La temperatura mxima de unin de un transistor es TJ =150 oC, y la temperatura ambiente es TA= 25oC si las impedancias trmicas son RJC=0.

4 OC/W, RCS =0.1 OC/W y RSA=0.5 OC/W calcular: a) la disipacin Mxima de Potencia b)la temperatura del encapsulado a) ( ( ) ( )( ( ) ) )( )

b)

La beta del transistor bipolar de la figura vara desde 10 hasta 60. La resistencia de la carga es Rc= 5. El voltaje de alimentacin en cd es Vcc= 100V y el voltaje de entrada al circuito de la base VB=8V. si VCE(sat)= 2.5v y VBE(sat)= 1.75V, encuentre: a) El valor de RB que resulte en saturacin con un factor de sobreeexitacin (ODF)de 20 b) La beta forzada c) La prdida de potencia del transistor

a)

( (

) ) ( )

b)

c)