Practica #1.

Transistores JFET
Electrnica Analgica II Universidad Politcnica Salesiana C. Polarizacin por divisor de tensin. D. Polarizacin con fuente simtrica. III. MARCO TERICO Transistor FET: El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre si. Ver la figura 1. [4][5] Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Ver la figura 1. [4][5] Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET. [4][5] El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal. [4][5]
Abstract In this paper we analyze the behavior of JFET transistors to different forms of the same bias for transistor N. There will be a design for each circuit, in order to obtain a specified output of our circuit. Also we can see through the multimeter that is what happens if a specific circuit as the voltage divider will put a resistor in the output of the source. We will measures for each section of the circuit and analyze it with calculations and simulations, these comparisons will be made by means of tables where we can see if there is any variation in the results in each circuit. The sections to be analyzed are: drain current (ID), Drain-Source Voltage (VDS), Gate-Source Voltage (VGS) Circuits should be analyzed by type of transistor either P-type or N decremental Incremental having different reactions. A common problem with FET transistors is not supporting much current as they tend to destroy exceeding the saturation zone of the same, but the voltage is much easier to control than the current practice for this is to use the two types of transistors JFET above.

I. INTRODUCCIN El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la regin activa o canal. La regin activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de pelcula fina) es una pelcula que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principalaplicacin de los TFT es como pantallas de cristal lquido o LCD). [1][2][3] Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (MetalOxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-InsulatorSemiconductor FET). Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor slido cristalino (generalmente germanio, silicio, arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulacin de una corriente elctrica mediante una corriente de control, mucho menor. [2][3] El primer transistor se cre en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, JohnBardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel. [1][2][3] II. OBJETIVOS

Fig. 1 Junturas del transistor. Funcionamiento: El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequea en comparacin con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.

Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos con transistores JFET. A. Polarizacin del transistor con 2 fuentes. B. Autopolarizacion. Con resistencia de Source. Los MOSFET, adems, presentan un comportamiento Sin resistencia de Source. capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el

anlisis y diseo de circuitos. As como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son tambin de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicacin de una tensin positiva en la puerta pone al transistor en estado de conduccin o no conduccin, respectivamente. [5][6][7] Los transistores de efecto de campo MOS son usados extenssimamente en electrnica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.

Fig. 5 Curva del transistor. Tensin VDS y VGS polarizado en inversa: Polarizacin p-n ms inversa que VGS=0. Zona de transicin mayor. Canal de conduccin ms estrecho. iD proporcional a VDS hasta un valor mximo. Comportamiento no lineal.

Fig. 2 Terminales del FET. Fig. 6 Polarizacin Estructura y smbolo del transistor: Canal n y Canal p Terminales: Puerta, Drenador y Fuente. Componente simtrico. Ver la figura 3. Zonas de funcionamiento: Zona Lineal: Para una determinada >VTR la iD vara linealmente segn se incrementa VDS hasta una Vsat. Vsat~VGS-VTR

Fig. 3 Simbologa del transistor. Efecto campo. Canal n: Tensin VDS y VGS al aire: iD proporcional a VDS. Mxima iD determinada por la seccin del canal n. Resistencia.

Zona de Saturacin: Para una determinada tensin VGS>VTR, si VDS>Vsat la iD permanece constante aunque aumente VDS.

Fig. 4 Polarizacin del FET canal n. Tensin VDS y VGS cortocircuitado: Polarizacin p-n inversa. Aparece zona de transicin o agotamiento. Se estrecha el canal de conduccin. iD proporcional a VDS hasta Zona de Corte: Para una determinada tensin VGS<VTR un valor mximo iDSS (Corriente de drenaje de saturacin). en canal est estrangulado y no circula la corriente iD. Comportamiento no lineal.

Curva caracterstica del FET y punto de trabaoj: En la figura 7, muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se destruye. [6][7][8]

Fig. 9 Recta de carga del transistor.

Fig. 7 Curva del transistor a la salida. Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es "0" voltios o es una tensin de valor negativo. Si Vds se hace cero por el transistor no circular ninguna corriente. (ver figura 9) Para saber cul es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la curva caracterstica de transferencia del FET. [6][7][8]

Fig. 8 Curva del transistor a la salida varios voltajes. Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo N en el grfico. La frmula es: ID = IDSS (1 - [Vgs / Vgs (off)] ) donde: - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID

Caractersticas. Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M). No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor). Hasta cierto punto es inmune a la radiacin. Es menos ruidoso. Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica. [6][7][8] IV. LISTADO DE MATERIALES. Baceta. Resistencias (varias). Cable multipar. Transistores (Canal N ) Multimetro.

15 Resistencias. 05 ctv c/u 5 Transistores 60 ctv c/u Costo total materiales = $ 3,75 ctv.

V. DESARROLLO. Huna vez que contamos con todos los materiales y los diagramas revisados anteriormente y calibrado el osciloscopio procedemos a armar los circuitos en nuestra baceta. Verificamos los pines de nuestro transistor para armar el circuito de una manera correcta y evitar alguna complicacin, podemos cerciorarnos de los pines en la imagen vista anteriormente. Para realizar la practica primeramente se debe de tener una idea clara de lo que son los transistores, tambin se debe de tener conocimientos sobre sus valores y de su correcta conexin para que en la prctica no tengamos inconvenientes. Para cada circuito tenemos que medir la Corriente de drain (ID), Voltaje Drain-Source (VDS), Voltaje Gate-Source (VGS), luego proceder a verificar que los valores medidos coincidan con los valores pedidos en el clculo, de no ser as volver a recalcular con los nuevos valores y compararlos nuevamente. El motivo del recalculo se debe a que el Vp del transistor cambia de valor debido a la temperatura u otros factores. Simulaciones.

A. Circuito 1: Polarizacin con 2 Fuentes.

ID
Tabla de datos.

VDS

Recta de carga. Ver Anexo I. B. Circuito 2: Clculos. Datos: Autopolinizacin sin resistencia de Source.
VDD VDD RD 1 MPF102

Clculos:

Clculos. Datos:

C. Circuito 3: Autopolinizacin con resistencia de Source.

VDD VDD RD

Clculos:
3

1 MPF102

RG

2 RS 0

Simulaciones.

Clculos. Datos:

Clculos:

Simulaciones.

ID
Tabla de datos.

VDS

Recta de carga. Ver Anexo II.

ID

VDS

Tabla de datos.

Recta de carga. Ver Anexo III. Simulaciones.

D. Circuito 4: Polarizacin por divisor de tencin.

VDD VDD RD R1 2 1 MPF102

3 R2 RS 0

Clculos. Datos:

Clculos:

ID
Tabla de datos.

VDS

Recta de carga. Ver Anexo IV.

E. Circuito 5: Polarizacin con fuente simtrica.

VDD VDD RD

3 MPF102 0 1 RS VSS VSS

Clculos. Datos:

Clculos:

ID
Tabla de datos.

VDS

Recta de carga. Ver Anexo V.

VI. ANLISIS. Simulaciones. En el desarrollo de esta prctica se trat de obtener los valores calculados ya sea de voltaje como de los elementos mismos del circuito, por lo que se trat de aproximar el valor calculado al valor comercial de resistencias, algunos resultados variaron no de forma considerable pero, si con un rango notable. Los anlisis de circuitos armados, a trabes de Clculos Matemticos, Prctica y simulaciones. Podemos Observar que existe un rango de diferencia entre el Clculo, las Mediciones y la Simulacin, esto est ligado a los siguientes parmetros. Valores de resistencias aproximados, aparatos de mediciones con errores, etc.

Al tratar de resolver los circuitos con el transistor FET tuvimos que valernos de resoluciones de ecuaciones para tratar de resolverlos, as como tambin la imposicin de algunos datos para facilitar los clculos. Los parmetros fueron tomados de la gua de uso que viene con el FET y tuvimos que tomar esos datos de los rangos indicados. Tambin cabe decir que si el punto de trabajo debe estar a la mitad el valor de VDS debe ser VDD/2, para trabajar a la mitad de la recta de carga. VII. CONCLUSIONES. Realizando la investigacin para la introduccin al transistor observamos que el transistor puede actuar como interruptores cerrados y abiertos debido en la zona de trabajo del transistor, estos cumplen funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador, esto se da en la zona lineal del transistor Los transistores FET, son transistores controlados por voltaje para variacin de corriente, aunque uno de sus principal les problemas es que no manejan altas corrientes es ms sencillo controlarlos por voltaje ya que se puede saber fcilmente las cadas de tensin de los mismos, segn las resistencias que se utilicen esto a travs de la ley de ohm. Se puede observar que la curva caracterstica del FET es muy parecida a la del BJT. Puedo decir que para que las mediciones de la practica sean aceptables y tengan el menor nmero de errores en las mismas con respecto a los clculos tuvimos que ajustar las resistencias lo ms posible a los clculos teniendo en algunos casos que poner las resistencias en serie o en paralelo ya que los valores de las mismas si se alejaban mucho cambian los valores de corriente y voltaje a rangos que no son aceptables, es decir que para el transistor FET funcione correctamente las resistencias deben ser las ms exactas posibles. Los valores de los JFET pueden ser diferentes aunque sean del mismo tipo por lo que primero tuvimos que obtener los valores reales de Vp y de IDSS. Para medir el Vp y el IDSS utilizamos la polarizacin fija, conectamos un voltmetro para medir el VGS y un ampermetro para medir la corriente ID, entonces variamos el voltaje VGS con la fuente VGG hasta que sea cero y obtenemos el valor de IDSS del ampermetro y para medir el valor Vp variamos la fuente Vcc hasta que sea cero, es decir, cuando la corriente ID=0 y obtenemos nuestro voltaje Vp del voltmetro. Siempre debemos tener en cuenta que algunos factores influyen bastante en los clculos y las mediciones para los circuitos con transistores.

Doing research for the introduction to see that the transistor transistor can act as switches open and closed in the area because of transistor, these functions satisfy amplifier, oscillator, switch, or rectifier, this occurs in the linear region of the transistor FET transistors are voltage controlled transistor current variation, but one of its main problems is that they do not handle high currents is voltage-control easier since you can easily know the voltage drops of the same, as the resistance that are used by Ohm's law. One can observe that the characteristic curve of the FET is very similar to the BJT. I can say that for practical measurements are acceptable and have the least number of errors in the calculations regarding had to adjust the resistance as possible to the calculations taking place in some cases that the resistors in series or in parallel since the values of the same if they strayed much change the current values and voltage ranges that are not acceptable, ie for the FET resistance function properly should be the most accurate possible. The values of the JFET can be different but the same type so we first had to obtain the actual values of Vp and IDSS. We must always keep in mind that some factors influence enough in the calculations and measurements for circuits with transistors. VIII. RECOMENDACIONES. Realizando la prctica y paralelamente con la investigacin podemos establecer unas recomendaciones necesarias para la realizacin exitosa de la prctica: Si estando en la zona de saturacin se aumenta mucho VDS se produce la ruptura del componente. Realizar la medicin de los valores IDss y Vp para cada transistor a utilizar debido a que estos valores varan para cada transistor y difieren de los del datasheet. Para la medicin de estos valores podemos aplicar la polarizacin fija explicado en las conclusiones. Imponerse valores adecuados para que no sobrepasen los valores limites del transistor es decir que no sobrepasen IDss y Vp. REFERENCIAS. [1] http://cat.inist.fr/?aModele=afficheN&cpsidt=18710463 [2] CA Ibarra, S Medina S, Bernal N - TE & ET, 2007 sedici.unlp.edu.ar [3] www.asifunciona.com/electrotecnia/...resistencia/ke_resi stencia_1.html [4] Robert L. Boylestad, Introduccin al analisis de Circuitos, Decima Edicion, 2004 [5] http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor } [6] www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/J Fet.htm [7] http://www.ucm.es/info/electron/laboratorio/componente s/codigos/pag06-03.htm [8] http://www.av.anz.udo.edu.ve/ [9] Explicaciones realizadas por el profesor de laboratorio.

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ANEXOS
Rectas de Carga y Puntos de trabajo. Anexo 1

Polarizacin Fija.

Tabla de datos.

Anexo II

Autopolinizacin sin Resistencia de Sourse.

Tabla de datos.

Anexo III

Autopolinizacin con Resistencia de Sourse.

Tabla de datos.

Anexo IV

Polarizacin por Divisor de Tensin.

Tabla de datos.

Anexo V

Polarizacin con Fuente Simtrica.

Tabla de datos.