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Tema 5 - Diodos de Union P-N
Tema 5 - Diodos de Union P-N
o
I I ~
.
4
La relacin entre grados Kelvin y grados Celsius es: T(K)~T(
o
C)+273.
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
= 1 1
T
V
V
o
KT
qV
o
e I e I I
q q
,
5-7
Al representar la ecuacin I I e
o
V
V
T
=
|
\
|
.
|
q
1 , se observan algunas diferencias con
respecto al comportamiento real de una unin p-n, tal y como se puede apreciar en las
Figuras 5.7 y 5.8.
Fig. 5.7. Curva I-V de acuerdo al modelo matemtico de la ecuacin de Shockley.
Fig. 5.8. Curva de funcionamiento real del diodo.
Se observa que en la prctica el diodo con polarizacin no conduce a partir de
V=0 V, sino que es necesario alcanzar el valor V
V[V]
V
I[mA]
5-8
- V
=
A
A
=
,
donde T
o
= 25C. Valores tpicos de TC son, por ejemplo, -2,0 mV/C (silicio), -2,5
mV/C (germanio) -1,5 mV/
o
C (Schottky).
Fig. 5.9. Curvas I-V para polarizacin directa con TC negativo.
V[Volt]
80
60
40
20
0 0,4 0,6 0,8
I[mA]
100
T
1
T
2
T
3
T
1
>T
2
>T
3
5-9
5.3 DIODOS DE AVALANCHA
Los diodos de avalancha o zner son diodos diseados para trabajar en la
zona de ruptura. La zona de ruptura se caracteriza porque la corriente puede variar
ampliamente permaneciendo la tensin constante. Para que esto suceda es necesario que
trabaje dentro del margen de corrientes:
I
Zmn.
s I
Z
s I
Zmx.
El smbolo de un diodo zner es el siguiente:
Fig. 5.10. Smbolo del diodo zner.
y la curva caracterstica I-V de este diodo es de la forma:
Fig. 5.11. Curva I-V de un diodo zner.
La ruptura de una unin p-n no es un proceso destructivo, siempre que no se
exceda la disipacin mxima de potencia especificada: P
Zmx
= V
Z
I
Zmx
.
Existen dos mecanismos para producir la ruptura de la unin del diodo,
denominados multiplicacin por avalancha y ruptura zner.
- Multiplicacin por avalancha: Se produce por el efecto de colisin entre los
portadores minoritarios que atraviesan la unin y que, al alcanzar suficiente
energa cintica, arrancan por choque otros electrones de los enlaces de los
tomos creando nuevos pares electrn-hueco, los cuales a su vez pueden ionizar
5-10
de nuevo ms tomos por choque mediante este proceso de colisin, ruptura y
multiplicacin.
Se favorece este efecto de avalancha dopando ms un lado de la unin que el
otro, por ejemplo, la zona p, lo que se denota como p
+
. En este caso, la anchura
de la zona de transicin es grande, de forma que un electrn tendr mucho
camino libre para ser acelerado en dicha zona de transicin y alcanzar una
energa suficiente.
Fig. 5.12. Multiplicacin por avalancha.
El efecto avalancha es mayoritario con polarizacin inversa por encima de 6
voltios y presenta coeficiente de temperatura positivo.
- Ruptura zner: Se produce por campo elctrico muy intenso en la unin, que es
capaz de originar la suficiente fuerza sobre los electrones como para que rompan
directamente su enlace covalente, dando lugar a portadores de corriente.
Este efecto se produce en diodos muy dopados, con polarizacin inversa por
debajo de 6 voltios, y presenta coeficiente de temperatura negativo.
Fig. 5.13. Ruptura zner.
I
z
I
z
5-11
5.4 DIODOS LED. FOTODIODOS
La fotnica, que estudia la generacin, transmisin y recepcin de la luz,
abarca, entre sus diferentes ramas, la optoelectrnica, que se ocupa de los principios,
diseo, fabricacin y aplicaciones prcticas de aquellos dispositivos que combinan la
electrnica y la luz. En la prctica, estos dispositivos presentan unas aplicaciones muy
numerosas en todos los campos de la electrnica. Por ejemplo, en la electrnica de
consumo, sensores para captura de imgenes fotogrficas o escneres, pantallas de
visualizacin (plasma, lcd, led), sistemas de almacenamiento masivo (CD, DVD, Blu-
ray), sistemas de impresin lser, lectores de cdigos de barras, mandos a distancia,
lmparas led, etc. En electrnica de comunicaciones, emisores lser para fibra ptica, y
receptores fotodiodos. En electrnica industrial, todo tipo de sensores pticos para
aplicaciones de control y automatizacin de procesos, etc.
Dos de los componentes optoelectrnicos ms relevantes son los diodos
emisores de luz o LEDS y los diodos detectores de luz o fotodiodos, cuyo
funcionamiento analizamos en las subsecciones siguientes.
5.4.1 Diodo Emisor de Luz (LED)
Un diodo LED, acrnimo ingls de Light Emitting Diode (diodo emisor de luz),
es un dispositivo fotnico basado en una unin p-n
semiconductora, que emite luz monocromtica (es decir,
de un solo color) cuando se polariza en directa y es
atravesado por la corriente elctrica. El color depende
del material semiconductor empleado en la construccin
del diodo pudiendo variar desde el ultravioleta, pasando
por el espectro de luz visible, hasta el infrarrojo,
recibiendo stos ltimos la denominacin de LED IR (Infra-Red). Muchos dispositivos
y equipos electrnicos disponen de un piloto de color (LED) para avisarnos de cualquier
problema o cambio detectado en el mismo (batera baja, encendido...).
5-12
Fig. 5.14. Curva de emisin lumnica para el LED IR.
En directa, todos los diodos emiten una cierta cantidad de radiacin cuando los
pares electrn-hueco se recombinan, es decir, cuando los electrones caen desde la banda
de conduccin (de mayor energa) a la banda de valencia (de menor energa). La
frecuencia de la radiacin emitida y, como consecuencia, su color, depender de la
anchura/altura de la banda prohibida (diferencias de energa entre las bandas de
conduccin y valencia), es decir, de los materiales empleados. En la Figura 5.14 se
puede ver la denominada curva de emisin lumnica para el caso del LED IR. En la
curva se representa la intensidad lumnica relativa en funcin de la longitud de onda
6
de
los fotones emitidos. La curva es de tipo campana, con un mximo pronunciado a la
longitud de onda correspondiente al color emitido.
El proceso de recombinacin puede producirse en modo directo, como sucede en
el arseniuro de galio, en donde el electrn cae directamente al nivel de energa del
hueco, emitindose un fotn de la misma energa que la perdida; o bien, en modo
indirecto, cuando el electrn salta primero a un nivel intermedio dentro de la banda
prohibida (producido por una impureza), y de ah al nivel de energa del hueco. Esta
recombinacin indirecta, tpica del silicio por ejemplo, no suele producir fotones, y la
energa perdida se disipa en la red cristalina en forma de calor.
Como la intensidad luminosa emitida depende del nivel de recombinacin, la
cantidad de luz emitida depende de la corriente de polarizacin directa I. En el circuito
de la figura se observa un circuito de polarizacin tpico de un LED, con una resistencia
R para limitar la intensidad.
6
La longitud de onda de una partcula de luz o fotn es la distancia recorrida por el fotn durante un
periodo de la onda asociada, es decir, =cT=c/f, donde f es la frecuencia de la onda y c es la velocidad de
la luz en el vaco (310
8
m/s).
5-13
Fig. 5.15. Conexin bsica de un diodo led.
Los primeros diodos emisores de luz o ledes utilizaron arseniuro de galio
(GaAs), que emite radiacin infrarroja. Mediante la incorporacin de materiales
adicionales se pueden conseguir longitudes de onda visibles con rendimientos
mejorados. Los ledes tienen geometras especiales para evitar que la radiacin emitida
sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, fenmeno que ocurre en
los diodos convencionales.
Adems, es importante escoger adecuadamente la corriente que atraviesa el led
para obtener una intensidad luminosa adecuada. El voltaje de operacin va desde 1,5 a
4,4 voltios aproximadamente, y la gama de intensidades que puede circular por un led
estndar va desde 10 hasta 40 mA (tpicamente, 20 mA).
Compuestos empleados en la construccin de diodos LED Color
Arseniuro de galio (GaAs) Infrarrojo
Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs) Rojo e infrarrojo
Arseniuro fosfuro de galio (GaAsP)
Rojo, naranja y
amarillo
Fosfuro de galio (GaP), Nitruro de galio (GaN) Verde
Seleniuro de zinc (ZnSe), Nitruro de galio e indio (InGaN) y Carburo de
silicio (SiC)
Azul
Diamante (C) Ultravioleta
Led azul o ultravioleta recubierto con fsforo fluorescente Blanco
Los ledes estndar estn diseados para potencias del orden de 30 a 60 mW. En
torno a 1999 se introdujeron en el mercado ledes capaces de trabajar con potencias de 1
W para uso continuo y en 2002 se comercializaron ledes para potencias de 5 W, con
eficiencias en torno a 60 lm/W
7
, es decir, el equivalente a una bombilla incandescente
de 50 W. Hoy en da ya hay ledes con eficiencias del orden de 150 lm/W, lo que est
posibilitando incluso el empleo de ledes en la iluminacin.
Adems, el comienzo del siglo XXI ha visto aparecer los diodos OLED (diodos
LED orgnicos), fabricados con materiales polmeros orgnicos semiconductores.
7
El lumen es la unidad del flujo luminoso, que es la potencia emitida en forma de radiacin luminosa a la
que el ojo humano es sensible.
5-14
Aunque la eficiencia lograda con estos dispositivos est lejos de la alcanzada por los
diodos inorgnicos, su fabricacin es considerablemente ms barata que la de aqullos.
En cuanto a las aplicaciones de los diodos led, son muchas y muy variadas. Por
ejemplo, los ledes infrarrojos se emplean en mandos a distancia, para aplicaciones de
control remoto, y en optoacopladores (ver subseccin 5.4.3). Los ledes de luz visible se
emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado (encendido/apagado), en
dispositivos de sealizacin (de trfico, de emergencia, etc.) y en paneles informativos,
en el alumbrado de pantallas de cristal lquido y en impresoras LED. El uso de lmparas
LED en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de trfico) es previsible
que se siga incrementando en el futuro, ya que presenta indudables ventajas frente a
otros sistemas de iluminacin, por su elevado rendimiento y larga vida til. Los diodos
OLED, por su parte, podran ser utilizados en un futuro en las pantallas de televisin, de
ordenador o de dispositivos porttiles, una vez superados los problemas de degradacin
de los materiales orgnicos con los que se fabrican.
5.4.2 Fotodiodos
El fotodiodo es un diodo detector de luz, es decir,
un dispositivo que, basado en la tecnologa de
semiconductores de silicio, convierte las seales de luz de
entrada en una corriente elctrica de salida.
El fotodiodo de unin p-n polarizada en sentido
inverso es un elemento bsico para comprender los
dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es
dirigida hacia la unin, se crean pares hueco-electrn que se desplazan a travs de la
unin debido al campo generado en dicha unin. El resultado es un flujo de corriente en
el circuito externo, denominado fotocorriente, que es proporcional a la intensidad de la
luz que incide en el dispositivo. El fotodiodo se comporta bsicamente como un
generador de corriente proporcional a la iluminacin, y que permanece prcticamente
constante hasta que se alcanza la tensin de avalancha.
Fig. 5.16. Fotodiodo de unin p-n polarizado inversamente.
5-15
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante
determinada. Por ejemplo, para un fotodiodo tpico de silicio sta se halla
aproximadamente en 850 nm. Para esta longitud de onda se produce la mxima cantidad
de pares electrn-hueco en la proximidad de la unin.
La mayora de los detectores de luz comunes consisten en una unin de
fotodiodo y un amplificador, que es necesaria porque la corriente del fotodiodo se halla
en el margen comprendido entre las dcimas de microamperio y las decenas de
microamperio.
5.4.3 Optoacopladores
Existen muchas aplicaciones en las que la informacin debe ser transmitida entre
dos circuitos elctricamente aislados uno de otro. Este aislamiento puede ser conseguido
de diferentes formas, siendo el optoacoplador una de las ms efectivas, donde el
aislamiento de ruido y de alta tensin, y el tamao, son caractersticas determinantes
Un optoacoplador es un dispositivo que contiene una fuente de luz y un detector
fotosensible separados una cierta distancia y sin contacto elctrico entre ellos. La clave
del funcionamiento de un optoacoplador est en el emisor, un LED, y en el detector
fotosensible, generalmente un fotodiodo o un fototransistor, a la salida. La energa de
luz proporcionada por el emisor est situada generalmente en la regin de los
infrarrojos o muy cercana a ella.
Fig. 5.17. Conexin bsica de un optoacoplador.
5.5 MODELOS LINEALES DEL DIODO
Para realizar el anlisis de circuitos con diodos, vamos a estudiar dos mtodos:
el mtodo grfico, y el mtodo lineal, basado en los modelos circuitales lineales del
diodo.
5-16
5.5.1 Anlisis de circuitos con diodos. Mtodo grfico
El anlisis de circuitos que incluyen diodos de unin puede hacerse grficamente
a partir de la curva caracterstica I-V. Por ejemplo, en el circuito de la Fig. 5.18 el
problema a resolver consiste en determinar los valores V e I del punto de
funcionamiento Q del diodo. La interseccin de la recta de carga (representada en azul)
con la curva caracterstica del diodo (representada en rojo) nos da el punto de trabajo Q.
5.5.2 Anlisis de circuitos con diodos. Mtodo lineal
Con el mtodo lineal y para simplificar el anlisis, se va a sustituir el diodo
(dispositivo no lineal), por circuitos lineales (modelos) que resultan de aproximar su
caracterstica mediante tramos rectos.
ECUACINDEMALLA
(dependedeR yV
i
)
CURVADE
COMPORTAMIENTO
I=f(V)AUNA TEMP.
PUNTODETRABAJO
(interseccindela
rectaylacurva)
V
i
R
V
i
V
Q
I
[mA]
V[V]
Fig. 5.18. Circuito bsico
con diodo de unin p-n
polarizado en directa.
Obtencin del punto de
trabajo (I y V en el diodo) a
partir de la interseccin
entre la curva caracterstica
I-V y la recta de carga del
circuito obtenida a partir de
la ecuacin de malla.
5-17
Fig. 5.19. Resistencia esttica y dinmica del diodo.
5.5.2.1 Resistencia de la unin p-n
La resistencia esttica R de un diodo se define como la relacin entre la tensin
y la corriente, es decir, V/I. En un punto cualquiera de la curva caracterstica I-V del
diodo, la resistencia esttica se obtiene como la inversa de la pendiente de la recta que
une dicho punto con el origen de coordenadas. Podemos hablar de resistencia esttica en
directa (R
F
) y de resistencia esttica en inversa (R
R
). De acuerdo con la Fig. 5.19, las
resistencias estticas en directa y en inversa tendran las expresiones siguientes:
R
F
=V
Q
/ I
Q
y R
R
=V
P
/ I
P
, respectivamente.
Puesto que vara de forma considerable con el punto elegido, no es un parmetro
adecuado para definir el comportamiento del diodo.
La resistencia dinmica o incremental, en cambio, constituye un parmetro
importante del diodo. Se define como la inversa de la pendiente de la curva
caracterstica I = f(V), en el punto de funcionamiento, es decir:
dI
dV
I
V
R
I
dinmica
=
|
.
|
\
|
A
A
=
A 0
.
.
En el punto Q, con polarizacin directa, tenemos que la resistencia dinmica en directa
se obtiene como
R
dV
dI
f
I I
Q
=
|
\
|
.
|
=
y en el punto P, con polarizacin inversa, la resistencia dinmica en inversa se obtiene
como
R
dV
dI
r
I I
P
=
|
\
|
.
|
=
.
I
V
V
P
P
I
P
V
Q
Q
I
Q
5-18
En el diodo se cumple que la resistencia en directa es pequea y en inversa grande.
Tenamos tericamente que la corriente en el diodo se poda modelar
matemticamente de acuerdo a la ecuacin I I e
o
V
V
T
=
|
\
|
.
|
q
1 y, por lo tanto,
dI
dV
I e
V
I I
V
o
v
V
T
o
T
T
= =
+
q
q q
, de donde:
o
T
dinmica
I I
V
dI
dV
R
+
= =
q
.
Si en el punto Q se cumple que I
Q
>> I
O
, la resistencia dinmica en directa toma la
siguiente expresin:
R
V
I
f
T
Q
=
q
.
5.5.2.2 Modelos lineales equivalentes del diodo pn
La aproximacin lineal del diodo proporciona resultados bastante satisfactorios
en la mayora de aplicaciones prcticas en ingeniera electrnica.
Vamos a considerar al diodo pn como un dispositivo de dos o tres estados o
zonas de funcionamiento:
- D
ON
: conduccin directa con I>0.
- D
OFF
: corte o no conduccin con I=0.
- D
INV
: conduccin en inversa con Is 0
A continuacin vamos a ver en detalle la representacin circuital lineal del diodo
pn, tanto el modelo completo como distintos casos particulares del mismo.
5-19
a) Modelo completo : R
f
=0, R
r
=, V
=0.
b) Modelo con resistencia en inversa infinita: R
f
=0, R
r
, V
=0.
c) Modelo con resistencia inversa infinita y tensin umbral nula: R
f
=0, R
r
,
V
=0.
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>V
DIRECTOV
>V>0
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
V
D
INV
INVERSOVs0
R
r
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>V
DIRECTOV
>V>0
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
V
D
INV
INVERSOVs0
R
r
A
K
R
r
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>V
INVERSOVsV
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
V
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>V
INVERSOVsV
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
V
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>0 INVERSOVs0
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>0 INVERSOVs0
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
5-20
d) Modelo con resistencia en directa nula y resistencia en inversa infinita: R
f
=0,
R
r
, V
=0.
e) Modelo con resistencia en directa nula, resistencia en inversa infinita y tensin
umbral nula (interruptor ON-OFF): R
f
=0, R
r
, V
=0.
5.5.2.3 Modelos lineales equivalentes del diodo zner
Vamos a considerar en el diodo zner tres estados o zonas de funcionamiento:
- D
ON
: conduccin directa con I>0.
- D
OFF
: corte o no conduccin con I=0
- D
ZNER
: conduccin en inversa zner con Is0.
a) Modelo completo: R
f
=0, R
r
, V
=0, R
z
=0.
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>V
INVERSOVsV
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>V
INVERSOVsV
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>0 INVERSOVs0
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>0 INVERSOVs0
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
V
DIRECTOV>V
INVERSOV
z
sVsV
INVERSOVsV
z
D
ZNER
A
K
R
Z
V
Z
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
A
K
D
ON
D
OFF
A
K
R
f
V
DIRECTOV>V
INVERSOV
z
sVsV
INVERSOVsV
z
D
ZNER
A
K
R
Z
V
Z
5-21
b) Modelo simplificado: R
f
=0, R
r
, V
=0, R
z
=0.
5.6 APLICACIONES: CIRCUITOS RECTIFICADORES. FILTRO DE
CONDENSADOR
Se denomina rectificador a un sistema capaz de convertir una onda alterna en
una onda unipolar
8
con componente media o continua no nula.
5.6.1 Rectificador de media onda, onda simple o simple onda
En este tipo de rectificador solamente se produce transferencia de energa sobre
la carga durante uno de los semiciclos de la seal alterna de entrada, o lo que es lo
mismo, cuando tiene una determinada polaridad.
Fig. 5.20. Rectificador de media onda.
En un rectificador de media onda con seal de entrada :
V
i
= V
m
sen o con o = et = 2tft =2tt/T
se tiene que
V
i
> 0 0
s o s t i = I
m
sen o
V
i
s 0 t
s o s 2t i = 0.
Por lo tanto, tenemos que:
8
Una seal unipolar es una seal que tiene siempre la misma polaridad, positiva o negativa.
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>0 INVERSOV
z
sVs0
D
ON
D
OFF
A
K
D
ZNER
INVERSOVsV
z
A
K
A
K
CIRCUITOLINEALEQUIVALENTE
DIRECTOV>0 INVERSOV
z
sVs0
D
ON
D
OFF
A
K
D
ZNER
INVERSOVsV
z
A
K
A
K
5-22
Fig. 5.21. Seal de entrada y tensin en el diodo en un rectificador de media onda.
D (R
f
=0, V
=0, R
r
)
R
L
I
V
m
R
f
m
I
V
R R
m
m
L f
=
+
4
4
2
2 2
1
) (
2
1
2
2
2
2
0
2 2
0
f m
f ef D
L m
L ef L
L m
L ef ef
m
m ef
f L
L m L m
L dc dc
m
m dc
R I
R I P
R I
R I P
R I
R I V
I
d sen I I
R R
R V R I
R I V
I
d sen I I
= =
= =
= =
= =
+
= = =
= =
}
}
o o
t
t t
t
o o
t
t
t
Fig. 5.22. Anlisis del rectificador de media onda.
Destacar que la tensin inversa mxima que ha de soportar el diodo es V
m
.
5-23
5.6.2 Rectificador de onda completa o de doble onda en puente de diodos
En este tipo de rectificador se produce transferencia de energa sobre la carga
durante los dos semiciclos de la seal alterna de entrada, o lo que es lo mismo, para sus
dos polaridades.
Fig. 5.23. Rectificador de onda completa en puente de diodos.
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada, conducen los diodos D
1
y
D
3
, que quedan en serie con la carga R
L
, y en el negativo lo hacen D
2
y D
4
.
Fig. 5.24. Anlisis cualitativo del rectificador de onda completa en puente de
diodos.
5-24
D (R
f
=0, V
=0, R
r
)
V V
i I
i m
m
=
=
sen
sen
o
o
f L
m
m
R R
V
I
2 +
=
t
m
dc
I
I
2
=
) 2 (
2
f L
L m
L dc dc
R R
R V
R I V
+
= =
t
I
I
ef
m
=
2
2
L m
L ef ef
R I
R I V = =
2
2
2 L m
L ef L
R I
R I P = =
4
2
2
f m
f Def D
R I
R I P = =
f m D Dtotal
R I P P
2
4 = =
Fig. 5.25. Anlisis del rectificador de
onda completa en puente de diodos.
La tensin inversa de pico que han de soportar los diodos, es:
V
inv.mx.
= V
m
- I
m
.R
f
~ V
m
.
5.6.3 Rectificador de onda completa con filtro de condensador
Con el objetivo de mejorar la calidad de la seal continua procedente de un
rectificador se utilizan filtros paso bajo en su salida para reducir el nivel de rizado.
El filtrado se puede realizar situando un condensador de capacidad lo
suficientemente alta en paralelo con la carga, de tal modo que va a almacenar energa en
el periodo de conduccin del rectificador y la va a liberar sobre la carga durante la no
conduccin del mismo.
2R
f
R
L
5-25
Fig. 5.26. Rectificador de onda completa con filtro de condensador.
T
1
= intervalo de tiempo de conduccin o de carga.
T
2
= intervalo de tiempo de no conduccin o descarga.
V
r
= tensin pico a pico o profundidad del rizado.
La tensin o profundidad del rizado V
r
depende inversamente de la resistencia
de carga R
L
y de la capacidad del condensador C utilizado para el filtrado, como
veremos a continuacin.
Fig. 5.27. Seal de salida en un
rectificador de onda completa
con filtro de condensador
5-26
Dado que el condensador se descarga de modo exponencial a travs de R
L
, su
cada de tensin coincide con la tensin de rizado, es decir,
C R
T
m m r
L
e V V V
2
= ,
donde V
m
es el valor mximo de la seal a la salida del rectificador de onda completa
en puente de diodos. Como habitualmente se cumple R
L
C>>T
2
, entonces podemos
utilizar la aproximacin lineal de e
-x
~ 1-x (x<<1). Por lo tanto, resulta que
C R
T V
C R
T
V V V
L
m
L
m m r
2 2
1 =
|
|
.
|
\
|
~ .
Puesto que generalmente, el tiempo de carga T
1
es mucho menor que el tiempo de
descarga T
2
, por lo que podemos escribir
f
T
T
2
1
2
2
= ~ .
Sustituyendo esta ltima relacin en la expresin de la tensin de rizado nos
queda que la tensin de rizado es aproximadamente
C fR
V
V
L
m
r
2
~ ,
y que la tensin y la corriente continuas en la carga:
L
dc
dc
R
V
I = .
C fR
V
V
V
V V
L
m
m
r
m dc
4
2
= ~