74 EL DIODO EMISOR DE LUZ LED UNA UNIN PN POLARIZADA DIRECTAMENTE EMITE LUZ A TRAVS DE EMISIN ESPONTNEA ESTE FENMENO

O SE DENOMINA ELECTROLUMINICENCIA. UN LED ES EN FORMA SENCILLA UNA HOMOUNIN PN POLARIZADA DIRCTAMENTE. LA LUZ SE GENERA DEBIDO A LA RECOMBINACIN RADIACTIVA DE PARES ELECTRN-HUECO EN LA REGIN DE VACIAMIENTOPARTE DE LA LUZ SE ESCAPA DEL DISPOSITIVO Y SE ACOPLA A LA FIBRA. LA LUZ EMITIDA ES INCOHERENTE CON UNA ANCHURA ESPECTRAL RELATVAMENTE GRANDE DE 30 A 60nm Y UN ENSANCHAMIENTO ANGULAR RELATVAMENTE GRANDE. LA CARACTERSTICA LUZ-CORRIENTE LA VELOCIDAD DE INYECCIN DE PORTADORES ES: I/q LA EFICIENCIA CUNTICA INTERNA int. CANTIDAD DE PARES ELECTRN-HUECO QUE RECOMBINAN POR EMISIN ESPONTNEA. LA VELOCIDAD DE GENERACIN DE FOTONES ES: int(I/q) LA POTENCIA PTICA INTERNA ES:

h )I q h ES LA ENERGA DEL FOTN h LA POTENCIA EMITIDA: Pe = ext int ( )I q Pint = int (

ext ES LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA. ES LA

CANTIDAD DE FOTONES QUE SE ESCAPA DEL DISPOSITIVO

REFLEXIN TOTAL INTERNA EN LA CARA DE SALIDA DE UN LED

REFLEXIN TOTAL INTERNA EN LA CARA DE SALIDA DE UN LED. SLO LA LUZ EMITIDA EN EL CONO QUE FORMA UN NGULO c SE TRANSMITE. c ES EL NGULO CRTICO DE LA INTERFASE SEMICONDUCTOR-AIRE.

AIRE

TIPO-p TIPO-n

75 DETERMINACIN DE LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA ext SE TOMA EN CUENTA LA ABSORCIN INTERNA Y LA REFLEXIN EN LA INTERFASE AIRE-SEMICONDUCTOR. SE CONSIDERA TAMBIEN LA REFLEXIN TOTAL INTERNA EN LA INTERFASE.
CONDICIN PARA LA LUZ QUE SE ESCAPA DE LA SUPERFICIE DEL LED

SE EMITE LUZ QUE INCIDE SOBRE LA INTERFASE DENTRO DE UN CONO DE NGULO c DENOMINADO NGULO CRTICO. n=NDICE DE REFRACCIN DEL MATERIAL 1 1

LA ABSORCIN INTERNA PUEDE EVITARSE: USANDO LEDS DE HETEROESTRUCTURA, DONDE LAS CAPAS DE REVESTIMIENTO ALREDEDOR DE LA CAPA ACTIVA SON TRANSPARENTES A LA RADIACIN GENERADA. SE OBTIENE PARA LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA:

C = sen ( ) n

ext

SE ASUME QUE LA RADIACIN SE EMITE UNIFRMEMENTE EN TODAS LAS DIRECCINES EN UN NGULO ESPACIAL DE 4 Tf=FACTOR DE TRANSMISIN DE FRESNEL. DEPENDE DEL NGULO DE INCIDENCIA : 4n PARA INCIDENCIA NORMAL: =0. T =
f

1 C = Tf ( )2sen( )d 4 0

(n + 1)2

LA EFICIENCIA CUNTICA EXTERNA PARA INCIDENCIA NORMAL: ext = n 1 (n + 1) 2 LA POTENCIA EMITIDA PARA UN VALOR TPICO DEL NDICE DE REFRACCIN DEL

SEMICONDUCTOR n=3,5 SE OBTIENE: ext=1,4% SOLO UNA PEQUEA PARTE DE LA POTENCIA INTERNA APORTA A LA POTENCIA DE SALIDA TIL. OTRA FUENTE DE PRDIDA DE LA POTENCIA TIL DE SALIDA OCURRE DURANTE EL ACOPLAMIENTO DE LA LUZ EN LA SUPERFICIE DE LA FIBRA.

76 EL LED COMO UNA FUENTE DE LAMBERTIAN ES UNA FUENTE PTICA DE LUZ CON NATURALEZA INCOHERENTE. CON UN NGULO DE DISTRIBUCIN: S( ) = S 0 cos So ES LA INTENSIDAD EN LA DIRECCIN =0. 2 LA EFICIENCIA DEL ACOPLAMIENTO ES: c = ( NA ) NA ES LA APERTURA NUMRICA DE LA FIBRA PTICA. VALORES TPICOS: NA=0,1-0,3 SOLO UN PEQUEO PORCENTAJE DE LA POTENCIA EMITIDA SE LOGRA ACOPLAR A LA FIBRA PTICA POTENCIA DE ALIMENTACIN DEL LED

<100W

LA POTENCIA INTERNA DEL LED PUEDE EXCEDER LOS: >10mW LA EFICIENCIA CUNTICA TOTAL tot DESCRIBE EL RENDIMIENTO TOTAL DEL LED.

DEFINICIN DE tot ES LA RELACIN ENTRE: Pe: LA POTENCIA PTICA EMITIDA Y Pelec=VoI: LA POTENCIA ELCTRICA APLICADA. Vo ES LA CAIDA DE TENSIN EN EL DISPOSITIVO.

h tot = ext int qV h qV0 tot ext int 0

LA RESPUESTA PTICA R ES OTRA MAGNITUD QUE SE USA PARA CARACTERIZAR EL RENDIMIENTO DEL LED: Pe h

R=

R = extint R = tot V0 q valor tpico R 0,01W / A I

R SE MANTIENE CONSTANTE SI LA RELACIN Pe/I ES CONSTANTE.

ESTE TIPO DE RELACIN SLO SE MANTIENE SOBRE UN RANGO DE CORRIENTE LIMITADA.

77 CURVAS LUZ-CORRIENTE L-I PARA VARIAS TEMPERATURAS DE UN LED TPICO EN 1,3 m

4
POTENCIA DE SALIDA/ mW

3 2

00 C 250 C 700 C

1 0 0 50 100 CORRIENTE/mA 150

LA EFICIENCIA CUNTICA INTERNA int DEPENDE NORMLMENTE DE LA TEMPERATURA. DEBIDO AL INCREMENTO DE LA VELOCIDAD DE RECOMBINACIN PARA ALTAS TEMPERATURAS. DISTRIBUCIN ESPECTRAL LA DISTRIBUCIN ESPECTRAL DE LA FUENTE DE LUZ AFECTA EL RENDIMIENTO DEL SISTEMA DE COMUNICACIONES PTICO A TRAVS DE LA DISPERSIN DE LA FIBRA. LA DISTRIBUCIN ESPECTRAL EST CONTROLADA POR EL ESPECTRO DE LA EMISIN ESPONTNEA:

LA RESPUESTA PTICA R DEL DISPOSITIVO DISMINUYE PARA ALTAS CORRIENTES SOBRE 80mA DEBIDO AL DOBLAMIENTO DE LA CURVA L-I. UNA CAUSA DE LA DISMINUCIN DE R ES EL INCREMENTO DE LA TEMPERATURA EN LA REGIN ACTIVA.

R spon ( ) = A( E1 , E2 )fc (E 2 )[1 fc ( E1 )]cvdE2

SE CALCULA NUMRICAMENTE Y DEPENDE DE DIFERENTES PARMETROS MATERIALES.
Ec

78 APROXIMACIN DEL ESPECTRO DE EMISIN ESPONTNEA: CONDICIONES: A(E1,E2)ES DIFERENTE DE CERO SOLO SOBRE UN RANGO DE ENERGA ESTRECHO, CERCANO A LA ENERGA DEL FOTN. LAS FUNCIONES DE FERMI SE APROXIMAN A SUS EXPRESIONES EXPONENCIALES, ASUMIENDO UN PROCESO DE INYECCIN h E g DBIL. SE OBTIENE:
PARA DETERMINAR LA CURVA TERICA

R spon = A 0 (h Eg ) 2 e

K BT

Ao=CONSTANTE Eg=ENERGA DE LA BANDA PROHIBIDA

EL MXIMO DE Rspon SE DEDUCE PARA: h = E + K T g B K BT 2 1 , 8 ANCHURA TOTAL DE UN MXIMO MEDIO: h PARA TEMPERATURA AMBIENTE ES: T 3000 K 11THz EN LA PRCTICA LA ANCHURA ESPECTRAL SE EXPRESA EN NANMETROS, USANDO: C ES MAYOR EN EL LED DE InGaAsP IRRADIANDO EN 1,3m EN EL FACTOR 1,7, COMPARADO CON EL LED DE GaAs SALIDA ESPECTRAL DE UN LED TPICO EN 1,3m, COMPARADA h Eg 1 CON LA CURVA TERICA DE: K BT 2
POTENCIA

1,35

1,30

1,25

1,20

R spon = A 0 (h Eg ) e / m
InGaAsP T=280k p=1,3 m

ESPECTRO TERICO

0,90

0,95 1,00 ENERGA/eV

1,05

LIMITACIONES DEL LED EN APLICACIONES EN SISTEMAS DE COMUNICACIONES: LA DISPERSIN LIMITA EL BL APLICACIN EN CORTAS DISTANCIAS Y B=10-100Mb/s