Está en la página 1de 6

68 RECOMBINACIÓN NO RADIACTIVA LA MAYORÍA DE LOS ELECTRONES Y HUECOS RECOMBINAN GENERANDO LUZ.

ALGUNOS ELCTRONES Y HUECOS RECOMBINAN SIN EMISIÓN DE LUZ: MECANISMOS: •POR DEFECTO ESTOS PROCESOS REDUCEN EL NÚMERO DE PARES ELECTRÓN-HUECO QUE EMITEN LUZ. •SUPERFICIAL •DE AUGER EL PROCESO DE LA RECOMBINACIÓN DE AUGER LA ENERGÍA LIBERADA DURANTE LA RECOMBINACIÓN DEL PAR ELECTRÓN-HUECO ES ENTREGADA A OTRO ELECTRÓN O HUECO EN FORMA DE ENERGÍA CINÉTICA, LOS CUALES GENERAN LUZ UN TIEMPO DESPUÉS. LA EFICIENCIA CUÁNTICA INTERNA CONSIDERA EL EFECTO DE LA RECOMBINACIÓN NO RADIACTIVA

ηint =

R rr R τrr = rr ; ηint = R rr + R nr R tot τrr + τnr

Rrr=RECOMBINACIÓN RADIACTIVA. Rnr=RECOMBINACIÓN NO RADIACTIVA

τnr, τrr=TIEMPOS DE
RECOMBINACIÓN. N=DENSIDAD DE PORTADORES

SEMICONDUCTOR DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA EL MÍNIMO DE LA BANDA DE CONDUCCIÓN Y EL MÁXIMO DE LA BANDA DE VALENCIA APARECEN PARA EL MISMO VALOR DEL VECTOR DE ONDA DEL ELECTRÓN LA PROBABILIDAD DE RECOMBINACIÓN RADIACTIVA ES GRANDE EN LOS SEMICONDUCTORES DE BANDA PROHIBIDA DIRECTA. DURANTE LA RECOMBINACIÓN ELECTRÓN-HUECO SE CONSERVA LA ENERGÍA Y EL IMPULSO COMO GaAs Y InP

ηint ≈ 0,5

CUANDO DOMINA LA EMISIÓN ESTIMULADA:

ηint ≈ 1

N=DENSIDAD DE LOS PORTADORES R spon + R nr = N τC •τc ES CONSTANTE.69 SEMICONDUCTOR DE BANDA PROHIBIDA INDIRECTA •INTERVIENE UN FONÓN PARA PODER CONSERVAR EL IMPULSO •SE REDUCE LA RECOMBINACIÓN RADIACTIVA τ rr > τnr •LA EFICIENCIA CUÁNTICA SE HACE MENOR− 5 QUE 1. Y EL G. G. NO ENCUENTRAN APLICACIÓN COMO FUENTES ÓPTICAS LA VELOCIDAD DE RECOMBINACIÓN RADIACTIVA SUPERPOSICIÓN DE EMISIÓN ESPONTANEA Y ESTIMULADA R rr = R spon + R stim LED LASER SEMICONDUCTOR R spon >> R stim → R nr ≈ R spon ηint = R spon ηint = 50% 2R spon R rr ≈ R stim R stim >> R nr ηint ≈ R stim ηint = 100% R stim EL TIEMPO DE VIDA DEL PORTADOR DE CARGA τc TIEMPO DE RECOMBINACIÓN TOTAL DE LOS PORTADORES DE CARGA EN AUSENCIA DE LA RECOMBINACIÓN ESTIMULADA. SI Rspon Y Rnr VARÍAN LINEALMENTE CON N •EN LA PRÁCTICA Rspon Y Rnr VARÍAN NO LINEAL CON N R spon + R nr = Anr N + BN 2 + CN 3 Anr=COEFICIENTE NO RADIACTIVO B=COEFICIENTE DE RECOMBINACIÓN ESPONTANEA RADIACTIVA C=COEFICIENTE DE AUGER DEPENDENCIA DEL TIEMPO DE VIDA DEL PORTADOR DE CARGA τc DE LA DENSIDAD DE PORTADORES “N”. ηint ∝ 10 •EL Si. ηint << 1 •VALORES TÍPICOS PARA EL Si. τ −1 = Anr + BN + CN2 .

DEPENDE DE”x”. AlP 2.v) 2.5 Energía de la banda prohibida (e.5 6. DISMINUYE LA FORMACIÓN DE DEFECTOS EN LA ESTRUCTURA CRISTALINA.5 . SEMICONDUCTORES COMPUESTOS TERNARIOS Y CUATERNARIOS •SE FABRICAN ARTIFICIALMENTE SEMICONDUCTORES DIFERENTES CON LA MISMA CONSTANTE DE RED. . .2 6.424 + 1.4 6. . InP AlSb AlAs 5.6 6.6 5.5 1.5 1 0.45 10 Constante De Red 2 1. •COMPUESTO TERNARIO: UNA FRACCIÓN “x” DE ÁTOMOS DE Ga POR ÁTOMOS DE Al Al xGa1− x As •COMPUESTO CUATERNARIO: In Ga As P 1− x x y 1− y •EL NUEVO SEMICONDUCTOR TIENE: •LA MISMA CONSTANTE DE RED •SE INCREMENTA LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA.0 5.1%.0 .0 1.4 0. SE APROXIMA: Eg( x ) = 1.247x con 0 < x < 0. •UNA FRACCIÓN DEL SITIO DE LA RED DE UN SEMICONDUCTOR BINARIO COMO GaAs SE REEMPLAZA POR OTRO ELEMENTO.6 0.9 0. GaSb .8 0.70 SEMICONDUCTORES CON BANDA PROHIBIDA DIRECTA EN LOS DISPOSITIVOS DE HETEROESTRUCTURA EL RENDIMIENTO DEPENDE DE LA CALIDAD DE LA INTERFASE INTERMEDIA SI LAS CONSTANTES DE RED SON IGUALES EN UNA PROPORCIÓN MEJOR QUE EL 0.0 GaP 0.8 InSb Longitud de onda de la Banda Prohibida µ m A InAs .

247 x •LOS PUNTOS REPRESENTAN LOS SEMICONDUCTORES BINARIOS.87µm λ •LA LONGITUD DE ONDA SE REDUCE A λ ≈ 0.71 •LOS COMPUESTOS TERNARIOS Y CUATERNARIOS SE FORMAN USANDO SEMICONDUCTORES BINARIOS DE LOS GRUPOS III Y V •LA REGIÓN SOMBREADA: SON LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS CON UNA BANDA PROHIBIDA DIRECTA. As. DE LOS ELEMENTOS In.87µm USANDO UNA CAPA ACTIVA DE: x ≈ 0.1 .424 + 1. •LAS LINEAS QUE UNEN LOS PUNTOS SON LOS COMPUESTOS TERNARIOS. 0. LA CAPA ACTIVA Y LAS CAPAS DE REVESTIMIENTO SE DISEÑAN PARA QUE “x” SEA MAYOR EN LAS CAPAS DE REVESTIMIENTO COMPARADO CON EL VALOR DE “x” PARA LA CAPA ACTIVA.45 Eg( x ) = 1. Ga. LA CAPA ACTIVA DE GaAs •LA ENERGÍA DE LA BANDA PROHIBIDA: Eg = 1. •LOS TRAMOS DE LAS LÍNEAS PUNTEADAS: EL COMPUESTO TERNARIO TIENE UNA BANDA PROHIBIDA INDIRECTA. LA LONGITUD DE ONDA DE LA LUZ EMITIDA SE DETERMINA DE LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA SIENDO LA ENERGÍA DEL FOTÓN APROXIMÁDAMENTE IGUAL A LA ANCHURA DE LA BANDA PROHIBIDA.424eV Eg ≈ hν = hC → λ ≈ 0. •EL ÁREA DE UN POLÍGONO CERRADO CORRESPONDE A UN COMPUESTO CUATERNARIO. •LA BANDA PROHIBIDA DE LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS NO SON NECESARIAMENTE DIRECTOS. P. In1− xGa x Asy P1− y •LA LINEA HORIZONTAL QUE PASA A TRAVÉS DEL InP MUESTRA LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS DEL InP. •LA LINEA HORIZONTAL QUE UNE GaAs CON EL AlAs DE LOS COMPUESTOS TERNARIOS Al 1− xGa x As •LA BANDA PROHIBIDA DE ESTOS COMPUESTOS ES DIRECTA PARA VALORES DE “x” DE APROX.

87µm •SE USARON EN LA PRIMERA GENERACIÓN DE FIBRA ÓPTICA. 45 As •TÉCNICAS DE MÚLTIPLE CRECIMIENTO EPITAXIAL SOBRE UN SUSTRATO BASE DE GaAs O InP •LA ANCHURA Y LA COMPOSICIÓN DE CADA CAPA SE CONTROLA CON ALTA PRECISIÓN.65µm PARA Eg=0. •SE APLICAN TÉCNICAS DE MÚLTIPLE CRECIMEINTO EPITAXIAL. •TÉCNICAS PRIMARIAS: •CRECIMIENTO EPITAXIAL DE FASE LÍQUIDA.3 A 1.45 •CON ESTA RELACIÓN SE IGUALA LAS CONSTANTES DE RED LA BANDA PROHIBIDA DE LOS COMPUESTOS CUATERNARIOS •SE PUEDE EXPRESAR EN TÉRMINOS “x” Y “y” •LA BANDA PROHIBIDA MAS ANGOSTA SE OBTIENE PARA: y=1 EJEMPLO DE UN COMPUESTO TERNARIO •EMITE LUZ PARA λ =1.65µm INCLUYE λ =1.12y 2 con 0 ≤ y ≤ 1 In 0.6µm TÉCNICAS DE FABRICACIÓN DE LAS FUENTES ÓPTICAS SEMICONDUCTORAS Eg( y ) = 1.3-1.72y + 0. •DEPENDIENDO SI LOS CONSTITUYENTES ESTÁN EN FORMA LÍQUIDA.6µm FUENTES ÓPTICAS DE InP •OPERAN EN EL RANGO: 1. EN VAPOR OSE APLICAN POR RADIACIÓN . 55Ga 0.3-1. •CRECIMIENTO EPITAXIAL POR RADIACIÓN.6µm •LA BANDA PROHIBIDA DEL InP SE REDUCE FORMANDO EL COMPUESTO CUATERNARIO In1− xGa x Asy P1− y •RELACIÓN ENTRE LOS VALORES “x” Y “y” x/y=0. •CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE AL VAPOR.81-0. •LA DISPERSIÓN SE REDUCE EN EL RANGO 1.75eV •RANGO DE OPERACIÓN: λ =1.35 − 0.0 A 1.72 FUENTES ÓPTICAS BASADAS EN GaAs •OPERAN EN EL RANGO: 0.

73 •CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE AL VAPOR: DEPOSITACIÓN QUÍMICA AL VAPOR. •CONTROLAN LA ANCHURA DE LA CAPA ACTIVA HASTA 1nm •NORMÁLMENTE SE USAN CAPAS ACTIVAS DE 10nm •PARA ESTOS LASER •LOS PORTADORES ESTÁN ENCERRADOS EN UN POZO CÚANTICO. SE DENOMINAN: •LASERS DE POZOS CUÁNTICOS. •SE FABRICAN DISPOSITIVOS CON CAPAS ACTIVAS MÚLTIPLES DE 5 A 10nm DE ANCHURA. LASER DE MULTIPOZOS CUÁNTICOS DEFORMADOS •UNA DEFORMACIÓN INTENCIONAL CONTROLADA DE LA CAPA ACTIVA MEJORA EL RENDIMIENTO DEL LASER MULTIPOZOS. •SE MEJORA EL RENDIMIENTO DEL LASER. •SEPARADAS POR BARRERAS TRANSPARENTES DE APROXIMÁDAMENTE 10nm DE ANCHO. •LA DEFORMACIÓN RESULTANTE CAMBIA LA ESTRUCTURA DE BANDAS Y MEJORA EL RENDIMIENTO DEL LASER. •EL USO DE CAPAS ACTIVAS FINAS PERMITE QUE LAS CONSTANTES DE RED SE EMPAREJEN CON UN DEFECTO DÉBIL. . LASERS CON MULTIPOZOS CUÁNTICOS •PARA INCREMENTAR EL RENDIMIENTO DEL LASER. •DEPOSITACIÓN QUÍMICA METÁLICA Y ORGÁNICA AL VAPOR: METALES ALCALINOS SE USAN COMO UNA MEZCLA COMPUESTA.