FACULTAD DE INGENIERA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIAR MECNICA ELCTRICA Y ENERGTICA CURSO ELECTRNICA DE POTENCIA

PRACTICA DE LABORATORIO N 2

TRANSISTORES BJT

ESTUDIANTE: De La Fuente Vigil Andrs Jos DOCENTE: Vlez Cornejo Jomayra

Fecha:
14 de Mayo Del 2013

Nota

LABORATORIO N 03

I.

TITULO DETERMINACIN DE LA CURVA CARACTERSTICA DE ENTRADA Y DE CONTROL DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR, Y SUS CARACTERSTICAS.

II.

OBJETIVO Familiarizarse con los transistores, la identificacin de sus terminales, estudiar y determinar las caractersticas tcnicas del transistor. Estudiar el funcionamiento del transistor. Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarizacin y comprobar las caractersticas de los transistores.

III.

FUNDAMENTO TERICO: Los transistores son componente semiconductores que tienes 3 terminales (patillas), que se denominas emisor (E), colector (C) y base (B), cada una de las patillas estn conectadas a un bloque con material semiconductor, que puede ser tipo N o P. Las tres regiones que se forman y los terminales extrados desde ellas se denominan de la siguiente forma: E: Emisor. Es una regin muy dopada. Su nombre se debe a que funcionan como emisor de los portadores de carga. Cuanto ms dopaje tenga el emisor, mas cantidad de portadores podr aportar a la corriente. B: Base. Es la regin central, estrecha y poco dopada, que se encarga de controlar el paso de los portadores. Con estas caractersticas conseguimos que en esta zona exista poca recombinacin, y prcticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al colector. Notar que si esta zona es estreche, el dispositivo podra no funcionar como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos en oposicin. C: Colector. Es la regin unida a la base, de extensin ms amplia, cuyo objeto es captar los portadores inyectados en dicha regin desde el emisor. La funcin que realiza el transistor es bsicamente amplificar; una pequea corriente de entrada permite el control de una corriente de salida mucho mayor. Aparecen dos tipos de transistores bipolares: los NPN y los PNP, cuya simbologa se muestra en la figura N 1. Como se puede ver, la simbologa entre PNP y NPN solo varia en el sentido de la flecha del emisor. A efector prcticos, los dos realizan la misma funcin, pero las polaridades de las tenciones para su funcionamiento son diferentes. Normalmente, el ms utilizado es el NPN, pero se utilizan los dos tipos segn la amplificacin.

FIGURA N 1: Simbologa del transistor bipolar (BJT), en sus dos tipos (NPN y PNP). Es el componente fundamental en la electrnica; su funcin bsica es amplificar. Para las tensiones y corrientes indicadas en los smbolos de los transistores, tanto del NPN como del PNP, se cumple:

IE=IC+IB, VCE=VCB+VBE
Este transistor recibe el nombre de BIPOLAR por el hecho de que la corriente que atraviesa est formada por dos tipos de portadores: mayoritarios al atravesar las regiones de emisor y colector, y minoritarios en la base. COMPONENTES DE LA CORRIENTE DEL TRANSISTOR. Sabemos que el diodo aproximadamente la unin PN se comportaba como un cortocircuito (V0), o bien como un circuito abierto (I=) dependiendo de si estaba polarizado en directa o en inversa, respectivamente. El transistor est formado por dos uniones PN, por lo que pueden conseguirse cuatro combinaciones de polarizacin posibles: Cuadro N 1 Unin E-B Directo Directo Inverso Inverso Unin C-B Directo Inverso Inverso directo Zona de funcionamiento Saturacin Activa Corte Activa inversa Modelo aproximado Cortocircuito Amplificador Circuito abierto No se utiliza

Polarizacin del transistor bipolar en zona activa.

Con el transistor bipolar en zona activa, la unin base-emisor (B-E) estar polarizada en directa y la base-colector (B-C) en inversa. El efecto transistor consiste en que la mayor parte de los portadores mayoritarios inyectados desde el emisor en la base (corriente en directa de la unin E-B), no se recombinan en esta regin poco dopada y muy estrecha, y por la polarizacin son arrastrados, al igual que los portadores minoritarios de la misma, hacia el colector

formando parte de la corriente inversa de la unin B-C. la pequea parte que se recombinan en la regin de base forma parte de la corriente de base.

FIGURA N 2: representacin simplificada del efecto transistor (amplificacin). Hay que tener en cuenta que las variaciones de corriente aplicadas en la base(IB) determinan unas corrientes de colector-emisor (CE) mucho mayores; pero que son fiel reflejo a la corriente de base. O sea, la forma de onda y frecuencia de la corriente de base es obtenida en el colector con una amplitud mucho mayor; esto es un efecto de amplificacin. Por eso, si aplicamos una dbil seal elctrica de entrada procedente de un micrfono, de una antena, de una pastilla de guitarra, etc., a la base de un transistor, se obtiene una seal de salida igual a la entrada (forma de onda y frecuencia) pero de mayor amplitud; se logra una amplificacin de la seal de entrada. Nota: En esta prctica estudiaremos el transistor NPN ya que los dos transistores utilizados resultaron ser de este tipo.

El transistor NPN La constitucin fsica del transistor bipolar NPN (el ms usual de todos) se basa en dos zonas de material tipo N separadas por una zona de material tipo P. Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B, C). El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. Unin emisor: es la unin pn entre la base y el emisor. Unin colector: es la unin pn entre la base y colector. Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos que el colector o emisor. La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.

FIGURA N 3: representacin de corriente entre cada terminal (BCE)

FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn

En el montaje EC de la figura, se polariza directamente la unin Base- Emisor; e inversamente la unin Base-Colector. Se polariza el BJT si Vbe aprox. 0,6 voltios (polarizacin directa), y Vce > Vbe (unin base-colector en inversa). La corriente de emisor es aquella que pasa por la unin base-emisor polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.

FIGURA N 4: representacin de corriente teniendo en cuenta la fuente variable entre B-E y C-E.
ECUACIONES DEL DISPOSITIVO

Aplicando la 1 Ley de Kirchhoff al BJT: El parmetro del BJT es el cociente corriente colector y corriente de emisor: Oscila entre 0,9 y 0,999. As pues, es el colector quien proporciona la mayor parte de
corriente del emisor.

La unin pn base emisor cumple la ecuacin (Shockley)

Sustituyendo la corriente de emisor:

Para una tensin base emisor superior a unas dcimas de voltio, la exponencial hace despreciable la unidad del interior del parntesis. Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras ecuaciones Definiendo como: La relacin entre y es:

IV.

ESPECIFICACIONES DE EQUIPOS, INSTRUMENTOS Y MATERIALES: Una fuente de Alimentacin de C.C.

Figura N 5: fuente alimentacin variable

de

En esta prctica el voltaje de la fuente de alimentacin variable que nos proporcionaba para alimentar el circuito fue de 12 V.

Dos Multitester: Digital y Analgico En los multitester o multimeters se encuentran varios Smbolos que a veces nos ayudan a elegir bien el rango y la escala la cual se quiere utilizar estos smbolos son los siguientes: DC (Corriente Continua) ))) (Probador de Continuidad) A (Amperios) V (Volteos) (Ohmios Multitester Digital Marca: Sanwang Modelo: M8790G Figura N 6: instrumentos de medicin.

Un protoboard Figura N 7: protoboard El protoboard se usa para ensamblar o armar un circuito, una vez armado probarlo verificar el funcionamiento del circuito entes de soldarlo.

Varios Resistores de Carbn

Figura N 8: resistores de carbn

Transistores BJT

Figura N 9: transistor PNP

V.

PROCEDIMIENTO: Se reviso los materiales a utilizar como la fuente de alimentacin, el multimetro, el protoboard trado por los alumnos, as como los componentes, para ver si no presentaban ningn dao, luego, verifique la gua de prctica que se presento en el laboratorio, esta contena dos sencillos circuitos con dos transistores distintos, de caractersticas distintas que se mencionaran ms adelante, en esta se presentan varias etapas de las cuales se tendra que desarrollar cuidadosamente para no quemar los componentes (transistores). Dicha gua de prctica presenta 4 ejercicios para la solucin completa, los cuales se presentaran a continuacin y se resolvern adecuadamente: Ejercicio N 1 Objetivos: Comprobar el paso de corriente en el transistor. Determine el tipo de los transistores dados. Para comprobar el paso de corriente en el transistor debemos conectar adecuada mente dicho transistor, aplicarle voltaje (0.7 v) con una fuente externa y con el instrumento medir en cada patita que posee el transistor, as sabremos cuanta corriente circula por los bloque (E-B-C). Se sabe que el transistor puede tener dos tipos (NPN Y PNP) para esto el siguiente objetivo del ejercicio N 1 es determinar el tipo de transistor, as que, como se llevaron dos tipo (codificacin diferente), verificaremos con el instrumento que tipo son, esto se explicara a continuacin: Para los dos transistores de codificacin diferente (BD-135 y BC-108) se verificaron las uniones de colector-base y emisor-base, sabemos que el transistor son dos diodos unidos mediante un punto comn, por lo tanto podremos medirlo como un diodo entre las salidas respectivas.

Figura N 8: En estas configuraciones de los diodos que forman la construccin del transistor nos basamos para su comprobacin mediante un multimetro (colocando la escala de diodos y tambin se puede hacer en la escala de ohmios

As pues como el transistor tiene dos uniones que forman diodos (una entre el colector y base, la otra entre el emisor y base), dichas uniones se pueden polarizar de forma directa o inversa. Pues basndose en esto podemos comprobar si un transistor esta estropeado mediante un multitester; realizamos las pruebas como si el transistor se tratara de dos diodos. Explicaremos luego como realizamos estas medidas. Verificaremos si el transistor en PNP O NPN teniendo en cuenta las puntas del multitester, si elegimos una de las patillas del transistor cuales quiera y ubicando una punta fija (+) y la otra movible (-), podremos observar y darnos cuenta que si la movible marca un valor en el display del multitester entonces es porque el transistor en NPN y si realizamos la medicin eligiendo al contrario las puntas podremos verificar que en un PNP.

Figura N 8: graficas de cmo medir los transistores con el ohmmetro. Verificacin de las uniones colector - base y emisor base Si el transistor es NPN, tocando con la punta roja (+) del multitester en la patilla base y con la punta negra (-) en el emisor o colector; en el display del multitester tiene que aparecer un valor alrededor de 0.65 (650 mV), que es la cada de voltaje directa de la unin. Obviamente, si apareciera un valor cero o de alta resistencia es porque la unin esta cortocircuitado o abierta; en cualquier caso, el transistor esta averiado. Despus se repite la prueba invirtiendo las puntas de prueba (punta negra en la base) para verificar que las uniones no conducen en polarizacin inversa; si el resultado de la prueba anterior ha sido normal, el resultado que aparezca en el display del multitester tiene que ser de circuito abierto, como si las puntas estuvieran sin tocar nada. Si no es as, puede haber fugas en polarizacin inversa y el transistor estar mal. En el caso de un transistor PNP, es todo igual; salvo que las polaridades de las puntas de prueba son al revs. Con esta prueba se verifica que las uniones base-colector y base-emisor no estn abiertas o en cortocircuito; o sea, que el transistor no est mal de forma contundente. Hay que tener en cuenta que se pueden dar fugas anormales (``pequeas corrientes``) en las uniones en polarizacin inversa y pueden no detectarse, o no darnos cuenta.

Figura N 9: Representacin de la prueba del transistor mediante el multitester en prueba de diodos. Se basa en probar las uniones base emisor y base colector como si fuera diodos y despus verificar entre las patillas colector y emisor.

Luego de realizar estas mediciones y comprobar que tipo de transistor es, realice el siguiente cuadro donde se especifica que valores toman cada transistor al ser medidos. Para el transistor BD-135 Cuadro N 2 Comprobacin de base - emisor Comprobacin de base - colector

1. Polarizacin directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0.746 v 3. Polarizacin inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor

2. Polarizacin directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0.741 v 4. Polarizacin inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor

Para el transistor BC-108 Cuadro N 3 Comprobacin de base - emisor Comprobacin de base - colector

5. Polarizacin directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0.835 v 7. Polarizacin inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor

6. Polarizacin directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0.830 v 8. Polarizacin inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor

En los cuadro N 2 y N 3 se muestra los valores que el instrumento nos arroj a la hora de medir entre sus terminales (B-E y B-C), realizamos la medicin en directa y en inversa por el motivo que los valores en inversa no sean visualizados en el instrumento; es decir si a la hora de que midamos entre B-E (punta roja emisor y punta negra base) hay un valor que se visualiza en el instrumento, quiere decir que el transistor presenta pequeas fugas de corriente explicadas anterior mente. Ejercicios N 2 Objetivo: Determinar las caractersticas tcnicas del transistor.

Una vez que realizamos las mediciones segn los cuadros anteriormente mostrados, y que verificamos si en realidad son PNP o NPN, determinamos las caractersticas tcnicas de cada transistor (BD-135 y el BC-108). Para esto con la ayuda del catalogo virtual determinamos los parmetros ms importantes de funcionamiento de los transistores dados. Estos son: VCE, VBE, IC, PD y Hfe () Seguidamente dibujamos pictricamente el modelo del transistor ya que en el cuadro siguiente nos indicaran que anotemos todas las caractersticas principales mencionadas y el dibujo, entonces es cuadro quedara:

Dibujo pictrico BD 135

Smbolo

Tensin colector emisor VCE

Tensin base emisor VBE

Corriente de colector IC

Potencia de disipacin PD

Ganancia esttica de intensidad Hfe ()

En activa 45 V En saturacin: 0.5 v

1v

1,5 A

Transistor NPN de mediana potencia (8W)

Mnima: 40 Mxima: 250

BC-108 Transistor de pequea potencia (0.3W 0.75 W Mnima: 120 Mxima: 800

20 V

5V

100mA

Ejercicio N 3 Objetivo: Determinar la curva caracterstica de entrada del transistor IB = f(VBE) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendramos que ensamblar el circuito segn el esquema, el cual nos indicaba que cortocircuitemos el colector y el emisor, para esto se utilizara una resistencia de 470 conectada en serie a la base del transistor BC-108, luego aplicamos una tensin continua ajustable desde 0.1v a 10v teniendo en cuenta la polaridad segn el esquema.

Figura N 9: circuito con el transistor BC 108 polarizacin emisor comn

Medimos con el ohmmetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro N 4 Cuadro de resistencias N
Color de cada resistor

Amarillo, violeta, Marrn, dorado

470

470.78

Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor terico del componente, una vez realizado el circuito en el protoboard, en la gua de practica nos presentan una tabla, cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla, se peda medir la tensin de base-emisor (VBE) obtenindose la siguiente tabla: IB en mA VBE en V VFUENTE 0,1 0,61 0,665 0,2 0,65 0,77 0,5 0,68 0,9 1 0,7 1,16 2 0,73 1,68 4 0,75 2,58 6 0,77 3,51 8 0,78 4,42 10 0,78 5,4

Una vez obtenidos estos valores representamos grficamente la curva caracterstica de la corriente de base, IB en funcin de la tensin Base-Emisor luego describimos los resultados obteniendo como conclusin final o siguiente:

12

10

IB (mA)

6 curva caracteritica Ib=f(Vbe) 4

0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

VBE (voltios) Esta curva representa a la entrada del transistor IB = f(VBE), con VCE como parmetro. Pero como en el circuito ensamblado con el transistor BC-108 el emisor y el colector se cortocircuitaban y se configuraban como comn la tensin VCE = 0. La curva es similar a la del diodo, al aumentar la

polarizacin inversa de unin base-colector no obtendremos una tensin mayor a 0,8v en base-emisor (VBE) mientras se aumenta la corriente en el colector (IB) ya que entre colector y emisor no hay voltaje.

Ejercicio N 4 Objetivo: Determinar la curva caracterstica de control de corriente del transistor IC=f(IB) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendramos que ensamblar el circuito segn el esquema, el cual nos indicaba que tendramos que utilizar dos fuentes de voltaje, para esto se utilizara una resistencia de 2.2 K conectada en serie a la base del transistor BD-135, luego aplicamos una tensin continua ajustable desde 0v a 12v entre base y emisor teniendo en cuenta la polaridad segn el esquema y una tensin fija de 12v entre colector y emisor como se muestra en la figura siguiente.

Figura N 10: circuito con el transistor BD-135 polarizado con dos fuente de tensin. Medimos con el ohmmetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro N 1 Cuadro de resistencias N
Color de cada resistor

Rojo, rojo, rojo

2.2K

2.156K

Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor terico del componente, una vez realizado el circuito en el protoboard, en la gua de practica nos presentan una tabla, cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla, se peda medir la tensin de base-emisor (VBE) obtenindose la siguiente tabla:

Una vez obtenidos estos valores representamos grficamente la curva caracterstica de la corriente de colector, Ic en funcin de la corriente de base, IB , la curva es la siguiente:

IB en mA IC en mA VFUENTE

0,5 95,2 1,80

1 183,5 2,83

1,5 290 3,98

2 390 5,12

2,5 480 6,1

3 560 7,32

3,5 620 8,38

4 660 9,4

curva caracteristica
800 700 600 Axis Title 500 400 300 200 100 0 0 2 4 Axis Title 6 8 10 curva caracteristica Ic=f(Ib) Linear (curva caracteristica Ic=f(Ib))

Grafico N 2: grafico de la corriente de colector en funcin de la corriente de base; esto es la curva de transferencia. El grafico de transferencia nos proporciona informacin sobre como varia la corriente de colector en funcin de la corriente de base, para una tensin de colector emisor constante, lo cual se puede representar por:

IC=f(IB)VCE =cte Mediante el grafico anterior se representa la variacin de la corriente de colector en funcin de la variacin de base, para una determinada tensin colector emisor constante. Es un grafico que se aproxima mucho a una recta, en especial en los transistores de baja potencia en este caso en transistor BD-135.
Conclusin: Esto nos indica que al corriente de colector es (aproximadamente) proporcional a la corriente de base multiplicada por el factor de amplificacin (ganancia). Entonces del grafico se puede deducir fcilmente el factor de amplificacin de corriente, la ; es cuestin de hacer la divisin entre una variacin de la corriente de colector (IC) y la variacin de corriente de base ( IB) que da lugar a ello. Ahora siguiendo la curva caracterstica, obtener la amplificacin diferencial en un punto, calculamos: entonces elegimos un punto cualquiera, elegimos los ltimos puntos: Entonces para una tensin fija VCE = 12v, la variacin de la corriente de colector va a ser de y la variacin de corriente de base que

da lugar a ello es de ser de:

, la ganancia de corriente del transistor

Conclusin: este es un valor de ganancia que est dentro de los normales en transistores de baja potencia como el BD-135. VI. OBSERVACIONES, CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES: Observaciones: 1. Las medidas tanto experimentales como tericas no siempre van a ser exactas, ya que influyen bastante los instrumentos de medida y las operaciones correctas que hagamos. 2. Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los componentes que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto funcionamiento antes de realizar las correctas mediciones. Conclusiones:

Este laboratorio nos permiti constatar toda la teora base para circuitos que incluyen transistores. Se pudo identificar los terminales, saber si el transistor era PNP o NPNP, y adems consultar la hoja del fabricante. Como un paso ms avanzado trabajamos en lo que respecta a las diversas maneras de polarizar un transistor para esta prctica se utilizaron 2, el primero que era la polarizacin con una fuente y el otro transistor con 2 fuentes. Recomendaciones: Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tencin, ya que si ente no est bien elaborado el circuito podra quemarse y el circuito entrara en corto.

VII.

BIBLIOGRAFA: Libros o Links

Rashid - Electrnica de potencia

http://www.slideshare.net/luismanzanedo/el-transitor

o http://lcr.uns.edu.ar/dispositivos/pdf/LAB_BIP1.pdf