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Manual De Referencia
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Objetivo General
Los participantes comprendern los diferentes parmetros elctricos bsicos que presentan los elementos pasivos y activos bsicos, as como su comprobacin con la utilizacin del multmetro HP34401A.
Comprender que es la diferencia de potencial o voltaje. Comprender que es la corriente. Comprender que es la Resistencia. Comprender que es la capacitancia. Comprender que es la inductancia. Comprender el concepto de impedancia. Comprender los principios de medicin para los diferentes parmetros elctricos anteriormente mencionados. Entender los principios de medicin de los diodos rectificadores, LED y Zener. Entender y comprender la comprobacin de uniones de continuidad en los transistores bipolares as como su verificacin con un multmetro. Entender y comprender la comprobacin de continuidad en los transistores MosFets de enriquecimiento canal N y P, as como su verificacin con un multmetro Conocer las caractersticas y funciones del multmetro HP modelo 34401A
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Indice
I.- Unidades elctricas 1.1 1.2 1.2 1.4 1.5 1.6 Voltaje Corriente Resistencia Capacitancia Inductancia Impedancia 1 1 2 2 3 3 3 5 5 5 8 10 11 11 12 13 15 16 20
II.- Principios de Medicin para componentes pasivos 2.1 2.2 2.3 2.4 Medicin de Resistencia Medicin de Capacitancia Medicin de Inductancia Modelo de un capacitor real
III.- Principios de Medicin para componentes activos bsicos 3.1 3.2 3.3 3.4 Medicin de diodos Medicin de LED y diodos Zener Medicin de transistores NPN y PNP Medicin de MosFets de enriquecimiento canal N y canal P
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UNIDADES ELECTRICAS
Dentro de este apartado realizaremos un breve repaso sobre las variables y unidades de medidas elctricas. Muestra intencin no es realizar un tratado sobre este tema, ya que solo intentamos homogenizar los diferentes trminos involucrados.
1.1 Voltaje
En primer instancia nos detendremos a tratar de definir lo que es el voltaje. Como todos sabemos, el voltaje surge como respuesta de atraccin entre cargas. Tal vez aun se acuerden que la diferencia de potencial esta dada por:
b
Vab = E dx
a
Eq. 1 Definicin de la diferencia de potencial entre dos puntos Tal vez un punto importante es el hecho de que toda carga elctrica (sean tomos o molculas) generan siempre un campo equipotencial alrededor de ellas. Debemos de considerar (para fines prcticos) que el voltaje tiende a representar la fuerza con que se es capas de atraer o rechazar los electrones. Como ya tenemos conocimiento del comportamiento de los campos y cargas elctricas en los conductores, solo mencionare (con intensin de aclarar) que es el campo elctrico el que puede propagarse a la velocidad de la luz, no siendo esto cierto para las cargas en movimiento (electrones o molculas). Tambin aclarare que toda medicin de voltaje que se realice es en realidad una medicin de diferencia de potencial. Es de mencin particular, las mediciones de tierra, en cuyo apartado debemos diferenciar las mediciones al punto comn de nuestro circuito y las mediciones al punto comn cuando este se encuentra conectado a tierra fsica. Dentro de las medicines al punto comn de nuestro circuito (tierra del circuito elctrico), son de hecho una medicin de diferencia de potencial entre dos puntos. En este caso en particular debemos de considerar que si el punto comn de nuestro circuito no esta conectado a tierra fsica, nada nos asegura que no exista diferencia de potencial entre dicho nodo y la tierra fsica. Por ultimo indicaremos que la unidad de medida mas tpica es el volt (normalmente representado por la letra V), aun cuando en otras reas de la fsica se usan algunas otras medidas.
1.2 Corriente
La corriente la podemos definir como la densidad de carga por unidad de tiempo que pasa por un rea determinada. Matemticamente la podemos definir como
I = dq
dt
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La relacin matemtica anterior nos expresa claramente que la corriente esta dada por la cantidad de carga que pasa por un rea determinada, sin tomar en cuenta si el fenmeno esta provocado por partculas, tomos o molculas en movimiento. De este hecho, podemos concluir que la medicin de corriente no expresa nada sobre la masa en movimiento que esta provocando dicha corriente, si de antemano desconocemos el tipo de partcula que se mueve. Mencionare, para los fines que a nosotros nos atae; que en los conductores metlicos (oro, plata, aluminio, cobre,) son los electrones los que se movilizan dentro del conductor. Lo anterior sustentado sobre la teora de redes. Mientras tanto, en los semiconductores, dichas corrientes se presentan por la comparticin de los ltimos electrones orbitales de molculas mas complejas. Este hecho es importante en la velocidad de conmutacin de los semiconductores. Un punto importante es que la corriente tiende a circular por la periferia del conductor. Por ultimo indicare que la unidad de medida tpica para la corriente (al menos para nuestro inters comn) es el Ampere (normalmente representado por una A), equivalente al Coulomb por segundo.
1.3 Resistencia
Podemos definir la resistencia como la oposicin al paso de la corriente continua de un material en particular. Su definicin matemtica queda expresamente establecida por la conocida ley de ohms, que ya todos conocemos y que se muestra a continuacin.
R =V
Eq. 3 Definicin de resistencia Esta formula expresa cuantitativamente lo indicado en el prrafo anterior, y un cuando estamos acostumbrados a manejarlo como un parmetro constante, realmente no es as, ya que puede ser afectado por una gran cantidad de variables como son: Temperatura, Humedad, Tipo de Material, etc. Un punto que es muy importante de aclarar en este rubro, es que la resistencia es diferente a la impedancia presentada por un circuito o sistema. Por ultimo mencionare que la unidad de medida de la resistividad es el ohms ().
1.4 Capacitancia
Definiremos la capacitancia como la capacidad que tiene un dispositivo o sistema de almacenar cargas elctricas. Cuantitativamente lo expresamos de la siguiente manera:
C =Q
Eq. 4 Definicin de la capacitancia De esta expresin podemos verificar que el valor de un capacitor es en si la cantidad de carga almacenada por unidad de diferencia de potencial presentado entre sus terminales, es decir, para dos capacitores que presenta la misma diferencia de potencial entre sus terminales, tendr una capacitancia mayor aquel que tenga guardada mas carga elctrica.
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Es de recordar que el comportamiento de los capacitores dentro de las redes elctricas presentan un comportamiento un tanto opuesto al presentado por los resistores, es decir, que mientras dos resistores en paralelo disminuyen en su valor equivalente, los capacitores la aumentan en forma igual a la adicin de sus valores individuales, y viceversa. Por ultimo, como recordatorio, solo indicare que la unidad de medida de la capacitancia es el Faradio (siendo tpicos los submultiplos), equivalente al Coulomb/volt.
1.5 Inductancia
La inductancia la definiremos como la capacidad de un dispositivo o sistema de oponerse a un cambio de corriente, es decir, un inductor con mayor valor de inductancia requerir un mayor trabajo para poder cambiar su corriente. El valor cuantitativo de esta capacidad para oponerse al cambio de corriente se mide en unidades de Henrios (siendo los submultiplos los mas conocidos) siendo equivalente a V*Seg/A. Esta ultima medida expresa que la inductancia en si indica, para el caso especial de una corriente con cambio constante, la cantidad de voltaje que se incrementa por cada segundo que se sostenga dicho estado. Por ultimo solo cabe indicar que dentro de los dispositivos que utilizamos en los montajes de MotherBoard, son muy utilizados los inductores toroidales con ncleo de ferrita saturado; los cuales presentan caractersticas especiales. Estos dispositivos prcticamente se utilizan en montajes de fuentes conmutadas.
1.6 Impedancia
La impedancia la expresaremos como la oposicin que ofrece un dispositivo o sistema al paso de la corriente alterna, de esta manera tenemos que la impedancia de un capacitor esta dada por:
Zc =
1 2 * * f * C
Eq. 5 Cuantificacin de la impedancia que presenta un capacitor Esta expresin nos indica claramente como la impedancia que ofrece un capacitor al paso de la corriente es inversamente proporcional a la frecuencia, disminuyendo para frecuencias altas y aumentando para frecuencias bajas. Para un inductor puro, la impedancia que presenta esta dada por:
Z L = 2 * * f * L
Eq. 6 Cuantificacin de la impedancia que presenta un inductor Dicha expresin muestra la dependencia de la frecuencia en la impedancia presentada por este tipo de dispositivo. De ello podemos concluir que un inductor presenta baja impedancia a frecuencias bajas y alta impedancia a frecuencias altas.
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Con respecto al resistor puro, sabemos que la impedancia que presenta es siempre la misma para cualquier frecuencia, esto es:
ZR = R
Eq. 7 Cuantificacin de la impedancia que que presenta un resistor Indicaremos tambin que la unidad de medida de la impedancia tambin le corresponde el ohms (). Por ultimo mencionaremos que contamos con un calculo muy potente para el uso de estos parmetros. Dicho calculo se apoya el la teora de nmeros complejos y hace uso de fasores. Dentro de este calculo los parmetros de los elementos pasivos se expresa de la siguiente manera:
Z R =R
Z L = j * 2 * * f * L
ZC = j
1 2 * * f * C
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Generalmente es el primer circuito el que utilizan los multimetros, normalmente; utilizando la pila interna como fuente de voltaje conocido.
Fig. 2 Grfica de que muestra el comportamiento de la impedancia de un capacitor con respecto a la frecuencia
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Z1 2000 1500 1000 500 0 5 40 75 110 145 180 215 250 285 320 355 390 425 Z2 Z3 Z4
Fig. 3 Grfica que representa el comportamiento de diferentes capacitores respecto a la frecuencia Otro punto que debemos de tener en cuenta es que la corriente de un capacitor (hablando del capacitor ideal) se atrasa con respecto al voltaje del mismo, siendo dicho atraso igual a 90 grados elctricos. La siguiente figura ilustra lo anterior.
Voltaje Vs Corriente
Amplitud
V I
Tiempo
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Teniendo en consideracin todos los puntos anteriormente mencionados, podemos desarrollar varios circuitos para la medicin de la capacitancia, aunque nosotros solo trataremos en este apartado el mas sencillo de todos. Dicho mtodo es utilizado en multimetros que permiten medir este parmetro. Este mtodo se basa en la conexin de una fuente de C.A. con amplitud y frecuencias conocidas, censando la amplitud de la corriente, podemos obtener la capacitancia involucrada. La siguiente figura presenta de forma simplificada el circuito descrito
A V C
Fig. 5 Representacin bsica de la medicin de un capacitor En multimetros mas sofisticados (sobre todo multimetros digitales) se inyecta un tren de pulsos para tratar de identificar la capacitancia del componente. En algunos de ellos se realiza una correccin de la desviacin de fase. La onda de trenes de pulsos es similar a la siguiente: V
Dicha seal es una aproximacin a una onda senoidal, que aunque en primera instancia no es muy aproximada, para los fines utilizados se adapta muy bien. Analizando un poco la seal, nos damos cuenta que un tren de pulsos lo podemos desarrollar como una serie de Fourier que de forma genrica la podemos representar de la forma siguiente:
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La ecuacin anterior simplemente nos expresa que el tren de pulsos es equivalente a un voltaje de corriente continua mas una suma de senoidales de diferente frecuencia., o sea que:
Vn * Sen( n )
V2 * Sen( 2 )
=
t Fig. 7 Representacin de la Eq. 9
V1 * Sen(1 ) VPr o
Como sabemos tambin que por lo comn (siendo este un caso de ellos) las seales componentes de mayor frecuencias tienden a tener una amplitud menor, que aunado a que el capacitor presenta menor impedancia a mayor frecuencia, podemos concluir que la seal presenta en el capacitor ser prcticamente la seal fundamental. Podemos observar que si se calcula el voltaje promedio de la seal, este no arroja un resultado de cero, sino un voltaje superior a la amplitud/2. Esto es una ventaja ya que nos auxilia para poder realizar mediciones de capacitores electroliticos y de tantalio sin ningn problema; puesto que como sabemos, estos capacitores tienen polaridad, no siendo aptos para utilizarlos en seales de corriente alterna pura.
Por ultimo, otros multimetros digitales inyectan rfagas de pulsos a intervalos regulares para realizar la medicin de capacitancia.
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Z de un inductor
Impedancia
Frecuencia
Comportamiento de ZL
50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 0
Impedancia
Z1 Z2 Z3 Z4
86 0
58 0
42 0
14 0
30 0 67
10
68
54 0
26 0
98 0
70 0
53
60
13
20
26
33
Frecuencia
40
47
74
02 0
20
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Bien, conociendo lo anterior, podemos ya concluir que la medicin de los inductores se puede realizar de manera similar a los capacitores (refirindonos a el primer mtodo de prueba presentado). Por ultimo, los multimetros en general, no presentas opciones para medir inductores. Las razones son: El inductor es un elemento no muy utilizado dentro de los circuitos, la seal que se debe inyectar a un inductor para poder hacer las mediciones debe ser lo mas pura posible, ya que las frecuencias mezcladas con la fundamental tendern a manifestarse en mayor magnitud en el inductos, al presentar este una impedancia mayor a mayor frecuencia.
Rs
C RL Rd Cd
A continuacin se detallara cada uno de los parmetros que forman parte del modelo
L.- Representa la inductancia del cable del dispositivo. Rs.- Representa la resistencia en serie con la capacitancia. El cable y los electrodos del capacitor son los elementos que mas contribuyen. RL.- Resistencia de fuga del capacitor. Tpicamente esta puede rondar los 50,000 Mohms en un capacitor de tantalio Rd.- Resistencia del dielctrico generada por la absorcin y polarizacin molecular. Este parmetro acenta su efecto en mediciones y aplicaciones de alta frecuencia. Dicho parmetro modifica su valor con la frecuencia. Cd.- Esta capacitancia es generada por la absorcin inherente del dielctrico. C.- Es la capacitancia ideal del dispositivo.
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Como podemos apreciar el diodo tiene cuatro zonas que son: Zona de conduccin, Zona de semiconduccin, Zona de bloqueo y Zona de ruptura. La zona de conduccin es cuando tenemos un voltaje superior a 0.7 volts y el diodo prcticamente no ofrece resistencia a un incremento de voltaje dado. La zona se semiconduccin se encuentra entre los 0 v y los 0.7 v, en ella el diodo va disminuyendo paulatinamente su resistencia al paso de la corriente con forme el voltaje aumenta. La Zona de bloqueo se encuentra entre 0v y un voltaje negativo conocido como voltaje de ruptura, que es el voltaje que indica en que punto entra en la zona de ruptura el diodo. Cuando colocamos un multmetro para realizar la prueba de un diodo, este se predispone (generalmente) como un multmetro normal, con la excepcin de que la fuente de alimentacin tambin ser proporcionada por el mismo. La siguiente figura aclara lo anterior.
--
+ +
Referente a los diodos zener podemos indicar que es un diodo construido para trabajar en la zona de ruptura sin daarse (al menos sobre un rango dado). Este dispositivo es apreciado por su capacidad de sostener (regular) un voltaje conocido como voltaje zener. Dicho punto correspondera en un diodo rectificador, al voltaje de ruptura. De lo anterior podemos concluir que un diodo zener polarizado directamente presentara un codo de conduccin similar a un diodo rectificador, mientras tanto, en la polarizacin inversa presenta el voltaje Zener. El smbolo de este tipo de diodo es el siguiente:
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Por ultimo indicare que ya es muy tpico utilizar los diodos zener regulables. Este tipo de diodos muestra otra terminal anexa a un costado, por el cual es posible introducir una seal de retroalimentacin para que el zener conozca que tambin esta sosteniendo el voltaje. En la siguiente figura mostramos su smbolo.
P N
N P
Fig. 19 Representacin de su construccin, smbolo y equivalencia de uniones de los diferentes transistores bipolares
En la imagen podemos observar que cada una de las capas no tienen la misma magnitud, as mismo, cada una de ellas no muestran el mismo nivel de dopaje. De hecho, mientras la capa que forma la base es un material ligeramente dopado, el emisor esta formado por un material medianamente dopado; mientras que el colector lo forma un material fuertemente dopado. De la descripcin anterior, podemos concluir que la equivalencia en diodos no cumple el comportamiento de un transistor. Sin embargo, cuando se utiliza un multmetro en la funcin de prueba de diodos, entonces si podemos aplicar dicha equivalencia. Para algunos transistores (generalmente de alta ganancia), la unin Base-Colector tiende a comportarse mas como un diodo Zener, que como un diodo rectificador. Todo lo descrito anteriormente nos indica un funcionamiento por separado de cada una de las uniones, pero no proporciona informacin de su funcionamiento en su conjunto. Como sabemos, el transistor es en si una fuente de corriente controlada por corriente. Lo anterior es deducido de la siguiente ecuacin:
Ic = * Ib
Eq. 10 relacin bsica entre la corriente de colector Y la corriente de base en un transistor bipolar
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Dicha ecuacin muestra como Ic es dependiente de Ib, y es proporcional a esta en un factor . Si es mayor a uno (que casi siempre lo es), entonces Ic es mayor que Ib y se dice que se tiene una ganancia. Sabemos que esta ecuacin es valida en toda la regin activa. La siguiente figura muestra las curvas caractersticas de los transistores NPN:
Curva Ic Vs Vce
2 1.5 1 Ic 0.5 0 0 -0.5 Vce 2 4 6 8 10 Ib1 Ib2 Ib3 Ib4 Ib5
El trazado de dichas curvas escapa a los alcances de un multmetro, pero otros equipos de medicin como el Huntron Tracker son capaces de reproducirlas.
Fig. 21 Smbolo de los MosFets de empobrecimiento canal N y canal P Su smbolo es un claro reflejo de su construccin fsica y en el se puede apreciar que no existe ninguna continuidad entre sus terminales. Debemos recordar que la compuesta esta formada por oxido metlico, lo cual impide la conductividad; adems, no existe ningn canal continuo entre surtidor y drenador, y que solo es capas de conducir cuando se logra formar un canal conductor entre ellos. Dicho canal se forma solo cuando se aplica un voltaje a la compuerta igual o superior a un nivel dado e intrnseco al dispositivo conocido como Vt.
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De lo anterior podemos discernir que al medir el dispositivo con un multmetro en la posicin de diodo, no se encontrara conduccin en ninguna de las direcciones posibles de checar. Estos dispositivos son muy utilizados en fuentes conmutadas, en los cuales podemos observar que se utiliza por lo regular un dispositivo descendiente de este, que de fabricacin trae de forma parsita un diodo entre las terminales de surtidor y drenador. Dentro de los diagramas esquemticos dichos dispositivos se representan de la siguiente manera:
Fig. 21 Smbolo de los MosFets de enriquecimiento canal N y canal P con diodo parsito interconstruido
Como ya lo habremos imaginado, en estos dispositivos, solo detectaremos un diodo entre las terminales de surtidor y drenador. Por ultimo, solo resta indicar que las curvas caractersticas de este tipo de transistores es similar a la de los transistores bipolares, con la salvedad de que dichas curvas se presentan solo despus detener aplicado un Vgs igual o superior a Vt. Un punto importante a indicar es que para estos dispositivos se grfica Id contra Vds a diferentes Vgs, donde Id tiene una relacin dependiente con Vgs dada por:
Id = K * (Vgs Von)
Eq. 11 Representacin matemtica de la relacin que guardan El voltaje de compuerta y la corriente de drenador
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Caracteristicas
Display fluorescente de alta visibilidad Operaciones matemticas interconstruidas Fig. 25 Multimetro HP Modelo 34401A Prueba de diodos y continuidad Caracteristicas de manos libres y sostenimiento de lecturas Porttil, para trabajo rudo.
Caracteristicas de flexibilidad
Soporta interfaz HP-IB (IEEE-488) e interfaz RS-232 Lenguajes de programacin estndar: SCPI, HP 3478A, y Fluke 8840 Razn de lectura de hasta 1000 muestras/segundo Almacenamiento de hasta 512 lecturas Limites de prueba con seales de pasa/falla Opcional HP 34812A BenchLink/Meter Software para Microsoft Windows
El panel frontal
1.- Teclas para funciones de medicin 2.- Teclas de operaciones matemticas 3.Tecla de disparo nico/Autodisparo/lectura sostenida 4.- Tecla Shift/Local 5.- Interruptor para terminales de entrada frontales/posteriores 6.- Teclas para Rango/Numero de dgitos desplegados 7.- Teclas para la operacin de los mens
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Fig. 28 Descomposicin de los diferentes mens Nota: Los comandos encerrados entre corchetes son ocultos a menos que el multimetro no este protegido para la calibracin.
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Anuncios desplegados
Encendido durante una medicin. El multimetro esta direccionado para escuchar o hablar por la interfaz HP-IB. El multimetro esta en modo remoto (interfaz remota). El multimetro se esta usando con rango manual (autorango esta deshabilitado).
Trig El multimetro esta en espera de una seal nica de disparo o de una seal externa de disparo. Hold La lectura sostenida esta habilitada. Mem Se muestra cuando la lectura de memoria esta habilitada. Ratio El multimetro esta en la funcin de dcv:dcv. Math Una operacin matemtica esta habilitada (null, min-max, dB, dBm, o limite de prueba). ERROR Se ha detectado un error en el hardware o en un comando de la interfaz remota. Rear Las terminales posteriores (traseras) estn habilitadas. Shift La tecla shift ha sido presionada. Presione shift otra vez para apagarlo. 4W El multimetro esta en funcin de cuatro cables.
El multimetro esta en la funcin de prueba de continuidad. El multimetro esta en la funcin de prueba de diodos.
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Panel posterior
1.- Chasis de tierra 2.- Fusible de lnea 3.- Seleccin del voltaje de lnea 4.- Fusible de entrada frontal y posterior 5.- Terminal de salida del voltmetro 6.- Terminal de entrada para disparo externo 7.- Conector para interfaz HP-IB 8.- Conector para interfaz RS-232
Medicin de voltaje
Rangos: 100mV, 1 V, 10 V, 100 V, 1000V (750 Vac) Mxima resolucin: 100 nV (en el rango de 100mv) Tcnica de AC: RMS verdadero, acoplado a AC.
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Medicin de resistencia
Rango: 100 , 1 K, 100 K, 1 M, 10 M, 100 M Mxima resolucin: 100 (en el rango de 100 ohms)
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Medicin de corriente
Rangos: 10mA (solo DC), 100 mA (solo CD), 1A, 3A Mxima resolucin: 10 nA (en el rango de 10 mA) tcnica AC: RMS verdadero, acoplamiento ac
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Medicin de continuidad
Prueba con fuente de corriente: 1 mA Mxima resolucin: 0.1 (el rango es colocado en 1 Kohms) Disparo del sonido: 1 hasta 1000 (configurable)
Prueba de diodos
Fuente de corriente de prueba: 1 mA Mxima resolucin :100 V (el rango es colocado en 1 Vdc) Ventana de sonido: 0.3 Volts Vmedido 0.8 volts (no ajustable)
Mediciones relativas
Cada medicin nula, tambin llamada relativa, es la diferencia entre un valor almacenado y la seal de entrada, tal como lo expresa la siguiente ecuacin:
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Tu puedes realizar mediciones relativas con cualquier funcin exceptuando las de continuidad, prueba de diodos, o razn de cambio. La operacin nula es local a la funcin seleccionada; cuando tu cambias de funcin, el valor nulo es deshabilitado. Para tener mas precisin en la medicin de resistencia utilizando dos cables, puedes utilizar esta caracterstica. Primero cortocircuitas las puntas y posteriormente presiones la tecla Null. La primer lectura que hace despus de que tu presionas Null es almacenada como el valor en el registro Null. Un valor previamente almacenado es reemplazado con el nuevo valor. Despus de habilitar Null, tu puedes editar el valor nulo almacenado si presionas Shift > (men Recall). El registro nulo es limpiado cuando tu cambias de funcin.
Tu puedes usar la funcin Min-Max con cualquier funcin exceptuando las pruebas de continuidad y de diodos. La operacin Min-Max es local a la funcin seleccionada; cuando tu cambias de funcin, esta es deshabilitada. Despus de habilitar Min-Max, tu puedes leer los datos almacenados de mnimo, mximo, promedio, y contador presionando Shift > (Men Recall). Despus de esto, tu puedes desplazarte hasta el nivel de parmetros y leer los valores presionando < o >. Los valores almacenados son borrados cuando tu deshabilitas la funcin Min-Max, apagas el multimetro, o se realiza un reset remoto. El valor promedio es de todas las lecturas que se han hecho desde que se habilito la funcin Min-Max. El contador es el numero total de lecturas que se han realizado desde que esta funcin se habilito.