Tips para anlisis de transistores BJT

Circuitos Electrnicos Claudio Alarcn R. Primavera 2007

Transistores BJT
4 zonas de operacin:
Corte Amplificacin Saturacin (switch). Inversa activa.

NPN No PeNetra

PNP

Transistores BJT
Zona de corte:
Cuando iB < 0
En ese caso, el transistor queda abierto (iE = iC = 0), y voltaje Colector Emisor (VCE) no queda definido.

Transistores BJT
Cuando est encendido:
Se puede asumir que VBE 0.6V para NPN, -0.6V para PNP. Conduce corriente en el sentido de la flecha del emisor. Si la corriente queda invertida el transistor se quema.

Transistores BJT
Zona de amplificacin:
Cuando iB << iC
En este caso la ecuacin queda: iC = (+1)iB (hfe en datasheets) vara entre 100 y 300 tpicamente. Ganancia no debe depender de si es amplificador. Transistor es una fuente de corriente => Alta Impedancia.

Transistores BJT
Zona de saturacin (switch):
Cuando iB iC En este caso iE = iB + iC VCE se puede asumir que tiene 0.2V en NPN, VEC es 0.2V en PNP. No es necesaria alta corriente, slo cumplir condicin iB iC

Transistores BJT
Inversa Activa:
Se invierten papeles de Colector y Emisor En este caso la amplificacin de corriente (el equivalente a b en caso de zona activa) es del orden de 5. No es muy utilizada

Transistores BJT
Configuraciones tpicas:
Colector comn (seguidor voltaje) Emisor Comn (amplificador) Base Comn (seguidor corriente) Configuraciones en corte / saturacin

Transistores BJT
Colector comn (seguidor emisor)
Vout = Vin 0.6V

C1 acopla polarizacin (divisor entre R1 y R2) con entrada (Vin) Aumenta la impedancia de entrada: Zin = (+1)RE

Transistores BJT
Emisor comn
vout = (-RC/RE)vin
Se suma componente continua de la polarizacin. Se debe cumplir 0 < vout < Vcc

Transistores BJT
Base comn
Seguidor de corriente
iout = iin(+1)/ iin vout = -RC Vin/(RE)

Transistores BJT
Corte/saturacin
Funcionan como inversores lgicos.
vout = Vcc si 0.2V si vin = 0V vin = Vcc

Debe cumplirse condicin de saturacin: (vin - 0.7)/RB Vcc/RC Configuracin tpica para activar rels.