TRANSISTOR JFET EN DC

DAVID CHAMORRO ARIAS CAMILO NARANJO ANDRS PATIO

Presentado a FACTOR MAURICIO MONAGAS LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA

INSTITUTO TECNOLOGICO METROPOLITANO FACULTAD DE INGENIERIAS MEDELLIN, ANTIOQUIA 2013

TRANSISTOR JFET EN DC

Informe. Simulacin Grafica 1. Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar

TABLA 1.
VGS 0V -200 mV -400 mV -800 mV -1,2 V -1,6 V -2 V VDS 9,616 V 9,532 V 9,442 V 9,241 V 9,145 V 9,128 V 9,120 V ID -3,841 mA -4,677 mA -5,582 mA -7,586 mA -8,548 mA -8,717 mA -8,803 mA

0 -0,2 -0,4 -0,8 -1,2 -1,6 -2

Valores simulados VGS, VDS, y ID variando VS1 de 0 a -2,0 en la tabla se observan los siguientes resultados: TABLA 2.
ID(mA) -3,841mA -4,677mA -5,582mA VDS(V) 9,616V 9,532V 9,442V

-7,586mA -8,548mA -8,717mA -8,803mA

9,241V 9,145V 9,128V 9,12V

Conclusiones El grupo de trabajo determin las caractersticas del JFET y comprob experimentalmente el comportamiento del transistor. El transistor JFET es un dispositivo semiconductor en el que la corriente fluye por una zona denominada canal que une las terminales SOURCE y DRANE. Esta corriente se controla mediante un campo elctrico originado por una tensin aplicada en un tercer terminal denominado GATE.

Referencias Bibliogrficas Boylestad, R., Nashelsky, L. (2009) Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Mxico: Pearson Educacin. 10 ed. Malvino, A. P., & Bates, D. J. (2007). Principios de electrnica (sptima ed.). Madrid: McGraw-Hill, 964p. Jaeger, R. C., & Blalock, T. N. (2005). Diseo de circuitos microelectrnicos (segunda ed.). Mxico: McGraw-Hill, 967p. Zbar, P., Malvino, A. P., & Miller, M. A. (2001). Prcticas de electrnica (sptima ed.). Mxico: Alfaomega, 380p.