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Material Est 7
Material Est 7
Generalidades
Portadores elctricos y enlace atmico Teora de bandas
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Conductividad elctrica
Metales Aislantes (cermicos) y polmeros Semiconductores
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ndice
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Las colisiones se resisten al movimiento libre de la carga elctrica y limitan su velocidad hasta cierto valor mximo, vm El tipo y nmero de colisiones depende, por tanto, de la estructura cristalina del material y de la temperatura. Propiedad intrnseca del material, resistividad elctrica, .
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3) E = RI 2t
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Estructura de bandas de los metales de la columna IIIA (tabla peridica), p.ej. el aluminio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p1 La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p semillena (bandas de valencia y conduccin mezcladas). Los electrones (3s y 3p) son excitados muy fcilmente a niveles vacos superiores y muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica.
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La temperatura
Un aumento de la temperatura del material supone un aumento de la energa de vibracin de los tomos de la red cristalina. Los tomos oscilan en torno a sus posiciones de equilibrio y dispersan a las ondas electrnicas. Disminucin de la movilidad de los electrones y de la conductividad elctrica. Aumento lineal de la resistividad elctrica con la temperatura. T=r(1+aT)
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f (E) =
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( E EF ) / kT
+1
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La conduccin elctrica en los semiconductores intrnsecos, Si y Ge (continuacin) Efecto de la temperatura o la diferencia de potencial
Al aumentar el aporte energtico, aumenta el nmero de electrones que pueden superar el gap semiconductor y, por tanto la conductividad elctrica de un material semiconductor intrnseco El nmero de electrones (o huecos) que a una temperatura dada, T, supera la barrera energtica del gap es (segn una ley tipo Arrhenius): ne= nh= n0exp(-Eg/2kT) La conductividad del semiconductor intrnseco ser: =noq(e+h)exp(-Eg/2kT) Aumenta con la temperatura!
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El electrn o hueco en exceso est dbilmente ligado al ncleo de la impureza y, por tanto, puede ser excitado muy fcilmente. Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco con impurezas donoras (con exceso de electrones), llamado tipo n
El electrn extra slo debe superar un gap muy pequeo, Ed para acceder a la banda de conduccin.
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Las impurezas aaden al semiconductor intrnseco un nivel de energa adicional el que se sitan los electrones o huecos extras: a) muy cerca de la banda de conduccin (electrones de las impurezas donoras) b) muy cerca a la banda de valencia (huecos de las impurezas aceptoras)
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exp nimpurezas q e = q e n0
Ed kT
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Transductores (medidores) de presin: al aplicarse presin sobre un semiconductor, sus tomos y sus estructura de bandas se comprimen, disminuyendo el gap semiconductor. Esto hace que la conductividad y la corriente elctrica aumenten bajo la accin de una presin mecnica
Ejemplo de semiconductor no estequiomtrico o imperfecto
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Piezoelectricidad
Propiedad de algunos materiales dielctricos basada en la estrecha relacin ente su estructura cristalina y la polarizacin.
a) Al aplicar una diferencia de potencial, el material se polariza, sus tomos y molculas se distorsionan y el material en su conjunto cambia de tamao: electrostriccin Al aplicar una presin sobre el material dielctrico, ste se contrae, sus tomos y molculas cambian de tamao y se forman dipolos elctricos. Esta polarizacin produce, a su vez, una diferencia de potencial entre los extremos del material: Piezoelectricidad
b)
Nota: La piroelectricidad es un fenmeno anlogo pero causado por el calentamiento del material dielctrico
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Ferroelectricidad
Normalmente, al retirar el campo elctrico de un material polarizado una parte o todos de sus dipolos formados desaparecen debido al desorden trmico. En los materiales ferroelctricos, el ordenamiento de los dipolos es tan intenso que un gran nmero de ellos permanece orientados incluso despus de retirar el campo elctrico externo.
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