Generacin y recombinacin de electrones huecos

Si la introduccin de impurezas se realiza de manera

controlada pueden modificarse las propiedades elctricas en zonas determinadas del material. As, se habla de dopado tipo P N (en su caso, de silicio P N) segn se introduzcan huecos o electrones respectivamente, es esta caracterstica de los semiconductores la que permite la existencia de circuitos electrnicos integrados.

 Con la tabla siguiente se pretende resumir los

conceptos anteriores:
Material Silicio Puro Silicio tipo P Silicio tipo N Portadores mayoritarios Huecos Electrones Portadores minoritarios Electrones Huecos

Hay que resaltar que el dopado no altera la neutralidad

elctrica global del material.

INFLUENCIA DE LA TEMPERATURA SOBRE LOS SEMICONDUCTORES

Al presentar el concepto de portadores mayoritarios y minoritarios se ha asumido una hiptesis de trabajo: que a temperatura ambiente (25C) la concentracin de portadores provocada por generacin trmica es mucho menor que la causada por los dopados. Pues bien, si se eleva la temperatura sobre la de ambiente se aumentar la tasa de pares electrn/hueco generados. Llegar un momento en el que, si la temperatura es lo suficientemente elevada, la cantidad de pares generados enmascare a los portadores presentes debidos a la impurificacin. En ese momento se dice que el semiconductor es degenerado, y a partir de ah no se puede distinguir si un material es de tipo N P: es la temperatura a la cual los dispositivos electrnicos dejan de operar correctamente. En el caso del silicio, esta temperatura es de 125 C.

 El silicio (Si) pierde sus propiedades semiconductoras

por encima de 150 C. Debemos asegurar por diseo que esto no va a suceder La evacuacin de calor desde el interior del dispositivo hasta el ambiente depende enormemente del encapsulado utilizado. Cada modelo tiene unas caractersticas geomtricas que le proporcionan una cierta capacidad de evacuar calor.

 En caso de que el propio encapsulado no sea suficiente

para evacuar todo el calor, es necesario utilizar algn sistema para mejorar la transferencia: LOS RADIADORES

Ejemplo de disipadores

25/05/2011 6

CONDUCCION ELECTRICA EN SEMICONDUCTORES

Dada la especial estructura de los semiconductores, en

su interior pueden darse dos tipos de corrientes:

1. Corrientes por arrastre de campo 2. Corrientes por difusin

1. CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO

Supongamos que disponemos de un semiconductor

con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los portadores de carga:
Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo

elctrico ejerce sobre los electrones provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se originar una corriente elctrica.

 La densidad de la corriente elctrica (nmero de

cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la "facilidad" con que estos se mueven por la red, es decir:
Je = en(qE)
en donde: Je = Densidad de corriente de electrones e = Movilidad de los electrones en el material n = Concentracin de electrones q = Carga elctrica E = Campo elctrico aplicado La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del electrn a travs de la red cristalina.

 Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin

una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces. Se puede apreciar en la siguiente figura:

 La carga neta del hueco vacante es

positiva y por lo tanto, se puede pensar en el hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico. Obsrvese que los electrones individuales de enlace que se involucran en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico.

 Anlogamente al caso de los electrones libres, la

densidad de corriente de huecos viene dada por:

Jh = hp(qE)
en donde: Jh = Densidad de corriente de huecos h = Movilidad de los huecos en el material p = Concentracin de huecos q = Carga elctrica del hueco: igual y de signo opuesto a la del electrn E = Campo elctrico aplicado

 La movilidad h es caracterstica del material, y est

relacionada con la capacidad de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones. Consideremos ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo los electrones se movern en el sentido opuesta a la del campo elctrico, mientras que los huecos lo harn en segn el campo.

 El resultado es un f lujo neto de cargas positivas en el

sentido indicado por el campo, o bien un f lujo neto de cargas negativas en sentido contrario. En definitiva, la densidad de corriente global es la suma de las densidades de corriente de electrones y de huecos:

J = Jh + Je = hp(qE) + en(qE)

2. CONDUCCION POR DIFUSION DE PORTADORES

El fenmeno de conduccin por difusin se puede

explicar con el siguiente ejemplo: si tenemos una caja con dos compartimentos separados por una pared comn. En un compartimento introducimos un gas A, y en el otro un gas B.

Figura : Difusin de dos gases a travs de una membrana porosa

 Si en un momento determinado se abre una

comunicacin entre las dos estancias parte del gas A atravesar la pared para ocupar el espacio contiguo, al igual que el B. El resultado final es que en ambas estancias tendremos la misma mezcla de gases A+B. La difusin de partculas es un mecanismo de transporte puramente estadstico, que lleva partculas "de donde hay ms, a donde hay menos", siempre que no haya ninguna fuerza externa que sea capaz de frenar dicho proceso.

 Qu aplicacin tiene esto a la conduccin en los

semiconductores?. Qu sucedera si, por las razones que sean, tuviramos un semiconductor tipo P cuya concentracin de huecos no fuera constante, sino variable segn la direccin x. Los huecos tendern a emigrar de la regin de alta concentracin a la de baja concentracin. Esta migracin de portadores, es un proceso puramente estadstico, originado por el movimiento trmico aleatorio de los portadores. No est relacionado con la presencia de ningn campo elctrico.

Diodo Semiconductor
En la teora vista anteriormente se presentaron los

materiales tipo n y tipo p. El diodo semiconductor se forma al unir estos materiales como se muestra en la siguiente figura. En el momento en que los dos materiales se unan , los electrones y los huecos en la regin de la unin se combinarn y como consecuencia se originar una carencia de portadores en la regin cercana a la unin. Esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se denomina regin de agotamiento debido a la disminucin de portadores en ella.

 Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin

de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la siguiente Figura se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Esquemas de diodos de unin PN

Formacin de la unin PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de

silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (siguiente Figura). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN

 En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn

hay un ion positivo, y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P .

Huecos de la zona P pasan a la zona N.

 Este movimiento de portadores de carga tiene un

doble efecto. Centrmonos en la regin de la zona P cercana a la unin: El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P , con lo que tambin aparece una carga negativa. El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P

Figura: Formacin de la unin PN

 La distribucin de cargas formada en la regin de la

unin provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece

una diferencia de tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

 En ese momento est ya formado el diodo de unin

PN, y como resultado del proceso se ha obtenido:

Zona P, semiconductora, con una resistencia RP. Zona N, semiconductora, con una resistencia RN. Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los extremos acta una barrera de potencial.

Hay que tener en cuenta que este proceso sucede

instantneamente en el momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P , y no necesita de ningn aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica.

 Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que

en un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).
A (p) C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa
El bloque PN descrito en la figura anterior en

principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de depleccin no es conductora.

Figura: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera

 Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el

nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de depleccin (siguiente Figura). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera

Polarizacin directa
El polo negativo de la batera repele los electrones

libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de depleccin, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.

Polarizacin directa
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la

zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera. De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.

 Concluyendo si la tensin aplicada supera a la de

barrera, desaparece la zona de depleccin y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede en la figura anterior es lo siguiente:
Electrones y huecos se dirigen a la unin.

En la unin se recombinan.

 Por lo tanto polarizar un diodo PN en directa es

aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles la zona de depleccin.
La tensin aplicada se emplea entonces en: Vencer la barrera de potencial. Mover los portadores de carga.

Polarizacin inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una

tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P , se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula.

Figura: Diodo PN polarizado en inversa

Polarizacin inversa
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de

la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia). El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco.

Polarizacin inversa
El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera

entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia). Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de depleccin adquiere el mismo potencial elctrico que la batera. En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, que conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad.

Polarizacin inversa
Esto hace que los tomos de la superficie del diodo,

tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable. Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha.

Caracterstica tensin-corriente
En la siguiente Figura se muestra la caracterstica V-I

(tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN

 Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy

pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V.

 El diodo ideal es un componente discreto que permite

la circulacin de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la siguiente Figura se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal.

 De forma simplificada, la curva caracterstica de un

diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea resistencia elctrica.

 Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo

ideal Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

La resistencia del diodo en polarizacin directa no es

nula. La tensin para la que comienza la conduccin es VON. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en coduccin por avalancha.

Figura : Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal

 Principales caractersticas comerciales A la hora de

elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:

Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo.

Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por avalancha. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa segura. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensin inversa

Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo.

Adems, es frecuente que los fabricantes suministren

datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal.

Resumiendo
Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la

aplicacin de un voltaje a travs de sus terminales ofrece tres posibilidades:

Sin polarizacin (VD = 0 v), En ausencia de un voltaje

de polarizacin aplicado, el f lujo neto de carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.

 Polarizacin directa (VD > 0v), un diodo

semiconductor se encuentra en polarizacin directa cuando se establece una asociacin tipo p con positivo y tipo n con negativo.
polarizacin inversa (VD < 0v), la corriente que se

forma bajo una situacin de polarizacin inversa se denomina corriente de saturacin inversa.

Modelos matemticos
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en

honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es: ecuacin 1.4
Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de tensin

entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin inversa (aproximadamente 10 12A) q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19 T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

 Para valores VD positivos el primer termino de la

ecuacin anterior crecer de forma muy rpida y sobrepasar el efecto contrario del segundo trmino por tanto ID ser positiva y crecer a un ritmo equivalente de y=ex. Para el caso cuando VD sea cero la ecuacin se convierte en ID= IS(e0-1)= IS(1-1)=0mA, para el caso de los valores negativos de VD el primer termino de la ecuacin rpidamente caer hacia niveles inferiores de IS con lo que se obtiene ID=-IS