Tema 1: Fabricacin de Dispositivos semiconductores

1.1.- Evolucin histrica de la tecnologa electrnica.

Definicin de Electrnica:

"Electrnica es la rama de la Ciencia y la Tecnologa que se ocupa del estudio de las leyes que rigen el trnsito controlado de electrones a travs del vaco, de gases o de semiconductores, as como del estudio y desarrollo de los dispositivos en los que se produce este movimiento controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven".

Era del tubo de vaco

Abarca la primera mitad del siglo XX

1905 A.Fleming inventa la primera vlvula de vaci, el diodo termoinico

Estos dispositivos aprovecharon la observacin previa de T.A. Edison (1881) de que, para que pase corriente entre un electrodo (nodo) y un filamento (ctodo), es necesario que el electrodo sea positivo respecto al filamento. Esta propiedad fue estudiada por W.Preece en 1885 y el propio Fleming entre 1890 y 1896 y fue explicada mediante la teora de la emisin termoinica de Richardson

nodo +

Ctodo -

1907 Lee de Forest propone el trodo, primer amplificador

1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vaco hizo posible que F.Lowenstein patentara el trodo como amplificador , aumentando el grado de vaco en su interior, 1913 Meissner patentara su aplicacin como oscilador.

1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el nodo para disminuir capacidades dando lugar al tetrodo
1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el pentodo. Esta ltima rejilla, llamada supresora, est conectada cerca del nodo y tiene como misin eliminar la emisin secundaria de electrones,. 5

1922 Estaba generalizado el uso de tubos electrnicos en mltiples aplicaciones:

Comunicaciones: radio y telfono

Rectificadores de potencia, Amplificadores de potencia,

Convertidores DC-AC, (corriente continua a alterna)

Controladores de motores, hornos de induccin, etc. Informtica

1946 Eckert y Mauchly construyen el primer ordenador electrnico (ENIAC)

Diseado para calcular tablas balsticas. Utilizaba unos 18000 tubos de vaco. Ocupaba una habitacin de 100m2 , pesaba 40Tm, consuma 150kW Trabajaba a una frecuencia de reloj de 100kHz.. Multiplicacin en 2.8mseg

Problemas de la vlvula de vaco:

Consumo de potencia elevado.

Fiabilidad.
Costo de fabricacin. Tamao.

1.1.1 Electrnica de Estado Slido

El gran avance de la Electrnica, que ha permitido alcanzar el nivel de desarrollo actual, fue la sustitucin de los tubos de vaco por los dispositivos semiconductores La utilizacin de contactos entre materiales slidos diferentes para controlar la corriente elctrica fue relativamente temprana 1874, Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una unin metalsemiconductor con respecto a la polaridad de la tensin aplicada y las condiciones de las superficies de contacto 1904 se utiliz un dispositivo de puntas de contacto como rectificador (Diodo) 1920 se haba generalizado el uso comercial de rectificadores cobre-xido de cobre o hierro-selenio

1926, J.E. Liliendfeld patent cinco estructuras que corresponden a dispositivos electrnicos modernos: La primera, en 1926, es el "MESFET", La segunda estructura, en 1928, incorpora un aislante entre el metal de puerta y el semiconductor, por tanto se trata de un MISFET o MOSFET de deplexin
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1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.
Consiguieron Nobel en 1956

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1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unin (npn pnp)

1951 Teal, Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de unin con posibilidades comerciales inmediatas

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1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo, el FET de unin (JFET).

1955 I.M.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal como se conoce hoy da, es decir, con uniones p-n en la fuente y el drenador.
A pesar de ser la idea del MOSFET ms antigua que la del BJT, fueron los avances tecnolgicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al de efecto campo. No obstante habra que esperar a que se perfeccionara la tecnologa para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET

1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California)

Hewlett y Packard ,Shockley Transistor Corporation, Fairchild Semiconductor Corporation, Texas Instruments

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1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado, patent un flipflop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro

1959 Noyce de Fairchild patent la idea de circuito integrado de silicio utilizando en 1960 la tecnologa planar para definir, mediante fotolitografa, transistores y resistencias interconectados usando lneas delgadas de aluminio sobre el xido de pasivacin

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Se comenz a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades: Fcil oxidacin, Pasivacin. Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si.

Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar como condensadores 1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo Alrededor de 1968 ya se haban propuesto las estructuras bsicas MOS. Desde entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnolgicos se han dedicado a la miniaturizacin de los dispositivos con el propsito de aumentar su velocidad y la densidad de integracin 1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip 1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip 1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip 1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip
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Procesador 4004 de Intel

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Procesador Pentiun II

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1.2: Etapas para la fabricacin de un dispositivo

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1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas) 2.- Oxidacin 3.- Litografa y Grabado 4.- Impurificacin

5.- Creacin de capas delgadas (Deposicin y crecimiento epitaxial).

6.- Colocacin de los contactos metlicos

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1. Purificacin del substrato (Fabricacin de obleas)

Obtencin de Si puro
1) Materia prima: Slice o dixido de Silicio: SiO2 (muy abundante, arena de la playa). Reduccin del SiO2 a alta temperatura: Silicio + Carbn a 2000C Silicio metalrgico, Si al 98%. Si metalrgico + ClH (Clorhdrico)SiHCl3 TricloroSilano Destilacin del SiHCl3 SiHCl3 TricloroSilano puro. Reduccin del SiHCl3 SiHCl3 + H2 Si de alta pureza Si Policristalino Concentracin impurezas<1 ppmm (1013 cm-3).
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2)

3) 4) 5)

El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeos cristales de silicio

Las obleas para la fabricacin de un C.I. Tienen que tener una estructura cristalina

Tres tipos de solidos, clasificados por su ordenacin atmica: (a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista microscopica de sus atomos, mientras (c) la estructura policristalina se muestra de una forma ms macroscopica con sus pequeos cristales con distinta orientacion pegados unos con otros. 22

Dos mtodos para obtener Si cristalino a) Mtodo de Czochraiski

b) Mtodo de Zona flotante

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Mtodo de Czochralski
Es el mtodo empleado en el 90% (a) Horno
Crisol de slice fundida (SiO2) Soporte de grafito Mecanismo de rotacin Calentador

aparato denominado "puller"

(b) Mecanismo de crecimiento del cristal

Soporte para la semilla Mecanismo de rotacin contrario). (sentido

(c) Mecanismo del control de ambiente

Una fuente gaseosa (argn) Un mecanismo para controlar el flujo gaseoso Un sistema de vaciado.
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Procedimiento
Se coloca el Si policristalino en el crisol y el horno se calienta hasta fundirlo. Se aaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N (Fosforo, Arsenico, Antimonio) o P (Boro, Aluminio, Galio) con el dopado deseado

Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequea del cristal que se quiere crecer)
Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el
contrario)

El progresivo enfriamiento en la interface slido-lquido proporciona un Si monocristalino con la misma orientacin cristalina que la semilla pero de mayor dimetro

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Dimetro depender de:

La temperatura La velocidad de elevacin y rotacin de la semilla La velocidades de rotacin del crisol

Efecto de segregacin:
La concentracin de dopante del Si solidificado es inferior a la del Si fundido.

La concentracin del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.

La concentracin de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro extremo.
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El Silicio fabricado por el mtodo de Czochralski contiene oxigeno, debido a la disolucin del crisol de Slice (SiO2).

Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad usado en un circuito integrado.

Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta resistividad este oxigeno es un problema.

En estos casos se usa el mtodo de Zona Flotante.

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Mtodo de Zona Flotante

El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla Una pequea zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla El Si fundido es retenido por la tensin superficial entre ambas caras del Si slido Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensin de la semilla

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2) Proceso de Oxidacin trmica.

Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilndrica calentado por resistencia T entre los 850 y 1100C

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Dos tipos de oxidacin: Seca y hmeda

Oxidacin Hmeda
Se introduce vapor de agua en el horno Si(s) +2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho mas rpida y se utiliza para crear xidos gruesos

Oxidacin seca
Se introduce gas de oxigeno puro Si(s) + O2(g) SiO2(s) + 2H2(g) Se consiguen xidos de mayor calidad pero es ms lenta
Esta tcnica no es apropiada para la creacin de xidos gruesos ya que se puede producir una redistribucin de las impurezas introducidas en los anteriores procesos
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Tipos de Hornos
Horno vertical

Horno horizontal

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 En la oxidacin trmica parte de la capa de Si se consume

La interface Si-SiO2 se introduce en el Si

Por cada micra de oxido crecido se consume 0.44 micras de Si

1 Cuando el espesor del oxido formado es pequeo

Crecimiento limitado por la reaccin en la interface Si-SiO2 Espesor varia linealmente con el tiempo.

Espesor t

2 Cuando el espesor es grande

Crecimiento limitado por la difusin de las especies oxidantes Espesor proporcional a la raz cuadrada del tiempo.

Espesor t
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3) Proceso de litografa y grabado

Se cubre la oblea con una fotoresina + o Se hace incidir luz U.V. a travs de una mascara Se ablanda (+) o se endurece (-) la resina expuesta

Se elimina la fotoresina no polimerizada con tricloroetileno Grabado: se ataca con HCl o HF y se elimina el SiO2 no protegido por la fotoresina

Se elimina la fotoresina con un disolvente Sulfrico SO4H2

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Litografa
Diferentes fuentes de luz

Luz Ultravioleta Rayos X Haces de electrones

Litografa con luz ultravioleta

Es la ms utilizada

Para una buena resolucin (longitud de onda de la luz) tiene que ser lo suficientemente pequea para evitar efectos de difraccin Menor longitud de onda Mayor resolucin Problemas mascaras difciles de fabricar Radiacin puede daar el dispositivo

Litografa con rayos X

Litografa con haces de electrones

No necesita mascara Buena resolucin Problema proceso muy lento

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Litografa Tipos de mascaras

Para una oblea entera

Para un solo Chip

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Litografa Stepper

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Grabado

Hmedo y Seco
(a) Hmedo:
Bao de cido fluorhdrico o clorhdrico que ataca SiO2 no protegido, pero no ataca al Si. Gran selectividad Problema: ataque isotrpico igual en todas las direcciones

(b) Seco:
Se usa un plasma con un gas ionizado Grabado Fsico o qumico Ataque anistropo Menor selectividad
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Reactive Ion Etching (RIE)

(1) El proceso comienza con la formacin de los reactivos (2) Los reactivos son transportados por difusin a travs de una capa gaseosa de estao hacia la superficie. (3) La superficie adsorbe a los reactivos. (4) Se produce la reaccin qumica de los reactivos con la especies de la superficie, junto con efectos fsicos (bombardeo inico). (5) Los materiales resultados de la reaccin qumica o bombardeo fsico son repelidos por la superficie y eliminados por un sistema de vaco.

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4) Impurificacin (adicin de dopantes)

Dos mtodos: Difusin e implantacin inica Difusin
Se colocan las obleas en el interior de un horno a travs del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado.

T entre 800 y 1200 C

Para Si tipo P el dopante ms usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsnico y Fsforo.

Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusin.

Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusin:
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a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentracin de impurezas durante el proceso b) Con fuente limitada: se parte de una concentracin inicial y no se aaden mas dopantes Normalmente se usan los dos mtodos uno seguido del otro.

La profundidad de la difusin depender del tiempo y de la temperatura.

La concentracin de dopante disminuye montonamente a medida que se aleja de la superficie. La tcnica de difusin tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente

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Implantacin inica
Se ionizan las impurezas Se aceleran y adquieren alta energa Se introducen en el Si con el ngulo adecuado Annealing: se somete la oblea a un recocido para reordenar al estructura Mejor control de la difusiones profundidad y dopado

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5) Formacin de capas delgadas (Deposiciones y Epitaxia)

Se puede depositar diferentes tipos de material como xidos, polisilicio, metal y semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia) Podemos distinguir entre dos tipos de deposicin segn se produzca en el proceso una reaccin qumica o fsica

1) Chemical vapour deposition (CVD) Atmospheric pressure CVD Low-pressure CVD Plasma-enhanced CVD 2) Physical vapour deposition (PVD) Evaporation technology Sputtering Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Las tcnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y polisilicio La tcnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia) Las tcnicas Fsicas de evaporacin y Sputtering para metalizaciones

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Chemical vapour deposition (CVD) Creacin de una capa de Si

Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte de grafito, En el recipiente se introduce la fuente gaseosa, tpicamente tetracloruro de silicio (SiCl4 ) y se calienta todo a una temperatura de 1200 C, dndose la reaccin:

Pero adems se produce tambin la reaccin siguiente:

Si la concentracin de tetracloruro de silicio (SiCl4 ) es demasiado elevada, predominar la segunda reaccin, por lo que se producir una eliminacin de silicio del substrato en vez del crecimiento de la capa epitaxial.
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La capa epitaxial puede crecerse con un cierto dopado. El dopante se introduce a la vez que el SiCl4 en la mezcla gaseosa. Como dopante tipo p se utiliza el diborano (B2 Cl4 ), mientras que la arsina (AsH3 ) y la fosfina (PH3 ) se utilizan como dopantes tipo n.

Distintos tipos de hornos

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Creacin de una capa de oxido

A bajas t (300 a 500 C) las pelculas se forman al reaccionar silano y oxgeno.

A altas t (900 C) al reaccionar diclorosilano, SiCl2 H2 con xido nitroso a bajas presiones:

a medida que mayor es la temperatura mejor es la calidad del xido

Creacin de una capa de polisilicio

se utiliza un reactor LPCVD a una temperatura entre 600 y 650 C donde se produce la pirolisis del silano:

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Molecular Beam epitaxy MBE

Recipiente al vaco Distintos materiales en crisoles se calientan las partculas evaporadas son dirigidas a la muestra
bajas temperaturas (400 a 800 C) Control preciso del perfil del dopado. Crecimiento de mltiples capas monocristalinas con espesores atmicos.

No hay reaccin qumica

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6) Metalizacin
Phisical vapour deposition
Se evapora el metal con calor a depositar en una cmara de alto vaco Se condensa en la superficie de la oblea al enfriarse.

La energa de los tomos de vapor suele ser baja lo cual pueden resultar capas porosas y poco adherentes

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Varias tcnicas para evaporar el metal

Filamento de tungsteno. De cada espira del filamento se cuelga un pequeo trozo de aluminio.

En un crisol de nitruro de boro se calienta el Al mediante induccin RF.

Evaporacin por haces de electrones. Un filamento suministra un haz de electrones que son acelerados por un campo elctrico y conducidos hacia la superficie del metal donde al chocar con ste producen la evaporacin del mismo.
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Sputtering (Salpicado)
El material a depositar se arranca cargndolo negativamente al bombardearlo con iones positivos Argon Los tomos de Al desprendidos se dirigen y depositan sobre al oblea

Ms uniformidad

Mejor control del espesor

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Fabricacin de 4 diodos

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Fabricacin de un MOSFET

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