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142 EL FOTODIODO DE AVALANCHA (APD) •PARA UNA OPERACIÓN CONFIABLE, TODOS LOS DETECTORES REQUIEREN DE CIERTA CORRIENTE MÍNIMA

: •LA EXIGENCIA DE NECESIDAD DE UNA CORRIENTE MÍNIMA, •SE CONVIERTE EN UNA EXIGENCIA DE NECESIDAD DE POTENCIA MÍNIMA, DADA POR: Ip

Pin =

R

•SE PREFIERE EL USO DE DETECTORES CON UN ELEVADO FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD “R”. •DEBIDO A QUE REQUIEREN MENOR POTENCIA ÓPTICA. •EN LOS FOTODIODOS PIN EL FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD ESTÁ LIMITADO POR: ηq

R=

•ALCANZA UN VALOR MÁXIMO PARA:

η = 1 con R =

•EL FOTODIODO DE AVALANCHA PRESENTA UN ALTO VALOR DE “R”. •ESTÁN DISEÑADOS PARA GENERAR UNA GANANCIA INTERNA DE CORRIENTE. •LOS FOTODIODOS DE AVALANCHA SE USAN SI LA POTENCIA RESERVADA PARA EL RECEPTOR ESTÁ LIMITADA.

q hν

IONIZACIÓN IMPACT •ES EL FENÓMENO FÍSICO EN EL QUE SE FUNDAMENTA LA GANANCIA DE CORRIENTE INTERNA. •BAJO DETERMINADAS CONDICIONES, UN ELECTRÓN ACELERADO ADQUIERE SUFICIENTE ENERGÍA PARA GENERAR UN NUEVO PAR ELECTRÓN-HUECO. •EN EL MODELO DE BANDAS, EL ELECTRÓN ENERGIZADO ENTREGA UNA PARTE DE SU ENERGÍA CINÉTICA A OTRO ELECTRÓN EN LA BANDA DE VALENCIA, EL CUÁL APARECE EN LA BANDA DE CONDUCCIÓN DEJANDO UN HUECO EN LA BANDA DE VALENCIA.

•DE LA MISMA MANERA UN HUECO PRIMARIO PUEDE GENERAR TAMBIÉN PARES ELECTRÓN-HUECO SECUNDARIOS. •LOS VALORES DE α e Y α h DEPENDE DE: •DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR.47As-InP.5 2 4 3 4 5 5 CAMPO ELÉCTRICO (10 V/cm) 1.86As. •DEL CAMPO ELÉCTRICO QUE ACELERA A ELECTRONES Y HUECOS.14Ga0.143 EL RESULTADO NETO DE LA IONIZACIÓN IMPACT •UN ELECTRÓN PRIMARIO SÓLO. 2. •LOS CUALES CONTRIBUYEN EN SU TOTALIDAD A INTENSIFICAR LA CORRIENTE DEL FOTODIODO. 106 COEFICIENTE 105 DE IONIZACIÓN IMPACT 104 (cm-1) 300OK 1 3 103 102 101 100 1. In0. LA VELOCIDAD DE GENERACIÓN •ESTÁ CONTROLADA POR DOS PARÁMETROS DENOMINADOS: COEFICIENTES DE IONIZACIÓN IMPACT: α e = para los electrones α h = para los huecos.53Ga0. GaAs 3.GaAs 2 6 4. In0. GENERADO POR MEDIO DE LA ABSORCIÓN DE UN FOTÓN GENERA MUCHOS ELECTRONES Y HUECOS SECUNDARIOS. InP 7 . QUE CONTRIBUYEN CON LA CORRIENTE DEL FOTODIODO.

144 DIFERENCIA ENTRE EL DIODO DE AVALANCHA Y EL FOTODIODO PIN •SE AGREGA UNA CAPA ADICIONAL •EN ESTA CAPA SE GENERA LOS PARES ELECTRÓN-HUECO SECUNDARIOS POR EFECTO DE LA IONIZACIÓN IMPACT. ESTRUCTURA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA Región de Región de absorción ganancia P+ i P d N+ CAMPO ELÉCTRICO DISTANCIA FOTODIODO DE AVALANCHA DE SILICIO P+ i P N+ .

SE OBTIENE: die = (αe − αh )ie + αhI dx •PARA UN CAMPO ELÉCTRICO NO UNIFORME EN LA REGIÓN DE GANANCIA: • α e y α h SE HACEN DEPENDIENTES DE “x”. i • h =CORRIENTE DE HUECOS. •LA REGIÓN “i” ACTUA COMO ZONA VACIAMIENTO. •GENERANDO PARES ELECTRÓN-HUECO SECUNDARIOS. •AQUÍ SON ABSORBIDOS LA MAYOR PARTE DE LOS FOTONES INCIDENTES GENERANDO PARES ELECTRONHUECOS PRIMARIOS. •ESTA CAPA INTERMEDIA SE DENOMINA: REGIÓN DE GANANCIA O CAPA DE MULTIPLICACIÓN. •SE PARTE DE DOS ECUACIONES QUE CONTROLAN EL FLUJO DE CORRIENTE DENTRO DE LA REGIÓN DE MULTIPLICACIÓN. •SE PRODUCE UNA GANANCIA DE CORRIENTE CÁLCULO DE LA GANANCIA DE CORRIENTE PARA FOTODIODOS DE AVALANCHA. DONDE SE GENERA PARES ELECTRÓN-HUECO A TRAVÉS DE LA IONIZACIÓN IMPACT.145 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA •EN LA CAPA INTERMEDIA TIPO “P” SITUADAS ENTRE LAS REGIONES TIPO “i” Y TIPO N+ EXISTE UN CAMPO ELÉCTRICO MUY INTENSO. •EL SIGNO NEGATIVO SIGNIFICA QUE LAS CORRIENTES DE HUECOS TIENEN UNA DIRECCIÓN OPUESTA A LAS CORRIENTES DE ELECTRONES. dx - di h = α ei e + α h i h dx i h POR I − i e. LA CORRIENTE TOTAL •SE MANTIENE CONSTANTE EN CADA PUNTO DENTRO DE LA REGIÓN DE MULTIPLICACIÓN: I = i e ( x ) + i h ( x ) •SUSTITUYENDO i di e = αeie + α hih . . • e =CORRIENTE DE ELECTRONES.

α ed •ESTA ES LA CONDICIÓN DE RUPTURA POR AVALANCHA. α •SI α =0→k = h =0 h A •SIGNIFICA QUE SÓLO ELECTRONES INTERVIENEN EN EL PROCESO DE AVALANCHA.k α dada por : M = -(1-k A )αed A con k A = h αe i e (0 ) e − kA LA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA •DEPENDE DIRÉCTAMENTE DE LA RELACIÓN: k A DE LOS COEFICIENTES DE IONIZACIÓN. . • α e y α h SE TRATAN COMO CONSTANTES. •EL FACTOR DE MULTIPLICACIÓN “M” •SE DEFINE COMO: i e (d ) = I M= i e (d ) 1. •SE ASUME COMO VÁLIDO: α e > α h •EL PROCESO DE LA AVALANCHA: •SE INICIA CON LOS ELECTRONES QUE PENETRAN EN LA REGIÓN DE GANANCIA DE: •ESPESOR “d”. •LA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA SE INCREMENTA EXPONENCIÁLMENTE: M e α ed αe = LA RUPTURA POR AVALANCHA •PARA LA CONDICIÓN: αh = αe ⇒ k A = 1 y M •LA GANANCIA SE HACE INFINITA PARA: α ed = 1 = 1 1 .146 ANÁLISIS PARA EL CAMPO ELÉCTRICO UNIFORME •CONDICIONES: •SE SIMPLIFICA EL CÁLCULO. •CONDICIÓN: SE CONSIDERA QUE SÓLO ELECTRONES ATRAVIESAN LA SUPERFICIE DE FRONTERA PARA ENTRAR EN LA REGIÓN N+: •POR LO TANTO: i h (d ) = 0 •LA CONDICIÓN DE FRONTERA PARA x=d. •PARA x=0.

•EL TIEMPO DE TRÁNSITO EN FOTODIODOS DE AVALANCHA NO ESTÁ DETERMINADO POR: τ = W . vd . SE LOGRA: •CON UNA REGIÓN DE GANANCIA MUY DELGADA: d → 0 •SI α e y α h SE APROXIMAN: α e ≈ α h •EL RENDIMIENTO MEJORA PARA FOTODIODOS DE AVALANCHA DONDE: e h h e •CON LO CUÁL EL PROCESO DE AVALANCHA ES DOMINANTE SÓLO UN TIPO DE PORTADOR DE CARGA. •CON ESTA TÉCNICA MEJORA LA RELACIÓN SEÑALRUIDO DEL RECEPTOR. α >> α o α >> α EL FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD DL FOTODIODO DE AVALANCHA (APD) •EL PROCESO DE AVALANCHA EN EL FOTODIODO DE AVALANCHA ES DE NATURALEZA RUIDOSO Y ALEATORIO.147 EL RENDIMIENTO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA •UNA ELEVADA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA. EL ANCHO DE BANDA INTRÍNSECO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA. •DEPENDE DEL FACTOR DE MULTIPLICACIÓN “M”. •EL VALOR M EN LA ECUACIÓN ANTERIOR SE REFIERE AL VALOR PROMEDIO. •POR LO QUE EL FACTOR DE GANANCIA FLUCTUA ALREDEDOR DE UN VALOR PROMEDIO. •EL TIEMPO DE TRÁNSITO DEL FOTODIODO DE AVALANCHA SE INCREMENTA CONSIDERÁBLEMENTE. tr • W =ANCHURA DE VACIAMIENTO • v d =VELOCIDAD DE ARRASTRE. •DADO QUE LA GENERACIÓN Y ACUMULACIÓN DE PARES ELECTRÓN-HUECO SECUNDARIOS TOMA UN TIEMPO ADICIONAL.

•DEBIDO AL INCREMENTO DEL TIEMPO DE TRÁNSITO. • DEPENDE DE LA RELACIÓN DE LOS COEFICIENTES DE IONIZACIÓN. C A ≈ 1. ∆f = VALORES TÍPICOS asumiendo τRC << τe •EL ANCHO DE BANDA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA ESTÁ DADO POR: 1 2πτe M 0 •ESTA RELACIÓN MUESTRA EL INTERCAMBIO ENTRE LA GANANCIA DEL APD “M” Y EL ANCHO DE BANDA ∆f (VELOCIDAD CONTRA DENSIBILIDAD). •LA DISMINUCIÓN M ω ESTÁ DADA POR: • • M 0 = M (0) τe ( ) −1 2 M (ω ) = M 0 [1 + (ωτ eM 0 ) ] 2 =GANANCIA EN BAJA FRECUENCIA. •POR LO TANTO EL INCREMENTO DE τ tr LIMITA EL ANCHO DE BANDA. •ESTO MUESTRA LA VENTAJA DEL USO DE MATERIALES SEMICONDUCTORES PARA LOS CUALES: k A << 1 .148 LA GANANCIA DEL FOTODIODO DE AVALANCHA PARA ALTAS FRECUENCIAS. •LA GANANCIA DECRECE PARA ALTAS FRECUENCIAS. =TIEMPO τ DE e TRÁNSITO EFECTIVO. EL INCREMENTO DE τ tr LIMITA EL ANCHO DE BANDA. α h < α e y τe = CAk A τtr . •POR LO TANTO.

8 1.149 LA TABLA COMPARA LAS CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DEL Si.40 0.0.1.7 .5 .20 FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD A/W 80 .500 50 .0.1 .2 50 .30 .05 0.0.1 0.2 .130 3 .30 − − GANANCIA APD 100 .8 .0 0.02 .7 V TENSIÓN DE POLARIZACIÓN.1 0.200 10 .7 FACTOR K CORRIENTE DE OSCURIDAD TIEMPO DE ASCENSO Id Tr ∆f Vb nA ns 0.5 1.1.8 0.0 .0.0. 200 . Ge e InGaAs EN FOTODIODOS DE AVALANCHA (APD) PARÁMETRO SÍMBOLO UNIDAD Si Ge InGaAs LONGITUD DE ONDA λ R APD M kA µm 0.7 5 .0 0.1.500 1-5 0.250 20 .40 20 .1 .4 .5 .1.3 ANCHO DE BANDA GHz 0.1 .1.4 .