P. 1
Fabricacion de Semiconductores

Fabricacion de Semiconductores

|Views: 5|Likes:
Publicado porMarco Antonio

More info:

Published by: Marco Antonio on Jun 04, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PPT, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/06/2014

pdf

text

original

Tema 1: Fabricación de Dispositivos semiconductores

1

1.1.- Evolución histórica de la tecnología electrónica.

2

Definición de Electrónica:

"Electrónica es la rama de la Ciencia y la Tecnología que se ocupa del estudio de las leyes que rigen el tránsito controlado de electrones a través del vacío, de gases o de semiconductores, así como del estudio y desarrollo de los dispositivos en los que se produce este movimiento controlado y de las aplicaciones que de ello se deriven".

3

Era del tubo de vacío
Abarca la primera mitad del siglo XX

1905 A.Fleming inventa la primera válvula de vació, el diodo termoiónico
Estos dispositivos aprovecharon la observación previa de T.A. Edison (1881) de que, para que pase corriente entre un electrodo (ánodo) y un filamento (cátodo), es necesario que el electrodo sea positivo respecto al filamento. Esta propiedad fue estudiada por W.Preece en 1885 y el propio Fleming entre 1890 y 1896 y fue explicada mediante la teoría de la emisión termoiónica de Richardson

Ánodo +

Cátodo -

4

1907 Lee de Forest propone el tríodo, primer amplificador

1912 el perfeccionamiento alcanzado por los tubos de vacío hizo posible que F.Lowenstein patentara el tríodo como amplificador , aumentando el grado de vacío en su interior, 1913 Meissner patentara su aplicación como oscilador.

1916 Hull y Schottky introducen la rejilla pantalla entre la de control y el ánodo para disminuir capacidades dando lugar al tetrodo
1928, cuando B.Tellegen introdujo una nueva rejilla proponiendo un nuevo dispositivo: el pentodo. Esta última rejilla, llamada supresora, está conectada cerca del ánodo y tiene como misión eliminar la emisión secundaria de electrones,. 5

 Amplificadores de potencia. etc. (corriente continua a alterna)  Controladores de motores.  Informática 6 . hornos de inducción.1922 Estaba generalizado el uso de tubos electrónicos en múltiples aplicaciones:  Comunicaciones: radio y teléfono  Rectificadores de potencia.  Convertidores DC-AC.

pesaba 40Tm. Ocupaba una habitación de 100m2 . Utilizaba unos 18000 tubos de vacío.. consumía 150kW Trabajaba a una frecuencia de reloj de 100kHz. Multiplicación en 2.8mseg 7 .1946 Eckert y Mauchly construyen el primer ordenador electrónico (ENIAC) Diseñado para calcular tablas balísticas.

8 .Problemas de la válvula de vacío:  Consumo de potencia elevado.  Costo de fabricación.  Fiabilidad.  Tamaño.

E.1 Electrónica de Estado Sólido El gran avance de la Electrónica. Braun hizo notar la dependencia de la resistencia de una unión metalsemiconductor con respecto a la polaridad de la tensión aplicada y las condiciones de las superficies de contacto 1904 se utilizó un dispositivo de puntas de contacto como rectificador (Diodo) 1920 se había generalizado el uso comercial de rectificadores cobre-óxido de cobre o hierro-selenio 1926.1. que ha permitido alcanzar el nivel de desarrollo actual.1. incorpora un aislante entre el metal de puerta y el semiconductor. J. en 1926. es el "MESFET". en 1928. fue la sustitución de los tubos de vacío por los dispositivos semiconductores La utilización de contactos entre materiales sólidos diferentes para controlar la corriente eléctrica fue relativamente temprana 1874. por tanto se trata de un MISFET o MOSFET de deplexión 9 . La segunda estructura. Liliendfeld patentó cinco estructuras que corresponden a dispositivos electrónicos modernos: La primera.

Consiguieron Nobel en 1956 10 .1947 En los laboratorios de la Bell Telephone Shockley Bardeen y Brattain inventan el Transistor de puntas de contacto.

1948 Shockley propuso el transistor bipolar de unión (npn pnp) 1951 Teal. Spark y Buehler construyeron el primer transistor bipolar de unión con posibilidades comerciales inmediatas 11 .

el FET de unión (JFET).M. con uniones p-n en la fuente y el drenador.Shockley Transistor Corporation.1953 Dacey y Ross fabricaron primer transistor de efecto campo operativo. No obstante habría que esperar a que se perfeccionara la tecnología para poder aprovechar toda la potencia del MOSFET 1955 Nacimiento del Silicon Valley en Palo Alto (California) Hewlett y Packard . es decir. Fairchild Semiconductor Corporation. 1955 I.Ross describio la estructura MOSFET de enriquecimiento tal como se conoce hoy día. A pesar de ser la idea del MOSFET más antigua que la del BJT. fueron los avances tecnológicos producidos en el desarrollo del transistor bipolar los que hicieron viable al de efecto campo. Texas Instruments 12 .

mediante fotolitografía. transistores y resistencias interconectados usando líneas delgadas de aluminio sobre el óxido de pasivación 13 . patentó un flipflop realizado en un cristal de germanio con interconexiones de oro 1959 Noyce de Fairchild patentó la idea de circuito integrado de silicio utilizando en 1960 la tecnología planar para definir.1958 Kilby de Texas Instruments idea de circuito integrado.

Pasivación.Se comenzó a usar el Si como material semiconductor por sus propiedades:   Fácil oxidación. Su oxido puede ser atacado sin atacar al Si. Desde entonces la mayor parte de los esfuerzos tecnológicos se han dedicado a la miniaturización de los dispositivos con el propósito de aumentar su velocidad y la densidad de integración 1960 SSI (Small Scale Integration) 100 componentes/chip 1966 MSI (Mediun Scale Integration) 100-1000 componentes/chip 1969 LSI (Large Scale Integration)1000-10000 componentes/chip 1975 VLSI (Very Large Scale Integration) mas de 10mil componentes/chip Actualmente ULSI (Ultra Large Scale Integration) mas de 100Millones comp/chip 14 .  Usando su resistividad se hacen resistencias y las uniones pn pueden actuar como condensadores 1960 Kanhng y Atalla fabrican el primer MOSFET operativo Alrededor de 1968 ya se habían propuesto las estructuras básicas MOS.

15 .

Procesador 4004 de Intel 16 .

Procesador Pentiun II 17 .

18 .

2: Etapas para la fabricación de un dispositivo 19 .1.

Litografía y Grabado 4..Creación de capas delgadas (Deposición y crecimiento epitaxial)...Colocación de los contactos metálicos 20 ..Oxidación 3.1. 6. Purificación del substrato (Fabricación de obleas) 2.Impurificación 5..

Reducción del SiO2 a alta temperatura: Silicio + Carbón a 2000ºC  Silicio metalúrgico. arena de la playa).1. Reducción del SiHCl3 SiHCl3 + H2  Si de alta pureza Si Policristalino Concentración impurezas<1 ppmm (1013 cm-3). Si al 98%. 21 2) 3) 4) 5) . Purificación del substrato (Fabricación de obleas) Obtención de Si puro 1) Materia prima: Sílice o dióxido de Silicio: SiO2 (muy abundante. Si metalúrgico + ClH (Clorhídrico)SiHCl3 TricloroSilano Destilación del SiHCl3  SiHCl3 TricloroSilano puro.

El Silicio policristaio o polisilicio esta formado por pequeños cristales de silicio Las obleas para la fabricación de un C. 22 . clasificados por su ordenación atómica: (a) La estructura cristalina y (b) Amorfa son ilustradas con una vista microscopica de sus atomos. mientras (c) la estructura policristalina se muestra de una forma más macroscopica con sus pequeños cristales con distinta orientacion pegados unos con otros.I. Tienen que tener una estructura cristalina Tres tipos de solidos.

Dos métodos para obtener Si cristalino a) Método de Czochraiski b) Método de Zona flotante 23 .

24 . (sentido (c) Mecanismo del control de ambiente Una fuente gaseosa (argón) Un mecanismo para controlar el flujo gaseoso Un sistema de vaciado.Método de Czochralski Es el método empleado en el 90% (a) Horno Crisol de sílice fundida (SiO2) Soporte de grafito Mecanismo de rotación Calentador aparato denominado "puller" (b) Mecanismo de crecimiento del cristal Soporte para la semilla Mecanismo de rotación contrario).

Procedimiento Se coloca el Si policristalino en el crisol y el horno se calienta hasta fundirlo. Antimonio) o P (Boro. Aluminio. Galio) con el dopado deseado Se introduce la semilla en el fundido (muestra pequeña del cristal que se quiere crecer) Se levanta lentamente la semilla (se gira la semilla en un sentido y el crisol en el contrario) El progresivo enfriamiento en la interface sólido-líquido proporciona un Si monocristalino con la misma orientación cristalina que la semilla pero de mayor diámetro 25 . Se añaden impurezas del tipo necesario para formar un semiconductor tipo N (Fosforo. Arsenico.

26 . •La concentración de impurezas es menor en lado de la semilla que en el otro extremo.Diámetro dependerá de: • La temperatura • La velocidad de elevación y rotación de la semilla • La velocidades de rotación del crisol Efecto de segregación: •La concentración de dopante del Si solidificado es inferior a la del Si fundido. •La concentración del dopante aumente a medida que la barra de cristal crece.

En estos casos se usa el método de Zona Flotante. 27 . Para aplicaciones de alta potencia donde se necesita Si con alta resistividad este oxigeno es un problema.El Silicio fabricado por el método de Czochralski contiene oxigeno. debido a la disolución del crisol de Sílice (SiO2). Este oxigeno no es perjudicial para el silicio de baja resistividad usado en un circuito integrado.

Método de Zona Flotante •El proceso parte de un cilindro de silicio policristalino •Se sostiene verticalmente y se conecta uno de sus extremos a la semilla •Una pequeña zona del cristal se funde mediante un calentador por radio frecuencia que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla • El Si fundido es retenido por la tensión superficial entre ambas caras del Si sólido •Cuando la zona flotante se desplaza hacia arriba. el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona flotante y crece como una extensión de la semilla 28 .

2) Proceso de Oxidación térmica. • Las obleas de Si se montan en un carrete de cuarzo • Este se mete dentro de un tubo de cuarzo situado dentro de un horno de apertura cilíndrica calentado por resistencia T entre los 850 y 1100ºC 29 .

Dos tipos de oxidación: Seca y húmeda Oxidación Húmeda Se introduce vapor de agua en el horno Si(s) +2H2O(g) → SiO2(s) + 2H2(g) Es mucho mas rápida y se utiliza para crear óxidos gruesos Oxidación seca Se introduce gas de oxigeno puro Si(s) + O2(g) → SiO2(s) + 2H2(g) Se consiguen óxidos de mayor calidad pero es más lenta Esta técnica no es apropiada para la creación de óxidos gruesos ya que se puede producir una redistribución de las impurezas introducidas en los anteriores procesos 30 .

Tipos de Hornos Horno vertical Horno horizontal 31 .

44 micras de Si 1º Cuando el espesor del oxido formado es pequeño Crecimiento limitado por la reacción en la interface Si-SiO2 Espesor varia linealmente con el tiempo.• En la oxidación térmica parte de la capa de Si se consume • La interface Si-SiO2 se introduce en el Si • Por cada micra de oxido crecido se consume 0. Espesor  t 2º Cuando el espesor es grande Crecimiento limitado por la difusión de las especies oxidantes Espesor proporcional a la raíz cuadrada del tiempo. Espesor  t 32 .

a través de una mascara Se ablanda (+) o se endurece (-) la resina expuesta Se elimina la fotoresina no polimerizada con tricloroetileno Grabado: se ataca con HCl o HF y se elimina el SiO2 no protegido por la fotoresina Se elimina la fotoresina con un disolvente Sulfúrico SO4H2 33 .V.3) Proceso de litografía y grabado Se cubre la oblea con una fotoresina + o Se hace incidir luz U.

Litografía Diferentes fuentes de luz • Luz Ultravioleta • Rayos X • Haces de electrones Litografía con luz ultravioleta Es la más utilizada Para una buena resolución  (longitud de onda de la luz) tiene que ser lo suficientemente pequeña para evitar efectos de difracción • Menor longitud de onda  Mayor resolución • Problemas mascaras difíciles de fabricar • Radiación puede dañar el dispositivo Litografía con rayos X Litografía con haces de electrones • No necesita mascara • Buena resolución • Problema proceso muy lento 34 .

Litografía Tipos de mascaras Para una oblea entera Para un solo Chip 35 .

Litografía Stepper 36 .

pero no ataca al Si.Grabado Húmedo y Seco (a) Húmedo: • Baño de ácido fluorhídrico o clorhídrico que ataca SiO2 no protegido. • Gran selectividad • Problema: ataque isotrópico igual en todas las direcciones (b) Seco: • Se usa un plasma con un gas ionizado • Grabado Físico o químico • Ataque anisótropo • Menor selectividad 37 .

junto con efectos físicos (bombardeo iónico). (5) Los materiales resultados de la reacción química o bombardeo físico son repelidos por la superficie y eliminados por un sistema de vacío. (3) La superficie adsorbe a los reactivos. (4) Se produce la reacción química de los reactivos con la especies de la superficie. 38 .Reactive Ion Etching (RIE) (1) El proceso comienza con la formación de los reactivos (2) Los reactivos son transportados por difusión a través de una capa gaseosa de estaño hacia la superficie.

4) Impurificación (adición de dopantes) Dos métodos: Difusión e implantación iónica Difusión Se colocan las obleas en el interior de un horno a través del cual se hace pasar un gas inerte que contenga el dopante deseado. Tienen una alta solubilidad en silicio en el rango de temperatura de difusión. Se puede distinguir entre dos formas al realizar la difusión: 39 . T entre 800º y 1200º C Para Si tipo P el dopante más usual es el Boro y para tipo N se usa el Arsénico y Fósforo.

La concentración de dopante disminuye monótonamente a medida que se aleja de la superficie.a) Con fuente ilimitada: cuando se mantiene la misma concentración de impurezas durante el proceso b) Con fuente limitada: se parte de una concentración inicial y no se añaden mas dopantes Normalmente se usan los dos métodos uno seguido del otro. La profundidad de la difusión dependerá del tiempo y de la temperatura. La técnica de difusión tiene el problema de que las impureza se difunden lateralmente 40 .

Implantación iónica Se ionizan las impurezas Se aceleran y adquieren alta energía Se introducen en el Si con el ángulo adecuado Annealing: se somete la oblea a un recocido para reordenar al estructura Mejor control de la difusiones profundidad y dopado 41 .

polisilicio.5) Formación de capas delgadas (Deposiciones y Epitaxia) Se puede depositar diferentes tipos de material como óxidos. metal y semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia) Podemos distinguir entre dos tipos de deposición según se produzca en el proceso una reacción química o física 1) Chemical vapour deposition (CVD) • Atmospheric pressure CVD • Low-pressure CVD • Plasma-enhanced CVD 2) Physical vapour deposition (PVD) • Evaporation technology • Sputtering • Molecular Beam Epitaxy (MBE) Las técnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y polisilicio La técnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia) Las técnicas Físicas de evaporación y Sputtering para metalizaciones 42 .

predominará la segunda reacción. En el recipiente se introduce la fuente gaseosa. 43 . típicamente tetracloruro de silicio (SiCl4 ) y se calienta todo a una temperatura de 1200 ºC. dándose la reacción: Pero además se produce también la reacción siguiente: Si la concentración de tetracloruro de silicio (SiCl4 ) es demasiado elevada. por lo que se producirá una eliminación de silicio del substrato en vez del crecimiento de la capa epitaxial.Chemical vapour deposition (CVD) Creación de una capa de Si Las obleas de silicio se introducen en un recipiente sobre un soporte de grafito.

La capa epitaxial puede crecerse con un cierto dopado. mientras que la arsina (AsH3 ) y la fosfina (PH3 ) se utilizan como dopantes tipo n. Como dopante tipo p se utiliza el diborano (B2 Cl4 ). El dopante se introduce a la vez que el SiCl4 en la mezcla gaseosa. Distintos tipos de hornos 44 .

SiCl2 H2 con óxido nitroso a bajas presiones: a medida que mayor es la temperatura mejor es la calidad del óxido Creación de una capa de polisilicio se utiliza un reactor LPCVD a una temperatura entre 600 y 650º C donde se produce la pirolisis del silano: 45 . A altas t (900 ºC) al reaccionar diclorosilano.Creación de una capa de oxido A bajas t (300 a 500 ºC) las películas se forman al reaccionar silano y oxígeno.

Molecular Beam epitaxy MBE Recipiente al vacío Distintos materiales en crisoles se calientan las partículas evaporadas son dirigidas a la muestra bajas temperaturas (400 a 800 ºC) Control preciso del perfil del dopado. No hay reacción química 46 . Crecimiento de múltiples capas monocristalinas con espesores atómicos.

La energía de los átomos de vapor suele ser baja lo cual pueden resultar capas porosas y poco adherentes 47 .6) Metalización Phisical vapour deposition • Se evapora el metal con calor a depositar en una cámara de alto vacío • Se condensa en la superficie de la oblea al enfriarse.

Evaporación por haces de electrones.Varias técnicas para evaporar el metal Filamento de tungsteno. Un filamento suministra un haz de electrones que son acelerados por un campo eléctrico y conducidos hacia la superficie del metal donde al chocar con éste producen la evaporación del mismo. 48 . En un crisol de nitruro de boro se calienta el Al mediante inducción RF. De cada espira del filamento se cuelga un pequeño trozo de aluminio.

Sputtering (Salpicado) El material a depositar se arranca cargándolo negativamente al bombardearlo con iones positivos Argon Los átomos de Al desprendidos se dirigen y depositan sobre al oblea • • Más uniformidad Mejor control del espesor 49 .

Fabricación de 4 diodos 50 .

Fabricación de un MOSFET 51 .

52 .

You're Reading a Free Preview

Descarga
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->