TEMA 1

Propsitos: Reconocer los conceptos fundamentales de la teora de bandas de energa en los cristales semiconductores para comprender su comportamiento como parte de un dispositivo electrnico. Reconocer la conformacin del diodo semiconductor y analizar su comportamiento como diodo ideal y como diodo real

INTRODUCION
En un circuito elctrico la corriente fluye, por los conductores y elementos que lo forman de forma natural, teniendo la corriente, un valor que depende de los componentes conectados en el circuito. En un circuito elctrico se ejerce un control sobre el flujo de la corriente de alguna manera. Por ejemplo solo deberamos poner un interruptor, para dejar pasar o no la corriente por un foco y as controlar el flujo de corriente que pasa por el foco. En un circuito electrnico se controla un flujo de corriente elctrica mediante otra seal elctrica, pudiendo ser sta otro flujo de corriente elctrica o un voltaje fijo. La diferencia ms importante radica en la manera en que se logra controlar este flujo de corriente. Histricamente la era electrnica se inicia con el tubo Audion. Este dispositivo controlaba el flujo de un rayo de electrones, que viajaba en el vaco, entre dos electrodos (estructuras metlicas dentro del tubo entre las cuales haba una diferencia de voltaje). En el ao 1948 se invent el transistor un dispositivo con efectos muy parecidos a los del tubo Audion, pero ms pequeo. El transistor controla el flujo de los electrones a travs de un material semiconductor en vez de hacerlo en el vaco. A este tipo de electrnica tambin de le llama Electrnica de estado slido. Un transistor controla el flujo de la corriente por medio de corriente o voltaje, en cambio un tubo al vaco, controla el flujo de la corriente por medio solamente de voltaje. Con un circuito elctrico no es posible enviar informacin. Con un circuito electrnico se enva informacin de un lugar a otro, gracias a su caracterstica de poder controlar el flujo de la corriente. La electricidad implica el empleo de elementos pasivos: resistencias, condensadores, bobinas e incluso diodos rectificadores. La electrnica est asociada a la utilizacin de elementos activos: transistores, amplificadores operacionales, SCR(Rectificador Controlado de Silicio), TRIACs(trodo para corriente alterna) entre otros. Por tanto un circuito electrnico debe contener al menos un elemento activo. Los principales usos de los circuitos electrnicos son el control, el procesamiento, la distribucin de informacin, la conversin y la distribucin de la energa elctrica. Estos dos usos implican la creacin o la deteccin de campos electromagnticos y corrientes elctricas. Se puede decir que la electrnica abarca en general las siguientes reas de aplicacin:

Electrnica de potencia

Se denomina electrnica de potencia a la rama de la ingeniera elctrica que logra adaptar y transformar la electricidad, con la finalidad de alimentar otros equipos, transportar energa o controlar el funcionamiento de mquinas elctricas.

Se refiere a la aplicacin de dispositivos electrnicos, principalmente semiconductores, al control y transformacin de potencia elctrica. Esto incluye tanto aplicaciones en sistemas de control como de suministro elctrico a consumos industriales o incluso la interconexin sistemas elctricos de potencia. El principal objetivo de esta disciplina es el procesamiento de energa con la mxima eficiencia posible, por lo que se evitan utilizar elementos resistivos, potenciales generadores de prdidas por efecto Joule. Los principales dispositivos utilizados por tanto son bobinas y condensadores, as como semiconductores trabajando en modo corte/saturacin (on/off).

Electrnica de control
Los sistemas de control son aquellos dedicados a obtener la salida deseada de un sistema o proceso. En un sistema general se tienen una serie de entradas que provienen del sistema a controlar, llamado planta, y se disea un sistema para que, a partir de estas entradas, modifique ciertos parmetros en el sistema planta. Hay varias clasificaciones dentro de los sistemas de control. Segn su naturaleza son: analgicos, digitales o mixtos. Segn su estructura (nmero de entradas y salidas) pueden ser control clsico o control moderno; Segn su diseo pueden ser por lgica difusa o redes neuronales Los principales tipos de sistemas de control son:

SI/NO. En este sistema el controlador enciende o apaga la entrada y es utilizado, por ejemplo, en el alumbrado pblico, ya que ste se enciende cuando la luz ambiental es ms baja que un nivel predeterminado de luminosidad. Proporcional (P): En este sistema la amplitud de la seal de entrada al sistema afecta directamente la salida, ya no es solamente un nivel prefijado sino toda la gama de niveles de entrada. Algunos sistemas automticos de iluminacin utilizan un sistema P para determinar con qu intensidad encender lmparas dependiendo directamente de la luminosidad ambiental. Proporcional Derivativo (PD): En este sistema, la velocidad de cambio de la seal de entrada se utiliza para determinar el factor de amplificacin, calculando la derivada de la seal. Proporcional Integral (PI): Este sistema es similar al anterior, solo que la seal se integra en vez de derivarse. Proporcional Integral Derivativo (PID): Este sistema combina los dos tipos anteriores. Redes Neuronales: Este sistema modela el proceso de aprendizaje del cerebro humano para aprender a controlar la seal de salida.

Telecomunicaciones

Telecomunicaciones se refiere a toda transmisin, emisin o recepcin de signos, seales, datos, imgenes, voz, sonidos o informacin de cualquier naturaleza que se efecta a travs de cables, radioelectricidad, medios pticos, fsicos u otros sistemas electromagnticos. El trmino telecomunicacin cubre todas las formas de comunicacin a distancia, incluyendo radio, televisin, telefona, transmisin de datos e interconexin de ordenadores a nivel de enlace. La base matemtica sobre la que se desarrollan las telecomunicaciones fue desarrollada por el fsico ingls James Clerk Maxwell. Maxwell, en el prefacio de su obra Treatise on Electricity and Magnetism (1873), declar que su principal tarea consista en justificar matemticamente conceptos fsicos descritos hasta ese momento de forma nicamente cualitativa, como las leyes de la induccin electromagntica y de los campos de fuerza, enunciadas por Michael Faraday. Con este objeto, introdujo el concepto de onda electromagntica, que permite una descripcin matemtica adecuada de la interaccin entre electricidad y magnetismo mediante sus clebres ecuaciones que describen y cuantifican los campos de fuerzas. Maxwell predijo que era posible propagar ondas por el espacio libre utilizando descargas elctricas, hecho que corrobor Heinrich Hertz en 1887, ocho aos despus de la muerte de Maxwell, y que, posteriormente, supuso el inicio de la era de la comunicacin rpida a distancia. Hertz desarroll el primer transmisor de radio generando radiofrecuencias entre 31 MHz y 1.25 GHz.

CONCEPTOS DE FSICA DE LOS SLIDOS

CONDUCTORES Y AISLADORES
Los slidos que tiene una resistividad elctrica pequea a la temperatura ambiente se llaman conductores. En este grupo estn incluidos la mayora de los metales como el cobre, el aluminio y la plata. La resistividad del cobre es del orden de 1.6x10-6 ohmios por cm3. Los slidos que tienen una resistividad elctrica elevada a la temperatura ambiente se llaman aisladores. Su resistividad es del orden de 109 a 1018 ohmios por cm3. Ejemplos de estos slidos son el cuarzo, el vidrio, la mica y la porcelana.

SEMICONDUCTORES
Los slidos que tiene un valor de la resistividad intermedia entre la de los conductores y la de los aisladores se llaman semiconductores. Su resistividad vara de forma no lineal con la temperatura y pueden tener un coeficiente de temperatura positivo o negativo. Las caractersticas de la resistencia dependen mucho de la cantidad de impurezas del material. Ejemplos de slidos de este grupo son algunos elementos como el germanio y el silicio y algunos compuestos como el xido de zinc y el xido de cobre. Cuando la concentracin de partculas en un semiconductor dado es tal que existen electrones y huecos en la misma cantidad aproximadamente, el material se llama semiconductor intrnseco. Cuando predominan los huecos, el material se llama semiconductor tipo P o positivo. Cuando predominan los electrones, el material se llama semiconductor tipo N o negativo. Un semiconductor intrnseco puede tener caractersticas de tipo N o P por la adicin al material bsico de diferentes sustancias llamadas impurezas.

NIVELES DE ENERGA

Para que q tenga lug gar la condu uccin ha de haber un mo ovimiento de e electrones En la teora atmica se exp plican las pr ropiedades el lctricas de los elemento os por el con ncepto de las s bandas de energa. Los e electrones de e la rbita e exterior de u un tomo pu ueden ser des splazados de e ella con la a menor cantid dad de energ ga y se llam man electron nes de valen ncia. Estos e electrones tie enen unos ni iveles o banda as de energa a definidas c como muestr ra la Figura 1.1 y la con nductividad d de un elemento est determ minada por la energa n necesaria par ra desplazar sus electron nes de valen ncia desde s su nivel norma al de energa a, o banda de e valencia, ha asta el nivel ms elevado o, llamado ba anda de energ ga o de condu uccin.

Figura a 1.1 Bandas de e energa y de v valencia. (a) Con nductor. (b) Aislante. (c) Semico onductor

La di istancia que recorre un e electrn en s su camino de esde la band da de valenci ia hasta la banda de energ ga varia con cada tipo de e tomo. La l laguna de en nerga que sep para las band das de condu uccin y de val lencia en un aislante es muy m grande, y es muy dif cil para un e electrn de va alencia el alc canzar la banda a de energa a. En un con nductor las bandas b de energa y de valencia estn solapada as y los En un semic electr rones de vale encia son vli idos para la conduccin. c conductor la laguna de en nerga es muy pequea, y la energa t rmica de lo os electrones s de valencia a la temperatura ambiente es sufici iente para pe ermitir una co onduccin ap preciable. Da ado que un e electrn no p puede perman necer en el esp pacio situado entre las ban ndas de vale encia y de energa, esta re egin se deno omina alguna as veces zona p prohibida.

CON NDUCCI N EN CRISTALE ES

CON NDUCCIN N
En un n semiconduc ctor los tom mos del mate erial forman una estructu ura reticulada a llamada cri istal. Un cristal puede ser: intrnseco, que es el qu ue tiene apr roximadamen nte el mismo o nmero de e cargas positi ivas y negativ vas; tipo N, que es el que e tiene un ex xceso de carg gas negativas s o electrones s, o tipo P, que e es el que tie ene un exces so de cargas p positivas o hu uecos como m muestra la Fi igura 1.2.

Figura 1.2. Estructura reticulada de un cristal. (a) Cris stal puro. (b) Cr ristal conteniend do una impureza a con cinco elec ctrones de ristal conteniend do una impureza a con tres electr rones de valenc cia. valencia. (c) Cr

La co onduccin pu uede tener lu ugar en un c cristal por m movimiento de d electrones o de huecos. En la condu uccin negati iva los electr rones fluyen n hacia el ter rminal positiv vo de la fuen nte de alimentacin, mient tras que en la a conduccin n positiva los agujeros fluy yen hacia el terminal neg gativo de la fu uente de alimentacin.

EL CARBONO C O COMO CRISTAL

El car rbono es una a forma corriente (monoc cristalina) de conductor y tambin se encuentra en n formas cristalinas como el e diamante. A Aunque el ca arbono y el d diamante tien nen la misma a estructura a atmica, el car rbono es un c conductor y e el diamante es e un aislador r. La diferencia de condu uctividades el lctricas se exp plica por las acciones de sus electron nes de valenc cia. En el car rbono ordina ario el tomo o tiene 4 electr rones de vale encia que pue eden moverse e con comple eta libertad d de un tomo a otro dando o lugar a una corriente. En un diamante e los tomos estn dispue estos de form ma que dan lu ugar a una es structura tipo r retculo y los s electrones de los tom mos vecinos f forman enlac ces covalente es como se v ve en la Figura 1.2-a y en la Figura 1.3 3.

Figura 1.3. Estructura reticulada de un cristal de sil licio puro que m muestra los enlac ces covalentes entre e tomos co ontiguos

Debid do a estas ca aractersticas, , los electron nes de valenc cia tienen un n enlace fuert te con sus n cleos y no pu ueden ser desalojados con n facilidad de sus orbitas. Por esto, el d diamante des s un buen aisl lante.

ENLA ACES COV VALENTE ES

En un na estructura cristalina ca ada electrn d de valencia d de un tomo, al girar alre ededor de su u ncleo, coord dina su movim miento con el electrn de valencia de un tomo contiguo como o se ve en las Figuras 1.2 a 1.5. La asoci iacin de esto os electrones s entre si se ll lama enlace covalente. La Figura 1.3 muestra que el electrn de valencia a d del tomo A y el electrn n de valencia b del tomo B forman un n enlace l manera se f forman enlac ces covalentes entre los t tomos A covalente entre los tomos A y B. De igual E, F y C, F y G G, etc. y C, A y D, A y E

ESTRUCTURA AS RETICU ULADAS

Los tomos de un na sustancia cristalina pu ura forman u un modelo de e tipo reticulado como in ndica la Figura 1.2-a. La a Figura1.3 es uno de l los mtodos de represent tar una ampl liacin del c corte del modelo reticulado o de la Figu ura 1.2-a. A Aunque aqu se emplea e el carbono para p representar los princi ipios de la estructura reticulada y el enlace cova alente, hay ot tros elementos cuyas est tructuras atmi icas actan d de la misma m manera. Dos elementos empleados e frecuentement te en la const truccin o y el germ de tra ansistores co omo el silicio manio, tiene tambin 4 e electrones de e valencia y pueden obten nerse en form ma cristalina.

CON NDUCTIVID DAD DE UNA SUSTA ANCIA CR RISTALINA A PURA

Al ag gregar una sustancia s ade ecuada (impureza) a una a sustancia cristalina pu ura consegui imos un mater rial semicond ductor. A est te proceso se e le denomina dopaje. Lo os cristales de e Silicio se o obtienen con una u proporci in de impu urezas menor r de una par rte por cada a cien millon nes. La cant tidad de impur reza agregad da es muy pe equea y mu uy crtica. Como ejemplo o veremos q que si agrega amos un tomo o de impurez za por cada cien millones de tomos d de silicio la re esistividad desciende d de 60 a 3.8 ohmio os por cm3, p pero si agreg gamos 10 to omos de imp pureza por c cada cien millones de to omos de silicio o la resistivid dad se reduce e a 0.38 ohmi ios por cm3 l lo que hace q que el materia al dopado no o sea til como transistor co on ese valor d de resistivida ad.

Impu urezas donad doras Agreg gar una impu ureza que ten nga cinco ele ectrones de valencia (ars nico o antim monio) al silic cio puro gener rara que cuat tro electrone es de valenci ia de cada tomo de la i impureza for rmen cuatro enlaces covalentes con un n electrn de valencia p procedente de d cada uno de los cuatr ro tomos de e silicio contig guos para ma antener intact ta la estructu ura reticulada a. El quinto e electrn de va alencia del t tomo de la imp pureza queda a en libertad p para circular r por el crista al de una man nera similar a al movimient to de los electr rones libres e en un conduct tor metlico ordinario com mo se apreci ia en las Figu uras 1.2-b y 1.4. 1 Debid do a que un n cristal muy y pequeo co ontiene muc chos billones s de tomos, , una propor rcin de impur rezas de una parte por ca ada cien mill lones producir un nmer ro de electro ones libres su uficiente para l llegar al val lor de la inte ensidad de la corriente n necesaria par ra aplicacion nes en circui itos con transi istores. Si se aumenta la proporcin p d de la impurez za quedaran en e libertad dentro del cris stal ms electr rones, esto au umentara la conductivida ad del silicio o y disminui ir su resistiv vidad. El sili icio con ones se llam exceso de electro ma silicio t tipo N. Cua ando una im mpureza da electrones para la condu uctividad del l cristal se denomina d imp pureza donad dora. Despu s de contrib buir con un electrn libre a la estructur ra del cristal, un tomo de e impureza do onadora tiene una carga p positiva.

Figura 1.4. Efecto de la adicin de una imp pureza donadora a al silicio puro

IMPU UREZAS A ACEPTORA AS

Si se aade al silic cio puro una impureza qu ue tiene tres e electrones de e valencia (ga alio o indio), , los tres electr rones de vale encia de cad da tomo de la impureza formaran tre es enlaces co ovalentes co ompletos con electrn e de v valencia proc cedente de c cada uno de los tres to omos de silic cio contiguo os. Si la ntacta, el t estruc ctura reticula ada ha de permanecer p in tomo de la i impureza tom mara o acep ptara un electr rn de valenc cia de un tomo de silicio o prximo pa ara formar un n cuarto enla ace covalente e con su cuarto o tomo de si ilicio contigu uo como se v ve en las Figu uras 1.2 y 1.5 5.

Figura 1.5. Efecto de la adicin de una imp pureza aceptora a al silicio puro

Al to omo de silici io prximo q que cede el electrn e para a el cuarto pa ar de enlace covalente de el tomo de la impureza le falta ahora u un electrn e en uno de sus s pares de en nlace covalen ntes. Esta falt ta de un electr rn en un gru upo de enlace e covalente s se llama agujero o hueco. Los huecos tiene carga p positiva, puede en moverse d de tomo en tomo y pue eden conduci ir una corrien nte exactame ente igual a como c lo hacen n las cargas n negativas. Si i se aumenta la proporci n de impure ezas se formaran ms agu ujeros y aumen ntara la cond ductividad de el cristal. El silicio que tiene un exces so de huecos se llama sili icio tipo P. Cu uando la impu ureza acepta electrones p para mantener intacta la e estructura reti iculada del c cristal se llama a impureza ac ceptora. Una impureza aceptora tiene u una carga ne egativa.

CON NDUCCIN N POSITIV VA Y NEGA ATIVA

Un cr ristal tipo N t tiene un gran n nmero de electrones li ibres que pue eden ser port tadores de co orriente. La co orriente result tante del mov vimiento de electrones e se e llama condu uccin negati iva. Un crista al tipo P tiene un gran nm mero de hue ecos que pu ueden ser tam mbin portad dores de cor rriente. La c corriente tante del mov vimiento de a aguieros se ll lama conducc cin positiva a. result

POR RTADORES S EN MAY YORA Y EN MINOR A

Un cr ristal tipo N contiene c algu unos agujeros dispersos y un cristal ti ipo P algunos electrones tambin disper rsos. Cuando o se conecta u un cristal a u un circuito el lctrico habr un movimi iento de electrones y un mo ovimiento de e huecos en ambos tipos de cristales, el de tipo P y el de tipo N N. En el prim mero los electr rones constitu uirn los por rtadores en m mayora, y lo os agujeros l los portadore es en minora. En el segun ndo los aguje eros constitu uirn los por rtadores en m mayora, y l los electrone es los portad dores en minor ra.

INYE ECCIN DE AGUJER ROS

En el l funcionami iento de algu unos transist tores se apli ica a una pa arte del crist tal una polarizacin direct ta y a otra parte una p polarizacin inversa. Cu uando se tra ata de una sustancia s tip po n, la polari izacin direc cta obliga a lo os electrones s libres a mov verse de una parte del tra ansistor hacia a la otra. El mo ovimiento de e un electrn n de una parte e tipo N del transistor pr roduce en ell la temporalm mente un

hueco o. La creaci n de hueco os de esta m manera, llam mada inyecci in de huec cos, juega un u papel impor rtante en el comportamie ento del tran nsistor. Los huecos se m movern a lo o largo del material, m algun nos como co orriente de conduccin positiva, o otros perdien ndo su iden ntidad debid do a su recom mbinacin con n electrones libres.

CON NDUCCIN N EN EL E ESTADO SLIDO S

Los c cristales tipo P y tipo n t tienen un exc ceso de elec ctrones y hue ecos respectivamente, y son, s por tanto capaces de t transmitir ele ectrones o ag gujeros a trav vs de una su ustancia slid da. Los funda amentos de la conduccin a travs de slidos se conocen c con n el nombre de fsica de el estado sli ido y la acin de disp positivos de e estado slido se conoce co on el nombre e de circuitos s de estado s lido. aplica

EL D DlODO N NO POLA ARIZADO O

El sem miconductor tipo p tiene m muchos huec cos. Por si m mismo, un cris stal semicond ductor tipo n tiene la mism ma utilidad qu ue una resiste encia de carb bn; lo que tambin t se p puede decir de d un semico onductor tipo p p. Pero ocurre e algo nuevo o cuando un f fabricante do opa un cristal de tal maner ra que una m mitad sea tipo p y la otra mit tad sea tipo n n. La se eparacin o f frontera fsica entre un se emiconducto or tipo n y un no tipo p se llama unin n pn. La unin n pn tiene pr ropiedades ta an tiles que e ha propicia ado toda clas se de invent tos, entre los s que se encue entran los dio odos, los tran nsistores y lo os circuitos i integrados. C Comprender la unin pn permite entend der toda clas se de disposit tivos fabricad dos con semi iconductores.

El di iodo no po olarizado
Cada tomo trival lente en un c cristal de silic cio produce un u hueco. Po or esta razn puede representarse un cri quierdo de l istal de semiconductor ti ipo p como se aprecia e en el lado izq la Figura 1.6 6. Cada signo menos (-) en ncerrado en un circulo re epresenta un tomo trival lente y cada signo ms (+ +) es un hueco o en su orbit tal de valenc cia. De mane era similar, lo os tomos pentavalentes y los hueco os en un semic conductor tip po n se pued den represent tar como se aprecia en e el lado derech ho de la Fig gura 1.6. Cada signo ms en ncerrado en u un crculo re epresenta un tomo pentav valente y cad da signo men nos es el electr rn libre con que contr ribuye al se emiconductor r. Obsrvese e que cada cristal de m material semic conductor es elctricamen nte neutro porque el nme ero de signos s menos y m s es igual.

Figura 1.6. Dos tipos de semiconductores

Un fa abricante pue ede producir un cristal de material tip po p en un lado l y de tip po n en el ot tro lado, como se muestra en la Figura 1.7. La uni n es la front tera donde se e juntan las regiones r tipo o n y las de tip po p, por lo que esta estructura se l llama tambi n diodo de unin (la pa alabra diodo o es una contra accin de la e expresin d dos electrodos s), donde di i significa do os.

ona de de eplexin La zo
Debid do a su repu ulsin mutua a, los electr rones libres s en el lado o n de la Figura 1.7 tie enden a disper rsarse en cu ualquier direc ccin. Algun nos electrone es libres se difunden atr ravesando la a unin. Cuand do un electr n libre entr ra en la regi n p se conv vierte en un portador p min noritario. Con n tantos hueco os a su alrede edor, este ele ectrn tiene u un tiempo de vida muy co orto. Poco despus de entr rar en la regin n p, el electr rn libre cae en un hueco o. Cuando es sto sucede, e el hueco desa aparece y el electrn libre se s convierte en un electr n de valenci ia. Cada ocasin en la que un elec ctrn se difun nde a travs de la unin, crea un par d de iones. Cu uando un electr rn abandona a el lado n, de eja un tomo o pentavalent te al que le ha ace falta una a carga negati iva; este tomo o se conviert te en in pos sitivo. Una ve ez que el ele ectrn cae en n un hueco en n el lado p, el e tomo trivale ente que lo h ha capturado se convierte en in negat tivo. En la Figura 1.8a se muestran estos iones a cada lado d de la unin. L Los signos m ms (+) encerr rados en crcul los represent tan los iones positivos, m mientras que los signos menos m (-) encerrados en crculos repres sentan los io ones negativo os. Los iones s se encuentr ran fijos en l la estructura del cristal debido d a los en nlaces covale entes y no p pueden move erse de un lado a otro c como los ele ectrones libre es y los hueco os. Cada pareja de ion nes positivo y negativo en n la unin se e llama dipolo. La creaci n de un dipo olo hace desaparezcan un electrn n libre y un hueco. h A me edida que au umenta el n mero de dip polos, la que d regin n cercana a la a unin se va aca de portad dores. A esta a zona sin portadores se l la conoce com mo zona de dep plexin (Fig. . 1.8b).

rera de pot tencial Barr

Cada dipolo posee e un campo elctrico e entr re los iones positivo p y ne egativo que l lo forman; po or tanto, ran electrone es libres adic cionales en la a zona de deplexin, el c campo elctri ico trata de d devolver si entr estos electrones hacia h la zona n. La intens sidad del cam mpo elctrico o aumenta co on cada elect trn que cruza hasta que se e alcanza el equilibrio. e En n una primer ra aproximac cin, esto sig gnifica que el campo acaba ar por detene er la difusin n de electrone es a travs de e la unin. En la a Figura 1.8 el campo el ctrico entre e los iones e es equivalent te a una dife erencia de potencial llama ada barrera d de potencial. A 25 C la barrera de p potencial es aproximadam a mente de 0,3 V para diodo os de germani io y de 0,7 V para diodos s de silicio.

Fig gura 1.7. La uni n PN


Figura 1.8. a) Creacin de iones en la u unin; b) zona de deplexin

POL LARIZAC CION DIR RECTA

En la Figura 1.9 s se ve una fue ente de corrie ente continua a conectada a un diodo. El E terminal n negativo de la fuente est conectado al material m tipo n, y el termi inal positivo al material ti ipo p. Esta conexin se llam ma polariza acin directa a

Flujo o de electr rones libre es

En la a Figura 1.9 la batera em mpuja hueco os y electron nes libres hac cia la unin. . Si la tensi n de la bater a es menor que q la barrer ra de potenci ial, los electr rones libres no n tienen suf ficiente energ ga para atrave esar la zona d de deplexin n. Cuando ent tran en esta zona, z los ione es se ven emp pujados de re egreso a la zon na n. A causa a de esto no c circula corrie ente a travs del diodo.

Figura a 1.9. Polarizaci n directa

Cuand do la fuente de tensin continua c es m mayor que l la barrera de e potencial, la batera em mpuja de nuevo o huecos y el lectrones libr res hacia la unin. Esta v vez los electr rones libres t tienen suficie ente energa p para pasar a travs de la zona de depl lexin y recom mbinarse con los huecos. P Para hacerse e una idea bs sica, imagine emos todos lo os huecos en n la zona p mov vindose hac cia la derech ha y todos lo os electrones libres despl lazndose ha acia la izquie erda. En algn n lugar prximo a la uni n estas carg gas opuestas s se recombi inan. Como los electrone es libres entran n continuamente por el extremo der recho del dio odo y contin nuamente se crean hueco os en el extrem mo izquierdo o, existe una c corriente con ntinua a trav s del diodo.

El flu ujo de un electrn

Sigam mos a un n nico electrn a lo largo del d circuito completo. Despus D de que q el electrn libre aband dona el termi inal negativo de la batera a entra en el extremo dere echo del diod do. Viaja a tr ravs de

la reg gin n hasta que alcanza a la unin. Cuando C la te ensin de la batera es m mayor que 0,7 V, el electr rn libre tiene e energa suf ficiente para atravesar la zona z de deplexin. Poco despus de entrar e en la reg gin p se reco ombina con u un hueco. En ot tras palabras, , el electrn libre se con nvierte en un n electrn de valencia. Como tal cont tina su viaje hacia la izqu uierda, pasan ndo de un hu ueco al sigui iente hasta q que alcanza el e extremo iz zquierdo del di iodo. Cuando o deja este l ltimo, aparec ce un nuevo h hueco y el pr roceso comie enza otra vez z. Como hay m miles de mill lones de electrones haci iendo el mism mo viaje, te enemos una c corriente con ntinua a travs s del diodo.

Reco ordatorio
La co orriente circu ula fcilmen nte en un dio odo de silici io polarizado o en directa. . Cuando la tensin aplica ada sea mayo or que la barr rera de poten ncial habr una u gran corr riente contin nua en el circuito. En otras palabras, si l la fuente de tensin t es mayor que 0,7 7 V, un diodo o de silicio pr roduce una corriente c contin nua en la dire eccin directa.

POL LARIZAC CION INV VERSA

Si se invierte la po olaridad de la a fuente de c continua, ento onces el diod do quedar po olarizado en inversa, como se ve en l la Figura 1.10. En este caso, el ter rminal negat tivo de la b batera se en ncuentra conec ctado al la ado p y el terminal positivo lo est al lado n n. Esta con nexin se de enomina polar rizacin inv versa.

sanchamiento de l la zona d de deplex xin Ens

El ter rminal negati ivo de la bat tera atrae lo os huecos y e el terminal positivo los e electrones lib bres; por ello, los l huecos y electrones l libres se alejan de la unin; como resultado, la zona de deple exin se ensan ncha.

Figura 1.10. Polarizacin inversa

Cun nto aumenta la anchura d de la zona de e deplexin e en la Figura 1.11a? Cuan ndo los huec cos y los electr rones se alej jan de la un nin, los ion nes recin cr reados hacen n que aumen nte la difere encia de poten ncial a travs s de la zona de deplexi n. A mayor r anchura de e dicha zona corresponde e mayor difere encia de pote encial. La zon na de deplexin deja de a aumentar en el momento en que su di iferencia de po otencial es igual a la tensin inversa a aplicada. Cua ando esto su ucede los elec ctrones y los s huecos no se alejan de la u unin.

En oc casiones, la zona de dep plexin se m muestra como o una zona sombreada co omo la de la a Figura 1.11b b. La anchura a de esta zon na sombread da es proporc cional a la te ensin invers sa. A medida a que la tensi n inversa cre ece, aumenta a tambin la z zona de deple exin.

Corr riente de p portadores s minoritarios

Existe alguna co orriente desp pus de habe erse estabiliz zado la zona a de deplexin? Si. Inclu uso con polari izacin inve ersa hay un na pequea corriente. Recurdese que la en nerga trmic ca crea contin nuamente pa ares de electr rones libres y huecos, lo que significa a que a ambo os lados de la l unin existe en pequeas s concentrac ciones de p portadores minoritarios. m La mayor parte de stos se recom mbinan con lo os portadores mayoritario os, pero los que q se hallan n dentro de l la zona de de eplexin puede en vivir lo su uficiente para a cruzar la unin. u Cuand do esto suced de, por el circ cuito externo o circula una pequea corriente.

Fig gura 1.11. a) Zon na de deplexin n; b) Incrementa ar la polarizacin inversa aumenta el ancho de la zona de deplexin

En la Figura 1.12 se ilustra est ta idea. Supngase que la energa trm mica ha cread do un electrn n libre y un hu ueco cerca d de la unin. La zona de e deplexin empuja al electrn libr re hacia la d derecha, provo ocando que u un electrn de eje el extrem mo derecho de el cristal. El hueco h en la z zona de deple exin es empuj ujado hacia la a izquierda. Este hueco extra en el l lado p ocasio ona que un e electrn entr re por el extrem mo izquierdo o del cristal y se recombi ine con un h hueco. Como o la energa t trmica est creando consta antemente pa ares electrn n - hueco den ntro de la zon na de deplex xin, se produ ducir continu uamente una pequea corriente en el cir rcuito externo o. La co orriente inver rsa originad da por los por rtadores min noritarios pro oducidos tr rmicamente se s llama corrie ente inversa a de saturac cin. En las ecuaciones e e esta corriente e se simboliz za por Is. El nombre repres senta el hech ho de que no se puede ob btener una corriente de po ortadores min noritarios ma ayor que la pro oducida por e energa trmica; es decir, aumentar la tensin inver rsa no har q que crezca el nmero de portadores min noritarios crea ados trmica amente.

Corr riente supe erficial de e fugas

Adem ms de la cor rriente de po ortadores mi inoritarios pr roducidos tr rmicamente, existe algu una otra corrie ente en el dio odo polarizad do en inversa a? Si, una pe equea corri iente circula a sobre la sup uperficie del c cristal. Esta corriente se e denomina corriente s superficial d de fugas, qu ue es causa ada por impur rezas en la superficie del l cristal e imp perfecciones s en su estruc ctura interna a.

Figura a 1.12. La produ uccin trmica de electrones libr res y huecos en n la zona de dep plexin produce una corriente in nversa de sa aturacin minori itaria

ordatorio Reco
La co orriente inver rsa total en u un diodo es una corriente e de portado ores minorita arios muy pequea y depen ndiente de la a temperatura a y una corr riente de fug gas superfici ial muy pequ uea y direc ctamente propo orcional a la t tensin aplicada. En m muchas aplicaciones la c corriente inv versa de un diodo de si ilicio es tan n pequea que q pasa inadv vertida. La pr rincipal idea a recordar es s que la corr riente es apro oximadamen nte cero en u un diodo de sili icio polariza ado en invers sa.

PTURA RUP
Los d diodos admite en unos valo ores mximos en las tensiones que se e les aplican, por tanto, existe un r un diodo si lmite e para la tens sin mxima en inversa co on que se pu uede polarizar in correr el ri iesgo de destru uirlo. Si se aumenta con ntinuamente l la tensin inv versa, llegar un moment to en que se a alcance la ten nsin de ruptur ra del diodo. . Para mucho os diodos, la a tensin de ruptura es normalmente n mayor de 50 0 V. La tensi n de ruptura a se muestra e en la hoja de caracterstic cas del diodo. Una vez v alcanzad da la tensin n de ruptura a, una gran c cantidad de portadores m minoritarios aparece repen ntinamente en n la zona de d deplexin y e el diodo cond duce descontr roladamente. De dnde d vienen estos port tadores? Se producen po or el efecto de avalanch ha (Fig. 1.13) que aparece con tensio ones inversas s elevadas.

Figura 1.13. La avalanc cha produce mu uchos electrones s libres y hueco os en la zona de deplexin

o siempre, hay una pequ uea corrient te inversa de e portadores minoritarios s. Cuando la tensin Como invers sa aumenta, obliga a los portadores m minoritarios a moverse m ms rpidam mente. De est ta forma

choca ar con los tomos del c cristal. Si dic chos portado ores adquiere en la energa a suficiente, pueden golpe ear a los elect trones de vale encia y libera arlos; es deci ir, pueden pr roducir electr rones libres. Estos nuevos port tadores mino oritarios pued den unirse a los ya existe entes para co olisionar cont tra otros tomo os. El proce eso es geom mtrico, ya q que un electr rn libre lib bera a un el lectrn de v valencia, obten nindose dos electrones lib bres. Estos dos electron nes libres libe eran, a su ve ez, a otros do os de valencia, y as sucesivamente, d de forma que el l proceso con ntina hasta que q la corrien nte inversa es muy grand de. En la Figura 1.14 se observa una u vista amp plificada de la a zona de dep plexin. La po olarizacin in nversa obliga a a los electr rones libres a moverse ha acia la derec cha. Cada ele ectrn, a medid da que se desplaza, d gan na velocidad d. Cuanto ma ayor sea la tensin inve ersa, ms r pido se muev ven los electr rones. Si un n electrn con una gran velocidad tie ene la energ ga suficiente e, puede golpe ear el electrn n de valencia a del primer tomo y colocarlo en un na orbital ma ayor, lo que d da como tado dos elec ctrones libres s, los cuales pueden acele erarse y desl ligar dos elec ctrones ms. De esta result forma a, el nmero de portadore es minoritarios puede lleg gar a ser dem masiado gran nde y el diod do puede condu ucir sin contr rol. La ten nsin de rupt tura de un dio odo depende del nivel de dopaje del m mismo. Con d diodos rectifi ficadores (el tip po ms com n) la tensin n de ruptura suele ser may yor de 50 V.

Figura 1.14. El proceso de avalancha es una p progresin geom mtrica 1, 2, 4, 8, 8

NIV VELES DE E ENERG GIA

Como o una buena a aproximacin n, la energa total de un e electrn pued de identificar rse con el tam mao de su orb rbital. Es dec cir, puede p pensarse que el tamao de cada uno o de sus rad dios (Fig. 1. .15a) es equiv valente a los niveles n de en nerga del NU UCLEO repr resentados en n la Figura 1.15b. Los ele ectrones de la orbital ms pequea est n en el prim mer nivel de energa; los electrones d de la segunda a orbital estn en el segund do nivel de en nerga y as sucesivament s te.

Ms energa e en el orbita al mayor

Como o el electrn es atrado p por el ncleo o, se requiere e energa adi icional para llevarlo a un n orbital mayor. Cuando un u electrn salta s de la p primera al segundo orbi ital, gana en nerga potenc cial con cto al ncleo o. Algunos de d los agentes s externos qu ue pueden hac cer saltar a un u electrn a u un nivel respec de ene erga mayor son el calor, la luz y la te ensin elctri ica. Supn ngase, por ej jemplo, que u una fuerza externa eleva el electrn de d la primera a al segundo o orbital. Este e electrn tiene e ms energa a potencial p porque est m ms alejado del ncleo. La a situacin es s similar a la d de un objeto situado sobre e la Tierra. C Cuanto ms alto a se halle el objeto, m mayor ser su energa

poten ncial con resp pecto a la Ti ierra. Si se s suelta el obje eto, puede re ealizar un m mayor trabajo o al caer sobre la Tierra.

Figura 1.15. El E nivel de energ ga es proporcio onal al tamao d de la orbital. a) O Orbitales; b) nive eles de energa.

Los electrones s pueden emitir luz

Despu us de que un u electrn ha h saltado a una orbital mayor, m pued de regresar a su nivel de energa inicia al. Si lo hace, devolver la a energa sob brante en form ma de calor, l luz u otro tip po de radiaci n. En un n diodo emis sor de luz (L LED) la tens sin aplicada a eleva los el lectrones a n niveles super riores de energ ga. Cuando e estos electron nes caen de n nuevo a los ni iveles inferio ores de energ ga, desprende en luz. Depen ndiendo del material que e se use en la l fabricacin del diodo, , la luz es ro oja, verde, na aranja o azul. Algunos LE ED producen n radiacin i infrarroja (in nvisible), que e es til en sistemas de e alarma antirro obos.

Band das de ene erga

Cuand do un tomo o de silicio es st aislado, la a orbital de un u electrn s slo se ve inf fluida por las cargas del t tomo aislado o. Lo que pro ovoca que lo os niveles de e energa sea an los que se e representan n por las lneas s de la Figur ra 1.15b. Per ro cuando los tomos de silicio estn n en un crista al la orbital de cada electr rn tambin s se ve influenc ciada por las cargas de muchos m otros tomos de silicio. Como o cada electr n tiene una a posicin n nica dentro de e la red crist talina, no hay y dos electro ones que posea an exactamen nte el mismo patrn de ca argas alreded dor. Esta es la razn de qu ue la orbital de cada electr rn sea difere ente; o, dicho o de otro mod do, los nivele es de energa de cada elec ctrn son dist tintos. La Fig gura 1.16 mu uestra lo que le sucede a l los niveles de e energa.

Figura 1.16. Semicond ductor intrnseco o y sus bandas d de energa

Todos s los electron nes de la pri imera orbital l tienen nivel les de energ a ligeramen nte diferentes s porque no ha ay dos electr rones que ve ean exactam mente el mism mo entorno de cargas. C Como hay m miles de millon nes de electr rones en la p primera orbital, estas lige eras diferenci ias de nivele es de energa a forman segunda un gr rupo o band da de energa a. Similarme ente, los miles de millon nes de electr rones de la s orbita al forman la s segunda band da de energa a, y as sucesivamente par ra el resto de e las bandas. Otra a aclaracin. C Como ya se sa abe, la energ ga trmica pr roduce unos p pocos electro ones libres y huecos. Los h huecos perma anecen en la banda de val lencia, pero l los electrone es libres se m mueven a la b banda de energ ga inmediata amente superior, la cual s se denomina banda de co onduccin. E Este es el mo otivo por ibres y una b el que e la Figura 1. .16 muestra u una banda de e conduccin n con algunos s electrones li banda de valencia con algu unos huecos. Cuando se cierra el interruptor, exi iste una pequ uea corrien nte en el semic conductor pur ro. Los electrones libr res se despla azan a travs de la banda de conducci n y los huec cos lo hacen a travs de la b banda de val lencia.

Band das de ene erga tipo n

La Figura 1.17 pr resenta las ba andas de ene erga para un semiconduc ctor tipo n. C Como cabria esperar, los po ortadores ma ayoritarios so on los electro ones libres en n la banda de d conduccin n, y los mino oritarios son lo os huecos en n la banda d de valencia. Como el int terruptor est cerrado en n la Figura 1 1.17, los portad dores mayori itarios circula an hacia la iz zquierda y los minoritario os hacia la de erecha.

Figura a 1.17. Sermico onductor tipo n y sus bandas de e energa

Band das de ene erga tipo p

La Fi igura 1.18 m muestra las ba andas de ene erga para un n semiconduc ctor tipo p. A Aqu se obse erva una invers sin de pape eles de los p portadores. Ahora A los po ortadores ma ayoritarios so on los hueco os en la banda a de valencia, y los min noritarios so on los electro ones de la banda b de co onduccin. C Como el interru uptor est ce errado, los p portadores m mayoritarios c circulan hacia la derecha a y los mino oritarios hacia la izquierda. .

Figur ra 1.18. Semiconductor tipo p y sus bandas de energa

BARRER RA DE EN NERGIA LA B
Para comprender el funcionam miento de tip pos ms ava anzados de d dispositivos semiconduct tores, es necesario conocer r el modo en que los nivel les de energa controlan la accin de u una unin pn n.

Ante es de la dif fusin

Supon niendo una u unin abrupt ta (es decir, una unin q que pasa bru uscamente de el material ti ipo p al mater rial tipo n), cmo es el diagrama a de energa a correspond diente? En la Figura 1 1.19a se repres sentan las ba andas de ene erga antes d de que los e electrones se hayan difun ndido a trav s de la unin n. El lado p t tiene gran ca antidad de hu uecos en la b banda de val lencia y el la ado n posee muchos electr rones en la banda de conduccin. Per ro por qu l las bandas p estn ligeram mente ms a altas que las ba andas n? El lad do p est for rmado por tomos trivalentes con un na carga de la parte inte erna de +3, c como se muest tra en la Figu ura 1.19b. Po or otra parte, el lado n tie ene tomos p pentavalentes s con una car rga de la parte interna de +5 (Figura 1.1 19c). La part te interna de +3 atrae a un n electrn co on menos fue erza que la par rte interna d de +5. Por ta anto, los orb bitales de un n tomo triv valente (lado p) son ligeramente mayores, en energ ga, que los de d un tomo p pentavalente (lado n).

Figur ra 1.19. a) Bandas de energa de d una unin abr rupta antes de la difusin; b) los s tomos de tipo o p tienen orbita ales ms grand des, equivalente es a un nivel de energa mayor; c) los tomos d de tipo n tienen orbitales o ms pe equeas, equiva alentes a nivel de energa menor. un n

Una unin u abrupt ta como la de d la Figura a 1.19a es un na idealizaci in, ya que el lado p no o puede termin nar sbitame ente donde co omienza la regin r n. Un, diodo real exhibe un ca ambio gradua al de un mater rial a otro. Po or esta razn, , la Figura 1. .20a constitu uye un diagra ama de energ a ms realista de un diodo o de unin

e equilibrio En el
cial, cuando el e diodo se f forma, no exi iste la zona d de deplexin (Fig. 1.20a). En ese En el instante inic l electrone es libres se difundirn a t travs de la u unin. En tr rminos de los s niveles de energa, caso los este hecho h supone e que los ele ectrones de la a parte super rior de la ba anda de cond duccin se muevan m a travs s de la unin, como se de escribi antes s. Inmediatam mente despu s de cruzar la l unin, un electrn libre se s recombina ar con un hu ueco; es deci ir, el electrn n caer de la banda de co onduccin a l la banda de va alencia y, al h hacerlo, emit tir calor, luz z y otras rad diaciones. Est ta recombina acin no slo o crea la zona d de deplexin n, sino que ad dems cambia los niveles de energa e en la unin. La Fi igura 1.20b muestra los diagramas d de energa despus d de que haya sido o creada la z zona de deplex xin. Las ban ndas p se han n desplazado o hacia arriba a con respect to a las banda as n. Como s se puede ver, l la parte infe erior de la b banda p est al mismo nivel que la a parte supe erior de la b banda n corres spondiente, l lo que quiere e decir que lo os electrones s en el lado n ya no tiene en energa su uficiente to hacia para c cruzar la uni in. A contin nuacin se da d una explic cacin simpli ificada del desplazamien d arriba a de la banda a p. La Figur ra 1.20c cont tiene una orb bital de la ba anda de cond duccin alred dedor de uno d de los tomos s trivalentes a antes de que se lleve a cab bo la difusin n. Cuand do un electr n se difund de a travs de e la unin, c cae en un hue eco de un t tomo trivalen nte (Fig. 1.20b b). Este electr rn extra en la orbital de e valencia aum mentar el ta amao del or rbital de la b banda de condu uccin, alejn ndola ms de el ncleo del tomo trival lente, como s se aprecia en la Figura 1.2 20d, por tanto, , cualquier nuevo n electr n que llegu ue a esta reg gin necesita ar ms ene erga que ant tes para moverse en una orbital de la banda b de con nduccin. Dic cho en otros trminos, el aumento de el orbital banda de con nduccin ind dica que el niv vel de energ a se ha incre ementado, lo que equivale e a decir de la b que la as bandas p se desplazan n hacia arriba con respec cto a las ban ndas n despus de que se e crea la zona d de deplexin n. En el equilibrio, l los electrones s de la banda a de conducc cin en el lad do n se muev ven en orbita ales que n lo suficient temente gran ndes para ajustarse a las o orbitales del l lado p (Fig. 1.20b). 1 no son

Figur ra 1.20. La difusin modifica las s bandas de ene erga. a) Bandas s de energa ant tes de la difusin n; b) bandas de energa despu s de formarse la zona de deplexin; c) el tom mo tipo p tiene u una orbital meno or antes de la difusin; d) el to omo tipo p grande despus s de la difusin, equivalente a un nivel de energ ga mayor tiene una orbital ms g

Es de ecir, los elect trones en el l lado n no tienen la sufici iente energa para atraves sar la unin. Para un electr rn que trate de difundirs se a travs d de la unin, l la trayectoria a que debe re ecorrer prese enta una barrer ra de energa a (Fig. 1.20b b). El electr rn no puede e atravesar e esta barrera a menos que e reciba energ ga de una fu uente de alim mentacin ex xterna. (Esta a fuente de energa e pued de ser una fu uente de tensi n, pero tamb bin puede se er calor, luz u otra radiaci in.)

Pola arizacin d directa

Media ante la polari izacin direc cta se logra qu ue disminuya a la barrera de d energa (Fig. 1.21).

Figu ura 1.21. La polarizacin directa a proporciona m ms energa a lo os electrones libr res, equivalente e a un nivel de e energa mayor

En ot tras palabras, , la batera a aumenta el ni ivel energtic co de los ele ectrones libre es, lo que eq quivale a empuj ujar la banda n hacia arrib ba. Debido a esto, los ele ectrones libre es adquieren la energa su uficiente para entrar e en la zona p. Exa actamente de espus de en ntrar en dicha a zona, cada a electrn ca ae en un hueco o (trayectoria a A). Como electrn e de valencia, cont tina su viaje e hacia la izq quierda del cr ristal, lo que e equivale a qu ue los huecos s se muevan hacia la uni in. Algunos s huecos pen netran en la r regin n

como se muestra en la Figura 1.21. En este caso, los electrones de la banda de conduccin pueden seguir la trayectoria de recombinacin B. Independientemente de dnde se lleve a cabo esta recombinacin, el resultado es el mismo. Un flujo estable de electrones libres se mueve hacia la unin y cae en los huecos cercanos a ella. Los electrones as capturados (ahora electrones de valencia) se mueven hacia la izquierda en un flujo continuo mediante los huecos de la regin p. Se produce as una corriente continua de electrones a travs del diodo. Cuando los electrones libres caen de la banda de conduccin a la de valencia irradian su exceso de energa en forma de calor y luz. En un diodo normal la radiacin es energa calrica, la cual no se puede aprovechar. Pero con un diodo emisor de luz (LED), la radiacin es una luz de color rojo, verde, azul o naranja. Los diodos LED se emplean mucho como indicadores visuales en instrumentos electrnicos, teclados de ordenador y electrnica de consumo.

LA BARRERA DE POTENCIAL Y LA TEMPERATURA

La temperatura de la unin es la temperatura dentro del diodo, exactamente en la unin pn. La temperatura ambiente es diferente. Es la temperatura del aire fuera del diodo, el aire circundante al diodo. Cuando el diodo est conduciendo, la temperatura de la unin es ms alta que la temperatura ambiente a causa del calor creado en la recombinacin. La barrera de potencial depende de la temperatura en la unin. Un incremento en la temperatura de la unin crea ms electrones libres y huecos en las regiones dopadas. Como estas cargas se difunden en la zona de deplexin, sta se estrecha, lo que significa que hay menos barrera de potencial a temperaturas altas de la unin.

CARACTERSTICAS ESTTICAS
La unin PN tiene el efecto de un rectificador, puesto que la corriente resultante del voltaje aplicado en una direccin a la unin es distinta de la corriente resultante de aplicar el mismo voltaje en sentido opuesto. La curva caracterstica esttica voltios-amperios para un diodo de germanio tpico est representada en la figura 1.22-a. Las curvas de corriente directa e inversa tienen escalas diferentes para voltaje y corriente, y ambas son no lineales en una gran parte del campo de variacin. La curva de corriente directa crece rpidamente para valores relativamente pequeos del voltaje. La curva de corriente inversa indica que se necesita un voltaje relativamente alto para producir incluso un valor muy pequeo de la corriente. La curva esttica voltaje-resistencia para un diodo de germanio tpico es la representada en la figura 1.22-b. esta curva se ha obtenido dividiendo el voltaje en un cierto nmero de puntos de la curva de la Figura 1.22-a por la intensidad para estos voltajes. Las curvas de resistencia directa e inversa se han dibujado con diferentes escalas para el voltaje y para la resistencia. Aumentando el voltaje disminuye la resistencia hasta un valor bajo, normalmente menor de 100 ohmios. Disminuyendo en voltaje directo aumenta la resistencia, y para el voltaje cero la resistencia es del orden de centenares de miles de ohmios.

s estticas de un n diodo de unin n PN. (a) Voltios s-amperios. (b) V Voltios-ohmios. Figura 1.22. Caractersticas