Conmutacin resistiva en xidos funcionales: hacia nuevas memorias RRAM

Diego Rubi Grupo de Materia Condensada, Centro Atmico Constituyentes, Comisin Nacional de Energa Atmica

Conmutacin resistiva o resistive switching: cambio reversible y no voltil de la resistencia de una estructura Metal-Aislante-Metal ante la aplicacin de un campo elctrico Inters tecnolgico: desarrollo de memorias RRAM (Resistive Random Access Memories)

Velocidades de conmutacin del orden de los nanosegundos (>>velocidad que memorias flash) Alta constante dielctrica miniaturizacin y bajo consumo

Investigacin bsica comenz hace 40 aos.

El resistive switching aparece como un fenmeno ubicuo xidos binarios: TiO2, HfO2, SnO2, CuO, NiO, ZnO xidos ternarios: SrTiO3, SrZnO3 xidos complejos: YBCO, manganitas

El RS puede ser unipolar o bipolar

Unipolar, Pt/NiO/Pt

Bipolar, Ti/La2CuO0/La1.65Sr0.35CuO4

Localizacin geomtrica de la zona activa clasificacin a primer orden del RS: Creacin/ruptura de filamentos conductores confinados localmente Efecto de interfase distribuido homogneamente sobre toda la superficie del electrodo metlico en la estructura metal/aislante/metal.

Las vacantes de oxgeno juegan un papel fundamental

Material de inters: BiFeO3 Multiferroico (ferroelctrico y antiferromagntico) a temperatura ambiente multifuncionalidad Resultados preliminares en muestras cermicas de Bi0.9Ca0.1FeO3 y Bi0.9Ba0.1FeO3 indican la existencia de RS
9,00E+008 200

8,00E+008

Resistencia (Ohms)

7,00E+008 -200

Estmulo (V)

6,00E+008 -400 5,00E+008 -600 4,00E+008 -800 45 50 55 60 65 70 75 80

Tiempo (seg)

Proyecto a corto plazo: crecimiento de pelculas delgadas

Esta es la forma elegida para aplicaciones Posibilidad de crecer fases metaestables (estabilizacin epitaxial), difciles o imposibles de obtener en bulk y monocristales Posibilidad de sintonizar las propiedades de los materiales (efectos de tensiones, efectos de tamao finito) Combinar diferentes materiales en multicapas o composites, con funcionalidades mejoradas

film Film substrate lattice mismatch strain

Substrate

Crecimiento de pelculas delgadas: Pulsed Laser Deposition (PLD)

Sistema en etapa de compra en CAC-CNEA Sistema funcionando en FI-UBA

Metodologa: Crecimiento de films

Determinacin de parmetros ptimos de crecimiento (temperatura del substrato, presin parcial de oxgeno, frecuencia del lser, distancia blanco-substrato) Caracterizacin por XRD. Fases parsitas?. Crecimiento epitaxial? Determinacin del modo de crecimiento (capa por capa, islas) microscopa de fuerza atmica (AFM)
10
7

AL2787B
10
6

10

Counts

10

10

10

10

10

20

40

60

80

()

Metodologa: Caracterizacin estructural de los films

Intensity (arb. units)

(222)

Rocking curves Phi-scans Mapas de espacio recproco (RSM)

(111)

FWHM 0.07

(b) (a)
39 42 80 85 90
41 42
()

43

44

2 ()
Intensity (arb. units)

(110)STO

(c)

0.48

(112)STO
Kperp/K0
0.46

(d) (a)

Intensity (arb. units)

(400)SRO

0.44

(112)SRO
-0.17 -0.16 -0.15 -0.14

60

120

180

240

300

360

()

Kpar/K0

Difractmetro 4-crculos Panalytical en etapa de adquisicin (D. Vega)

Metodologa: Caracterizacin magntica

0,8

BBFO#1
0,6

Magnetmetro Versalab QD (CAC-CNEA) Magnetmetro SQUID QD (Red Nacional Magnetismo)

0,4

M (emu/gr)

0,2

0,0

-0,2

-0,4

-0,6 -3 -2 -1 0 1 2 3

H (T)

Cermico de Bi0.9Ba0.1FeO3

Metodologa: Caracterizacin elctrica

Depsito electrodos metlicos (sputtering, evaporacin, litografa) Keithley 2400 Keithley 4200 Micro Probe-Station Osciloscopios, fuentes de tensin/voltaje, etc. PCs para control remoto (GPIB)
Determinacin del proceso ptimo de forming Mediciones de RS en diferentes escalas de tiempos, analizando transitorios durante la aplicacin del pulso. Estudio de la influencia de diferentes parmetros elctricos: duracin, amplitud, polaridad y secuencia de los pulsos. Dependencia del RS con el tipo de electrodo metlico Estudio de la dependencia del RS con el rea de los contactos (filamentos o interfase)

Metodologa: Caracterizacin elctrica

Resultados preliminares en cermicos de Bi0.9Ca0.1FeO3

200 2,00x10
8

200

2,00x10

0 0

Resistencia (Ohms)

1,80x10

Resistencia (Ohms)

1,80x10

Estmulo (V)

-200

Estmulo (V)

-200

1,60x10

-400

1,60x10

-400

-600 1,40x10
8

-600 1,40x10
8

Pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1

-800 30 60

Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1
100 200 300 -800 400

Tiempo (seg)

Tiempo (seg)

Efectos de acumulacin de pulsos

Metodologa: Caracterizacin elctrica

Resultados preliminares en cermicos de Bi0.9Ca0.1FeO3

200 2,00x10
8

200 2,00x10
8

15seg entre tren y tren

0

Resistencia (Ohms)

1,80x10

Resistencia (Ohms)

-200

1,80x10

Estmulo (V)

Estmulo (V)

-200

1,60x10

-400

1,60x10

-400

-600 1,40x10
8

-600 1,40x10
8

50min entre tren y tren

Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 50

Tren 25pulsos +/- 200V, bias 3V, cont. 1-4, lat. 0.1
100 200 300 -800 400

-800 36000 39600 43200 46800 50400 54000 57600 61200 64800 68400 72000

Tiempo (seg)

Tiempo (horas)

Efectos de relajacin del RS Relacionado con el bajo campo elctrico alcanzable en cermicos En capas delgadas, se espera un RS mucho ms robusto

Resumen
Proyecto propuesto: Crecimiento de capas delgadas por PLD de BiFeO3 y xidos relacionados Caracterizacin morfolgica (AFM) y estructural (XRD) Medicin de propiedades magnticas Medicin de propiedades elctricas: efectos de conmutacin resistiva. Estudio del mecanismo de RS para distintos xidos,
electrodos y geometras. Determinacin del efecto de diferentes protocolos elctricos de medicin Otro proyecto en la temtica: RS en TiO2 y manganitas desde un approach ms tecnolgico (Pablo Stoliar)