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practica de lab. Nº 3 transistores BJT.docx

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FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIAR MECÁNICA ELÉCTRICA Y ENERGÉTICA CURSO ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRACTICA DE LABORATORIO Nº 2

TRANSISTORES BJT

ESTUDIANTE: De La Fuente Vigil Andrés José DOCENTE: Vélez Cornejo Jomayra

Fecha:
14 de Mayo Del 2013

Nota

C: Colector. estudiar y determinar las características técnicas del transistor. mas cantidad de portadores podrá aportar a la corriente. La función que realiza el transistor es básicamente amplificar. Como se puede ver. de extensión más amplia. Aparecen dos tipos de transistores bipolares: los NPN y los PNP. A efector prácticos. cuyo objeto es captar los portadores inyectados en dicha región desde el emisor.LABORATORIO Nº 03 I. el más utilizado es el NPN.  Estudiar el funcionamiento del transistor. . y prácticamente todos los portadores que proceden del emisor pasen al colector. estrecha y poco dopada. que puede ser tipo N o P. los dos realizan la misma función. III. cuya simbología se muestra en la figura Nº 1. cada una de las patillas están conectadas a un bloque con material semiconductor. Es una región muy dopada. colector (C) y base (B). TITULO DETERMINACIÓN DE LA CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA Y DE CONTROL DE CORRIENTE DEL TRANSISTOR. II. que se denominas emisor (E). Las tres regiones que se forman y los terminales extraídos desde ellas se denominan de la siguiente forma: E: Emisor. el dispositivo podría no funcionar como un transistor y hacerlo como si se tratase de dos diodos en oposición. que se encarga de controlar el paso de los portadores. Y SUS CARACTERÍSTICAS. pero las polaridades de las tenciones para su funcionamiento son diferentes. Normalmente. una pequeña corriente de entrada permite el control de una corriente de salida mucho mayor. la simbología entre PNP y NPN solo varia en el sentido de la flecha del emisor. OBJETIVO  Familiarizarse con los transistores. Es la región central. Notar que si esta zona es estreche.  Establecer el funcionamiento de diferentes circuitos de polarización y comprobar las características de los transistores. pero se utilizan los dos tipos según la amplificación. FUNDAMENTO TEÓRICO: Los transistores son componente semiconductores que tienes 3 terminales (patillas). Con estas características conseguimos que en esta zona exista poca recombinación. la identificación de sus terminales. Su nombre se debe a que funcionan como emisor de los portadores de carga. Es la región unida a la base. B: Base. Cuanto más dopaje tenga el emisor.

Sabemos que el diodo aproximadamente la unión PN se comportaba como un cortocircuito (V≈0). en sus dos tipos (NPN y PNP). o bien como un circuito abierto (I≈=) dependiendo de si estaba polarizado en directa o en inversa. se cumple: IE=IC+IB. su función básica es amplificar. Para las tensiones y corrientes indicadas en los símbolos de los transistores. COMPONENTES DE LA CORRIENTE DEL TRANSISTOR. y minoritarios en la base. respectivamente. por lo que pueden conseguirse cuatro combinaciones de polarización posibles: Cuadro Nº 1 Unión E-B Directo Directo Inverso Inverso Unión C-B Directo Inverso Inverso directo Zona de funcionamiento Saturación Activa Corte Activa inversa Modelo aproximado Cortocircuito Amplificador Circuito abierto No se utiliza Polarización del transistor bipolar en zona activa.FIGURA Nº 1: Simbología del transistor bipolar (BJT). tanto del NPN como del PNP. VCE=VCB+VBE Este transistor recibe el nombre de BIPOLAR por el hecho de que la corriente que atraviesa está formada por dos tipos de portadores: mayoritarios al atravesar las regiones de emisor y colector. Es el componente fundamental en la electrónica. El transistor está formado por dos uniones PN. .

a la base de un transistor. El efecto transistor consiste en que la mayor parte de los portadores mayoritarios inyectados desde el emisor en la base (corriente en directa de la unión E-B). la forma de onda y frecuencia de la corriente de base es obtenida en el colector con una amplitud mucho mayor. se logra una amplificación de la señal de entrada. no se recombinan en esta región poco dopada y muy estrecha.. . la unión base-emisor (B-E) estará polarizada en directa y la base-colector (B-C) en inversa. y por la polarización son arrastrados. Hay que tener en cuenta que las variaciones de corriente aplicadas en la base(IB) determinan unas corrientes de colector-emisor (CE) mucho mayores. etc. hacia el colector formando parte de la corriente inversa de la unión B-C. la pequeña parte que se recombinan en la región de base forma parte de la corriente de base. FIGURA Nº 2: representación simplificada del efecto transistor (amplificación). esto es un efecto de amplificación. al igual que los portadores minoritarios de la misma. de una pastilla de guitarra. O sea. pero que son fiel reflejo a la corriente de base. de una antena.Con el transistor bipolar en zona activa. Nota: En esta práctica estudiaremos el transistor NPN ya que los dos transistores utilizados resultaron ser de este tipo. si aplicamos una débil señal eléctrica de entrada procedente de un micrófono. se obtiene una señal de salida igual a la entrada (forma de onda y frecuencia) pero de mayor amplitud. Por eso.

se polariza directamente la unión Base. y Vce > Vbe (unión base-colector en inversa). C). FIGURA Nº 3: representación de corriente entre cada terminal (BCE) FUNCIONAMIENTO BASICO BJT npn  En el montaje EC de la figura.  La base tiene menor tamaño. presentando las tres zonas mencionadas (E.  El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. e inversamente la unión Base-Colector.  Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n. . después el emisor y a 2 veces de espesor el colector. contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio.El transistor NPN La constitución física del transistor bipolar NPN (el más usual de todos) se basa en dos zonas de material tipo N separadas por una zona de material tipo P.  Unión emisor: es la unión pn entre la base y el emisor.  Se polariza el BJT si Vbe aprox.  Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.6 voltios (polarización directa). La base 100 veces menos que el colector o emisor. B.  En la base se gobiernan dichos portadores.Emisor.  La corriente de emisor es aquella que pasa por la unión base-emisor polarizada en directa y depende de Vbe al igual que en un diodo pn.  En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base. 0.  Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado.

Así pues.9 y 0. Figura Nº 5: fuente alimentación variable de En esta práctica el voltaje de la fuente de alimentación variable que nos proporcionaba para alimentar el circuito fue de 12 V.999. Sustituyendo la intensidad de colector utilizando las dos primeras ecuaciones Definiendo β como: La relación entre α y β es: IV. es el colector quien proporciona la mayor parte de corriente del emisor. la exponencial hace despreciable la unidad del interior del paréntesis. INSTRUMENTOS Y MATERIALES:  Una fuente de Alimentación de C.  La unión pn base – emisor cumple la ecuación (Shockley)      Sustituyendo la corriente de emisor: Para una tensión base emisor superior a unas décimas de voltio.C.FIGURA Nº 4: representación de corriente teniendo en cuenta la fuente variable entre B-E y C-E. . ECUACIONES DEL DISPOSITIVO  Aplicando la 1ª Ley de Kirchhoff al BJT:  El parámetro α del BJT es el cociente corriente colector y corriente de emisor:  Oscila entre 0. ESPECIFICACIONES DE EQUIPOS.

una vez armado probarlo verificar el funcionamiento del circuito entes de soldarlo.  Un protoboard Figura Nº 7: protoboard El protoboard se usa para ensamblar o armar un circuito. Dos Multitester: Digital y Analógico En los multitester o multimeters se encuentran varios Símbolos que a veces nos ayudan a elegir bien el rango y la escala la cual se quiere utilizar estos símbolos son los siguientes: DC (Corriente Continua) ·))) (Probador de Continuidad) A (Amperios) V (Volteos) Ω (Ohmios Multitester Digital Marca: Sanwang Modelo: M8790G Figura Nº 6: instrumentos de medición.  Varios Resistores de Carbón Figura Nº 8: resistores de carbón  Transistores BJT Figura Nº 9: transistor PNP .

el multimetro. los cuales se presentaran a continuación y se resolverán adecuadamente: Ejercicio Nº 1 Objetivos:  Comprobar el paso de corriente en el transistor. si elegimos una de las patillas del transistor cuales quiera y ubicando una punta fija (+) y la otra movible (-). PROCEDIMIENTO: Se reviso los materiales a utilizar como la fuente de alimentación.7 v) con una fuente externa y con el instrumento medir en cada patita que posee el transistor. Verificaremos si el transistor en PNP O NPN teniendo en cuenta las puntas del multitester. Figura Nº 8: En estas configuraciones de los diodos que forman la construcción del transistor nos basamos para su comprobación mediante un multimetro (colocando la escala de diodos y también se puede hacer en la escala de ohmios Así pues como el transistor tiene dos uniones que forman diodos (una entre el colector y base. por lo tanto podremos medirlo como un diodo entre las salidas respectivas. Pues basándose en esto podemos comprobar si un transistor esta estropeado mediante un multitester. como se llevaron dos tipo (codificación diferente). la otra entre el emisor y base). Explicaremos luego como realizamos estas medidas. sabemos que el transistor son dos diodos unidos mediante un punto común. Se sabe que el transistor puede tener dos tipos (NPN Y PNP) para esto el siguiente objetivo del ejercicio Nº 1 es determinar el tipo de transistor. de características distintas que se mencionaran más adelante. para ver si no presentaban ningún daño. así que. así sabremos cuanta corriente circula por los bloque (E-B-C). el protoboard traído por los alumnos. dichas uniones se pueden polarizar de forma directa o inversa. Dicha guía de práctica presenta 4 ejercicios para la solución completa. . Para comprobar el paso de corriente en el transistor debemos conectar adecuada mente dicho transistor. esta contenía dos sencillos circuitos con dos transistores distintos. verifique la guía de práctica que se presento en el laboratorio. verificaremos con el instrumento que tipo son.  Determine el tipo de los transistores dados. realizamos las pruebas como si el transistor se tratara de dos diodos. así como los componentes. esto se explicara a continuación: Para los dos transistores de codificación diferente (BD-135 y BC-108) se verificaron las uniones de colector-base y emisor-base. podremos observar y darnos cuenta que si la movible marca un valor en el display del multitester entonces es porque el transistor en NPN y si realizamos la medición eligiendo al contrario las puntas podremos verificar que en un PNP. luego.V. aplicarle voltaje (0. en esta se presentan varias etapas de las cuales se tendría que desarrollar cuidadosamente para no quemar los componentes (transistores).

Figura Nº 8: graficas de cómo medir los transistores con el ohmímetro. salvo que las polaridades de las puntas de prueba son al revés. Si no es así. en cualquier caso. Con esta prueba se verifica que las uniones base-colector y base-emisor no están abiertas o en cortocircuito.base y emisor – base Si el transistor es NPN. puede haber fugas en polarización inversa y el transistor estará mal. como si las puntas estuvieran sin tocar nada. si el resultado de la prueba anterior ha sido normal. en el display del multitester tiene que aparecer un valor alrededor de 0. Obviamente. tocando con la punta roja (+) del multitester en la patilla base y con la punta negra (-) en el emisor o colector. o sea.65 (650 mV). o no darnos cuenta. Después se repite la prueba invirtiendo las puntas de prueba (punta negra en la base) para verificar que las uniones no conducen en polarización inversa. Hay que tener en cuenta que se pueden dar fugas anormales (``pequeñas corrientes``) en las uniones en polarización inversa y pueden no detectarse. En el caso de un transistor PNP. Figura Nº 9: Representación de la prueba del transistor mediante el multitester en prueba de diodos. que el transistor no está mal de forma contundente. el transistor esta averiado. que es la caída de voltaje directa de la unión. es todo igual. . Verificación de las uniones colector . el resultado que aparezca en el display del multitester tiene que ser de circuito abierto. Se basa en probar las uniones base emisor y base colector como si fuera diodos y después verificar entre las patillas colector y emisor. si apareciera un valor cero o de alta resistencia es porque la unión esta cortocircuitado o abierta.

Luego de realizar estas mediciones y comprobar que tipo de transistor es.emisor Comprobación de base . Polarización inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor Para el transistor BC-108 Cuadro Nº 3 Comprobación de base . Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0. Para el transistor BD-135 Cuadro Nº 2 Comprobación de base . Polarización inversa Punta roja (+) en el colector Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor .741 v 4. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el emisor Valor que aparece en el multimetro: 0.746 v 3.colector 1. Polarización inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor 2.830 v 8. realice el siguiente cuadro donde se especifica que valores toman cada transistor al ser medidos. Polarización directa Punta roja (+) en la base Punta negra (-) en el colector Valor que aparece en el multimetro: 0.colector 5.835 v 7. Polarización inversa Punta roja (+) en el emisor Punta negra (-) en la base Valor que aparece en el multimetro: Sin valor 6.emisor Comprobación de base .

5 A Transistor NPN de mediana potencia (8W) Mínima: 40 Máxima: 250 BC-108 Transistor de pequeña potencia (0. entonces es cuadro quedara: Dibujo pictórico BD – 135 Símbolo Tensión colector emisor VCE Tensión base emisor VBE Corriente de colector IC Potencia de disipación PD Ganancia estática de intensidad Hfe (β) En activa 45 V En saturación: 0. Estos son: VCE. Para esto con la ayuda del catalogo virtual determinamos los parámetros más importantes de funcionamiento de los transistores dados.En los cuadro Nº 2 y Nº 3 se muestra los valores que el instrumento nos arrojó a la hora de medir entre sus terminales (B-E y B-C).5 v 1v 1. y que verificamos si en realidad son PNP o NPN. PD y Hfe (β) Seguidamente dibujamos pictóricamente el modelo del transistor ya que en el cuadro siguiente nos indicaran que anotemos todas las características principales mencionadas y el dibujo. determinamos las características técnicas de cada transistor (BD-135 y el BC-108). Ejercicios Nº 2 Objetivo:  Determinar las características técnicas del transistor. IC. quiere decir que el transistor presenta pequeñas fugas de corriente explicadas anterior mente. es decir si a la hora de que midamos entre B-E (punta roja emisor y punta negra base) hay un valor que se visualiza en el instrumento. VBE. Una vez que realizamos las mediciones según los cuadros anteriormente mostrados. realizamos la medición en directa y en inversa por el motivo que los valores en inversa no sean visualizados en el instrumento.3W – 0.75 W Mínima: 120 Máxima: 800 20 V 5V 100mA .

5 0. se pedía medir la tensión de base-emisor (VBE) obteniéndose la siguiente tabla: IB en mA VBE en V VFUENTE 0. para esto se utilizaría una resistencia de 470Ω conectada en serie a la base del transistor BC-108.7 1. dorado 470Ω 470.75 2.9 1 0.68 4 0.1v a 10v teniendo en cuenta la polaridad según el esquema.77 0.16 2 0.73 1.68 0.61 0.78 4.65 0. IB en función de la tensión Base-Emisor luego describimos los resultados obteniendo como conclusión final o siguiente: . violeta.Ejercicio Nº 3 Objetivo:  Determinar la curva característica de entrada del transistor IB = f(VBE) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendríamos que ensamblar el circuito según el esquema.1 0. cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla. Marrón.2 0.78 5.78Ω Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor teórico del componente. en la guía de practica nos presentan una tabla. el cual nos indicaba que cortocircuitemos el colector y el emisor. luego aplicamos una tensión continua ajustable desde 0.4 Una vez obtenidos estos valores representamos gráficamente la curva característica de la corriente de base.58 6 0.665 0. Figura Nº 9: circuito con el transistor BC 108 polarización emisor común Medimos con el ohmímetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro Nº 4 Cuadro de resistencias N Color de cada resistor Amarillo.77 3. una vez realizado el circuito en el protoboard.51 8 0.42 10 0.

8v en base-emisor (VBE) mientras se aumenta la corriente en el colector (IB) ya que entre colector y emisor no hay voltaje. para esto se utilizaría una resistencia de 2. luego aplicamos una tensión continua ajustable desde 0v a 12v entre base y emisor teniendo en cuenta la polaridad según el esquema y una tensión fija de 12v entre colector y emisor como se muestra en la figura siguiente. al aumentar la polarización inversa de unión base-colector no obtendremos una tensión mayor a 0. con VCE como parámetro.4 0. .6 0.2 0. Pero como en el circuito ensamblado con el transistor BC-108 el emisor y el colector se cortocircuitaban y se configuraban como común la tensión VCE = 0. el cual nos indicaba que tendríamos que utilizar dos fuentes de voltaje.12 10 8 IB (mA) 6 curva caracteritica Ib=f(Vbe) 4 2 0 0 0.8 1 VBE (voltios) Esta curva representa a la entrada del transistor IB = f(VBE). La curva es similar a la del diodo.2 KΩ conectada en serie a la base del transistor BD-135. Ejercicio Nº 4 Objetivo:  Determinar la curva característica de control de corriente del transistor IC=f(IB) Para el proceso de trabajo de esta parte en la que tendríamos que ensamblar el circuito según el esquema.

rojo.80 1 183.156K Ω Se sabe que la resistencia presenta una tolerancia que representa el 10% del valor teórico del componente.5 95.32 3. Medimos con el ohmímetro los valores de los resistores que se iban a utilizar y se obtuvo el siguiente cuadro: Cuadro Nº 1 Cuadro de resistencias N Color de cada resistor Rojo.83 1.5 290 3. se pedía medir la tensión de base-emisor (VBE) obteniéndose la siguiente tabla: Una vez obtenidos estos valores representamos gráficamente la curva característica de la corriente de colector.5 2.2KΩ 2.Figura Nº 10: circuito con el transistor BD-135 polarizado con dos fuente de tensión.5 620 8.2 1.4 . Ic en función de la corriente de base. cuyos valores de corriente de base en mA (IB mA) nos indicaban y de acuerdo con la tabla.1 3 560 7.38 4 660 9.98 2 390 5.5 480 6. en la guía de practica nos presentan una tabla. rojo 2.12 2. IB . una vez realizado el circuito en el protoboard. la curva es la siguiente: IB en mA IC en mA VFUENTE 0.

la variación de la corriente de colector va a ser de y la variación de corriente de base que da lugar a ello es de será de: . elegimos los últimos puntos: Entonces para una tensión fija VCE = 12v. para una determinada tensión colector emisor constante. es cuestión de hacer la división entre una variación de la corriente de colector (ΔIC) y la variación de corriente de base (Δ IB) que da lugar a ello. lo cual se puede representar por: IC=f(IB)│VCE =cte Mediante el grafico anterior se representa la variación de la corriente de colector en función de la variación de base. Entonces del grafico se puede deducir fácilmente el factor de amplificación de corriente.curva caracteristica 800 700 600 Axis Title 500 400 300 200 100 0 0 2 4 Axis Title 6 8 10 curva caracteristica Ic=f(Ib) Linear (curva caracteristica Ic=f(Ib)) Grafico Nº 2: grafico de la corriente de colector en función de la corriente de base. obtener la amplificación diferencial β en un punto. Es un grafico que se aproxima mucho a una recta. esto es la curva de transferencia. calculamos: entonces elegimos un punto cualquiera. para una tensión de colector emisor constante. Ahora siguiendo la curva característica. El grafico de transferencia nos proporciona información sobre como varia la corriente de colector en función de la corriente de base. la β. en especial en los transistores de baja potencia en este caso en transistor BD-135. la ganancia de corriente del transistor . Conclusión: Esto nos indica que al corriente de colector es (aproximadamente) proporcional a la corriente de base multiplicada por el factor de amplificación β (ganancia).

ya que influyen bastante los instrumentos de medida y las operaciones correctas que hagamos.edu. el primero que era la polarización con una fuente y el otro transistor con 2 fuentes. saber si el transistor era PNP o NPNP. BIBLIOGRAFÍA: Libros o Links Rashid .  Como un paso más avanzado trabajamos en lo que respecta a las diversas maneras de polarizar un transistor para esta práctica se utilizaron 2.ar/dispositivos/pdf/LAB_BIP1. Recomendaciones: Tener en cuenta el ensamblaje de los circuitos antes de colocar una fuente de tención. Tengamos en cuenta que tanto los instrumentos de medida como los componentes que se deben utilizar deben estar revisados y en su correcto funcionamiento antes de realizar las correctas mediciones. ya que si ente no está bien elaborado el circuito podría quemarse y el circuito entraría en corto.uns. VII.pdf .net/luismanzanedo/el-transitor o http://lcr. y además consultar la hoja del fabricante. OBSERVACIONES. VI. 2. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES: Observaciones: 1. Conclusiones:  Este laboratorio nos permitió constatar toda la teoría base para circuitos que incluyen transistores.Electrónica de potencia o http://www.Conclusión: este es un valor de ganancia que está dentro de los normales en transistores de baja potencia como el BD-135. Las medidas tanto experimentales como teóricas no siempre van a ser exactas.  Se pudo identificar los terminales.slideshare.

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