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Practica III

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PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS

CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

PRÁCTICA III CARACTERÍSTICAS Y PARÁMETROS DE LOS PRINCIPALES DIODOS
OBJETIVO GENERAL
Obtener, medir e interpretar las características y parámetros típicos de los principales diodos. Objetivos particulares • Obtener, medir e interpretar las características y parámetros de los principales diodos semiconductores, usando el software de simulación PSpace. • Obtener, medir e interpretar las características y parámetros típicos de algunos diodos semiconductores, mediante los circuitos propuestos y el equipo del laboratorio de electrónica. Material necesario ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ Software de simulación de circuitos PSpace. Manual de prácticas de laboratorio. Protoboard Pinzas de punta y corte Cables Un diodo rectificador, un diodo Zener con voltaje menor a 10V, un diodo LED y un diodo Schottky. Una resistencia de 1KΩ/0.5W

Desarrollo de la Práctica. Empleando el software de simulación de circuitos PSpace y los ejercicios del instructivo de prácticas de laboratorio, el alumno obtendrá las curvas de comportamiento eléctrico de diferentes diodos semiconductores. En cada uno de los casos analizará, medirá e interpretará las principales características y parámetros de los mismos, los cuales reportará de acuerdo a lo indicado en el instructivo.

ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE ING EMV

III.1

1.Curvas características del diodo rectificador Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3. Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Frecuencia de la señal de entrada Voltaje de umbral del diodo Voltaje de ruptura del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 30V Tabla 3.2.2 .1 y obtenga la curva característica del diodo rectificador y reporte lo que se le solicita en la tabla 3.1 Usando el mismo VG1 inicial aumente la frecuencia de la señal hasta 50kHz y observe la curva característica del diodo. indique si se modifica o permanece igual que la primera que obtuvo. + ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE ING EMV III.2. OSC1 + Ch1 + Ch2 - D1 1N4004 R1 1k VG1 Figura 3.1.Curva característica del diodo Zener Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES 3..2.Circuito utilizado para obtener la curva característica del diodo rectificador.. _________________________________ 3..2 y obtenga la curva característica del diodo zener y reporte lo que se solicita en la tabla 3.Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo zener. OSC1 + Ch1+ Ch2- + Z1 1N2804 R1 1k VG1 Figura 3..1.

2 3.3 3.3 .3. ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE ING EMV III..4... obtenga la curva característica del diodo schottky y reporte lo que se indica en la tabla 3.4. OSC1 + Ch1 + Ch2 - + VG1 LED1 CQX35A R1 1k Figura 3.Curva característica del diodo LED Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo LED Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de umbral del diodo Voltaje de ruptura del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 5V Tabla 3.PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Frecuencia de la señal de entrada Voltaje de umbral del diodo Voltaje de ruptura del diodo Corriente máxima en sentido inverso para un voltaje pico VG1 = 12V Tabla 3.3 y obtenga la curva característica del diodo LED.3.Curva característica del diodo Schottky Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3. reporte lo que se indica en la tabla 3.3.4.

4 Aumente el voltaje VG1 hasta observar el voltaje de ruptura del diodo Schottky usado. reporte lo que se le solicita en la tabla 3.Circuito propuesto para obtener la curva característica en CD del diodo varicap.5.Circuito propuesto para obtener la curva característica del diodo schottky Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de umbral del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 5V Tabla 3.Curva característica del diodo Varicap en CD (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3..4 ..5.5.PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES OSC1 + Ch1+ Ch2- + VG1 SD1 1N5817 R1 1k Figura 3.5 y obtenga la curva característica del diodo varicap en corriente directa CD.. OSC1 + Ch1+ Ch2- + VG1 VD1 BA102 R1 1k Figura 3.4. ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE ING EMV III. y reporte el valor VR = ___________ 3.

5 Aumente el voltaje VG1 hasta observar el voltaje de ruptura del diodo Varicap y reporte el valor VR = ___________ 3. 3.7.5 . reporte lo que se indica en la tabla 3.7.PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES Parámetro a medir Valor medido Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de umbral del diodo Corriente máxima en sentido directo para un voltaje pico VG1 = 15V Tabla 3.6 y obtenga la curva característica del diodo DIAC.6.. OSC1 + Ch1 + Ch2 - + U2 2N1595 VG1 R1 10k Figura 3.6.7. reporte lo que se indica en la tabla 3. Parámetro a medir Voltaje pico de la señal VG1 Corriente máxima en el diac Voltaje de disparo positivo Valor medido Tabla 3. ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE ING EMV III.7.6.Curva característica del diodo Diac (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.6.Circuito propuesto para obtener la gráfica de un diodo rectificador controlado de silicio SCR. obtenga la curva característica del diodo SCR. cuando se anula la terminal de control.Curva característica del diodo Rectificador Controlado de Silicio SCR (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3...Circuito propuesto para obtener la gráfica de un diodo DIAC.. OSC1 + Ch1 + Ch2 - + DIAC/30V VG1 R1 Figura 3.

8 Valor medido ESIME-Z ACADEMIA DE ELECTRÓNICA – ICE ING EMV III.PRÁCTICAS DE DISPOSITIVOS CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES Parámetro a medir Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de conmutación del diodo SCR Valor medido Voltaje de ruptura en sentido inverso Tabla 3.Curva característica del TRIAC (Simulación) Utilice el osciloscopio tal como se muestra en la figura 3.8. obtenga la curva característica del diodo TRIAC..8. OSC1 + Ch1+ Ch2- + U1 2N5444 VG1 R1 1k Figura 3. Parámetro a medir Voltaje pico de la señal VG1 Voltaje de conmutación para polarización positiva Voltaje de conmutación para polarización inversa Tabla 3.Circuito propuesto para obtener la gráfica de un TRIAC (doble diodo controlado de silicio). reporte lo que se indica en la tabla 3.6 .8..7 3.8. cuando la terminal de compuerta es anulada.

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