SEMICONDUCTORES

Estructura de los slidos.

Introduccin del marco conceptual que conduce a la teora de bandas Cristales: el enlace covalente. Teora de bandas de energa. Bandas de energa y conduccin elctrica en cristales. Clasificacin de los materiales: metales, dielctricos y semiconductores.

Semiconductores y fenmenos de conduccin.

Introduccin. Los semiconductores de Silicio y Germanio: estructura y hechos experimentales. Semiconductores intrnsecos: Electrones y huecos. Estructura de bandas de un semiconductor intrnseco. Generacin de pares electrn-hueco. Dependencia con la temperatura. Semiconductores con impurezas o extrnsecos: Semiconductores tipo p y semiconductores tipo n. Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco. Ley de accin de masas. Concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios.

La unin semiconductora PN.

Introduccin. Concepto. Estudio del equilibrio en la unin sin polarizacin externa. Difusin. Potencial de contacto. Zona de depleccin. Capacidad de la unin. Perturbacin del equilibrio por aplicacin de una diferencia de potencial externa: La unin p-n con polarizacin inversa; corriente inversa de saturacin. La unin p-n con polarizacin directa. Caracterstica corriente-tensin de un diodo semiconductor. Diodo Zener, diodo Schottky, diodos emisores de luz (LED), fotodiodos, clulas solares, Laser, diodo tnel. El diodo de unin en conmutacin. (nocin de retardo) Velocidad de conmutacin.

La teora cuntica de los tomos resulta de la aplicacin de la ecuacin de Schdinger a un sistema formado por un ncleo de carga Ze y Z electrones de carga -e.

Las funciones de onda dependen de los nmeros cunticos.

La configuracin electrnica de los tomos est gobernada por el principio de exclusin de Pauli. Dos electrones en un mismo tomo no pueden encontrarse en el mismo estado cuntico.

Constituyentes de la materia
O sea las partculas elementales, tales como protones, electrones y neutrones

Atomos 1s22s22p2 1s22s22p63s23p2

1s22s22p63s23p63d64s2

Molculas

Valium Agua

Fulereno

Molcula de hidrgeno

+
A

+
B

Gas

Lquido

Slido

Hielo Cristal de Cl Na (fcc) Enlace inico 5.63

Diagrama de niveles energticos para el hidrgeno

Energa Divisin energtica de dos niveles de energa para seis tomos en funcin de su separacin. Nivel 2 Bandas de energa permitida Nivel 1 Separacin de los tomos
Si tenemos N tomos idnticos agrupados, cada nivel del tomo aislado se divide en N niveles energticos distintos pero muy prximos

En un slido macroscpico hay del orden de 1023 tomos, luego cada nivel energtico se divide en un casi continuo de niveles que constituyen lo que se llama una banda.

Reduccin de la distancia interatmica del Carbono

Energa

- - - - - - - Distancia interatmica

Diamante: Cbico, transparente, duro y aislante

Grafito: Hexagonal, negro, blando y conductor

Las bandas de ms baja energa corresponden a los niveles de menor energa de los electrones en el slido o sea a los electrones ligados La banda de energa ms alta que contiene electrones se llama banda de valencia La banda de energa ms baja que contiene estados no ocupados se llama banda de conduccin
Prohibida Permitida, vaca Permitida ocupada Conductor Cobre (Cu) Conductor Magnesio (Mg) Aislante Semiconductor
Solapada Niveles energticos muy prximos entre s

Distribucin energtica de los electrones en las bandas

La energa del ltimo nivel lleno o medio lleno a T = 0 se llama energa de Fermi EF

Deutern fotn mesn

Bosones

T = 0
Fermiones
Electrn

La energa para la cual la probabilidad de que su estado se encuentre ocupado es 1/2 se define como EF

T > 0

http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hph.html#hph

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Cuatro electrones de valencia

Silicio

Germanio

Enlace covalente

Estructura del silicio

Red cbica Longitud de la arista a = 0.543 nm (parmetro de red)

Representacin plana del Germanio a 0 K

Ge Ge Ge Ge

No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a que los electrones de la banda de valencia no pueden saltar a la banda de conduccin.

Ge

Ge

Ge

Ge

Situacin del Ge a 300 K (I) Ge Ge Ge Ge

Hay 1 enlace roto por cada 1.7109 tomos. Un electrn libre y una carga + por cada enlace roto.

Ge

Ge

Ge

Ge

Imgenes de tomos y escalones en una superficie de silicio barrida por un microscopio de efecto tnel
tomos a mayor altura tomos intermedios tomos de una capa mas baja

Cristal de cuarzo
Obtencin de silicio

cuarzo

silano

SiO2 + 4 H2 SiH4 ( gas) + 2 H2O

SiH 4 Si + 2 H2 ( pirlisis 1000 C )

A partir de un germen cristalino, el silicio fundido crece en forma de cristal cilndrico

0 0K Kbanda bandade deconduccin conduccinvaca vaca banda de conduccin

300 K

banda de valencia

El Si tiene aproximadamente un electrn libre por cada 1012 tomos

hueco

Electrn libre

Contribuyen a la corriente los electrones y los huecos

Propiedades del germanio y del silicio

Nmero atmico Masa atmica (g/mol) Radio atmico (nm) Estructura electrnica Densidad (kg/m3) Temperatura de fusin Calor especfico(J/kg C) Concentracin atmica (atomos/m3) Concentracin intrnseca a 300 K Anchura banda prohibida a 300 K Movilidad de los electrones a 300 K Movilidad de los huecos a 300 K Resistividad intrnseca a 300 K Difusividad de los electrones Difusividad de los huecos Permitividad elctrica Masa efectiva electrones Masa efectiva huecos Ge 32 72.6 0.137 [Ar]4s23d104p2 5323 937.4 C 309 4.42 1028 2.36 1019 m-3 0.67 eV 0.39 m2 /Vs 0.182 m2 /Vs 0.47 m 10.1 10-3 m2/s 4.9 10-3 m2/s 15.7 0.5 m0 0.37 m0 Si 14 28.08 0.132 [Ne]3s23p2 2330 1410 C 677 4.96 1028 1.5 1016 m-3 1.12 eV 0.135 m2 /Vs 0.05 m2 /Vs 2300 m 3.5 10-3 m2/s 1.3 10-3 m2/s 12 1.1 m0 0.59 m0

Relaciones cuantitativas para la conduccin elctrica en semiconductores intrnsecos

= nqn + pq p
conductividad n nmero de electrones de conduccin por unidad de volumen p nmero de huecos de conduccin por unidad de volumen n movilidad del electrn p movilidad del hueco

Siempre se estn rompiendo (generacin) y reconstruyendo (recombinacin) enlaces. La vida media de un electrn puede ser del orden de milisegundos o microsegundos.

Ge

Ge

Ge

Recombinacin

Generacin

+ Ge

Generacin

Ge

Ge

Ge

Recombinacin Ge

Generacin

Situacin del Ge a 300 K (II) -

LEY DE ACCION DE MASAS

A temperatura constante y en condiciones de equilibrio el producto de las concentraciones de electrones libres (n) y de huecos (p) es constante e igual al cuadrado de la concentracin de portadores intrnsecos (ni) en el semiconductor

ni2=n p

Tabla peridica alrededor de los elementos semiconductores

Carbono: Estructura cristalina (diamante) aislante.

Dopantes tipo p

Dopantes tipo n

SEMICONDUCTORES DOPADOS
Semiconductor tipo n
Electrn extra Se dopan con elementos que tienen 5 electrones de valencia Fsforo, Arsnico y Antimonio Electrn extra Banda de conduccin vaca

Niveles donadores de impurezas

Banda de valencia llena Estructura electrnica del Arsnico

Semiconductor tipo p

Se dopan con elementos que tienen 3 electrones de valencia Boro, Aluminio y Galio

Banda de conduccin vaca

Hueco
Niveles aceptores de impurezas

Hueco

Estructura electrnica del Galio

Banda de valencia llena

LEY DE NEUTRALIDAD ELECTRICA

El cristal total debe ser elctricamente neutro

Na + n = Nd + p

Semiconductores intrnsecos:

Na = Nd= 0 n = p = ni
Semiconductores extrnsecos: Semiconductor tipo n n>>p
Na = 0
Na concentracin de iones positivos (aceptores) Nd concentracin de iones negativos (donadores) n concentracin de electrones debido al dopado p concentracin de huecos debido al dopado

nn Nd

pn

ni2 ni2 = nn Nd

Semiconductor tipo p p>>n

Nd = 0 pp Na

np

ni2 n2 = i pp Na

Conductividad: = n q
Semiconductores intrnsecos:

conductividad q carga del portador movilidad

= ne q e + nh q h = nq(e+h) Semiconductores extrnsecos: Semiconductor tipo n n>>p

Eg n = ne = nh = n0exp 2 kT

Semiconductor tipo p p>>n

= nd q e

= na q h

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