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Memoria de acceso aleatorio

La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory) se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible. Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los mdulos de memoria RAM estn conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test bsico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma. La memoria dinmica de acceso aleatorio DRAM tena una interfaz asncrona, lo que significaba que el cambio de estado de la memoria se efecta un cierto tiempo (marcado por las caractersticas de la memoria) desde que cambian sus entradas. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en un momento sealado por una seal de reloj y, por lo tanto, est sincronizada con el bus de sistema del ordenador. El reloj tambin permite controlar una mquina de estados finitos interna que controla la funcin de "pipeline" de las instrucciones de entrada. Esto permite que el chip tenga un patrn de operacin ms complejo que la DRAM asncrona, que no tiene una interfaz de sincronizacin. El mtodo de segmentacin (pipeline) significa que el chip puede aceptar una nueva instruccin antes de que haya terminado de procesar la anterior. En una escritura de datos, el comando "escribir" puede ser seguido inmediatamente por otra instruccin, sin esperar a que los datos se escriban en la matriz de memoria. En una lectura, los datos solicitados aparecen despus de un nmero fijo de pulsos de reloj tras la instruccin de lectura, durante los cuales se pueden enviar otras instrucciones adicionales. (Este retraso se llama latencia y es un parmetro importante a considerar cuando se compra una memoria SDRAM para un ordenador.)

DDR SDRAM: Las siglas DDR son utilizadas para abreviar el concepto "Double Data Rate", cuya definicin es memoria de doble tasa de transferencia, y se trata de una serie de mdulos que estn compuestos por memorias sncronas, llamadas SDRAM, y si bien tienen el mismo tamao de los DIMM de SDRAM. Enva los datos dos veces por cada siclo de reloj. De este modo trabaja el doble de velocidad del bus del sistema sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos dimm de 184 contactos, en el caso de ordenador de escritorio y en mdulos de 144 contactos, para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son: Pc 2100 o DDR 266. Funciona a un mximo de 133 MGHZ. Pc 2700 o DDR 333. Funciona a un mximo de 166 MGHZ Pc 3200 o DDR 400. Funciona a un mximo de 200 MGHZ

DDR2 SDRAM Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fcil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los mdulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la informacin.

Los mdulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla fuera del mdulo de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de memoria.
Caractersticas

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5. Terminacin de seal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminacin integrada" u ODT) para evitar errores de transmisin de seal reflejada.

Comparacin DDR

DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266 MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor rendimiento que sus equivalentes en DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta dos veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a velocidades por encima de los 266 MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600, pero la JEDEC ha afirmado que no se estandarizarn. Estos mdulos son, principalmente, optimizaciones de los fabricantes, que utilizan mucha ms energa que los mdulos con un reloj ms lento, y que no ofrecen un mayor rendimiento.

DDR3 SDRAM Las memorias DDR3 son una mejora de las memorias DDR2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje que lleva consigo una disminucin del gasto global de consumo. Los DIMMs DDR3 tienen 240 contactos, es el mismo nmero que DDR2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca.

Se prevea, que la tecnologa DDR3 pudiera ser dos veces ms rpida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometa ofrecer DDR3 era la mejor opcin para la combinacin de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 ncleos por microprocesador). Las tensiones ms bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solucin trmica y energtica ms eficientes. Tericamente, estos mdulos podan transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 8002600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz 200-533 MHz del DDR. Existen mdulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.
Desarrollo 2005 En 2005, Samsung Electronics anunci un chip prototipo de 512 MiB a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition ms rpido) con una reduccin de consumo de energa de un 40% comparado con los actuales mdulos comerciales DDR2, debido a la tecnologa de 80 nanmetros usada en el diseo del DDR3 que permite ms bajas corrientes de operacin y tensiones (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 los 2,6 del DDR). Dispositivos pequeos, ahorradores de energa, como computadoras porttiles quizs se puedan beneficiar de la tecnologa DDR3.

DDR4 SDRAM Las memorias DDR4 SDRAM estn actualmente (2013) en fase de produccin. Las memorias DDR4 SDRAM tendrn un mayor rendimiento y menor consumo que las memorias DDR predecesoras. Tienen un gran ancho de banda en comparacin con sus versiones anteriores.

Sus principales ventajas en comparacin con DDR2 y DDR3 son una tasa ms alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en comparacin con DDR3 de 800M a 2.133MT/s), la tensin es tambin menor a sus antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR3) DDR4 tambin apunta un cambio en la topologa descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria est conectado a un mdulo nico. Se espera que las memorias DDR4 SDRAM sean lanzadas al mercado en el ao 2014, junto a chipsets y placas base compatible. DDR4 es el sucesor de DDR3, revelado en el foro de desarrollo Intel en 2008, y su lanzamiento es inminente 2012. Se espera que DDR4 alcance el mercado masivo sobre el 2015, lo que es comparable a los 5 aos que llev la transicin de DDR2 a DDR3.

DDR 5 SDRAM GDDR5 (Graphics Double Data Rate, versin 5) SDRAM es un tipo de alto rendimiento DRAM tarjeta grfica de memoria diseadas para las aplicaciones informticas que requieren un alto ancho de banda .

Descripcin
GDDR5 est basado en SDRAM DDR3 de memoria que tiene el doble de lneas de datos comparados con DDR2 SDRAM , pero GDDR5 tambin tiene amplia de 8 bits prefetch amortigua similar a GDDR4 . GDDR5 SGRAM se ajusta a las normas que se establecen en el pliego de GDDR5 por la JEDEC . Se utiliza un 8n- captacin previa arquitectura y DDR interfaz para lograr un funcionamiento de alto rendimiento y se puede configurar para que funcione en el modo de 32 16 o (clamshell) modo que se detecta durante la inicializacin del dispositivo. La interfaz GDDR5 transfiere dos de 32 bits de ancho palabras de datos por ciclo de reloj de escritura (WCK) a / de los pines de E / S. Correspondiente al 8n-prefetch, una sola lectura o escritura de acceso consiste en un 256-bit de ancho de dos CK reloj ciclo de transferencia de datos en el ncleo de memoria interna y ocho y medio WCK reloj ciclo transferencias de datos y 32 bits correspondientes en el I / O Pins. GDDR5 funciona con dos tipos de reloj diferentes. Un reloj de mando diferencial (CK) como referencia para la direccin y el mando entradas y un reloj de escritura diferencial remitido (WCK) como referencia para los datos de lectura y escritura. Siendo ms precisos, el SGRAM GDDR5 utiliza dos relojes de escritura, cada uno de ellos asignado a dos bytes. El WCK corre al doble de la frecuencia de CK. Tomando un GDDR5 con 5 Gbit / s de velocidad de datos por pin como un ejemplo, el reloj CK se ejecuta con 1,25 GHz y 2,5 GHz con WCK. La CK y relojes WCK estarn alineados durante la inicializacin y la secuencia de entrenamiento. Esta alineacin permite la lectura y escritura con una latencia mnima. Un solo chip GDDR5 de 32 bits tiene cerca de 67 pernos de la seal y el resto son de alimentacin y masa en el 170 BGA paquete.

INSTITUTO EXPERIMENTAL DE EDUCACION MEDIA LIC. MARIO EFRAIN NAJERA FARFAN

NOMBRE: Sara Evelia Ramrez Alvarado

CATEDRA: Tecnologa

SECCION: D

CLAVE:

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TRABAJO: Que es una memoria de ram y su Evolucin desde la ddr hasta la Ddr5

INTRODUCCION El siguiente trabajo est basado en la evolucin de la memoria ram desde su principio hasta la actualidad y un poco de su futuro.

INDICE
CONTENIDO PAG. Introduccin. 1 Memoria de Acceso Aleatorio. 2 Comentario... 8 Conclusin.. 9 Bibliografa. 10

COMENTARIO Es bueno saber que funcin tiene cada tipo de memoria Ram y con que mother board puede trabajar para no cometer errores al insertar a un ordenador.

CONCLUSION A realizar este trabajo llegue a la conclusin de que es importante saber y comprender la funcin de la memoria ram en el sistema operativo y poder trabajar de una manera segura.

BIBLIOGRAFIA Enciclopedia libre

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