Electronica de potencia Circuitos, dispositivos y aplicaciones Segunda edicién MUHAMMAD H. RASHID Ph.D... Fellow IEE Professor of Electrical Engineering Purdue University at Fort Wayne TRADUCCION: ING. GABRIEL SANCHEZ GARCIA Ingeniero Mecanico Electricista-UNAM REVISION TECNICA: ING. JOSE ANTONIO TORRES HERNANDEZ Inaeniero en Electronica Universidad La Salle, A.C. BIBLIONE. LATACE M4 PRENTICE HALL. HISPANOAMERICANA, S.A MEXICO - NUEVA YORK - BOGOTA « LONDRES « SYDNEY PARIS « MUNICH + TORONTO + NUEVA DELHT «TOKIO SINGAPUR + RIO DE JANEIRO + ZURICHo2L3e1 SBR aaad EDICION EN ESPANOL PRESIDENTE DE LA DIVISION LATINO AMERICANA DE SIMON & SCHUSTER RAYMUNDO CRUZADO GONZALEZ. DIRECTOR GENERAL: ‘MOISES PEREZ ZAVALA DIRECTOR DE EDICIONES: ALBERTO SIERRA OCHOA (GERENTE DIVISION TNIVERSIT ARIA: ENRIQUE IVAN GARCIA HERNANDEZ (GERENTE EDITORIAL: JOSE TOMAS PEREZ BONILLA EDILOK; LUIS GERARDO CEDENO PLASCENCLA, GERENTE DE EDICIONES: JULIAN ESCAMILLA LIQUIDANO SUPERVISOR DE TRADUCCION: TOAQUIN RAMOS SANTALLA. SUPERVISOR DE PRODUCCION: ENRIQUE GARCIA CARMONA BDICION BN INGLES. Publisher: Aba Apt Procicton Fair: Mona Porpili Cover Designer: Wanda Lubelska Design Copy Editor: Barbara Zeiders Prepress Buyer: Linda Behrens Manufactring Buyer: Dave Dickey ‘Supplements Editor: Alice Dworkin Editorial Assistant: Sherley McGuire ‘RASHID: ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS, DISPOSITIVOS ¥ APLICACIONES 2/E4. ‘Traducido del inglés de la obra: Power Electronics Circuits, Devices, and Applications All Rights Reserved. Authorized translation from english Janguage edition published by Prentice Hall Inc. ‘Todos los Derechos Reservados. Traduccién autorizada de a edividn en ingles publicada por Prentice Hal! Inc AL Rights Reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form ‘or by any means, electronic or mechanical, including photocopying recoding ot by sty information storage retrieval system. without permission in writing ere the pilisher Proihibida la reproduccisn total o parcial de esta obra, por cualquicr medio 0 método sin autorizaciGn por escrito del editor. TDerachas mservados © 1905 respecto a la primera edicién en expafiol publicada por PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A. Enrique Jacob 20, Col. El Conde 53500 Naucalpan de Juez, Edo, de Mex. ISBN 968.880-586-6 ‘Miembro de la Cémmara Nacional de Ia Industria Editorial, Reg. Num, 1524 ‘Original English Language Eaition Published by Prentice Hal Inc, Copyright © 1993 eave eae All Righty Reserve. = ISBN 0-13-678996-X S Impreso en Mexico/Printed in Mexico5 A mis padres. mi esposa Fatima y mis hijos, Faeza, Farzana y HasanPrefacio El libro Electrénica de potencia esté concebido como libro de texto para el curso sobre “electrtni- cca de potencia/convertidores estéticos de potencia” para estudiantes intermedios y avanzados en Ingenieria eléctrica y electrénica, También se podré utilizar como libro de texto para estudiantes graduados, y podrd considerarse como libro de referencia para ingenieros practicantes involucra- {dos en el disenio y en las aplicaciones de ta electronica de potencia. Los prerrequisitos serian cur- 303 sobre clectr6nica bdsica y circuitos clécwicos bisicos. El contenido de Electrénica de potencia sobrepasa el alcance de un curso de un semestre. Para un curso elemental, os capitulos 1 al 11 de- berdn ser suficientes para dar una solida base de la electr6nica de potencia. Los capftulos 11 al 16 deberdn dejarse para otros cursos, o bien incluirse en un curso de graduados. El tiempo que se asigna normalmente a un curso sobre electrinica de potencia en una curti- ‘cla tfpica de subgraduados es un semestre, La electronica de porencia se ha desarrollado ya a tal punto que en un curso de un solo semestre resulta dificil eubrir completamente el tema, Los fun- amentns ie Ia electrdnics de potencia esti hien exiablecidos y no cambian con rapide7. Sin em- bargo, las caractersticas de Los dispositivos mejoran en forma continua y aparecen otros nuevos. Flecirénica de potencia, mediante el método de anélisis empirico, cubre primero las técnicas de conversién y las caracteristicas de los dispositivos y después sus aplicaciones. Hace nfasis en los principios fundamentales de la conversiGn de potencia, Esta ediciGn de electrénica de potencia es ‘una revisidn completa de su primera edicién, que (i) utiliza métodos de andlisis empiricos, en vez de método deductivos, (i) introduce lo més avanzado y de actuatidad en técnicas de. modnlacién, (Gi) presenta un nuevo capitulo sobre “Inversores de pulso resonante” y cubre las técnicas corres- pondientes de avanzada, (iv) integra el software estindar de la industria, SPICE, y los ejemplos de disetio que se verfican mediante la simulacién SPICE, (v) analiza convertidores con cargas RL, y (vi) ha comregido errores tipogréficos y expandido secciones y/o parrafos a fin de aftadir explica ciones. El libro esti dividido en cinco partes: 1, Introduccién—capitulo 1 2. Técnicas de conmutacién del SCR y técnicas de conversién de potencia—capftulos 3, 5, 6, 7,9, 10y 113. Dispositivos—capitulos 2, 4 y 8 4, Aplicaciones—capftulos 12, 13, 14 y 15 5. Protecciones—capitulo 6 Los temas como los referentes a los circuitos trffsicos, cieuitos magnéticos, funciones de con- mutacién de convertidores, anlisis transitorios en cd y anilisis de Fourier se incluyen en los apéndices. La electidnica de potencia se ocupa de la aplicacién de la electrénica de estado s6tido para el control y la conversién de la potencia elécirica. Las tScnicas de conversién requieren de la con- mutacién Ue dispositivos semiconduciores de potencia, Los circuitws elecunicus de bajo nivel, ue por lo comiin estin formados por circuitos intogrados y de componentes discretos, generan las sefiales de compuerta requeridas para los dispasitivos de potencia. Tanto los circuitas integrados ‘como los componentes discretos se han ido reemplazando por los microprocesadores, Un dispositivo de potencia ideal no deberia presentar limitaciones de conmutacién, en tér- ‘minos del tempo de activacién, ef tiempo de desactivacién y las capacidades de manejo de co- rriewts y de voligi, v conectarse ui al desconectarse. La tecuulugia de toy semiconductores de ppotencia esti desartollando ripidamente dispositivos de potencia de conmutacién répida, con \i- mites crecientes de voltaje y de corriente. Dispositivos de conmutacién de potencia como los TBS de potencia, los MOSFET, SIT, IGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO y otros, estén encontran- do crecientes aplicaciones en una amplia gama de’ productos. Con dispositivos de conmutacién mas rdpidos disponibles, las aplicaciones de los microprocesadores modernos en la sintesis de las estrategias de control de los dispositivos de potencia mancjados por compucrta para cumplir con las especificaciones de conversién, han ampliado el Ambito de la electrdnica de potencia. La revo- Tucién de la electrénica de potencia ha ganado un gran impulso, desde fines de los afios ochenta y principios de los aftos noventa. En el curso de los siguientes 30 aos, a electrénica de potencia conformaré la forma y el estado de la electrcidad en algsin lugar entre su generacidn y todos sus usuarios. Las aplicaciones potenciales de la electrdnica de potencia auin estén pendientes de ser ‘exploradas por completo, pero en este libro hemos hecho toda suerte de esfuerzos para cubrir tan tas apticaciones como nos ha sido posible. Muhammad H. Rashid Fort Wayne, Indiana PrefectReconocimientos Muchas personas han contribuido a esta edicién y han hecho sugerencias bazadas en eus experien- cias como profesores 0 como estudiantes en cl saldn de clase, Me gustaria dar las gracias a las si- _guientes personas por sus comentarios y sugerencias: Mazen Abdel-Salam—Universidad del Petrdleo y 1os Minerales King Fahd Arabia Saudita Ashoka K. $. Bhat—Universidad de Vietoris, Canadé Fred Rrockhurst—Instituta de Tecnologia Rose-Hulman Joseph M. Crowley—Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Mehrad Ehsani—Universidad Texas A&M Alexander E, Emanuel—Instituto Politécnico de Worcester George Gelt—Universiiad Estatal le Ohio Herman W. Hill—Universidad de Ohio ‘Wahid Hubbi—Insiinuo de Tecnologia de New Tersey Marrija llie-Spong—Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Shahidut I. Khan—Universidad de Concordia, Canada Peter Lauritzen—Universidad de Washington Jack Lawlet—Universidad de Tennessee Arthur R. Miles Universidad Estatal del Norte North Dakota ‘Mehdat M. Morcos—Universidad Estatal de Kansas Hassan Moghbelli—Universidad Calumet de Purdue H. Ramezani-Ferdowsi—Universidad de Mashhad, Irén Ha sido muy placentero poder tibujar von el editor, Alatt Apt, y cou la editora de desarrollo, Son dra Chdvez. Finalmente, me gusta sign, fa agradecer a mi familia por su carifo, paciencia y comprenContenido CAPITULO 1 INTRODUCCION 1 1 Aplicaciones de la elevtrGnica de potencia, 1 Tiistoria de la electrénica de potencia, 2 Dispositivos semiconductores de potencia, 5 Caracteristicas de control de los dispositivos de potencia, 10 Tipos de circuitos electrénicas de potencia, 12 Disefio de equipo de electrénica de potencia, 15 Efectos periféricos, 15 Médulos de potencia, 16 ‘Médulos inteligentes, 17 Publicaciones periédicas y conferencias sobre electrénica de potencia, 17 Resumen, 18 Referencias, 18 Preguntas de repasu, 19CAPITULO 2 DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA 20 241 Introduccién, 20 2-2. Caracteristicas de diodos, 20 2-3 Caracterfsticas de la recuperacién inversa, 23 2-4 Tipos de diodos de potencia, 25 2-41 Diodos de uso general, 25 2-4.2 —Diodos de recuperacién répida, 25 2-43 Diodos Schottky, 26 2-5 Efectos del tiempo de recuperacion directa e inversa, 27 2-6 — Diodos conectados en serie, 29 2-7 Diodos concetados en paralelo, 31 2-8 Modelo SPice de diodo, 32 Resumen, 34 Referencias, 38 Preguntas de repaso, 35 Problemas, 35 CAPITULO 3 CIRCUITOS CON DIODOS Y CIRCUITOS RECTIFICADORES 37 31 Introducci6n, 37 3-2. Diodos con cargas RC y RL, 37 3-3. Diodos con cargas LC y RLC, 40 3-4 Diodos de marcha libre, 46 3-5 Recuperacién de la energta atrapada con un diodo, 48, 3-6 Reotificadores monofasicos de media onda, 91 3-7 Pardmetros de rendimiento, 52 3-8 Rectificadores monofésicos de onda completa, 59 3-9 Rectificador monofésico de onda completa con carga RL, 63 3.10 Rectificadores multifase en estrella, 67 3-11 Rectificadores triffésicos en puente, 71 3.12 icadar trifésico con carga RL, 74 343 _Disefio de circuitos rectificadores, 76 3-14. Voltaje de salida con filtro LC, 85 3-15. Efectos de las inductancias de la fuente y de la carga, 88 Resumen, 90 Referencias, 91 Preguntas de repaso, 91 Problems, 91 CAPITULO 4 TIRISTORES 96 41 Introduccion, 96 4-2 Caracterfsticas de los tiristores, 96 Contenido43 Modelo de tiristor de dos transistores, 98 4-4 —Activacién del tiristor, 100 4-5 Proteceldn contra diidt, 102 4-6. Proteccién contra dv/dt, 103, 4-7 Desactivacién del tiristor, 105 4-8 — Tipos de tiristores, 105 4.81 Tiristores de control de fase, 107 48.2 Tiristores de conmutacién répida, 107 4-83 Tiristores de desactivado por compuerta, 108 484 Tiristores de triodo bidireccional, 109 48.5 Tiristores de conduccién inversa, 110 48.6 Tiristores de inducci6n estética, 111 4-8.1 _Rectificadores controlados de silicio fotoactivados por luz, 111 488 Tiristores controlados por FET, 112 4-89 Tisistor controlados por MOS, 112 4-9 Operaci6n en serie de tiristores, 114 4-10 Operacién en paralelo de tiristores, 117 4-11 Cirenitos de disparo de tiristor, 118 4-12, Transistor monounién, 120 4-13 Transistor monounién programable, 123 4-14 Modelo SPice para el tiristor, 124 Resumen, 126 Referencias, 127 Preguntas de repaso, 128 Problemas, 128 CAPITULO5 RECTIFICADORES CONTROLADOS, 130 51 Introduccién, 130 5-2 Prnctpto de operacion del convertidor controlado por fase, 131 3 Semiconvertidores monofésicos, 133 5-3.1 Seusivonvertidur monofésico von carga RL, 136 5-4 Convertidores monofiisicos completos, 138 5-4.1 Convertidor monofésico completo con carga RE, 141 5-5. Convertidores monofisicos duales, 143 5-6 — Convertidores monofésicos en serie, 145 5-7 Convertidores trifasicos de media onda, 150 5-8 Semiconvertidores trifésicos, 153 5.8.1 Semiconvertidores triffésicos con carga RL, 157 5-9 Convertidores trifasicos completos, 158 5-9.1 Convertidor trifasico completo con carga RL, 164 5-10 Convertidores trifisicos duales, 165 Contenido xi rsMejoras al factor de potencia, 167 $-11.1 Control del éngulo de extincién, 167 5-112 Control del Angulo simétrica, 169 5-11,3 Control por modulacin del ancho de pulso, 172 5-11.4 — Modulacién senoidal del ancho de pulso, 175 Disefio de circuitos convertidores, 176 Efectos de las inductancias de carga y de alimentacién, 182 Circuitos de disparo, 184 Resumen, 184 Referencias, 186 Preguntas de repaso, 186 Problemas, 187 CAPITULO 6 CONTROLADORES DEVOLTAJECA 190 1 62 63 6-4 65 6-6 67 68 6-9 6-10 61 6-12 6.13 Introducci6n, 190 Principio del control de abrir y cerrar, 191 Principio del control de fase, 193 Controladores bidireceionales monofésicos con cargas resistivas, 195 Controladores monofisica con cargas inductivas, 198 Controladores trifésicos de media onda, 201 Controladores trifésicos de onda completa, 206 Controladores trifésicos bidireccionales conectados en delta, 210 Cambiadores de derivaciones de un transformador monofésico, 214 Cicloconvertidores, 218 6-10. Cicloconvertidores monotasicos, 219 6-10.2_Cicloconventidores trifésicos, 221 610.3 Reduccién de arménicas de salida, 222 ‘Controladores de voltaje de ca con control PWM, 225 Disefio de circuitos de controladores de voltaje ca, 226 Ffectos de las inductancias en alimentacién y en la carga, 233, Resumen, 234 Referencias, 234 Preguntas de repaso, 235 Problemas, 236 CAPITULO 7 TECNICAS DE CONMUTACION DE TIRISTORES 239 TA 12 13 Introducci6n, 239 Conmutacién natural, 240 Conmutacién forzada, 240 7-3.1 Autoconmutacién, 241 7-3.2 Conmutacién por impulso, 243 Contenide7-33. Conmutaci6n por pulso resonante, 246 7-34 Conmutacion complementaria, 250 7-35 Conmutacién por pulso externo, 251 7-36 — Conmutacién del Indo de la carga, 252 73.7 Conmutacién del lado de la linea, 252 7-4 Disefio de circuitos de conmutacién, 254 7-5. Modelo SPice del tirstor de ed. 256 7-6 — Capacitores de conmutacién, 259 Resumen, 259 Referencias, 260 Preguntas de repaso, 260 Problemas, 260 CAPITULO 8 TRANSISTORES DE POTENCIA 262 8-1 Introduccién, 262 8-2 Transistores de unién bipolar, 263 8-21 Caractertsticas en régimen permanente, 203 8-22 Caracteristicas de conmutacidn, 267 8-23 Limites de conmutacién, 274 8-24 Control de la excitacién de la base, 276 83 MOSFET de potencia, 280 8-31 Caracterfsticas en régimen permanente, 280 832 — Caracterfsticas de conmutacién. 284 8-33 Excitacién de compuerta, 285 8-4 SIT, 286 8-5 IGBT, 287 8-6 Operaciénen serie yen paralelo, 289 8-7 _Limitaciones pot dildt y dviat, 291 8-8 Aislamiento de las excitaclones de compuerta y de base, 294 8-81 Transformadores de pulso, 295 8-82 _Acopladores épticos, 295 8-9 Modelos SPice, 296 Resumen, 29 Referencias, 299 Preguntas de repaso, 300 Problemas, 301 CAPITULO 9 PULSADORES DE CD 303 9-1 Introduceién, 303 9-2 Principio de la operacién reductora, 303 9-3 Pulsador reductor con carga RL, 306 Contenido ~94 o5 96 97 98 9.9 9-10 Principio de operacion elevadora, 309 Pardmetros de rendimiento, 312 Clasificacién de pulsadores, 312 Reguladores en modo conmutado, 316 9.7.1 Reguladores reductores, 317 9-7... Reguladores elevadores, 320 9-7.3 Reguladores reductores-elevadores, 323 9.7.4 Reguladores Cuk, 326 9-7.5 _Limitaciones de la conversin en un paso, 330 Circuitos pulsadores con tiristores, 331 9-8.1 Pulsadores conmutados por impulso, 331 9-8.2 Efectos de las inductanclas de la alimentacion y de ta carga, 336 9-8.3 Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso, 337 9.84 Pulsadores de pulso resonante, 338 Disefio de un circuito pulsador, 342 Consideraciones magnéticas, 350 Resumen. 351 Referencias, 351 Preguntas de repaso, 352 Problemas, 353 CAPITULO 10 INVERSORES DE MODULACION DE ANCHO DE PULSO. 356 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 10-8 109 10-10 Introducci6n, 356 Principio de operacién, 357 Pardmetros de rendimiento, 359 Inversores monofésicos en puente, 360 Inversores tnfasicos, 304 105.1 Conduccién a 180°, 364 10-5.2.Conduccién a 120°, 370 Control de voltaje de inversores monofésicos, 372 10.6.1 Modulacién de un solo ancho de pulso, 372 10.6.2 Modulacién varios anchos de pulso, 374 10-63 Modulacién senoidal del ancho de pulso, 376 10-64 Modulacién senoidal modificada del ancho de pulso. 378 10-6.5 Control por desplazamiento de fase, 380 Control de voltaje en inversores trifésicos, 381 Técnicas avanzadas de modulacién, 382 Reduccion de arménicas, 387 Inversores con tiristor por conmutacion forzada, 390 10-101 Inversores con conmutaciGn auxiliar, 391 10-10.2_Inversores de conmutacién complementaria, 393, Conten