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1.2.4 Amplificador en Base Comn.

Este Amplificador se caracteriza por tener baja Impedancia de Entrada, no presenta Ganancia de Corriente pero s de Voltaje, y adems tiene propiedades tiles en Altas Frecuencias.

Circuito Equivalente de C.C.

Circuito Equivalente de C.A.

Modelo del BJT en Seal Pequea para la configuracin B.C.

Aplicando LVK en el puerto de entrada y LCK en el puerto de salida


veb = hib ( ie ) + hrb vcb
ic = h fb ( ie ) + hob vcb

Estos parmetros quedan definidos bajo las siguientes condiciones: A) Corto Circuito en la Salida vcb = 0 y VCBQ
veb = hib ( ie )
ic = h fb ( ie )
eb hib = i V e

vcb = 0

CBQ

h fb =

ic ie VCBQ

vcb = 0

hib = Impedancia de Entrada con la Salida en Corto

(i = input y b = B.C.)
h fb

= Ganancia de Corriente en sentido directo con la salida en corto (f = forward y b =B.C.)

Estos dos parmetros pueden calcularse a partir del Circuito Equivalente de Seal Pequea del BJT en E.C. (Circuito simplificado):

Convirtiendo a Base Comn

hib =

veb hieib = ie ( h fe + 1)ib


hie h fe + 1 h fe ib ic = ie ( h fe + 1)ib
h fe h fe +1

hib =

h fb =

h fb =

B) Circuito Abierto en la Entrada. ie = 0 , con I EQ


veb = hrb vcb

ic = hob vcb

hrb =

veb vcb

I EQ ie = 0

hob =
hrb =

ic vcb

abierta

I EQ ie = 0

Ganancia de Voltaje en sentido inverso con la Entrada

(r = reverse b = B.C.)
hob = Admitancia de Salida con la entrada abierta

(o = output b = B.C.) Estos parmetros pueden ser calculados a partir del modelo de Seal Pequea del BJT (configuracin de emisor comn) con el circuito completo, esto nos conduce a:

hob =

hoe h fe +1 hie hoe hre h fe +1

hrb =

El Transistor 2N3904 cuando se polariza con I CQ = 1 mA y siguientes parmetros h de E.C.


hie = 3.1 K
h fe =125

VCEQ

= 6v tiene los

hre =1.3 x 10-4 hoe =8.5x10-6 Siemens

Encontrar los parmetros h de B.C. para el mismo Transistor y en el mismo punto de operacin.
hib = hie 3.1K = = 24.6 h fe +1 126
h fe h fe +1 = 125 = 0.992 126

h fb =

hrb =

hie hoe hre = 1.28 x10 3 h fe +1

hob =

hoe = 0.067 S h fe + 1

Se observa que los parmetros hob y hrb son muy pequeos, por lo que para fines prcticos los haremos cero. ANALISIS DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMUN Realizando estas aproximaciones el circuito equivalente de CA en seal pequea para el amplificador, este queda:

simple vista observamos que la Impedancia de entrada, est dada por el paralelo de hib con RE: Zi = RE hib de la misma manera tenemos que la impedancia de salida es simplemente: Z O RC La ganancia de voltaje AV = factores: vL puede calcularse mediante la multiplicacin de algunos vS

Av =

vL vL vcb veb = vs vcb veb vs

vL =1 vcb

R R vcb h fb ( ie ) RC RL v = cb = h fb C L veb ie hib veb hib


RE hib veb = vS rs + RE hib
Av = vL R // RL RE // hib = ( hfb ) c vs hib rs + RE // hib iL puede calcularse mediante la multiplicacin de los iS

La ganancia de corriente Ai = factores: Ai = iL iL ie = is ie is

iL Rc = h fb ie Rc + RL ie RE = is RE + hib Ai = Rc iL RE = ( hfb ) is Rc + RL RE + hib

EJEMPLO NUMERICO DEL ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR EN BASE COMUN Para el amplificador que se muestra en la figura, determinar lo siguiente:

R1 = 18 K rS = 50 R 2 = 90 K RL = 1.2 K RC = 4.8 K hfe = 125 RE = 1.2 K VCC = 12V

A) La Impedancia de Entrada y la Impedancia de Salida. B)

Av =

vL VS
iL iS

C) Ai =

Suponer en los incisos anteriores que todas las reactancias son despreciables a la frecuencia de la seal. D) Calcular el valor mnimo de capacitancia de cada uno de los capacitores para que el amplificador opere con acoplamiento y desacoplamiento aproximndose al ideal, a una frecuencia de 100Hz. Solucin. Circuito Equivalente de C.C.

Este circuito ya fue analizado previamente y con los mismos valores de resistencia y el mismo tipo de transistor, por lo tanto:
I CQ =1mA VCEQ = 6v

Circuito Equivalente de C.A.

SOLUCION: a) Primeramente nos daremos a la tarea de encontrar el valor de Zi, se observa que Zi =R h Pero como vemos en la frmula, nos falta encontrar primero el valor de h ib para el cual haremos lo siguiente:
E ib

VT 25m hfe = (125) = 3.12 K ICQ 1m hie 3.12 K hib = = = 24.76 hfe +1 125 +1 hie =

Por lo tanto: Zi =RE

hib =1.2 K 24.76 =24.25

Ahora bien, sabemos que: Zo = RC Zo = 4.8K

b) Buscamos ahora el valor para la ganancia de voltaje, a travs de la frmula siguiente:

Av =

RC RL RE hib vL = h fb vS hib rs + RE hib Av =


vL

vS

= ( .99 )

4.8K 1.2 K 1.2 K 25 = 12.52 25 50 + 1.2 K 25

c) La ganancia de corriente la encontramos a travs de la frmula: Ai = iL RC RE = ( h fb ) iS RC + RL RE + hib

Slo hay que sustituir valores y nos lleva al resultado mostrado a continuacin: Ai = 4.8 K 1.2 K = 0.77 [ ( 0.99)] 4.8K + 1.2 K 1.2 K + 25

d) Ahora calculamos los valores de los capacitores:


Ci = 1 2 fRTH

Donde RTH = rs + Zi = 50 + 25 = 75

Por lo tanto:
Ci = 1 = 21.22 F 2 (100)(75)

Vamos ahora a encontrar el valor de Co:


Co = 1 2 fRTH

Pero ahora RTH = RC + RL = 6K

Entonces:
Co = 1 = 0.265F 2 (100)(6 K )

Por ltimo nos resta conocer el valor del capacitor de base, para ello empleamos la misma frmula que hemos venido usando, pero ahora el valor de RTH cambia a ser:
RTH = RB

[(hfe +1)rs

RE +hie ]

Sustituyendo valores:
RTH =1.2 K

[(125 +1)50 1.2 K +3.12 K ] =6.1K

Ahora sustituimos para encontrar CB:

CB =

1 = 0.258F 2 (100)(6.1K )

EJEMPLO DE DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE SEAL PEQUEA EN CONFIGURACIN BASE COMN. Propsito de diseo: Disear un amplificador en B.C. como el que se muestra en la fig. Vcb A (o bien fig. B) de tal manera que la ganancia de voltaje sea de 150. V Bb

Figura A

Figura B

Solucin: La fig. Nos sugiere que el transistor deber estar polarizado por divisor de tensin. Sabemos que la ganancia de voltaje en esta configuracin es:
Vcb R = h fb c Veb hib

Pero h fb ( 1)

O lo que es lo mismo h fb 1 Ademas hib


VT I CQ

Si elegimos I CQ =0.5mA y que la operacin de trabajo es a temperatura ambiente ( VT 25mV ) entonces.

Vcb R C Veb VT I CQ

Rc =

Vcb VT 25mV * = 150 * = 7.5 K Veb I CQ 0.5mA

siendo su valor comercial el mismo valor calculado: RC = 7.5 K Si proponemos que el punto de operacin quede a la mitad de la recta de carga de D.C. entonces de la fig. A, la rama de salida cumple con
VCC = V RC + VCE + V RE

el punto de operacin a la mitad de esta recta tiene un voltaje colector emisor de


1 VCEQ = VCC = 6V 2

donde VCC se eligi de 12V por lo que V RE =VCC V RC VCE entonces V RE = VCC RC I CQ VCE
V RE = 12V ( 7.5K)( 0.5mA) 6
V RE = +2.25V

como V RE = R E I EQ pero I CQ I EQ entonces R E


V RE 2.25V = I CQ 0.5mA

R E = 4.5 K , siendo R E = 4.7 Ksu calor comercial ms cercano.

Con los valores de RC y R E las condiciones para colocar el punto de operacin ya estn dadas, solo falta fijarlas a travs de la red de polarizacin formado por VCC , R1 y R2 . Al igual que antes, R1 y R2 se pueden obtener a travs del mismo proceso, ya que el tipo de polarizacin tambin es por divisor de tensin. Eligiendo R B para estabilizar con respecto a cambios en
RB = RB = 1 R E 10

1 100( 4.7 K) 10

R B = 47 K

cabe sealar que se tom =100 ya que este es un valor tpico para un transistor 2N3904 en el punto de operacin de I CQ = 0.5mA y VCE = 6V

Calculando R1

R1 =

RB 47 K = = 64.75K V BB 3.29 1 1 12 VCC

RB Donde V BB = I CQ + RE + V BE
47 K = 0.5mA + 4.7 K + 0.7 100

= 3.29V

El valor comercial ms cercano para R1 es 62 K


R1 = 62 K

para R2 tenemos
R2 = VCC 12 RB = 47 K V BB 3.29

R2 = 171K

siendo su valor mas cercano comercial el de R2 =180 K En resumen si queremos obtener una ganancia de voltaje igual a 150 para el circuito mostrado inicialmente, los elementos deben ser:
VCC =12V R1 = 62 K R2 =180 K RC = 7.5 K R E = 4.7 K

Transistor 2N3904
Vcb . Si al Veb amplificador de la fig. se le conecta una fuente de seal de voltaje con resistencia interna rS y adems se conecta una resistencia de carga de R L acoplada por capacitor,

Cabe sealar que esta ganancia corresponde solo a la relacin

entonces la ganancia expresin

VL ser significativamente menor, segn lo muestra la siguiente VS

AV =

vL RE // hib R // RL = h fb ) c ( vS RE // hib + rs hib

RE // hib Ahora el factor 1 y el termino R h// R RE // hib + rs


c ib

tambin se hace menor como

consecuencia del equivalente paralelo ( Rc // R L ) Pregunta para analizar: Es posible que el diseo original con

Vcb = 150 pueda ser mantenido por la relacin Veb

V L Vcb = el cual se da para cuando acoplamos una fuente de seal de voltaje (con rS VS Vs interna y una R L carga)?

Si o no? Por qu?

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