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114 LA CURVA CARACTERÍSTICA LUZ-CORRIENTE •DESCRITA POR LAS ECUACIONES DE VELOCIDADES DE VARIACIÓN.

•CONTROLAN LA INTERACCIÓN DE FOTONES Y ELECTRONES DENTRO DE LA REGIÓN ACTIVA. •DETERMINACIÓN EXACTA PARTEN DE LAS ECUACIONES DE MAXWELL, JUNTO CON UNA APROXIMACIÓN MECÁNICA CUÁNTICA PARA LA POLARIZACIÓN INDUCIDA. •LAS ECUACIONES DE VELOCIDADES DE VARIACIÓN SE PUEDEN DETERMINAR CONSIDERANDO EL FENÓMENO FÍSICO, A TRAVÉS DEL CUAL: •EL NÚMERO DE FOTONES “P” Y EL NÚMERO DE ELECTRONES “N” VARÍAN TEMPORÁLMENTE DENTRO DE LA REGIÓN ACTIVA.
ECUACIONES DE VELOCIDAD DE VARIACIÓN PARA UN LASER MONOMODO. G= LA VELOCIDAD DE LA VARIACIÓN DE LA EMISIÓN ESTIMULADA DE LA RED.

RSP=LA VELOCIDAD DE LA VARIACIÓN DE LA EMISIÓN ESPONTÁNEA EN MODO LASER. dP P dN I N

dt

= GP + R sp −

τP

dt

=

q

τC

− GP

•vg=VELOCIDAD DE GRUPO G = Γ v g .g = G N ( N − N 0 ) •Γ =FACTOR DE CONFINAMIENTO. •g=GANANCIA ÓPTICA PARA LA FRECUENCIA MODAL

•RSP ES MUCHO MENOR QUE LA VELOCIDAD DE DE VARIACIÓN DE LA EMISIÓN ESPONTÁNEA TOTAL. •ESTO SE EXPLICA TOMANDO EN CUENTA QUE LA EMISIÓN ESPONTÁNEA SE GENERA EN TODAS LAS DIRECCIONES SOBRE UN RANGO ESPECTRAL ANCHO DE 30 A 40nm. •SOLO UNA PEQUEÑA PORCIÓN DE ESTA EMISIÓN SE PROPAGA A LO LARGO DEL EJE DE LA CAVIDAD. •IRRADIANDO LUZ A LA FRECUENCIA LASER. dP P = GP + R sp − •CONTRIBUYENDO EN LA ECUACIÓN DE LA τP dt VELOCIDAD DE VARIACIÓN TEMPORAL DE FOTONES: RELACIÓN ENTRE RSP Y G •nsp=FACTOR DE EMISIÓN ESPONTANEA. R SP = nSP G •PARA SEMICONDUCTORES LASERS: nsp=2. •N=NÚMERO DE ELECTRONES. NO REPRESENTA LA DENSIDAD DE PORTADORES.

DESCRITA EN EL VALOR UMBRAL DE −1 LA GANANCIA ÓPTICA: τp = v g α cav = v g ( α mir + α int ) •CONSIDERANDO LA ECUACIÓN DE LA VELOCIDAD DE VARIACIÓN TEMPORAL DE LOS ELECTRONES: dN = I − N − GP dt q τC •REPRESENTA LA VELOCIDAD TEMPORAL CON LA CUAL ELECTRONES DENTRO DE LA REGIÓN ACTIVA SE CREAN Y SE DESTRUYEN: •ESTA ECUACIÓN ES SIMILAR A LA ECUACIÓN DE LA VARIACIÓN TEMPORAL DE LAS DENSIDADES DE I N′ PORTADORES N´ PARA EL LED. •LA DIFERENCIA ESTÁ REPRESENTADA EN EL TÉRMINO: GP •EL CUAL GOBIERNA LA VELOCIDAD DE RECOMBINACIÓN DE PARES ELECTRÓN HUECO A TRAVÉS DE EMISIÓN ESTIMULADA. dN′ = − dt qV τC •τc=TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES . •τP=TIEMPO DE VIDA DEL FOTÓN. RELACIONADAS CON LA PÉRDIDA DE LA CAVIDAD. COMO INDICA: R +R =N spon nr τC .115 •G VARÍA LINEÁLMENTE CON “N” •CONSIDERANDO LA RELACIÓN DE LA GANANCIA PICO:g P ( N ) = σ( N − N T ) GN = Γv g σ g V y N 0 = N T V con V = volumen •P/τP=CONSIDERA LAS PÉRDIDAS DE LOS FOTONES DENTRO DE LA CAVIDAD. •EL TIEMPO DE VIDA DE LOS PORTADORES τc INCLUYE LAS PÉRDIDAS DE LOS ELECTRONES DE: •LA RECOMBINACIÓN ESPONTANEA •Y DE LA RECOMBINACIÓN NO RADIACTIVA.

3µm. •LA CORRIENTE UMBRAL SE INCREMENTA T EXPONENCIÁLMENTE PARA ALTAS TEMPERATURAS: I (T ) = I e T0 tn 0 •I0 ES CONSTANTE •T0 ES LA TEMPERATURA CARACTERÍSTICA.3µm mW 6 100 110 120 4 2 1300C 0 0 50 100 150 CORRIENTE (mA) 200 •SE TRATA DE UN LASER InGaAsP PARA TEMPERATURAS ENTRE 100C A 1300C RESPUESTA DEL LASER A TEMPERATURA AMBIENTE •EL NIVEL UMBRAL SE ALCANZA PARA CORRIENTES DE APROXIMÁDAMENTE 20mA. DISIPADOR TERMO ELÉCTRICO •NO IRRADIA LUZ SOBRE LOS 1000C. •T0 SE USA CON FRECUENCIA PARA EXPRESAR LA SENSIBILIDAD DE LA TEMPERATURA A LA CORRIENTE UMBRAL. •LASER GaAs T0>1200K .116 •FIGURA: CURVAS CARACTERÍSTICAS LUZ-CORRIENTE. •RANGO TÍPICO: •LASER InGaAsP T0=50 A 700K. PARA VARIAS TEMPERATURAS PARA UN LASER “BH” CON HETEROESTRUCTURAS ENCUBIERTA EN EL RANGO DE LONGITUDES DE ONDA DE 1. •PARA CORRIENTES DE 1OOmA EL LASER EMITE UNOS 6mW DE POTENCIA DE SALIDA POR CADA CARA. 10 20 30 40 10 50 60 70 80 90 LUZ POR CARA 8 λ = 1. •EL RENDIMIENTO DEL LASER DISMINUYE PARA ALTAS TEMPERATURAS.

•LA SOLUCIÓN: •SE SIMPLIFICA. DESPRECIANDO LA EMISIÓN ESPONTÁNEA CON: •Rsp=0 PARA CORRIENTES DONDE: I GτP < 1. •CASO DE OPERACIÓN CON ONDA CONTINUA “CW”.117 CARACTERÍSTICA DE LAS CURVAS LUZ-CORRIENTE •ESTÁN DESCRITAS POR LAS ECUACIONES DE LA VELOCIDAD DE VARIACIÓN. •SI EN LASERS FP LAS REFLECTIVIDADES DE LAS CARAS SON IGUALES. LA ENERGÍA hω ESCAPA DE LAS CARAS DEL LASER. •O PARA LASERS “DFB” Pe = ( v gα mir )hωP 2 . SE HACE CERO. SE OBTIENE: qN th q 1 = (N0 + ) τC τC G N τP I > I th τ  con P =  P (I − I th ) q •EL NÚMERO DE FOTONES “P” •SE INCREMENTA LINEALMENTE PARA: •LA POTENCIA DE RADIACIÓN: Pe •QUEDA DESCRITA POR EL NÚMERO DE FOTONES “P” CON 1 LA RELACIÓN: •vgαmir=ES LA VELOCIDAD A PARTIR DE LA CUÁL. •EL TIEMPO DETERMINADO DE LAS ECUACIONES DE VELOCIDADES. •LA ECUACIÓN ANTERIOR PARA “Pe” SE MODIFICA ADECUÁDAMENTE PARA: •LASER CON REVESTIMIENTOS EN LAS CARAS. SEAN IGUALES. •½=HACE QUE LA POTENCIA RADIADA Pe EN CADA CARA. N = τC q EL NIVEL UMBRAL DE CORRIENTE: •SE ALCANZA PARA CORRIENTES: Gτ=1 •EL VALOR UMBRAL DE INVERSIÓN DE LA VECINDAD DE PORTADORES SE FIJA EN: −1 N th = N0 + (G N τ P ) I th = •PARA LA CORRIENTE UMBRAL. PARA UNA CORRIENTE CONSTANTE “I”. P = 0.

ηext = velocidad de emisión de Fotones  2q  P  =   e  velocidad de inyección de electrones  hω  I  I   ηext = ηd  1 − th  con ηext < ηd I   Eg 2Pe hω = → ηtot = ηext ≈ ηext con ηtot < ηext V0I qV0 qV0 •ηtot=LA EFICIENCIA CUÁNTICA TOTAL. ηext=LA EFICIENCIA CUÁNTICA EXTERNA. I th = qN th q  1   =  N + 0  G N τP  τC τC   . •LA EFICIENCIA DE LA PENDIENTE: dPe hω = ηd dI 2q con ηd = ηint α mir α mir + α int •ηd=ES LA EFICIENCIA CUÁNTICA DIFERENCIAL. COMO EN EL LED: ηtot •INCREMENTO EXPONENCIAL DE LA CORRIENTE UMBRAL CON LA TEMPERATURA.118 1 con τ = v g ( α mir + α int ) en Pe = (v g α mir )hωP 2 hω ηint α mir Pe = (I − I th ) 2q ( α mir + α int ) −1 P LA POTENCIA EMITIDA •ηint=LA EFICIENCIA CUÁNTICA INTERNA. REPRESENTA LA CANTIDAD DE ELECTRONES INYECTADOS. •ES UNA MEDIDA DE LA EFICIENCIA CON LA CUAL LA LUZ DE SALIDA SE INCREMENTA CON UN INCREMENTO DE LA CORRIENTE INYECTADA.

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