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Electrnica Bsica

Familias Lgicas
Electrnica Digital

Jos Ramn Sendra Sendra Dpto. de Ingeniera Electrnica y Automtica ULPGC

Familias lgicas
Basadas en transistores de efecto de campo CMOS: Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor Basadas en transistores bipolares TTL: Transistor-Transistor logic ECL: Emiter-coupled logic

El diseo lgico de un circuito combinacional es independiente de la tecnologa usada, sin embargo la realizacin fsica de este circuito si debe tenerla en cuenta, por factores como: -Mrgenes de ruido -Entorno de trabajo del circuito -Fanout -Necesidad de: -Velocidad -Salidas en colector abierto -Consumo -Salidas Three-state -Alimentacin disponible

Familias lgicas: CMOS Inversor

Veamos la configuracin bsica de un inversor (circuito ms simple) para analizar sus caractersticas
V DD =+5.0V

V IN
G

D D S

V OUT

Transistor p-MOS cerrado cuando VIN -VDD < VILmax-VDD V IN <V ILmax Transistor n-MOS cerrado cuando V IN -0>VIHmin

Gnd

Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Niveles lgicos y margen de ruido Parmetros caractersticos V
OHmin

:Es la tensin de salida mnima que se garantiza en nivel alto.

V IHmin :Es la mnima tensin de entrada que se garantiza ser reconocida como nivel alto. VOLmax :Es la tensin de salida mxima que se garantiza en nivel bajo. V ILmax :Es la mxima tensin de entrada que se garantiza ser reconocida como nivel bajo.

Familias lgicas: CMOS

Los elementos lgicos abstractos procesan 0's y 1's. Los circuitos reales procesan seales elctricas, en este caso niveles de tensin
VDD

Niveles lgicos para para puertas CMOS

Nivel alto, 1
VIHmin

VOHmin

VILmax Gnd

Nivel bajo, 0

VOLmax

Familias lgicas: CMOS Inversor

V DD =+5.0V V DD =+5.0V

Cerrado 0V VOH ~ 5V Abierto 5V

Abierto VOL~0V Cerrado

Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Niveles lgicos y margen de ruido Los parmetros relacionados con los niveles lgicos nos dan informacin acerca de los niveles de ruido que ser capaz de aceptar nuestra lgica sin que se corrompa la informacin. Estos parmetros pueden venir dados como valores absolutos o como relativos a la alimentacin. Ejemplo: Serie HC atacando puertas CMOS VOHmin =4.9V VIHmin =3.5V V OLmax =0.1V VILmax =1.5V El margen de ruido ser: Nivel alto 4.9V-3.5V=1.4V Nivel bajo 1.5V-0.1V=1.4V

Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con cargas resistivas. 1.-En rgimen esttico cualquier carga es resistiva, por tanto este estudio es totalmente generalizable. 2.-Cualquier carga puede representarse por su equivalente de Thevenin VDD

VIN

RThev
+ -

Thev

Gnd

Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con cargas resistivas. Ejemplo

VDD R 5V VOUT VOUT= RThev

+ -

R RThev+ RnON nON

Thev

pOFF

RnON

Thev

Si VOUT>VOLmax no podremos cargar nuestro inversor con ese circuito.

Gnd

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con cargas resistivas. Ejemplo 2 VDD -V Thev

VDD R 0V VOUT

VOUT= RThev
+ -

R + V Thev RThev+ RpON Thev

pON

RnOFF

Thev

Si V OUT<V OHmin no podremos cargar nuestro inversor con ese circuito.

Gnd

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con cargas resistivas. Desafortunadamente no conocemos las impedancias de los transistores, slo conocemos los siguientes parmetros. I OLmax Mxima corriente que la salida puede absorber en estado bajo manteniendo una tensin de salida inferior a VOLmax I OHmax Mxima corriente que la salida puede generar en estado alto manteniendo una tensin de salida superior a VOHmin

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con cargas resistivas. Ejemplo: RThev=1K , VThev=3.5V VDD R 0V VOUT Si consideramos RpON0 I OH = RThev
+ -

5-V Thev RThev

=1.5mA

pON

I OH debe ser < I OHmax RnOFF V

Thev

Gnd

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con cargas resistivas. Continuacin del Ejemplo: RThev=1K , VThev=3.5V VDD R 5V VOUT Si consideramos RnON0 I OH = RThev
+ -

VThev RThev

=3.5mA

pOFF

Si I OH< IOHmax V y Si I OL< IOLmax

Thev

RnON

la puerta funcionar correctamente con esta carga

Gnd

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Fanout
Definicin: Es el nmero mximo de entradas con las que se puede cargar la salida de nuestra puerta lgica. IImax Es la mxima corriente de entrada que se necesita en la puerta de los transistores que forman la puerta lgica. I OLmax IILmax I OHmax IIHmax

Fanout=Min(

Para puertas CMOS IILmax = I IHmax

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico esttico

Comportamiento con entradas no ideales Si las entradas no son cercanas a las tensiones de alimentacin y tierra, los transistores no estn ni completamente abiertos, ni totalmente cerrados, de forma que los transistores en ON presentan una resistencia mayor de la ideal y los transistores en OFF menor. La potencia consumida es no nula, incluso sin carga y la salida no es la ideal Gnd

VDD R VIN VOUT= VDD RnVIN +Rp(VIN-VDD) RnVIN

p(VIN-VDD)

RnVIN

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Familias lgicas: CMOS Puertas NAND, NOR

A NOR B Salida A A B B Salida A B NAND

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Familias lgicas: CMOS Puertas NAND, NOR

Entradas sin usar. Ejemplo: Puerta AND de cuatro entradas, slo tenemos tres literales. F=ABC=1ABC VDD 1K 1 A B C F A B C Nunca dejar una entrada sin conectar. (al aire) F

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Tiempo de transicin: Es el tiempo que un circuito tarda en cambiar de estado. Es debido a que un cambio de estado requiere la carga de una serie de capacidades, entre las que cabe incluir: -La puerta de los transistores a la salida -Las capacidades del cableado -Los circuitos de entrada, el encapsulado,etc.... Transicin ideal Transicin real

Nivel alto Nivel bajo

Los tiempos tanto de subida como de bajada dependern de la capacidad de carga as como de la resistencia en ON de los transistores y del cableado.

tr

tf

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Anlisis de los tiempos de transicin

VDD Rp Circuito equivalente de carga RL CL

+ -

VIN

Rn

VL

Gnd

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Anlisis de los tiempos de transicin Carga de otra puerta CMOSRL = ,VL=0V Circuito equivalente de carga RL CL
+ -

VDD Rp

VDD Rp

VIN

Rn

VL

VIN

Rn

CL

Gnd

Gnd

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Anlisis de los tiempos de transicin

VDD Rp VOUT

Tiempo de subida
t RpONCL 1 e Vout = VDD

VIN

Rn

CL

Gnd t r = t 3.5 V t 1.5 V = 20 10 9 (ln(3.5 5) ln(1.5 5)) = 17ns

Ejemplo numrico Datos: VOLmax =1.5V VOHmin =3.5V R nON =200 CL =100pF

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Anlisis de los tiempos de transicin

VDD Rp VOUT

Tiempo de bajada
Vout = VDD e t RnONCL

VIN

Rn

CL

Gnd t f = t 1.5 V t 3.5 V = 10 10 9 (ln(3.5 / 5) ln(1.5 5)) = 8.5ns

Ejemplo numrico Datos: V OLmax =1.5V V OHmin =3.5V RnON =100 C L =100pF

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Retardo de propagacin Se define como el tiempo que transcurre desde que se produce un cambio en la seal de entrada hasta que ste se refleja en la salida Se suele dar desde el punto medio del flanco de subida o bajada de forma que se eliminan en lo posible los tiempos de transicin En caso de que se cargue una puerta en exceso los tiempos de transicin harn incrementar el retardo de propagacin. tpHL Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel alto a nivel bajo tpLH Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel bajo a nivel alto

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

Retardo de propagacin

tpHL

tpLH

t pHL

tpLH

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

1.-Se consume potencia cuando hay paso de corriente desde alimentacin a tierra cuando la tensin de entrada est lejos de la alimentacin y la tierra, es decir en las transiciones.
2 PT = C PD VDD f

Tiene magnitud de capacidad aunque no lo es. Viene dado por el fabricante

Tensin de alimentacin

Frecuencia de las transiciones

Esta frmula deja de ser correcta cuando las transiciones son muy lentas. Los fabricantes dan un tiempo mximo para estas de forma que si se excede, el valor de C PD no es correcto

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Familias lgicas: CMOS comportamiento elctrico dinmico

2.-Se consume potencia cuando cargamos la carga capacitiva a la salida. Esta capacidad es debida a las conexiones y a la impedancia de carga.
2 PL = C L VDD f

Capacidad que carga la salida de la puerta lgica.

Tensin de alimentacin

Frecuencia de las transiciones

Potencia total
2 PD = (C PD + C L ) VDD f

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Familias lgicas: CMOS

Dispositivos con entrada Schmitt-Trigger VOUT Funcin de Transferencia 5.0 Smbolo de un inversor Schmitt-Trigger

0.0

VIN 2.1 2.9 5.0

Este tipo de dispositivos son ms inmunes al ruido y son usadas ordinariamente para seales en lneas de transmisin.

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Familias lgicas: CMOS

Dispositivos con salida Three-State Smbolo de una puerta NAND con Enable Enable A B

A B Enable Salida Enable A B

Puerta NOR

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Familias lgicas: CMOS

Dispositivos con salida Three-State Tabla de verdad A B Enable Salida Enable A B Enable 0 0 0 0 1 1 1 1 A 0 0 1 1 0 0 1 1 B 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida Z Z Z Z 1 0 0 0

Puerta NOR

Z significa Alta Impedancia

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Familias lgicas: CMOS

Salidas en colector abierto VDD Smbolo de una puerta NAND con salida en colector abierto A B VOUT A B Gnd NAND Tabla de verdad A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 Salida Abierta Abierta Abierta 0 Z

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Familias lgicas: CMOS

Salidas en colector abierto VDD

Para el funcionamiento de estas puertas debe conectarse una resistencia de pull-up VOUT

A B Gnd NAND Su valor mximo vendr fijado por: I OLmax =VDD/R

pull-up

El valor de la resistencia que pongamos va a fijar: I OHmax=(VDD -V OHmin )/Rpull-up Rpull-upC carga t pLH

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Familias lgicas: TTL

Caractersticas diferenciadoras respecto a CMOS Los transistores usados son bipolares, esto implica: corrientes de entrada mucho mayores consumo de potencia en esttica mayor velocidad? Podemos apreciar en los niveles lgicos, que no son simtricos
VDD

Niveles lgicos indicativos para puertas TTL

Nivel alto, 1
VIHmin (2.0V) VILmax (0.8V) Gnd

VOHmin (2.7V)

Nivel bajo, 0

VOLmax (0.5V)

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Compatibilidad entre CMOS y TTL

-Hay una diferencia apreciable entre los niveles lgicos de ambos tipos de dispositivos. -Cuando cargamos una puerta CMOS con una TTL estamos exigiendo mayor corriente y por lo tanto los niveles lgicos de salida disminuyen -Las caractersticas que ofrecen los fabricantes, tanto para IOLmax y IOHmax como para VOLmax y VOHmin dependen del tipo de puerta con que estemos cargando. Ejemplo: Familia HC con VDD=5.0V Carga CMOS IOLmaxC VOLmaxC IOHmaxC VOHminC 0.02 mA 0.1 V -0.02 mA 4.9 V IOLmaxT VOLmaxT IOHmaxT VOHminT Carga TTL 4 mA 0.33 V -4 mA 4.3 V

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Compatibilidad entre CMOS y TTL

VDD

Nivel alto, 1

TTL

VOHmin (2.7V)

VIHmin (2.0V) VILmax (0.8V) Gnd VDD VIHmin(3.5V)

Nivel bajo, 0

VOLmax (0.5V)

Nivel alto, 1

VOHmin(4.3V)

CMOS

VILmax(1.5V) Gnd

Nivel bajo, 0

VOLmax(0.33V)

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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Familias CMOS actuales 4000 Son las primeras pero estn en desuso, admiten gran rango de alimentaciones y son muy robustas pero muy lentas. HC y HCT Las siglas significan High-speed CMOS y High-speed CMOS TTL-compatible AC y ACT Son mucho ms rpidas que las anteriores y eliminan el problema de la poca cantidad de corriente a la salida que eran capaces de suministrar HC y HCT sus siglas significan Advanced CMOS y Advanced CMOS TTL-compatible La nica diferencia de los dispositivos TTL compatibles con los que no lo son radica en los niveles lgicos a la entrada.

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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Familias CMOS actuales FCT y FCT-T Sali a principios de esta dcada reduce el consumo de potencia y disminuye los retardos. Ambas son TTL compatibles, la diferencia radica en que la segunda reduce el nivel de salida a nivel alto (como las TTL), reduciendo as ms el consumo de potencia. Importante FCT, FCT-T

Prestaciones
AC, ACT HC, HCT - Velocidad - Consumo

Precio

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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Familias TTL actuales S LS AS ALS F Shottky TTL Low-power Shottky TTL Advanced Shottky TTL Advanced Low-power Shottky TTL Fast TTL

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Compatibilidad entre CMOS y TTL

Salidas 5.0V
HC, HCT 3.98 AC, ACT 3.94

Entradas Nivel alto

3.15 HC, AC Margen de ruido V ILmax a nivel alto

VOHmin

LS, S , ALS, AS 2.7

Zona no vlida V
OLmax

2.0 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT 1.35 HC, AC 0.8 LS, S, ALS, AS, HCT, ACT Margen de ruido a nivel bajo

VIHmin

LS, S , ALS, AS 0.5 AC, ACT 0.37 HC, HCT 0.33

Nivel bajo

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Familias lgicas: ECL

Produce diferencias de tensin pequeas, menores de 1 voltio, entre los niveles alto y bajo. Sus niveles de alimentacin son 0V y entre -4.5 y -5.2V V IHmax -0.810 V IHmin -1.105 V ILmax -1.475 V ILmin -1.850 -0.810 V OHmax -0.980 V OHmin -1.630 V OLmax -1.850 V OLmin

Las potencias consumidas son altas >20mW por puerta Los retardos y tiempos de transicin son muy bajos 1ns

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Familias lgicas: Generalidades

Modelo de caja negra: Los parmetros descritos anteriormente van a ser tiles para cualquier familia lgica, no necesitamos saber como est estructurado internamente un dispositivo sino cuales son sus parmetros de funcionamiento. Alimentacin VIHmin VILmax IIHmax IILmax CINtyp VOHmin VOLmax IOLmax IOHmax

. . .
Entradas Salidas Alimentacin

tPLH tPHL

Fanout