Tecnologia de Circuitos Integrados (2013) PDF

Universidad Nacional de La Matanza Arquitectura de Computadoras (1109)
Prof. Titular Ing. Fernando I. Szklanny Autores: Ing. Carlos Rodriguez, Lic. Carlos Maidana, Jair Hnatiuk
Introduccin a la tecnologa de circuitos integrados

1
Primera Parte: Dgitos binarios, niveles lgicos y formas de onda

2
Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk
Dgitos binarios
Los sistemas digitales son de comportamiento binario. Los dos dgitos del sistema binario se denominan bits, y se representan fsicamente como dos valores distintos de una magnitud fsica, como puede ser una tensin elctrica. Un 0 se representa como un nivel de tensin cercano al cero que se denomina BAJO (low) y un 1 se representa como un nivel de tensin ms elevado que se denomina ALTO (high).
Esta convencin recibe el nombre de lgica positiva ALTO (high) = 1 BAJO (low) = 0
Existe otra convencin, actualmente de menor uso, denominada lgica negativa, en la que un 1 se representa como un nivel bajo y un 0 como un nivel alto. 3
Niveles Lgicos
Las tensiones que se utilizan para representar los unos y ceros reciben el nombre de niveles lgicos.
Hasta el momento hemos idealizado la idea del nivel alto y el nivel bajo como una nica tensin fija e invariable, pero en la prctica esto resulta imposible ya que en cualquier circuito electrnico existen tolerancias.
Estas tolerancias obligan a definir un nivel alto como el rango de tensiones comprendidas entre un mximo(VH(mx)) y un mnimo (VH(mn)) y a un nivel bajo como el rango de tensiones comprendidas entre un mximo (VL(mx)) y un mnimo (VL(mn)) .
Niveles Lgicos
Entre los niveles definidos para alto y bajo no debe existir solapamiento. Es decir, el nivel (VL(mx)) nunca debe ser superior al (VH(mn)) .
Los valores de tensin comprendidos entre (VL(mx)) y (VH(mn)) no son aceptables y pueden ser interpretados por los circuitos, arbitrariamente, como un valor alto o como un valor bajo.
Niveles Lgicos
VH(mx) ALTO (1 binario) VH(mn) Inaceptable VL(mx) BAJO (0 binario) VL(mn)
Formas de onda digitales

Las seales digitales consisten en niveles de tensin que varan entre los niveles definidos como ALTO y BAJO. Se denomina pulso a una seal elctrica que se mantiene mayormente en uno de sus niveles (inactivo), yendo al otro nivel (activo) en forma temporaria. Se denomina pulso positivo a aquel cuyo nivel inactivo es el nivel bajo (0). Por su parte se denomina pulso negativo al que presenta el nivel alto (1) como nivel inactivo.

Pulsos Positivos y Pulsos Negativos
ALTO (H) Flanco ascendente anterior BAJO (L) Flanco descendente posterior ALTO (H) Flanco descendiente anterior BAJO (L) Flanco ascendente posterior
t0
t1
t0
t1
Impulso positivo
Impulso negativo
Impulsos ideales

Caractersticas de un pulso no ideal

Vin Vout
Vin
tphl tplh
50% A
Vout
50% A
10

Caractersticas de las formas de onda
Se denomina amplitud de una seal a la altura o mximo valor del impulso medido desde su nivel ms bajo. Una seal peridica es aquella que se repite a intervalos de tiempo fijo. Este intervalo de tiempo se denomina perodo (T) y se mide en segundos Una seal no peridica es aquella que est compuesta por distintos anchos de pulso y/o intervalos diferentes entre impulsos. La frecuencia (f) es la velocidad en la que se repite el perodo y se mide en Hertz (Hz). Se define como la inversa del perodo.
1 [seg] T = f
1 [Hz] f = T
11

Ejemplo de seal peridica y seal no peridica
A T1 T2 T3 T4 T5 Frecuencia = 1 / T
Perodo = T1 = T2 = T3 = T4 = T5 = . . . = Tn (a) Peridica (onda cuadrada)
(b) No peridica
12

Ciclo de trabajo (duty cycle)
Se define como ciclo de trabajo (tambin ciclo de actividad o de servicio) a la razn entre el ancho del pulso (tw) y el perodo (T), normalmente expresado como porcentaje.
tw Ciclo de trabajo (%) = ( ) 100 T

13

Determinar en la siguiente seal: a) Perodo (T), frecuencia (f) y duty cycle (dc)
tW T
t (ms) 0 1 10 11
T = 10 mseg Dc % =
1 f= = 10 mseg
1 = 100 Hz 10 x 10-3 seg
tw x100 = t
1 mseg 10 mseg x 100 = 10 %

14

Cronogramas o diagramas de tiempo
Definicin: Un diagrama de tiempo es un grfico de formas de onda digitales que muestra la relacin temporal real entre dos o ms seales, y como vara cada seal en relacin con las dems.
15

Perodo de bit
1 Reloj 0
1 A 0
Secuencia de bits que representa la seal A
Reloj
1
A
16
Segunda Parte Tecnologa de los Materiales Semiconductores

17
Introduccin:
Los materiales pueden agruparse, de acuerdo a su capacidad para conducir la electricidad, en:
Conductores
Semiconductores Aislantes.
18
Niveles de Energa
Por qu conducen electricidad los materiales conductores?
Para contestar esta pregunta debemos analizar como estn compuestos los materiales. Los materiales estn compuestos por tomos. Un tomo consiste en un ncleo que tiene cargas positivas y electrones que se mueven alrededor del ncleo en trayectorias elpticas. Estos se distribuyen en capas. Los electrones de la capa ms externa se conocen como electrones de valencia. Cuando un elemento como el silicio (en estado puro) se enfra desde su estado lquido, sus tomos se ordenan en patrones que se llaman cristales.
19
Los tomos de silicio tienen cuatro electrones de valencia cada uno. Por lo tanto, cada tomo se acomoda compartiendo esos electrones de valencia con sus tomos vecinos. Este efecto se denomina enlaces covalentes y permiten mantener unida la red.
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
20
Aunque los electrones de valencia son retenidos con fuerza en la estructura cristalina, pueden romper sus enlaces y moverse en forma de conduccin. Esto es posible si se proporciona suficiente energa externa (en forma de luz o calor). Debido a la interaccin entre tomos en un cristal, es posible que los electrones de valencia posean niveles de fuente de energa dentro de un intervalo de valores. Cuanto ms lejos se encuentre un electrn del ncleo, mayor ser su nivel de energa. As como existe un intervalo o banda de fuente de energas para los electrones de valencia, hay otro intervalo de valores de fuente de energa para los electrones libres ( aquellos que rompen el enlace y forman un canal de conduccin ).
21
En la figura se presentan los tres diagramas de niveles de fuente de energa. La regin en blanco representa la banda prohibida de niveles de fuente de energa en la que no existen electrones. Cuando esta banda es relativamente grande el material es aislante. Si la banda es ms pequea ( del orden de un electrn volt (eV)) el resultado es un semiconductor. Cuando las bandas se solapan el material es conductor y permite que se muevan cargas elctricas cuando existe una diferencia de potencial.
22
Conduccin en materiales semiconductores

En el tomo de silicio los electrones se mantienen juntos con suficiente fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad dentro del tomo, mientras que los electrones de valencia son parte del enlace covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de energa. Una forma de energa es calentar el material. A temperatura cero absoluto no se pueden romper los enlaces covalentes , por lo tanto no existen electrones disponibles en la banda de conduccin. Por esta causa no puede existir corriente y el semiconductor se comporta como un aislante.
23
El calor y otras fuentes de energa provocan que los electrones en la banda de valencia rompan enlaces covalentes y se conviertan en electrones libres en la banda de conduccin. Por cada electrn que deja la banda de valencia se forma un hueco (laguna). Un electrn cercano a la banda de valencia puede moverse y llenar el hueco, creando otro, prcticamente sin intercambio de energa. El movimiento de electrones entre enlaces covalentes contribuye a la conduccin.
| |
+4
| |
+4
| |
+4
Electrn
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
24
Semiconductores contaminados
En un semiconductor puro (casos analizados hasta ahora) el nmero de huecos es igual al de los electrones. La conductividad de un semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se le introducen pequeas cantidades de impurezas especficas en un cristal. Este proceso se llama contaminacin. Si la sustancia contaminante tiene electrones libres extra se conoce como donador y el semiconductor contaminado es del tipo n. Si la sustancia contaminantes tiene huecos extra se conoce como receptor y el semiconductor contaminado es del tipo p.
25
Electrn Electrn libre libre | |

+4
Enlace Enlace covalente covalente libre libre o o huevo huevo | |

+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+5
| |
+4
| |
+4
| |
+3
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
| |
+4
26
Juntura PN. Diodo.

En la figura se muestran dos tipos de materiales, uno P y otro N, los que han sido ubicados uno junto al otro para formar una unin. Esto representa un modelo bsico y simplificado de construccin del diodo. En la realidad un diodo se construye sobre una sola pieza de silicio a la que se le adicionan impurezas P de un lado e impurezas n del otro extremo. A este proceso se lo denomina juntura.
Modelo simplificado del diodo Material de tipo p +
p
Material de tipo n n
27
Regiones desrticas ID IS p n p IS n p ID IS n ID
Regin desrtica
+
V-
V+
(c)
(a)
(b)
28
En una juntura existir una regin desrtica entre los materiales P y N. Este fenmeno se debe a la existencia de huecos y electrones donde se unen los materiales. Esta regin tendr muy pocos portadores. Los portadores minoritarios a cada lado de esta regin (electrones en la regin P y huecos en la region N) se trasladarn hacia el otro lado y se combinarn con iones en el material. De la misma forma, los portadores mayoritarios (electrones en la N y huecos en la P) se movern a travs de la unin. Estos dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y electrones a travs de la unin se suman para formar la corriente de difusin ID .El sentido de circulacin es del lado P al N. Existe adems una corriente C provocada por el desplazamiento de portadores minoritarios a travs de la unin. Cuando el diodo no est polarizado (circuito abierto) ID = IS.
29
Si se aplica un potencial positivo al material P en relacin al material N (figura b) se dice que el diodo est polarizado en directa, disminuyendo la regin desrtica debido a la atraccin de portadores mayoritarios al lado opuesto (potencial negativo a la derecha atrae huecos a la regin P y viceversa). Cuando se polariza en directa
ID - IS.= I
Si se aplica la tensin en forma inversa el diodo se dice que est polarizado en inversa. Los electrones libres se trasladan del material N hacia la derecha y los huecos hacia la izquierda, provocando un ensanchamiento de la regin desrtica. Cuando se polariza en inversa
IS - ID.= I
30
Transistores bipolares (de juntura)
31
Transistores bipolares de juntura (TBJ)
El transistor bipolar o de juntura es un elemento semiconductor que posee tres terminales y est compuesto por dos porciones de material N y una de material P, (los llamaremos transistores NPN) o bien dos porciones de material P y una de N (los llamaremos transistores PNP). Su configuracin permite asemejarlos a un par de diodos con un terminal comn a ambos. Cada una de esas porciones de material recibe un nombre. La regin central es la base, un extremo el emisor, y el otro extremo, un poco ms grande en superficie, el colector.
32
Diagramas de transistores y smbolos de circuito

Base Base Colector
p
Emisor
p
Colector
Emisor
Base
n
Emisor
n
Colector
Base
Colector
Emisor
n
Regin desrtica
33
Saturacin Rc Rb + Vbb Vcc + -
Ic
Vce Corte
34
Funcionamiento del transistor en conmutacin

La operacin bsica de conmutacin es la siguiente: cuando la base est aproximadamente 0,7 V por encima del emisor y se proporciona una corriente suficiente en la base, el transistor para del estado de corte al de saturacin. El estado de saturacin implica una circulacin de corriente desde el colector al emisor, siendo la diferencia de potencial entre estos terminales de casi cero Volt, de forma similar al comportamiento de un interruptor mecnico cerrado. El estado de corte implica que no circula corriente entre los terminales colector - emisor, siendo la diferencia de potencial entre estos terminales igual al valor de la tensin de la fuente de alimentacin, de forma similar al comportamiento de un interruptor mecnico cerrado.
35
36
Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ TSTG Parameter Collector-Base Voltage: : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Collector-Emitter Voltage : BC546 : BC547/550 : BC548/549 Emitter-Base Voltage : BC546/547 : BC548/549/550 Collector Current (DC) Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Value 80 50 30 65 45 30 6 5 100 500 150 -65 ~ 150 Units V V V V V V V V mA mW C C
Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted

Symbol ICBO hFE VCE(sat) Parameter Collector Cut-off Current DC Current Gain Collector-Emitter Saturation Voltage Test Condition VCB=30V, IE=0 VCE=5V, IC=2mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA VCE=5V, IC=2mA VCE=5V, IC=10mA VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz VCB=10V, IE=0, f=1MHz VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz VCE=5V, IC=200A F=1KHz, RG=2K VCE=5V, IC=200A RG=2K , f=30~15000MHz Min. 110 90 200 700 900 660 300 3.5 9 2 1.2 1.4 1.4 Typ. Max. 15 800 250 600 700 720 6 10 4 4 3 Units nA mV mV mV mV mV mV MHz pF pF dB dB dB dB
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage VBE(on) fT Cob Cib NF Base-Emitter On Voltage Current Gain Bandwidth Product Output Capacitance Input Capacitance Noise Figure : BC546/547/548 : BC549/550 : BC549 : BC550
580
HFE Classification
Classification hFE A 110 ~ 220 B 200 ~ 450 C 420 ~ 800
37
Transistores unipolares (efecto de campo)
38
39
40
SiO2 Fuente Puerta
Canal fundido
Aluminio Drenador
p (substrato)
41
SiO2 Fuente Puerta (-) Drenador
p (substrato)
42
43
Tercera parte: Tecnologas de circuitos integrados digitales
44
Compuertas Lgicas
45
Parmetros estticos de una compuerta
46
Parmetros de tensin y corriente

VDD IDD IOH IIH
VSS
VOH
VIH
IDD Corriente del dispositivo en reposo IOH Corriente de salida de Nivel Alto IIH Corriente de entrada de Nivel Alto VOH Tensin de salida de Nivel Alto VIH Tensin de entrada de Nivel Alto
47
Parmetros de tensin y corriente

VDD IDD IOL IIL
VSS
VOL
VIL
IDD Corriente del dispositivo en reposo IOL Corriente de salida de Nivel Bajo IIL Corriente de entrada de Nivel Bajo VOL Tensin de salida de Nivel Bajo VIL Tensin de entrada de Nivel Bajo
48
Margen de ruido
VNH = VOH(mn) - VIH(mn) VNL = VIL(mx) - VOL(mx)
Margen de ruido en corriente alterna
Resulta importante tener en cuenta el ancho del pulso, ya que si este es demasiado corto puede que el circuito no responda ,pudindose incrementar la amplitud de ellos sin que se produzca variacin en la salida.
49
50
Factor de carga de salida (fan out)

Cuando se conecta la salida de una compuerta a la entrada de otra, se produce una circulacin de corriente.
51
Existe un lmite para el nmero de entradas conectadas a una salida, el que se conoce como fan-out o factor de cargabilidad. Para determinar el fan-out de una compuerta debemos conocer los valores de sus corrientes de entrada y salida. El fan-out para el estado de salida ALTO se obtiene como: IOH(mx) / IIH (mx) Mientras que el fan-out para el estado de salida BAJO se obtiene como: IOL(mx) / IIL (mx)
52
Disipacin de potencia
Una compuerta requiere de la fuente de alimentacin una cierta corriente para permitir su funcionamiento. Esta corriente depende del estado de salida. Cuando la salida de una compuerta est en estado alto circula una corriente I CCH, mientras que, cuando el estado de salida es bajo, circula una corriente ICCL. Para calcular la disipacin de potencia de una compuerta en un estado esttico (sin cambios)se deben tomar los siguientes parmetros
PDH = VCC * ICCH

donde VCC es la tensin de alimentacin de la compuerta e I CCH es la corriente en alto dela compuerta y PD es la potencia disipada 53 de la Carlos compuerta. Autores: Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk
La disipacin de potencia media depende del ciclo de trabajo: Habitualmente se la especifica para un ciclo de trabajo del 50%, por lo que la corriente de alimentacin media ser: Pdm = Vcc . (IccH + IccL) 2 Para un ciclo de trabajo diferente al 50% la potencia media disipada ser: Pdm = Vcc . (IccH t H+ IccLt L ) t H+ t
L
54
Escalas de Integracin
Escala de Integracin Small Medium Large Very Large Ultra Large SSI MSI LSI VLSI ULSI Compuertas < 12 12 ~ 99 100 ~ 999 1000 ~ 99999 > 100000
55
Familias lgicas
56
BIPOLAR TTL
(lgica transistor transistor)
Tecnologa UNIPOLAR FET

(Transistor de efecto de campo)
NMOS PMOS CMOS

57
TTL
ECL
Estndar (SN xxxx) Bajo Consumo (74L xxxx) Alta Velocidad (74H xxxx) Schottky (74S xxxx) Schottky bajo consumo (74LS xxxx) Schottky avanzado (74AS xxxx) Schottky avanzado bajo consumo (74ALS xxxx) Acoplados por emisor
58
4000 74C xxxx (Compatible pin a pin con TTl) CMOS 74HC xxxx (Mayor velocidad compatible con la 74LS de TTL) 74HCT xxxx (Mayor velocidad compatible con los niveles de tensin de TTL)
59
60
Parmetros estticos
Parmetros dinmicos
61
Niveles lgicos de la familia TTL
5V
Entrada
1 lgico (ALTO) VIH 2V No permitido VIL 0,8 V 0V 0 lgico (BAJO)
VIH Mx
5V VOH 2,4 V
Salida 1 lgico (ALTO) VOH Mx VOH Mn
VIH Mn VIL Mx VIL Mn
No permitido VOL 0,4 V 0 lgico (BAJO) 0V

VOL Mx VOL Mn
62
Niveles lgicos de los circuitos CMOS

(a) +5 V CMOS VIH 3,5 V No permitido 1,5 V VIL 0V
Entrada VIL Mx
5V
Entrada
5V VOH
VIH Min
Salida
1 lgico (ALTO)
4,4 V
1 lgico (ALTO)
VOH Min
No permitido
0 lgico (BAJO)
VOL
0,33 V 0 lgico (BAJO) 0V

Salida 1 lgico (ALTO)
VOL Mx
(b) +3,3 V CMOS VIH
3,3 V
3,3 V VOH
VIH Min
1 lgico (ALTO) 2V No permitido 0,8 V

VIL Mx
2,4 V
VOH Min
No permitido
VIL 0V
0 lgico (BAJO)
VOL
0,4 V 0 lgico (BAJO) 0V
VOL Mx
63
Determinacin de los mrgenes de ruido de los niveles alto y bajo para la familia TTL
VIH(mn) = 2V VIL(mx) = 0,8V VOH(mn) = 2,4V VOL(mx) = 0,4V VNH = VOH(mn) - VIH(mn) = 2,4V - 2V = 0,4V VNL = VIL(mx) - VOL(mx) = 0,8V - 0,4V = 0,4V
64
Determinacin de los mrgenes de ruido de los niveles alto y bajo para la familia CMOS Vdd=5V
VIH(mn) = 3,5V VIL(mx) = 1,5V VOH(mn) =4,4V VOL(mx) =0,33V VNH = VOH(mn) - VIH(mn) = 4,4V - 3,5V = 0,9V VNL = VIL(mx) - VOL(mx) = 1,5V - 0,33V = 1,17V
65
Familia lgica TTL Circuito inversor TTL estndar
66
Circuito inversor con salida de colector abierto
67
Circuito con salida de tres estados
68
Circuito lgico de una compuerta inversora CMOS
Vss
69
Tecnologas de circuitos integrados digitales

Anlisis comparativo
70
Comparacin entre familias lgicas

74HC Disipacin de potencia (mw) Retardo de propagacin (ns) Velocidadpotencia (pj) Mxima frecuencia de reloj (MHz) Margen de ruido <1 8 1,4 4000B <1 50 5 74 10 9 90 74S 20 3 60 74LS 2 9,5 19 74AS 8 1,7 13,6 74ALS 1,2 4 4,8 ECL 40 1 40
40
12
35
12,5
45
200
70
300
0,9
1,5
0,4
0,3
0,3
0,3
0,4
0,25
71
74
Parmetros de funcionamiento Retardo de propagacin (ns) Disipacin de potencia (mW) Producto velocidad-potencia (pJ) Mxima frecuencia del reloj (MHz) Factor de carga de la salida (para la misma serie) Parmetros de voltaje VOH (mn) VOL (mx) VIH (mn) VIL (mx)
74L
74H
74S
74LS
74AS
74ALS
9 10 90 35 10
33 1 33 3 20
6 23 138 50 10
3 20 60 125 20
9.5 2 19 45 20
1.7 8 13.6 200 40
4 1 4.8 70 20
2.4 0.4 2.0 0.8
2.4 0.4 2.0 0.7
2.4 0.4 2.0 0.8
2.7 0.5 2.0 0.8
2.7 0.5 2.0 0.8
2.5 0.5 2.0 0.8
2.5 0.4 2.0 0.8
72
Familia 74 74AS 74ALS 74S 74LS ECL
T( ns)pd 9 1.7 4 3 9.5 1
Pd (mW) 10 8 1.2 20 2 40
Margen de ruido (mV) 400 300 400 300 300 250
Frecuencia de Ck (MHz) 35 200 70 125 45 600
73

Tecnologia de Circuitos Integrados (2013) PDF

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tecnologia de Circuitos Integrados (2013) PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Universidad Nacional de La Matanza Arquitectura de Computadoras (1109)

Introduccin a la tecnologa de circuitos integrados

Primera Parte: Dgitos binarios, niveles lgicos y formas de onda

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Perodo = T1 = T2 = T3 = T4 = T5 = . . . = Tn (a) Peridica (onda cuadrada)

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

tw Ciclo de trabajo (%) = ( ) 100 T

Formas de onda digitales

1 = 100 Hz 10 x 10-3 seg

1 mseg 10 mseg x 100 = 10 %

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Formas de onda digitales

Secuencia de bits que representa la seal A

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Segunda Parte Tecnologa de los Materiales Semiconductores

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Conduccin en materiales semiconductores

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Electrn Electrn libre libre | |

Enlace Enlace covalente covalente libre libre o o huevo huevo | |

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Juntura PN. Diodo.

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Transistores bipolares (de juntura)

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Transistores bipolares de juntura (TBJ)

Diagramas de transistores y smbolos de circuito

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Saturacin Rc Rb + Vbb Vcc + -

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Funcionamiento del transistor en conmutacin

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Absolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted

Electrical Characteristics Ta=25C unless otherwise noted

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Transistores unipolares (efecto de campo)

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk

SiO2 Fuente Puerta

Autores: Carlos Rodriguez - Carlos Maidana - Jair Hnatiuk