UNIVERSIDAD FERMN TORO VICERRECTORADO ACADMICO FACULTAD DE INGENIERA

DISEO DE OSCILADOR DE RADIOFRECUENCIA

INTEGRANTES: vila Alfredo Oropeza Pedro Prez Stefany CABUDARE; SEPTIEMBRE 20013

OSCILADOR DE RADIOFRECUENCIA PARA UNA FRECUENCIA DE 1,7 GHZ.

Las tcnicas de diseo de osciladores de menor frecuencia son vlidas en el rango de las microondas, siempre teniendo en cuenta dos detalles: 1) los dispositivos activos a usar sern los especficos de estas frecuencias y 2) la ausencia de un elemento fundamental como es la bobina, hace que se exploren otro tipo de estructuras que cumplan la funcin de oscilador. Dentro de estas podramos citar los osciladores basados en dispositivos de Resistencia Negativa: diodos Gunn y diodos Impatt, que basan su funcionamiento en su capacidad de presentar una resistencia negativa efectiva en sus terminales, con lo que la teora de circuitos dice que son capaces de generar energa en lugar de disiparla, como ocurre en las resistencias normales. A estos osciladores, se los denomina como de 2 Terminales. Si utilizamos los transistores MESFET, HBT y HEMT, estaremos ante los osciladores de 3 Terminales, que seguirn pautas de diseo similares a los de ms baja frecuencia, aunque adaptndose a las frecuencias de microondas. Como sabemos, los dispositivos activos cambian, pero tambin cambiarn los circuitos resonantes.

Para poder lograr la oscilacin este circuito utiliza un divisor de tensin formado por dos capacitores: C1 y C2. De la unin de estos capacitores sale una conexin a tierra. De esta manera la tensin en los terminales superior de C1 e inferior de C2 tendr tensiones opuestas. La realimentacin positiva se obtiene del terminal inferior de C2 y es llevada a la base del transistor a travs de una resistencia y un condensador La bobina L2 (choke) se utiliza para evitar que la seal alterna no pase a la fuente Vcc Este oscilador se utiliza para bandas de VHF (Very High Frecuency) La frecuencia de oscilacin est dada por:

fo

1 2 L T C T

1 2 1*10 3 0.05 *10 6

1,7GHz

Donde

C1C2 17 ,52 *10 12 17 ,52 *10 12 CT 8,76 pF 12 12 C1 C2 17 ,52 * 10 17 ,52 *10 L L1 1mH

DISEO DEL OSCILADOR

R2(2)

R2
47k

R4
2.2k

C5
A 22uF B C D 1.7GHz

Q1
2N2222A

C3
10uF

R3
10k

C2 R1
0.680k

C4
32uF

0.1uF

L1
1mH

C1
0.1uF

DISEO DEL OSCILADOR