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136 EL FOTODIO PIN •EL FOTODIODO PIN CON SU DISTRIBUCIÓN DE CAMPO ELÉCTRICO POLARIZADO INVÉRSAMENTE.

P i W CAMPO ELÉCTRICO N

DISTANCIA DISEÑO DE UN FOTODODO PIN InGaAs Au/Au-Sn TIPO P. InP 4µm i InGaAs TIPO-N InP

N+-InP (SUSTRATO)

MÉTODO PARA INCREMENTAR LA ANCHURA DE LA REGIÓN DE VACIAMIENTO. •INSERTAR UNA CAPA DE MATERIAL INTRÍNSECO O DÉBILMENTE DOPADO ENTRE LA UNIÓN PN. •ESTA ZONA INTRÍNSECA DEL DISPOSITIVO DA EL NOMBRE DE DIODO PIN.

VALORES TÍPICOS PARA SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA INDIRECTA COMO EL Ge. •LA ZONA DE VACIAMIENTO SE EXTIENDE FUERA DE LA REGIÓN INTRÍNSECA Y TIENE UNA ANCHURA “W”. •DEBIDO A QUE GRAN PARTE DE LA POTENCIA INCIDENTE ES ABSORBIDA EN LA REGIÓN “i” DEL FOTODIODO PIN. •EL CAMPO ELÉCTRICO INTERNO ES MUY INTENSO. η= Pab = 1 − e − αW Pin INCREMENTO DEL TIEMPO DE RESPUESTA. •LA ANCHURA “W” SE PUEDE CONTROLAR CAMBIANDO EL ESPESOR DE LA REGIÓN. •EL TIEMPO DE RESPUESTA AUMENTA PARA LOS PORTADORES ARRASTRADOS A TRAVÉS DE LA REGIÓN DE VACIAMIENTO.137 CARACTERÍSTICA DE LA CAPA INTERMEDIA •PRESENTA UNA ELEVADA RESISTIVIDAD. •LA EFICIENCIA CUÁNTICA η SE APROXIMA AL 100%. . •SE PRODUCE UNA ELEVADA CAIDA DE TENSIÓN. LA COMPONENTE DE LA FOTOCORRIENTE DE ARRASTRE ES MÁS INTENSA QUE LA COMPONENTE DE DIFUSIÓN. Si. •OSCILAN EN EL RANGO: W ≈ 20 a 50µm •PARA ASEGURAR UNA EFICIENCIA CUÁNTICA RAZONABLE. DIFERENCIA CON EL FOTODIODO PN. AUMENTANDO “W”. •EN EL FOTODIODO PIN. LA ANCHURA DE VACIAMIENTO “W” •EL VALOR ÓPTIMO DE “W” DEPENDE DEL COMPROMISO ENTRE: •VELOCIDAD •SENSIBILIDAD •LA RESPUESTA PUEDE INCREMENTARSE.

CUYAS BANDAS PROHIBIDAS SE SELECCIONAN PARA QUE LA LUZ SEA SÓLO ABSORBIDA EN LA REGIÓN INTRÍNSECA “i” INTERMEDIA. DISMINUCIÓN DE LA REFLEXIÓN •UNA CAPA DIELÉCTRICA EN LA CARA FRONTAL DISMINUYE LOS EFECTOS DE LA REFLEXIÓN. LA EFICIENCIA CUÁNTICA η •SE PUEDE ELEVAR A: η = 100% USANDO UNA CAPA DE InGaAs . DONDE SE INTERPONE UNA CAPA “i” ENTRE LAS CAPAS P Y N DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DIFERENTE. •LA COMPONENTE DE DIFUSIÓN SE ELIMINA TOTALMENTE. LA COMPONENTE DE DIFUSIÓN DEL FOTODIODO DE HETEROESTRUCTURA. •CONSECUENCIA DE QUE LOS FOTONES SON ABSORBIDOS SÓLO DENTRO DE LA ZONA DE VACIAMIENTO. •EN FORMA SIMILAR AL CASO DEL LASER SEMICONDUCTOR.138 EL ANCHO DE BANDA PARA LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA INDIRECTA •ESTÁ LIMITADO POR UN TIEMPO DE TRÁNSITO MUY GRANDE: τtr > 200ps VALORES TÍPICOS PARA SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA: W ≈ 3 a 5µm EL ANCHO DE BANDA PARA LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA •EL TIEMPO DE TRÁNSITO ESTÁ EN EL RANGO: τ tr = 30 a 50ps •LA VELOCIDAD DE ARRASTRE DE SATURACIÓN ES: 5 v d max = 1x10 m s •SE OBTIENE UN ANCHO DE BANDA DE: ∆f = 3 a 5GHz EL RENDIMIENTO DEL FOTODIODO PIN •MEJORA EN DISEÑO DE HETEROESTRUCTURAS DOBLES.

•SE FORMA UN ESPEJO DE CAPAS DE AlGaAs-AlAs.70 1 .0. •COMO RESULTADO SE ELEVA LA SENSIBILIDAD.5 0.5 6 .0.8 .1 0. •SE OBTIENE UNA ESTRUCTURA SIMILAR AL LASER. EN UNA CAVIDAD FABRY-PEROT.3 .1.0.500 60 .100 50 .1 50 .0 . •UNA CAVIDAD FABRY-PEROT TIENE UNA SERIE DE MODOS LONGITUDINALES.5 .6 0.4 .20 1-5 5-6 0.1 .90 1 .9 75 .7 0.5 . •SE GENERA UN EFECTO DE REFLECTIVIDAD DE BRAGG. •ES POSIBLE INCREMENTAR LA EFICIENCIA A 100%.05 .4 .5 .0.7 0.139 CARACTERÍSTICAS DE OPERACIÓN DE LOS FOTODIODOS: PARÁMETRO LONGITUD DE ONDA FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD EFICIENCIA CUÁNTICA CORRIENTE DE OSCURIDAD TIEMPO DE ASCENSO ANCHO DE BANDA VOLTAJE DE POLARIZACIÓN SÍMBOLO UNIDAD Si Ge InGaAs λ R η Id τr ∆f Vb µm AW % nA ns V 0.1.6 .0. •EN APLICACIONES WDM SE NECESITA ESTE TIPO DE SELECTIVIDAD DE LONGITUD DE ONDA.1.10 0.55 50 .10 GHz 0. SI LA LONGITUD DE ONDA INCIDENTE ES CERCANA A LA DEL MODO LONGITUDINAL. .0.3 TÉCNICAS PARA MEJORAR LA EFICIENCIA DE FOTODIODOS DE ALTA VELOCIDAD •FORMACIÓN DE UNA CAVIDAD FABRY-PEROT ALREDEDOR DE LA ESTRUCTURA PIN •SE INCREMENTA EL RENDIMIENTO CUÁNTICO. •PARA ESTOS MODOS EL CAMPO ÓPTICO INTERNO ES AMPLIFICADO POR RFRCTOS DE RESONANCIAS A TRAVÉS DE INTERFERENCIAS CONSTRUCTIVAS.6 0.8 1.

MEJORANDO LA EFICIENCIA DE ACOPLAMIENTO. •DEBIDO A QUE LOS PROCESOS DE ABSORCIÓN OCURREN A TODO LO LARGO DE LA GUÍA DE ONDA. •ANCHO DE BANDA DE 50GHz. •EFICIENCIA CUÁNTICA: η ≈ 94 a 100% •RANGO DE LONGITUD DE ONDA : •ANCHO DE BANDA: > 100GHz ≈ 14nm GUÍA DE ONDAS ÓPTICAS CON ACOPLAMIENTO DE LA SEÑAL POR EL BORDE •TÉCNICA PARA LOGRAR FOTODIODOS DE ALTA VELOCIDAD. •EL ANCHO DE BANDA: ESTÁ LIMITADO POR τ RC • τ RC PUEDE DISMINUIR CONTROLANDO EL ÁREA TRANSVERSAL DE LA GUÍA DE ONDA. •. •CON LA DIFERENCIA DE OPTIMIZAR DE MANERA DIFERENTE VARIAS CAPAS EPITAXIALES. •SOPORTAN MÚLTIPLES MODOS LASERS TRANSVERSALES. •SE REDUCE LA RESISTENCIA SERIE INTERNA.140 EN LA CAVIDAD DE FABRY-PEROT CON ESPEJO. 5 µ m •ANCHURA DE LAS REGIONES P Y N: ≈ 6µm •SE REDUCE LA CAPACITANCIA PARÁSITA. USO DE UNA CAPA DE ABSORCIÓN ULTRA FINA: •SE ELEVA LA EFICIENCIA CUÁNTICA A: 100%. •SE ASEMEJA A UN LASER SEMICONDUCTOR EN AUSENCIA DEL BOMBEO DE PORTADORES. τ RC ≈ 1ps •ALTO FACTOR DE FOTOSENSIBILIDAD “R”. CON LA ESTRUCTURA TIPO MESA DE HONGO. •UN ESPEJO DIELÉCTRICO DE GaAs-AlAs. •EFICIENCIA CUÁNTICA: > 90% . SE INSERTA UNA CAPA DE ABSORCIÓN DE InGaAs •ESPESOR DE LA CAPA 90nm. SE PUEDE INCREMENTAR HASTA LOS 110GHz. •SE TRATA DE UNA MICROCAVIDAD COMPUESTA POR: •UN ESPEJO DE BRAGG. •LA ANCHURA DE LA REGION-i SE REDUCE A: 1 . •SE LOGRA ANCHOS DE BANDA DE 50GHz.

•ANCHO DE BANDA: 172 GHz. SE PROPAGAN ONDAS CON LAS MISMAS IMPEDANCIAS DE ONDA. •SE EVITA REFLEXIONES. •EFICIENCIA 45% •ANCHURA DE GUÍA DEONDA: 1µm •IMPEDANCIA CARACTERÍSTICA: 50Ω .5µm 6µm 110GHz 0 20 40 60 80 FRECUENCIA (GHz) 100 120 EL FOTODIODO DE GUÍA DE ONDA CON ESTRUCTURA DE ELECTRODO •MEJORA EL RENDIMIENTO.141 FOTODIODO DE GUÍA DE ONDA ÓPTICA TIPO MESA DE HONGO ELECTRODO P P+-InP P+-InGaAsP POLIMERO N+-InGaAsP Si-InP i+-InGaAsP MEDICIÓN DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA 10 RESPUESTA 5 RELATIVA (dB) 0 -5 -10 -15 -20 1.