SOLUCION DEL TALLER 1)

El transistor de efecto de campo es, en realidad una familia de transistores que se basan en el

campo electrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencia controladas por diferncia de potencial. El fet es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor,aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente 2 ) El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En estos transistores, la compuerta no absorbe corriente en absoluto,sino que ellos son contralados por tensiones de voltaje. Cuando en estos transistores el voltaje de la compuerta y fuente(VGS) es cero,la aplicacin de voltaje en VDS hace que la corriente fluya del dreno a la fuente, y cuando se aplica un voltaje negativo a VGS su region de agotamiento de la union entre compuerta y el canal se ensancha y se hace proporcionalmente mas angosto, y es donde aumenta la resistencia del canal y la IDS se reduce etc. 3)