FOTORESISTENCIAS

Camacho Cocom Benjamin Enrique

Martin del Campo Rodrguez Juan Manuel Martnez Aguirre Jorge Eduardo

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

Cuando se aade suficiente energa, por cualquier medio, a un material, los electrones de valencia escapan de sus tomos y se convierten en electrones libres. Por definicin, un hueco es la ausencia de un electrn; por lo tanto, por cada electrn libre que se crea, se crea tambin un hueco libre. La energa necesaria para ello es del orden entre 0.2 y 3 eV. dependiendo del material (Tabla 1), por lo tanto, una radiacin de longitud de onda entre 400 y 6,000 nm es adecuada.

Se observar que no es necesaria ninguna unin entre estos dispositivos, basta con una capa de material fotoconductor, cuya resistencia decrece (o cuya conductancia aumenta) proporcionalmente a la intensidad de la luz.

El campo aplicado es necesario para que los electrones circulen a travs del detector y el circuito exterior, recombinndose con los huecos que existen en el extremo negativo del fotoconductor.

La idea bsica de todo fotodetector de una pieza, o de unin, es convertir la luz en una seal elctrica, o recoger los fotones incidentes en el detector con la menor reflexin posible y extraer de un modo eficiente los electrones libres resultantes.

Para conseguir esto, el fototransductor debe hacerse de un material prcticamente transparente a las longitudes de onda que interesen, con un intervalo de energa menor que la energa del fotn. Es necesario un potencial exterior (o interno, autogenerado) para extraer la corriente inducida por la luz.

SMBOLO, ESTRUCTURA INTERNA Y

FABRICACIN

El dispositivo est fabricado depositando, por evaporacin, el material fotoconductor sobre un sustrato de cermica. Para completar el dispositivo se aaden electrodos metlicos y se encierra en una cpsula con una ventana transparente.

Los materiales que se comportan con estas caractersticas son:

- En el espectro visible. + Sulfuro de Cadmio - CdS. + Seleniuro de Cadmio - CdSe.

- En los Infrarrojos. + Silicio - Si . + Sulfuro de Plomo - PbS. + Seleniuro de Plomo - PbSe.

La variacin de la resistencia de un fotoconductor con la radiacin es casi exponencial como se muestra en el ltimo dato, siendo la relacin entre las resistencias en oscuridad y con luz, del orden de 1,000:

CURVAS Y CARACTERSTICAS

El tiempo de cada es considerablemente ms largo porque lleva ms tiempo a los electrones en volver a la banda de valencia, debido a las imperfecciones cristalinas.

Los fotoconductores resistivos tienen coeficientes de temperatura que varan considerablemente con el nivel de la luz y con el material, como se muestra en la Figura

Los fotorresistores tienen un efecto de memoria a la luz; es decir, su resistencia especfica depende de la intensidad y duracin de una exposicin previa y al tiempo transcurrido desde una exposicin anterior.

CARACTERSTICAS DE LAS
FOTORRESISTENCIAS

Las principales caractersticas de las fotorresistencias son:

1. Resistencia de oscuridad, valor de la resistencia despus de 20 seg. En la oscuridad (104 RD 109). 2. La disipacin mxima, (50 mW 1W). 3. Resistencia de iluminacin(100 Lux), (10 RI 5x103). 4. Voltaje Mximo, (600V). 5. Respuesta Espectral. 6. Tiempo de respuesta, ( su principal desventaja).

Los fotoconductores resistivos tienen las siguientes ventajas:

1. Alta sensibilidad (debido a la gran superficie). 2. Fcil empleo. 3. Bajo costo. 4. No hay potencial de unin. 5. Alta relacin resistencia luz-oscuridad.
Sus inconvenientes son:

1. Respuesta espectral estrecha. 2. Efectos de histresis. 3. Estabilidad por temperatura baja para los materiales ms rpidos. 4. Respuesta lenta en materiales estables. 5. Falta de linealidad entre resistencia e iluminacin.

HOJAS CARACTERSTICAS

El lux es una unidad derivada, basada en el lumen, que a su vez es una unidad derivada basada en la candela.
Un lux equivale a un lumen por metro cuadrado, mientras que un lumen equivale a una candela x estereorradin. El flujo luminoso total de una fuente de una candela equivale a 4 lmenes (puesto que una esfera comprende 4 estereorradianes).

APLICACIONES Y EJEMPLOS

Los campos de ms aplicacin de los fotorresistores son: medida de luz de poca precisin y econmica, troceador para amplificadores de c.c. de bajo nivel, y control de alarma y de rels