DISEO VLSI

PARMETROS DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS PMOS

Ejemplo: NAND PMOS

Voltajes y corrientes
( ( ( ( ) ) ) )

Capacidad de salida 100 Demoras en la propagacin El tiempo de propagacin es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V. Como podemos ver, mientras VDD sea mayor podemos operar en frecuencias ms elevadas. Por supuesto, mientras ms grande sea VDD se producir una mayor disipacin de potencia.

Requisitos de energa

Inmunidad al ruido Con VDD = 5 V, los mrgenes de ruido son 1.5 V

( ) ( )

Referencia: http://www.monografias.com/trabajos45/familias-logicas-electronica/familias-logicaselectronica3.shtml

Parmetros de los circuitos integrados PMOS Ejemplo: Puerta lgica de cociente, aumentando el cociente disminuye la tensin de salida mejorando as las caractersticas de transferencia y la inmunidad al ruido.

Voltajes y corrientes
( ( ( ( ) ) ) )

Capacidad de salida

Demoras en la propagacin

Requisitos de energa

Inmunidad al ruido Con VDD = 5 V, los mrgenes de ruido son 1.5 V