Instituto Tecnolgico de Estudios Superiores de Monterrey

Campus Estado de Mxico

Laboratorio de Diseo Electrnico

Prof. Luis Manuel Daz

Reporte Final

DETECTOR INFRARROJO DE PROXIMIDAD

Stephanie Ascencio Fonseca 460724 Claudia Lieja Quintanar 460907 Vctor Hugo Martnez 451128

Objetivos
Disear un detector de infrarrojo de proximidad que alcance una distancia mnima de 50 cm, con el fin de aplicar algunos de los circuitos y elementos utilizados durante el curso de Laboratorio de Diseo Electrnico tales como transistores (2N2222), diodos (LEDs), timer 555 en modo astable y osciladores. Utilizar elementos basados en el funcionamiento de componentes diseados y aplicados durante el curso, pero de forma ms compleja debido a la concatenacin de varios circuitos implementados individualmente, as como de componentes como son los fotodiodos y fototransistores.

Introduccin
Se desea construir un circuito detector de infrarrojo de proximidad que al acercarse cualquier objeto entre el receptor y el emisor se active una alarma. De manera prctica este circuito se puede colocar en puertas y ventanas de las casas para evitar que gente se pare frente a ella sin necesidad, y as mismo como una alarma de hogar. El funcionamiento del circuito se basa en emitir una rfaga de seales luminosas infrarrojas las cuales al rebotar contra un objeto que se encuentre entre la comunicacin del receptor y transmisor provoca el encendido de una alarma. Mientras no se encuentre ningn objeto dentro de la comunicacin el led permanecer encendido, al momento de interferir entre dicha comunicacin el led, se apagar El circuito integrado es un generador/decodificador de tonos que bien cumple con las necesidades de este diseo. Tanto el fotodiodo como el fototransistor debern estar situados con unidades de enfoque adecuadas para mejorar el alcance. Con simples reflectores de LED's se pueden obtener alcances del orden del metro. Con lentes convexas se pueden cubrir distancias de cinco metros. La alimentacin de este circuito puede ser cualquier tensin comprendida entre 5 y 9 volts. Para accionar circuitos externos bastar con reemplazar el LED por un optoacoplador, el cual accionar por medio de su transistor interno el circuito a comandar. Para poder entender ms plenamente el funcionamiento de este circuito, se tratar de manera ms amplia el funcionamiento de algunos elementos importantes tales como el fotodiodo, fototransistor, el LM567, por mencionar algunos.

 LM567
El circuito integrado LM567 es un detector de tonos limitador de tensin que posee internamente un PLL (Phase Locked Loop) y un detector de fase en cuadratura el cual responde con un nivel lgico bajo cuando la seal de entrada al integrado coincide con la frecuencia central de enganche del PLL

FOTODIODO

Es un fotoconductor o fotodetector que cambia su resistencia elctrica debido a la exposicin a energa radiante. Un fotodiodo consiste en esencia de una unin de material "P" y material "N" polarizada inversamente, en la cual la corriente inversa est en funcin de la luz que incide en el fotodiodo y se considera que a mayor intensidad de luz existe una corriente de fuga mayor. El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares electrn - hueco debido a la energa luminosa. La aplicacin de la luz a la unin dar como resultado una transferencia de energa de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones) a la estructura atmica, dando como resultado un aumento en la cantidad de portadores minoritarios y un incremento del nivel de la corriente inversa. *Curva caracterstica: Respuesta

La corriente de fuga en la oscuridad (Io) aumenta al haber mayor intensidad de luz (H). El espaciado casi igual entre las curvas para el mismo incremento en flujo luminoso revela que la

corriente inversa y el flujo luminoso estn relacionados casi linealmente. En otras palabras, un aumento en intensidad de luz dar como resultado un incremento similar en corriente inversa. Con base a la grfica de respuesta se puede determinar que el dispositivo es lineal. El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la incidencia de la luz. Las corrientes de fuga son debidas a los portadores minoritarios, electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento de la corriente de fuga en inversa. El modelo circuital del fotodiodo en inversa esta formado por un generador de intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz. En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio, la tensin que cae en el dispositivo ser aproximadamente de 0.7 V. El comportamiento del fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es debido a que los portadores, provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho ms numerosos que los portadores de generacin luminosa. *Parmetros principales: - Corriente Oscura (Dark Current): Es la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz incidente. - Sensibilidad: Es el incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad de intensidad de luz, expresada en luxes. *Aplicaciones: - Comunicaciones pticas. - Fotmetros. - Control de iluminacin y brillo. - Control remoto por infrarrojos. - Enfoque automtico y control de exposicin en cmaras **Combinadas con una fuente de luz: - Codificadores de posicin. - Medidas de distancia. - Medidas de espesor. - Transparencia. - Detectores de proximidad y de presencia. - Sensado de color para inspeccin y control de calidad **Agrupando varios sensores: - Reconocimiento de formas. - Lectores de tarjetas codificadas.

NOTA: Se comercializan fotodiodos con amplificadores, compensacin de temperatura y estabilizacin en el mismo chip. La integracin reduce los problemas debidos a corrientes de fuga, interferencias y picos de ganancia debidos a capacitancias parsitas.

FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es una combinacin integrada de fotodiodo y transistor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiacin ptica. Es importante notar que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransitores estn diseados para aprovechar esta caracterstica. Existen transistores FET, que son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayora de los fototransistores consisten en una unin npn con una regin de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura :

La corriente inducida por el efecto fotoelctrico es la corriente de base del transistor. Si asignamos la notacin Ibf para la corriente de base fotoinducida, la corriente de colector resultante, de forma aproximada, es: Ic = hfe * Ibf En la siguiente grfica se proporciona un conjunto de caractersticas representativas para un fototransistor, junto con la representacin simblica del dispositivo. Es importante notar las similitudes entre estas curvas y las del transistor bipolar tpico. Como se espera, un incremento en la intensidad de la luz corresponde a un incremento en la corriente de colector.

El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente: Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre en la regin activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente. Es por este motivo que a menudo la patilla correspondiente a la base est ausente del transistor. La caracterstica ms sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo. La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la ganacia del transistor.

Construccin de los fototransistores Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo de transistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiacin es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada elctricamente, usualmente la patilla correspondiente a la base no se incluye en el transistor. El mtodo de construccin es el de difusin. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, as como gases como impurezas o dopantes. Por medio de la difusin, los gases dopantes penetran la superficie slida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusin, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor est hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiacin hacia la base del transistor

Desarrollo
Originalmente se construy el circuito siguiente:

Aunque funcion bien y se poda alejar ms de 1.5 metros de distancia y el ngulo de comunicacin es bastante aceptable, tiene un inconveniente, este es que la comunicacin no es inalmbrica por lo que se hicieron los siguientes:

Con ayuda del osciloscopio se midi la frecuencia de salida en la pata nmero 5, dicha frecuencia fue de 937 Hz, por lo que se decidi que a travs de un LM555, podamos generar dicha frecuencia en un para as lograr separar el circuito anterior en la parte receptora como en la transmisora.

Se eligi la conexin monoestable para el LM555, de la hoja de especificaciones obtuvimos la siguiente frmula:
f = 1.44 ( Ra + 2 Rb) * C

Con dicha frmula y el valor obtenido de nuestra frecuencia que es a la cual opera, se sustituyeron valores y se propuso el capacitor de 100 nF y una de las resistencia de 10K, pues sabemos que dentro del mercado es ms fcil conseguir una resistencia que un capacitor.
sustituyendo 937 Hz = 1.44 (10 K + 2( 2.7 K )) * 100nF

As fue como se obtuvieron los valores y con ellos se decidi armar el LM555 con una frecuencia de 937Hz, cabe sealar que la resistencia de 2.7 K se cambi por un potencimetro de 4.7K, para lograr tener una frecuencia ms precisa.

Se reconstruy el circuito de esta manera:

Receptor

Transmisor

En donde el circuito original nicamente tiene el receptor, mientras que el circuito diseado con el LM555 contiene al transmisor. Con este circuito se logr lo deseado que es la comunicacin mediante infrarrojos de manera inalmbrica, y como diferencia del anterior en este se sacrifica el ngulo de aceptacin para la comunicacin, esto es que los infrarrojos deben estar prcticamente comunicados de manera lineal (90). La ltima parte de este diseo es la generacin de la alarma sonora; esta seccin del circuito se dise con un CI M2309, que es un circuito generador de efectos de sonido, cuya entrada se conecta al ctodo del LED que se encuentra en la parte receptora y se activa cuando este se apaga, es decir, al interferir algn objeto (persona) con la comunicacin infrarroja. Dicho circuito se logr adherir debido a que mientras no exista interferencia entre el receptor y transmisor se tiene un voltaje de 0.77 V, y cuando existe interferencia se tiene un voltaje de 5.40V, lo cual puede activar el M2309, pues es un circuito digital, cabe sealar que dicho circuito se activa en bajos, por lo que se tuvo que ocupar un inversor para que cuando se tuvieran los 5.40V se convirtieran a un cero lgica y la alarma se activara. As mismo logramos separar nuestro transmisor de nuestro receptor a una distancia mayor de la deseada, es decir a una distancia mayor de 50 cm. Finalmente el circuito queda de la siguiente manera:

Conclusiones
Stephanie Ascencio Fonseca Las comunicaciones inalmbricas son interesantes desde todos lo puntos de vista y en todos los mbitos tecnolgicos. Existen varias tecnologas que nos permiten el establecimiento de comunicaciones inalmbricas en esta ocasin nos centramos en la comunicacin mediante infrarrojos, mismos que entre otros usos pueden utilizarse para la construccin de sensores de deteccin de obstculos, como es nuestro inters; es decir el detector de proximidad. En esta ocasin se pens para un sistema de seguridad ya que activa una alarma sonora. Como aditamento extra tambin se le puede conectar un sistema de iluminacin, que se activa de igual manera.

Claudia Lieja El realizar el proyecto final de laboratorio de diseo elctrico creo que fue de gran ayuda pues en particular me ayuda a comprender distintos circuitos, pero lo ms interesante es que logre conceptualizar los distintos circuitos armados durante el semestre y darles una aplicacin ms real, no solo el saber que hace sino poder unir varios conceptos tericos y poderlos llevar a la prctica. Fue interesante el trabajar con un fototransistor y el LM567 pues en s no conoca su funcionamiento lo cual tuvimos que investigar y ver si cumpla con las especificaciones necesarias, con anterioridad ya habamos trabajado con fotodiodos y otros circuitos integrados. El poder disear y calcular nuestros valores de resistencia, capacitores y decidir que tipo de circuito utilizar, apoyados por las hojas de especificaciones creo que fue de gran importancia y reafirmamos nuestros conocimientos. Nuestro proyecto cumpli con las especificaciones deseadas, y dicho circuito se pude implementar como una alarma que puede servir para puertas, ventanas y creo que tiene dicho circuito tiene el mismo funcionamiento que tiene los detectores de proximidad que se utilizan dentro de los museos para evitar que se toquen o se acerquen demasiado a las pinturas y obras de arte, cabe sealar que a dicho circuito se le pueden adherir otros circuitos pues nos presente un buen voltaje que permite tener unos y ceros lgicos, pero aqu se tendra que ver que tanta corriente se disipa as como ver si el sistema no necesita un seguidor de voltaje u otro elemento. Vctor Hugo Martnez Durante la realizacin del proyecto final de laboratorio de mediciones se retomaron elementos y circuitos vistos dentro este curso, as como de otros, pues se implemento un detector de proximidad con alarma, dentro del cual se utilizaron componentes como fue el LM555, el LM567, transistores, capacitores, fotodiodos, fototransistores, resistencias, compuertas lgicas y el M2309. Fue de gran importancia el buscar circuitos que cumplieran con nuestras necesidades, pues se tuvo que realizar una investigacin y sobretodo el utilizar nuestros conocimientos aprendidos durante el curso de laboratorio. Sabemos que la implementacin por infrarrojos han ido en aumento, dando como resultado a grandes avances tecnolgicos y el implementar este tipo de diseos fue muy interesante pues tuvimos que sacrificar distancia debido al ngulo de recepcin y transmisin, es importante saber que hay veces que se tiene que sacrificar ciertos parmetros para lograr un funcionamiento eficiente.

Fuentes de Informacin
http://www.anzwers.org/free/arsabe/Opto/opto_a.htm http://www.dia.di,.upm.fi/jd~lope/Docs/infra.pdf