inyeccin lateral superior, la RF seleccionada est por debajo del oscilador local por una cantidad igual a la IF. Por lo tanto, la frecuencia imagen es la radio frecuencia que se localiza en la frecuencia de IF por encima del oscilador local. Matemticamente, para la inyeccin lateral superior, la frecuencia imagen (fim) es

ya que la RF deseada es igual a la frecuencia del oscilador local menos la IF

La figura muestra el espectro de frecuencias relativo para las frecuencias de RF, IF, oscilador local, de imagen para un receptor superheterodino, utilizando inyeccin lateral superior. Aqu podemos ver que entre ms alta sea la IF, ms lejos se encuentra dentro del espectro de frecuencias la frecuencia imagen de RF deseada. Por lo tanto, para un mejor rechazo de la frecuencia imagen, se prefiere una frecuencia intermedia alta. Sin embargo, entre ms alta sea la IF, es ms difcil construir amplificadores estables de alta ganancia. Por consiguiente, hay un intercambio entre el rechazo de la frecuencia imagen, la ganancia de IF y la estabilidad al seleccionar la IF para un receptor de radio.

La relacin de rechazo de la frecuencia imagen (IFRR) es una medicin numrica de la habilidad de un preselector para rechazar la frecuencia imagen. Para un preselector de sintonizacin simple, la relacin de su ganancia en la RF deseada con la ganancia en la frecuencia imagen es el IFRR. Matemticamente, IFRR es

donde

24

2. Diagrama de bloques

2.1 Recepcin de AM

2.2 Receptor Superheterodino

3. Circuito

24

3.1 Concepto de Inductancia

El campo magntico creado por una bobina depende linealmente de la corriente aplicada. Cuando se incrementa esta corriente, el flujo aumenta y viceversa, Como resultado, se genera entre los terminales de la bobina un voltaje que se opone a la variacin del flujo. La capacidad de una bobina, para oponerse a ese cambio, se denomina auto inductancia y es una caracterstica intrnseca del dispositivo. La inductancia se representa por el smbolo L y su unidad es Henry o Henrio.

3.2 Calculo de la inductancia

La inductancia de una bobina depende principalmente de sus caractersticas geomtricas, l numero de vueltas o espiras de alambre que constituyen el devanado y del material del ncleo sobre el cual se realiza el arrollamiento de la misma. Tericamente, la inductancia de una bobina helicoidal larga, de seccin transversal arbitraria y de espiras muy juntas, se puede evaluar a partir de la formula L = mN A/S Siendo A el rea de la seccin transversal, S la longitud axial de la hlice, N el nmero de espiras del alambre y m un parmetro propio del material situado en el interior de la hlice llamado permeabilidad. Para el aire, m =m = 4p*10 H/m. Para cualquier otro material m=m m , siendo m la permeabilidad relativa del mismo. Los materiales ferromagnticos de los ncleos de las bobinas tienen siempre valores de m muy superiores a 1. La tabla relaciona uno de los ejemplos tpicos.

3.3 Resonancia Paralelo

Un circuito paralelo constituido por una rama capacitiva en paralelo con una rama inductiva ofrece una impedancia. A frecuencias muy bajas, la rama inductiva entrega una corriente en atraso mientras que la corriente en la rama capacitiva, adelanta con respecto a la de la tensin y es pequea lo que resulta en una corriente total atrasada y de gran magnitud y una impedancia de circuito baja e inductiva. A frecuencias altas, la inductancia tiene una impedancia elevada en comparacin con la capacitiva, resultando una corriente total intensa y en adelanto y una impedancia de circuito baja y en adelanto. Entre estos dos extremos, existe una frecuencia para la cual la corriente de atraso que circula la rama inductiva y la corriente en adelanto que circula por la rama capacitiva son iguales, pero como estn desfasadas 180 se neutralizan, dejando nicamente una corriente resultante pequea y en fase que circula por la lnea de alimentacin. La impedancia del circuito paralelo resulta muy elevada. El aumento de la resistencia de un circuito achica y ensancha la cresta de la curva de impedancia sin alterar apreciablemente los lados, los cuales son relativamente independientes los cuales son relativamente independientes de la resistencia del circuito.

24

La frecuencia de resonancia de un circuito paralelo puede ser considerada como la misma frecuencia para la cual el mismo circuito est en resonancia serie, es decir: Fo = 1 / 2p LC en la que L y C son la inductancia y la capacidad del circuito respectivamente. Cuando el Q del circuito es apreciablemente grande, las frecuencias correspondientes al mximo de impedancia del circuito y a un factor de potencia unidad coinciden, para todos los usos prcticos, con la frecuencia de resonancia definida en esta forma. Sin embargo, cuando el Q del circuito es bajo, no cumple esto, segn se ver continuacin.

3.4 Anlisis de la resonancia paralelo

E = Tensin aplicada al circuito Zc = Rc ( j / wC ) = Impedancia de la rama capacitiva Zl = Rl + jwL = Impedancia de la rama inductiva Zs = Zc + Zl = Impedancia serie del circuito Z = Impedancia paralelo del circuito Rs = Rc + Rl = Resistencia serie total del circuito w. = 2p veces la frecuencia Wo = 2p veces la frecuencia de resonancia Q = - wL / Rs = Q del circuito Qo = Valor del Q a resonancia Las relaciones fundamentales de un circuito resonante paralelo se desarrollan en libros de introduccin a la teora de los circuitos de corriente alterna, t son, Impedancia paralelo = Z = Zc Zl = Zc Zl Zc + Zl Zs Corriente de lnea =E / Z Corriente en al rama inductiva = E / Zl = E / ( Rl + jwL) Corriente de la rama capacitiva = E / Zc = E Rc ( j / wC ) Cuando el Q del circuito es razonablemente elevado, como sucede en general, la expresin exacta de la ecuacin puede ser simplemente simplificada despreciando las componentes resistivas de las impedancias Zl y Zc en el numerador. Cuando se realiza esto Impedancia paralelo = Z = ( Wo L ) / Zs A resonancia Zs = Rs, con lo que resulta

24

Impedancia paralelo a resonancia = ( WoL ) / Rs Se observara de la ecuacin que la impedancia de un circuito paralelo a resonancia es una resistencia Q veces mayor que la impedancia de una de las ramas. En consecuencia puede decirse que la disposicin en derivacin de una rama inductiva y una capacitiva provoca un aumento de la impedancia que es Q veces mayor que al que se obtendra en cualquiera de las ramas correspondientes. Se ve as que puede desarrollarse una impedancia muy alta con la resonancia paralela y esta es una de las propiedades ms importantes de la resonancia paralela.

3.5 Curva de resonancia de circuitos paralelos

Al examinar la ecuacin se ve que, las condiciones en que se emplean estas formas aproximadas de la impedancia, la impedancia paralelo es igual a una constante dividida por la resonancia serie del circuito. Resto significa que la curva de resonancia de la impedancia paralela de un circuito tiene exactamente la misma forma que la curva de la intensidad de la corriente serie del mismo circuito, mientras que la ecuacin expresa que la corriente de un circuito serie es una constante dividida por la impedancia serie. En consecuencia la curva de resonancia y las reglas prcticas que se utilizaron para la estimacin de agudeza de resonancia de un circuito serie, tambin se cumplen para el caso de la resonancia en paralelo. La nica diferencia es que los signos de la fase en este caso estn invertidos, resultando en adelanto para frecuencias mayores que la de resonancia y en atraso para frecuencias menores a la de resonancia. El proceso correcto para calcular la impedancia de un circuito paralelo es el siguiente: El primer paso consiste en determinar la frecuencia de resonancia y la impedancia de resonancia, utilizando las ecuaciones correspondientes. Esto da una idea de resonancia y es suficiente para muchos fines. El verdadero comportamiento depende no solo del Q del circuito sino tambin de la distribucin de la resistencia entre la rama inductiva y la rama capacitiva como se muestra en el grfico.

3.6 Transistores de efecto de campo

24

Los transistores de efecto campo representan una categora importante y especializada de dispositivos electrnicos. Estos dispositivos combinan muchas de las ventajas de las vlvulas de vaci, como el pequeo tamao, bajo consumo de potencia, rigidez mecnica y otras ventajas de los componentes de estado slido. Por ejemplo, estos transistores pueden dar caractersticas de transferencia cuadrticas especialmente adecuadas para amplificacin de seales mltiples en amplificadores de RF con muy bajo nivel de distorsin por nter modulacin.

3.7 Caractersticas -La resistencia de entrada al FET es mucho mas

elevada que la de un transistor bipolar, ya que la nica corriente que circula por la puerta es inversa de fuga y del orden de nanoamperios. Dicha resistencia suele ser de algunas decenas a centenares de megaohmios. -La ganancia de tensin de un FET es mucho menor que la de un transistor bipolar, ya que las variaciones de Vgs, para conseguir la mxima variacin de Id y, por lo tanto, de Vds han de ser del orden de algunos vatios. -Al igual que los transistores bipolares, se pueden distinguir tres regiones de trabajo: -Saturacin, que es la determinada por los valores de Vds comprendidos entre el origen y el correspondiente al codo de la caracterstica.

Activa, que comprende la porcin horizontal de la caracterstica Corte, determinada por los valores de Vgs V(p)gs

-Un parmetro importante del FET es la llamada transconductancia y se define como: g.m = DId / DVgs s Vds constante

3.8 La bobina
Las bobinas tambin llamadas inductancias o inductores, son componentes pasivos que almacenan energa elctrica en forma de campo magntico y responden linealmente a los cambios de corriente. Por lo tanto, en presencia de una corriente continua constante se comportan como cortocircuitos. En su forma ms simple, una bobina esta constituida por un alambre de cierta longitud enrollado en forma de hlice sobre un ncleo. Algunas veces incluyen tambin un carrete aislante intermedio llamado formalleta que aloja el arrollamiento y lo separa elctricamente del ncleo. La operacin de las bobinas se basa en un principio de la teora electromagntica,

24

segn el cual, cuando circula una corriente a travs de un alambre, este produce a su alrededor un campo magntico.

Observe que las lneas de fuerza que representan el campo magntico son perpendiculares a la direccin del flujo de la corriente. Si doblamos en algn punto el alambre para formar un bucle o espira, el campo magntico en esa parte del alambre se concentra dentro de la espira puesto que todas las lneas de fuerza apuntan en la misma direccin y convergen hacia el centro.

Por lo tanto, si continuamos agregando espiras, formando una bobina propiamente dicha, los campos magnticos creados por cada una se reforzaran mutuamente, configurando as un campo de mayor intensidad en el interior del sistema, El conjunto se comporta entonces como un electroimn.

El campo magntico creado por una bobina de ncleo de aire como la anterior puede ser intensificado aumentando la corriente aplicada o llenando el espacio vaco dentro de la misma con un ncleo de material magntico, que concentre mejor las lneas de fuerza. Otra es construyendo la bobina en mltiples capas, es decir realizando un nuevo devanado encima del primer arrollamiento, uno encima del segundo, y as sucesivamente.

3.9 Amplificador Emisor Comn

Entendemos por amplificacin el hecho mediante el cual una variacin ocurrida a la entrada de un circuito, aparece ampliada a la salida. Aplicando este concepto al transistor, si provocamos una variacin de la polarizacin de base, obtendremos una variacin mucho mayor de la corriente de colector y, por tanto, de la tensin colector emisor. Generalmente, empleando el transistor como amplificador, las variaciones de la polarizacin de base vienen provocadas por la aplicacin de una pequea seal de C.A. a la entrada, que se desea aparezca a la salida aumentada de valor, siendo un fiel reflejo de la entrada. Llegado este punto es necesario definir nuevos conceptos:

24

-Entrada: Malla a la cual se aplica una seal proveniente de una fuente para ser amplificada. -Salida: Circuito del cual se obtiene una seal amplificada. -Distorsin: Deformacin en la seal de salida que entrega el generador de seal para amplificar. -Tensin de Entrada: Voltaje que entrega el generador de seal para amplificar. -Corriente de Entrada: Corriente que absorbe el amplificador del generador. -Impedancia de Entrada: Resistencia que se observa en el generador al conectarlo a la entrada del amplificador. Zo = Vo Io -Tensin de Salida: Tensin alterna que se manifiesta en extremos de la carga. -Corriente de salida: Corriente alterna que circula por la carga. -Impedancia de salida: Resistencia interna que presenta Vo si se emplea como generador para otro dispositivo. Zo = Vo Io -Ganancia de tensin: Expresa la relacin entre las tensiones de salida y de entrada. Av = Vo Vi -Ganancia de Corriente: Expresa la relacin entre las corrientes de salida y de entrada. Ai = Io Ii -Ganancia de Potencia: Es el cociente entre la potencia absorbida por la carga y la absorbida por la entrada del amplificador. Ap = Po o bien Ap = Vo* Io Pi Vi * Ii

3.10 Impedancia de entrada

Como la fuente de seal entrega una Vi que se aplica al circuito paralelo formado por R1, R2 y el transistor, debemos conocer por tanto la resistencia que presenta el transistor a dicha fuente. Al aplicarse Vi al circuito base emisor, deberiamos estudiar este para saber que resistencia ofrece. Por lo tanto podriamos decir que: Re = DVbe = Vbe

24

DIe ie Hasta aqu hemos obtenido la resistencia de emisor, se aprecia que el transistor solo absorbe del generador una corriente Ib y, estableciendo la aproximacin ie = ic, tenemos que: Ib = Ie hfe con la impedancia de entrada al transistor cuantificada, la entrada del circuito ser Zi = R1//R2//hfe re La impedancia de salida podra describirse como: Zo = Vce Ic

3.11 Deteccin de ondas moduladoras en amplitud:

La deteccin a veces tambin llamadas desmodulacin, es el proceso de recuperar la inteligencia transmitida en una onda de radio moduladora. En el caso de las ondas moduladas en amplitud, la deteccin se realiza rectificando la onda, obtenindose as una corriente continua pulsante que vario de amplitud en concordancia con la modulacin que lleva la inteligencia. Los detectores se los describe comnmente con expresiones tales como de potencia, de seales dbiles, de la ley cuadrtica y lineales. Un detector es el tipo de potencia o de seales dbiles segn que se trate de rectificar uno tensin de radiofrecuencia grande o pequeo, siendo la amplitud de la portadora del orden de 1 volt lo que define la clasificacin de seales fuertes y dbiles. Un detector lineal desarrolla una tensin de slido rectificada proporcional a la amplitud de la tensin de entrado, mientras que un detector cuadrtico desarrolla uva v de salida proporcional al cuadrado de la amplitud. Los rectificadores de seales dbiles son siempre del tipo cuadrtico, mientras que los detectores de potencia son generalmente, aunque no imprescindiblemente, rectificadores lineales.

3.12 Detectores a diodo poro ondas moduladas en amplitud

La deteccin de ondas moduladas en amplitud se realiza ordinariamente por medio de un diodo rectificador operando como un detector lineal de potencia. Un circuito simple paro un detector o diodo de este tipo es el que se muestra en la figura, en la que C es un pequeo capacitor, R una resistencia relativamente alta y la combinacin RC es la impedancia de carga a travs de la cual se desarrolla la salida til del diodo. Con esta disposicin, en cada ciclo positivo de la tensin de excitacin de radiofrecuencia la capacidad C se carga hasta adquirir un potencial que difiere de la cresta de la tensin aplicada en uno pequeo magnitud debido a la cada de tensin que se produce en el diodo por la corriente de carga que circula o travs de la vlvula. Entre las crestas, parte de lo cargo del capacitor C se pierde por circular a travs de la resistencia R, y vuelve a ser reintegrada por uno carga apropiado que circulo durante la cresta del prximo ciclo de radiofrecuencia

24

3.13 Detectores a cristal

Puede realizarse la rectificacin aprovechando la relacin no lineal que existe entre la tensi6n y la corriente en el punto de contacto de ciertas superficies cristalinas. Una unidad a cristal tpica para este fin se ilustro esquemticamente en la figuro. En ello un delgado alambre de tungsteno hace un contacto de rea muy reducida sobre un cristal adecuado, tal como de silicio o de germanio y el conjunto se sello con cero o fin de darle cualidades mecnicas slidas y hacerlo elctricamente estable. El cristal utilizado en dicho sistema pertenece o uno clase de materiales conocidos como semiconductores, los que se caracterizan por poseer uno resistencia elctrica suficientemente alta como paro ser de un valor intermedio entre la de los metales y lo de los aisladores. Cuando se hace contacto con un semiconductor sobre una pequea superficie por medio de un metal adecuado, se obtiene una accin rectificante similar a lo existente en una vlvula diodo, actuando el semiconductor como ctodo y el extremo del alambre metlico actuando como nodo. El verdadero mecanismo por el cual se logro la rectificacin es muy complicado, dependiendo de la diferencia de la funcin trabajo de los materiales que estn en contacto, el comportamiento de la barrera de potencial que existe un gradiente de tensin relativamente alto, en el semiconductor del punto de contacto, como resultado de la reducida superficie de contacto.

24

3.14 uito

Circ

elctrico

3.15 Listado de Componentes

Capacitores: C1 = 10 nF C2 = 4.7 nF C3 = 47 nF

24

C4 = 220 pF C5 = 22 mF x 25v C6 = 0.1 mF C7 = 2.2 nF C8 = 10 mF x 16v C9 = 47 nF C10 = 220 mF x 16v C11 = 0.1 mF C12= 20 m F Cv = Tandem plstico tipo spica Semiconductores: T1 = MPF102 T2 = BC548 D1 = 1N60 IC1 = LM386 Resistencias: R1 = 4K7 W R2 = 470 KW R3 = 10 KW R4 = 4K7 KW R5 = 1 KW R6 = 470 KW R7 = 5K6 KW R8 = 10 KW R9= 1 KW P1 = Pote miniatura tipo spica 10KW con llave Inductor: L = Bobina antena de radio AM c/ferrite (3 cables)

3.16 Principio de Funcionamiento

La seal proviene de la antena ingresa a un circuito tanque compuesto por la bobina de antena L y el capacitor variable Cv. Este circuito tiene un elevado Q y resuena a una

24

frecuencia determinada por el valor de la inductancia de L y el valor ajustado en el tandem. A frecuencia de resonancia la impedancia del circuito aumenta a su valor mximo, con lo cual disponemos de una entre los extremos del circuito tanque cuya frecuencia central coincide con la frecuencia de resonancia. Esta seal de muy bajo nivel y se la aplica a la compuerta de un transistor FET. La razn principal por la cual se emplea una FET es su elevadsima impedancia de entrada, factor principal para no cargar al circuito tanque de entrada y por lo tanto no disminuir su Q. Adems los FET son muy aptos para manejar bajsimos niveles de seal. T1 trabaja en configuracin de surtidor comn, ya que el valor de C1 representa casi un cortocircuito a la seal de RF. R1 se encuentra colocado con fines de polarizacin. R4 es la resistencia de carga del drenador. La seal amplificada qe se toma del drenador de T1 es rectificada por D1 a fines de extraer la modulacin que es el producto de la informacintransmitida. C2 deriva a masa la seal de RF mientras que tiene la informacin de audio. R2 permite la descarga de C2. La seal de audio obtenida ingresa mediante R3 y C3 a la base del transistor T2, que es un transistor bipolar de baja seal. T2 trabaja en emisor comn con realimentacin negativa colector- base a fin de mejorar el nivel de audio ruido y disminuir la distorsin. Esta realimentacin corre por parte de R6 y C4. R7 polariza al colector de T2 circule por el potencimetro P1. Actuando sobre el cursor de P1 regulamos el nivel de audio conveniente para aplicarle a la pata 2 del integrado que acta como amplificador de ganancia fija. C7 desacopla los eventuales vestigios de Rf, la seal de salida del integrado se acopla capacitivamente mediante C10 al parlante a utilizar. C11 es un capacitor de filtro de alimentacin. R5 y C5 forman una red de estabilizacin de tensin para alimentar a T1, de esta forma la etapa de RF queda estabilizada frente a las variaciones de tensin de alimentacin debidas al consumo de la etapa de salida.

3.17 Armado del circuito

Para armar el circuito se utiliza una plaqueta ya diseada por plaqueta todo o un diseo propio, luego se sueldan los diversos componentes, resistencias, transistores, capacitores etc. Se bobina la barra de ferrite y a continuacin se inserta en un gabinete.

3.18 Problemas
La plaqueta posee un error de diseo ubicado en el selector de volumen. Los extremos del potencimetro de volumen estn invertidos; por lo tanto al encender la radio el volumen esta al mximo y luego comienza a disminuir a medida que se gira el pote. La solucin es cortar las pistas defectuosas y cruzar las pistas por medio de puentes. Otro de los problemas que se puede encontrar es una oscilacin producida por el acoplamiento a travs de la fuente entre el BC548 y el amplificador LM386, el cual se resolvi colocando una red de desacople RC.

24

Otras de las dificultades que presenta es la sintonizacin de estaciones, si no se construye en forma adecuada la bobina.

4. Biografa
Paginas web http://es.scribd.com/doc/6754455/Receptores-AM-o-FM

Libro consultado Wayne Tomasi, Sistemas de comunicaciones electrnicas, 4ta edicin