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TRABAJOS DE LA ASIGNATURA DE MICROONDAS.

3 INGENIERA TCNICA DE TELECOMUNICACIN. ESPECIALIDAD EN


SISTEMAS DE TELECOMUNICACIN.
UNIVERSIDAD DE ALCALA.
CURSO 2007/08.

Los trabajos que se acompaan a continuacin han sido realizados por los alumnos de la
asignatura de microondas de 3 de ITT-ST de la Universidad de Alcal. Comprenden la
parte fundamental del temario de la asignatura (exceptuando fundamentalmente el
captulo dedicado a los amplificadores de microondas con transistores). Los trabajos
han sido propuestos por el profesor de la asignatura de acuerdo con dicho temario.
Los propios autores han realizado una revisin ciega de los trabajos de sus compaeros.
Las correcciones sugeridas han sido incorporadas en los trabajos.
Para la realizacin de los mismos se han empleado, no solo los contenidos de clase, sino
la bibliografa adicional que se resea en los trabajos.
El profesor de la asignatura. Pablo Luis Lpez Esp.

LISTADO DE AUTORES (por orden de aparicin).

Alejandro Rosique Gmez. Componentes discretos a frecuencias de Microondas.
Yolanda Fernndez Campo. Componentes discretos a frecuencias de Microondas.
Vctor Eduardo Romanillos Rodrguez. Cargas Adaptadas en gua de onda.
Mara Jess Garca Martn. Cargas Adaptadas en gua de onda.
Alberto de la Ra Lope. Atenuadores resistivos fijos.
Cristina Lid de la Muela. Atenuadores variables con diodos PIN
Sergio Rodrguez Resina. Atenuadores en gua de onda.
Ana Rodrguez Monter. Desfasadores con circuitos paso alto paso bajo.
Sergio pea Ruiz. Desfasadores con circuitos paso alto paso bajo.
Lorenzo Muoz Alfaro. Desfasadores basados en lneas cargadas.
Santiago Gmez Loro. Desfasadores basados en hbridos en cuadratura.
Isabel Sierra Merino. Desfasadores basados en hbridos en cuadratura.
Francisco Javier Herranz Daz. Desfasadores basados en hbridos de 180
Salvador Len Martnez. Desfasadores basados en hbridos de 180
Javier Moreno Herrera. Divisores de microondas con lneas de transmisin.
Elena Delgado Hita. Divisores de banda ancha con lneas de transmisin.
Juan Alcoceba Venegas. Divisores de banda ancha con lneas de transmisin.
Enrique Gonzlez Maceiras. Divisores resistivos.
Israel de Lucas Fernndez. Divisor Wilkinson.
Mara Carvajal Galn. Divisor Wilkinson.
Mario Bodega Prieto. Divisor Wilkinson 1:2.
Leticia Fernndez Mndez. T en gua de onda.
Beatriz Barcala Snchez. Acoplador Branch Line.
Cristina Fernndez Fernndez. Anillo hbrido.
Gnova Urea Santos. Anillo hbrido.
Estefana Moya Cobo. Acopladores de agujeros.
Antonio Jos Soto Mrquez. Acopladores de agujeros.
Juan Garca-Alcaiz Fernndez. Lneas acopladas.
Javier Gascuea Moreno. Lneas acopladas.
Rubn Garca Garca. Ferritas de microondas.
Francisco Javier Fragoso Jimnez. Girador y aislador de rotacin de Faraday.
Francisco Andrs Alumbreros Lpez. Girador y aislador de rotacin de Faraday.
Alicia Ruiz Campn. Aisladores de resonancia y desplazamiento de campo en gua de
onda.
Alicia del Olmo Jimnez. Circuladores.
Mara del Pilar Herraez Fuentes. Circulador de rotacin de Faraday y de unin.
Ral Pinel Garca. Resonancia en lneas de transmisin.
Jess Corrales Serrano. Resonancia en lneas de transmisin.
Eva Llorente Remartnez. Resonancia en guas de onda.
Alberto Agustn Cid Martn. Resonancia en guas de onda.
Carlos Antonio Lovera Mata. Diseo de filtros.
Alberto Martn Fernndez. Diseo de filtros.
Carlos Oliver Len. Filtros paso bajo con stubs.
Mara Dolores Fernndez-Caballero Farias. Filtros paso bajo con stubs.
Alfonso Lpez Campos. Filtros paso banda y banda eliminada con lneas acopladas.
Francisco Jos Bazn Bautista. Filtros paso banda y banda eliminada con lneas
acopladas.
Cristina Martn Prez. Filtros paso bajo y paso alto.
ngela Sancho Marcos. Filtros paso bajo y paso alto.


1
COMPONENTES DISCRETOS A
FRECUENCIAS DE MICROONDAS
Alejandro Rosique Gmez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : accuracy_hp@hotmail.com

Resumen- A lo largo de estas cuatro pginas se
estudiaran componentes discretos utilizados a frecuencia
de microondas, es decir, frecuencias en torno o
superiores a decenas de GHz. Se analizarn distintas
caractersticas fundamentales a la hora de construir un
circuito y sus parmetros ms habituales a la hora de
analizarlos, tales como sus elementos parsitos, factor de
calidad, frecuencia de resonancia y resistencia
equivalente serie (ESR). Tambin se explicarn sus
circuitos equivalentes de estudio y su fabricacin.
I. ESTUDIO TERICO
Los elementos pasivos son las resistencias, R, las
bobinas, L, y los condensadores, C. En este apartado se
analizar los distintos circuitos equivalentes a altas
frecuencias.
El comportamiento de los elementos variar respecto a
bajas frecuencias debido a que el tamao de los elementos es
similar al de la longitud de onda con la que se trabaja. Por
tanto aparecern elementos parsitos que habr que estudiar
ante la miniaturizacin de los componentes.
Para presentar los circuitos equivalentes nos basaremos
en los parmetros primarios, los cuales presentan resistencia,
reactancia, susceptancia y conductancia.
I.1Resistencias
En todos los circuitos ser casi siempre necesario aadir
resistencias, elementos disipadores de energa. La figura 1
muestra el esquema equivalente a altas frecuencias, donde se
muestran los parmetros parsitos de inductancia y
capacitancia L
S
y C
P
. El valor nominal de la resistencia viene
dado por R
0
. La inductancia parsita en serie, L
S
, aparece por
el hecho de que es un conductor no ideal por el que pasa
corriente, se intentar que el tamao del chip sea lo ms
pequeo posible para disminuir sta inductancia. La
capacitancia en paralelo es consecuencia de las propiedades
del elemento resistivo que caracteriza el componente.


Fig. 1. Circuito equivalente de una resistencia en radiofrecuencias.
I.2 Condensadores
De la misma manera que en el caso anterior, tenemos los
condensadores, elementos que idealmente slo deberan
presentar impedancia reactiva, no resistiva. Sin embargo en
medias y altas frecuencias presenta el siguiente circuito
equivalente, figura 2, en donde podemos apreciar como
elementos parsitos cierta resistencia en serie, representada
por R
S
, la conductancia entre las placas, G
P
, y un efecto
inductivo serie de los conductores, L
S
. El valor nominal del
condensador viene dado por C
0
.

Fig. 2. Circuito equivalente de un condensador en radiofrecuencias.
I.3 Bobinas
Las bobinas se pueden analizar de forma igual que las
resistencias, slo que su efecto inductivo predomina sobre
todos los dems. Su circuito equivalente ser el de la figura 3,
en donde tendremos una cierta resistividad y capacitancia
aadida. El valor nominal de la bobina viene dado por L
0
.

Fig. 3. Circuito equivalente de una bobina en altas frecuencias.
II. MODELOS Y TCNICAS DE FABRICACIN
Los componentes y la fabricacin a unos niveles en los
que el tamao es fundamental son los factores ms
importantes. Se estudiar la apariencia externa, los materiales
y la forma de construir los distintos componentes. En todo
momento se intentar evitar el efectos pelicular de los

2
electrones, los cuales se colocan en los bordes de los
conductores, es por ello que stos tendrn todos la mnima
profundidad posible.
II.1 Modelos y fabricacin de resistencias
En los circuitos de radiofrecuencias y microondas es
indispensable que los componentes discretos sean de
tecnologa de montaje en superficie o subminiatura (SMT).
Las resistencias se construirn de la siguiente manera: se
deposita una pelcula resistiva sobre un sustrato cermico, el
cual se rodear parcialmente por un conductor que tendr
terminaciones soldables en cada extremo del componente,
como se muestra en al figura 4.

Fig. 4. Esquema bsico de una resistencia SMT
Para obtener el valor de la resistencia se usa la expresin:
wt
l
R

=
Ec.1
En donde t, w y l son la profundidad, la anchura y la
longitud de la lmina resistiva. La conductividad del material
viene determinada por .
Dependiendo del uso que se le de a la resistencia, sta
puede tener distintas configuraciones del conductor si su uso
es para lneas microstrip, circuitos impresos, etc. Adems de
la cantidad de ohmios que presente y su calidad. sta ltima
viene determinada por la longevidad del sustrato y la lmina
resistiva, as como la inercia trmica y conductividad a
distintas temperaturas.
II.2 Modelos y fabricacin de condensadores
Se ha de resaltar la diferencia entre los condensadores
electrolticos, polarizados, y los cermicos. Los primeros
alcanzan valores muy altos, en torno a mF, pero sufren
dilatacin con la temperatura y poseen mucha rigidez
dielctrica y no soportan las altas frecuencias, por lo que
todo el tiempo se hablar, para radiofrecuencia, de
condensadores cermicos.
Al igual que en el caso anterior, la apariencia de los
condensadores de radiofrecuencia ser muy diferente a los
usados comnmente. Mayormente se usarn condensadores
SMT del tipo chip o pellet (bola en ingls). Hay dos tipos
principales, los de placas paralelas y los multicapa, ambos se
muestran en la figura 5. Los primeros son de menor valor,
para el mismo tamao, que los multicapa. Los condensadores
de placas paralelas se construyen montando una capa delgada
de dielctrico sobre un sustrato de baja resistencia. Los
condensadores multicapa se construyen en forma de
sndwich con varios conductores entre capas de dielctrico.

Fig. 5. A la izquierda un condensador de placas paralelas, a la derecha uno
multicapa.
El valor de la capacitancia nominal de los condensadores
de placas paralelas vendr dada por:
t
wl
C

=
Ec.2
Donde t, l y w son el espesor, la longitud y la anchura
respectivamente. La permitividad del material dielctrico
vendr dada por .
Para los condensadores multicapa, para obtener la
capacitancia nominal tendremos que usar la siguiente
frmula:
t
wl
n C

) 1 ( + =
Ec.3
Aqu tendremos que n es el nmero de capas que
contienen al dielctrico, t es el espesor del dielctrico y w es
el ancho de cada capa.
La calidad de los condensadores vendr definida por el
dielctrico utilizado. Dos de los parmetros ms importantes
son el factor de calidad, Q, y la resistencia equivalente serie,
ESR. El problema ser que cuando un condensador presenta
poca impedancia o se trabaja a muy alta frecuencia, esto har
que el condensador se comporte como un divisor de potencia,
cuanta ms potencia disipada, menor Q y mayor ESR. Esto se
puede solucionar utilizando condensadores High Q (Q
elevado) o ultra-low-loss (ultra-bajas-prdidas) de porcelana.

3
II.3 Modelos y fabricacin de bobinas
Las bobinas sern tambin del tipo SMT. Se tendrn dos
tipos de bobinas, las devanadas y las multicapa. Las primeras
se construyen enrollando un conductor sobre un ncleo de
cermica o ferrita, las multicapa se formarn aadiendo
distintas capas de conductor sobre el dielctrico.

Fig. 6. Bobina con devanado
La inductancia nominal vendr dada por la siguiente
ecuacin:
2 2
10 5 . 4
825 . 9
d n
l d
L
+
=
Ec.4
En donde n es el nmero de vueltas, d es el dimetro de
cada vuelta, suponiendo devanado circular, y l es la longitud
de la bobina.
III. PARMETROS HABITUALES
En este apartado se estudiarn las principales
caractersticas de los componentes en radiofrecuencia.
Veremos la importancia del factor de calidad Q y su relacin
con la resistencia equivalente serie, adems de la frecuencia
de resonancia.
III.1 Parmetros habituales en una resistencia
El factor de calidad Q es la relacin entre la reactancia,
parte imaginaria de la admitancia, y la resistencia equivalente
serie de un circuito. Dado el circuito de la figura 1 podemos
aproximar Q como:
0
0 2
R
L f
Q
S
=
Ec.5
Siendo f
0
la frecuencia de resonancia. A dicha frecuencia
la impedancia que presentar el circuito ser nicamente R
0
,
es decir, donde la reactancia se hace cero. La impedancia
desciende conforme nos acercamos a la frecuencia de
resonancia, la cual supone un punto de inflexin, si
superamos sta frecuencia la impedancia vuelve a
incrementarse, las condiciones de trabajo rondarn la mitad
de f
0
. Esto se puede apreciar en la aproximacin de la figura
7.

Fig. 7. Mdulo de la impedancia presentada por la resistencia en funcin
de la frecuencia
III.2 Parmetros habituales en un condensador
Si tenemos en cuenta que, segn la figura 2, la R
P
es muy
grande y al estar en paralelo su efecto es despreciable, y que
el efecto inductivo ser bastante pequeo, podemos
aproximar que R
S
ser la resistencia equivalente serie, ESR, y
por tanto un factor de calidad de:
S R C f
Q
0 0 2
1

=
Ec.6
En donde f
0
es la frecuencia de resonancia. La
impedancia que presenta el condensador descender
conforme subimos la frecuencia hasta f
0
, a partir de la cual
volver a incrementarse. Normalmente se intentar trabajar a
frecuencias inferiores a la de resonancia. Como vemos la
ESR es inversamente proporcional a Q. La ESR se
incrementar con la frecuencia y llega a ser el factor de
prdidas ms importante en radiofrecuencia.

Fig. 8. Mdulo de la impedancia presentada por el condensador en
funcin de la frecuencia
Si un condensador presenta una ESR grande disipar
mucha energa y generar mucho ruido trmico, y por tanto,
el Q ser muy bajo. Es por ello que existen condensadores
High Q para cuando se trabaja a frecuencias muy altas, que
lo que hacen es presentar una ESR muy pequea y por tanto
disipan mucha menos energa.

4
III.3 Parmetros habituales en una bobina
Dado el escaso protagonismo de la capacitancia parsita,
el factor de calidad se puede aproximar como:
S R
L f
Q
0 0 2
=
Ec.7
Para las bobinas el comportamiento de la impedancia
respecto a la frecuencia ser el inverso que en los casos
anteriores. Al aumentar la frecuencia aumentar la
impedancia hasta que lleguemos a la frecuencia de
resonancia, donde la impedancia descender. Esto se puede
apreciar en la aproximacin de la figura 9.

Fig. 9. Mdulo de la impedancia presentada por la bobina en funcin de
la frecuencia
Adems del factor de calidad, para el estudio de las
bobinas es necesario la resistencia paralelo equivalente, R
P
.
La cual es directamente proporcional a Q. Para calcularla nos
basaremos en el circuito de la figura 3 en paralelo. La
frmula para obtenerla ser:
S b S b P
R Q R Q R
2 2
) 1 ( + = Ec.8
Siendo Q
b
el factor de calidad de la bobina en el circuito
equivalente y R
S
la resistencia en serie con ella. Dado que Q
b

>>1, entonces podemos hacer la aproximacin de la
ecuacin 8. Al final el factor de calidad total del circuito
equivalente nos queda como:

0 0 2 L f
R
Q
P

=
Ec.9
IV. CONCLUSIONES
Como se ha podido observar los parmetros en
radiofrecuencias y en frecuencias de microondas tienen un
comportamiento muy diferente segn variemos sta,
alejndose mucho del estudio en las cercanas de 0Hz. Es por
ello que el diseo y la fabricacin del componente puede
variar mucho dependiendo del rango de frecuencias para el
que se use. Adems de esto el estudio de ciertos parmetros
se hace fundamental para aprovechar al mximo las
caractersticas del componente y predecir su comportamiento.
Una caracterstica comn para todos es que cuanto ms
espectro de uso y durabilidad se necesita, ms cara es la
fabricacin y por extensin el componente.
V. REFERENCIAS

[1] F. de Dieuleveult, Electrnica aplicada a altas frecuencias, edicin
Paraninfo, 2000
[2] Vincent F. Perna Jr, American technical ceramics, The RF capacitor
Handbook, primera edicin.
[3] American technical ceramics, Circuits designers notebook.
[4] American technical ceramics, Resistors and terminations: engineering
guidelines.
[5] Microwaves and RF, Scientific Atlanta, 1989/1990.



1
COMPONENTES DISCRETOS A
FRECUENCIAS DE MICROONDAS
Yolanda Fernndez Campo
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail:yoferca@gmail.com

Resumen-Los dispositivos pasivos reales tienen un
comportamiento que se aleja del ideal cuando se trabaja
en alta frecuencia, debido a la aparicin de elementos
parsitos que pueden resultar perjudiciales para el
diseo. Es por ello que se utilizan modelos equivalentes
para tener en cuenta estas desviaciones.
I. INTRODUCCIN
En este documento se analizan los modelos equivalentes
en alta frecuencia de la resistencia, condensador y bobina,
mediante la variacin de la impedancia con la frecuencia.
Para este fin se describe, el comportamiento de ESR, la parte
reactiva y el conjunto que corresponden a cada circuito,
mediante una simulacin con PSpice. Debido a la
importancia de ESR en la disipacin de potencia se realiza
tambin un estudio de los parmetros S de cada modelo.
Acompaando a estas simulaciones se presentan frmulas
del clculo aproximado de los parmetros mencionados as
como del factor de calidad.
II. RESISTENCIAS
-Lineales: Su valor de resistencia es constante y est
predeterminado por el fabricante
-Variables: Estas resistencias pueden variar su valor
dentro de unos lmites.
- No lineales: Estas resistencias se caracterizan porque su
valor vara de forma no lineal, es funcin de distintas
magnitudes fsicas como puede ser la temperatura, tensin,
luz y campos magnticos.
En general, su comportamiento en frecuencias ms
elevadas no es de carcter resistivo como en el modelo
ideal, sino que se comporta como una impedancia compleja
que da lugar al diseo de un modelo equivalente, a partir de
los elementos parsitos que se consideran predominantes en
altas frecuencias.
El circuito equivalente ms adecuado para la resistencia
lineal depende del tipo de material utilizado en su
fabricacin.
II.1Composicin de carbn

El elemento resistivo est constituido por un bloque
formado por una mezcla de carbn, resinas y partculas
metlicas.
En el modelo equivalente para alta frecuencia, la
resistencia aparece acompaada de sus elementos parsitos;
las dos bobinas L/2 que representan la inductancia de los
terminales y C que es la capacidad distribuida [1], resultado
de la combinacin de la capacidad que hay entre los granos
de carbn.

Fig. 1. Modelo equivalente de la resistencia de composicin de
carbn en alta frecuencia.

El circuito de la Figura 1 se puede modelar como una
impedancia compleja Z (w) formada por una resistencia
equivalente serie (ESR) y una parte reactiva X (w).


Fig. 2. Impedancia compleja del modelo equivalente de resistencia
en alta frecuencia

) ( jX ) ( ESR ) ( Z + =
Ec. 1
( )
2 2 2
R C 1
R
ESR
+
=
Ec.2
( ) CR R / L Q
Ec. 3
LC 2
1
fr

=
Ec. 4

Frequency
1.0MHz 100MHz 10GHz 100KHz
V(L2:1,L1:2)/ I(V2) R(V(L2:1,L1:2)/- I(V2))
IMG(V(L2:1,L1:2)/ -I(V2))
0
1.0K
2.0K

Fig. 3. Representacin de Z (w) en verde, ESR en rojo y X (w) en
azul; del circuito de la Figura 1.

Hasta la frecuencia de corte, los elementos parsitos se
consideran despreciables y la resistencia tiene el

2
funcionamiento esperado. A medida que aumenta la
frecuencia la resistencia est puenteada por una capacidad
distribuida. Por encima de la frecuencia de resonancia, la
resistencia se comporta como una inductancia (Figura3)



Fig. 4. Descripcin del comportamiento de la resistencia mediante
parmetros S.

Para baja frecuencia se transmite poca potencia y se
refleja bastante; sin embargo los valores esperados cambian
por completo a la frecuencia de resonancia, de manera que se
transmite ms potencia y se refleja menos, pudiendo resultar
perjudicial para el diseo. Finalmente a medida que aumenta
la frecuencia se van recuperando los valores iniciales, siendo
un valor ptimo a 2GHz (Figura 4)
II.2Hilo bobinado

Estn realizados con hilos de aleaciones metlicas
utilizando un soporte aislante sobre el que se enrolla el hilo
conductor existiendo dos tipos; bobinados de potencia y
precisin.
C representa la capacidad distribuida que hay entre las
distintas espiras de alambre y el cuerpo del resistor. L
modela la inductancia que aparece por tener un conductor
enrollado por el que circula corriente [1].


Fig. 5. Modelo equivalente de una resistencia de hilo bobinado en
alta frecuencia.

El circuito de la Figura 5 se puede modelar como el
circuito mostrado en la Figura 2.

( ) L 2 CR C 1
R
ESR
2 2
+

Ec. 5

En este caso el factor de calidad y la frecuencia de
resonancia se corresponden con las Ecuaciones 3 y 4.

Frequency
100MHz 1.0GHz 10GHz
V(C2:2,0)/ I(V2) IMG(V(C2:2,0)/ -I(V2)) R(V(C2:2,0)/ -I(V2))
0
40K
-32K
R(V(C2:2,0)/ -I(V2))

Fig. 6. Representacin de Z (w) en verde, ESR en amarillo y X (w)
en rojo; del circuito de la Figura 5.

Para baja frecuencia se mantiene el comportamiento
esperado de la resistencia. El pico que se observa, es debido
a que al incrementar la frecuencia aumenta la inductancia
distribuida y con ella la impedancia total, hasta que la
impedancia del condensador se hace comparable. A partir de
este punto, la impedancia del circuito equivalente disminuye
y tiende a cero (Figura 6).



Fig. 7. Descripcin del comportamiento de la resistencia mediante
parmetros S.

En baja frecuencia se observa con el parmetro S
21
que se
transmite una pequea cantidad de potencia y mediante el S
11

la cantidad que se refleja es elevada. La potencia transmitida

cambia a la frecuencia de 2GHZ, dando lugar a una
disminucin elevada que influir en el diseo. A partir de
esta frecuencia se registra un aumento en el S
21
que tendera a
cero decibelios (Figura 7).

II.3De pelcula

Se distinguen tres tipos de resistencia de pelcula:
- De carbn: El elemento resistivo est compuesto por
mezclas de carbono con aislantes y la deposicin de la
pelcula se realiza por deposicin directa del carbn.
- Metlica: El elemento resistivo es una pelcula metlica
muy delgada y la deposicin de la pelcula se realiza en
vaco.
- De xidos metlicos: El elemento resistivo es una
pelcula de xidos metlicos delgada y la deposicin de la
pelcula se realiza en el vaco.
El circuito equivalente del comportamiento real de este
tipo de resistencias es el mismo que el de las resistencias de
composicin de carbn.


3
III. CONDENSADOR
Dispositivo que consta de dos superficies conductoras
separadas por un material dielctrico. Se utilizan
principalmente en el desacoplo de las alimentaciones
intermedias, el acoplo entre etapas y en los filtros LC.
En el circuito equivalente para alta frecuencia de la
Figura 8, se han modelado los elementos parsitos mediante
los siguientes componentes: Rs es la resistencia entre los
terminales, placas y contactos, Rp es la resistencia de fugas
del dielctrico, L es la inductancia de los terminales [2].

Fig. 8. Modelo equivalente de un condensador en alta frecuencia.

La impedancia real del condensador se puede representar
mediante el circuito de la Figura 9, que se corresponde con
la Ecuacin 6, donde ESR indica que existir una disipacin
de energa y Ce es la capacidad equivalente.

Fig. 9. Impedancia compleja del modelo equivalente de un
condensador en alta frecuencia

Ce j
1
ESR ) w ( Z

+ =
Ec. 6
Rs ESR Ec. 7

2 2
r
1
C
LC 1
C
Ce

Ec. 8

fr 2 r =
Ec. 9

Frequency
10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
R(V(Rs:1,0)/-I(1)) IMG(V(Rs:1,0)/-I(1)) V(Rs:1,0)/I(1)
-5M
0
5M
10M

Fig. 10. Representacin de Z (w) en verde, ESR en rojo y X (w) en
azul ; del circuito de la figura 8.
Se observa que para baja frecuencia el condensador se
comporta de forma ideal, haciendo disminuir la parte
resistiva del circuito a medida que aumenta la frecuencia. En
la banda de 1 a 100MHz, la impedancia del circuito toma su
mnimo valor, para finalmente adoptar el comportamiento de
una bobina (Figura 10).



Fig. 11. Descripcin del comportamiento del condensador
mediante parmetros S.


Fig. 12. Detalle de la figura 11 para el intervalo de 0 a 40 MHz.

En la Figura 12, cuando la parte real de la impedancia
disminuye (ver Figura 11),el parmetro S21 aumenta,
transmitiendo as mayor potencia el circuito; del mismo
modo el nivel de potencia reflejada tambin decrece. Sin
embargo, a medida que la frecuencia aumenta, y en el
circuito aparece una parte inductiva elevada (ver Figura 11 a
partir de 100 MHz) la potencia transmitida disminuye y la
potencia reflejada aumenta.


Fig. 13. Representacin fasorial de la corriente y la tensin en un
condensador real [3]

En el condensador real existe un desfase menor de 90
entre la tensin aplicada y la corriente que circula por el
dispositivo. De la Figura 13 se obtienen algunos parmetros
como FP, denominado factor de potencia y FD, factor de
disipacin cuyas ecuaciones se obtienen mediante el ngulo
de fase

y el ngulo de prdidas

y se describen a
continuacin.

) ( g tan FD =
Ec. 10
) cos( FP =
Ec. 11
FD XC ESR = Ec. 12

FD
1
Q =
Ec. 13



4
IV. BOBINA
Componente que almacena energa en forma de campo
magntico y esta formado por un hilo conductor enrollado
(espiras) sobre un ncleo de un material ferroso o de aire.
En este caso, los elementos parsitos se han modelado
mediante R, que es la resistencia del conductor y una C
distribuida que representa la capacidad que existe entre cada
espira [1].


Fig. 14. Modelo equivalente de una bobina en alta frecuencia.


Fig. 15. Impedancia compleja del modelo equivalente de una bobina
en alta frecuencia


Le j ESR ) w ( Z + =
Ec. 14
) LC 2 1 ( R ESR
2
+
Ec. 15
LC 1
L
Le
2

Ec. 16

( ) LC 1
R
L
Q
2

Ec. 17



Frequency
100.0KHz 1.00MHz 10.0MHz 100.0MHz 1.00GHz 30.5KHz
V(R:2,L:1)/I(V1) -I(V1) R(V(R:2,L:1)/-I(V1)) IMG(V(R:2,L:1)/-I(V1))
-2.00K
0
2.00K
4.00K
-3.80K
5.53K

Fig. 16. Representacin de Z (w) en verde, ESR en azul y X (w) en
amarillo; del circuito de la Figura 13.
Para baja frecuencia se observa que la bobina se
comporta de forma ideal, hasta la frecuencia de resonancia
(Ver ecuacin 4) de 7Mhz; a partir de la cual la impedancia
total del circuito equivalente tiene un comportamiento
capacitivo (Figura 16).



Fig. 17. Descripcin del comportamiento de la bobina mediante
parmetros S.


Fig. 18. Detalle de la figura 16 para el intervalo de 0 a 20 MHz.

Se transmite poca potencia en baja frecuencia,
producindose un descenso hasta la frecuencia de
resonancia; debido al aumento de carcter inductivo de la
impedancia del circuito (ver Figura 16 las frecuencias
menores que 7MHz). A partir de la frecuencia de resonancia,
el parmetro S
21
aumenta debido al descenso que produce el
comportamiento capacitivo de la impedancia equivalente a
partir de 7MHz y el S
11
apenas refleja potencia (Figura 17).
V. CONCLUSIONES
La realizacin de circuitos en alta frecuencia que incluyan
componentes pasivos, se caracteriza por los efectos parsitos
que aparecen con el incremento de frecuencia; alterando de
forma considerable el comportamiento ideal que se esperaba.
Utilizando los modelos equivalentes de cada componente,
cuando se inicie un diseo, permite prever el
comportamiento final. Asimismo se emplean componentes
construidos con tecnologa de montaje superficial (SMT)
soldados a la placa de circuito impreso, para reducir las
dimensiones y aumentar la precisin.

VI. REFERENCIAS
[1] F. de Dieuleveult.. Componentes pasivos en alta frecuencia.
Electrnica aplicada a las altas frecuencias. Ed. Paraninfo.2000. pp
233, 209.
[2] W. Alan Davis, Krishna Agarwal. Resistors, Capacitors and
Inductors .Radio Frequency Circuit Design. John Wiley & Sons, Inc.
2001. pg 12.
[3] Fiore Richard. ESR Loss Factors. Circuit designers notebook.
<http://www.atceramics.com/pdf/technotes/cdn_nb_brochure.pdf>
[3Octubre 2007] pg 2.




1
CARGAS ADAPTADAS EN GUA DE
ONDA
Vctor Eduardo Romanillos Rodrguez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :victorromanillos@hotmail.com

Resumen- Este documento trata de explicar las cargas
adaptadas que podemos encontrarnos para guas de
onda, viendo los diferentes tipos que existen, las tcnicas
que se llevan a cabo para su realizacin y los
fundamentos tericos en los que se basan. Adems, se
muestran las caractersticas tpicas que un fabricante
suele dar de estos componentes, as como algn ejemplo
prctico de utilizacin de los mismos.
I. INTRODUCCIN
Como sabemos, las cargas adaptadas son aquellas que
absorben toda la potencia que incide sobre ellas. En las guas
de onda estas cargas pueden ser de dos tipos: de variacin
del material suave (tapered loads) o de variacin del
material abrupta (stepped loads), las cuales se explican en
la siguiente seccin.
II. TIPOS DE CARGAS
II.1De variacin suave del material
Este tipo de cargas se construyen introduciendo una barra
en forma de cono o pirmide (de ah la denominacin de
variacin suave) fabricada con un material de elevadas
prdidas. La barra puede estar fija o puede ser mvil
(movimiento en la direccin de propagacin). Para que sean
cargas adaptadas, deben estar construidas para que se
produzcan muy pocas reflexiones, por lo que la ROE suele
ser muy pequea, normalmente ROE<1.04, siempre y
cuando la longitud l
1
que se indica en la figura 1 sea varias
veces mayor que la longitud de onda a la menor frecuencia
de funcionamiento. La longitud l
2
se elige de forma que las
prdidas conjuntas a travs de l
1
y l
2
sean mayores que 20
(dB).




Fig. 1. Cargas de variacin suave del material [1]
La carga que se muestra a la izquierda se utiliza en
aplicaciones de media y baja potencia, mientras que la carga
que se muestra a la derecha se utiliza en aplicaciones en las
que se requiere disipar alta potencia, lo cual es posible
gracias a que la superficie de contacto del elemento de
elevadas prdidas (material interior) es mayor que en el caso
anterior y por tanto, el calor generado por la potencia que es
absorbida por la gua de onda es conducido hacia las paredes,
donde una especie de aletas de refrigeracin se utilizan
para evitar el aumento de temperatura. Para aplicaciones de
muy alta potencia es necesario recurrir a refrigeracin
externa, o bien por aire o por agua. Un ejemplo de este ltimo
tipo de cargas es el que se muestra en la figura 2. Esta carga
se utiliza para obtener medidas fidedignas de potencia. Se
construye utilizando un tubo hueco de vidrio por donde
circula agua. El incremento de la temperatura del agua es
proporcional a la potencia absorbida. Para minimizar las
reflexiones, el tubo de vidrio se introduce con un cierto
ngulo. Como en los casos anteriores, con una longitud l
1

varias veces mayor que la longitud de onda se asegura una
ROE lo suficientemente pequea, adems de la disipacin de
la potencia incidente por el agua en circulacin.



Fig. 2. Carga con refrigeracin por agua [1]
II.2 De variacin abrupta del material
Se utilizan en aquellas aplicaciones en las que no es
posible introducir una carga de variacin suave, debido a la
falta del espacio fsico necesario. Son por tanto, cargas de
menor tamao, del orden de media longitud de onda, con un
ancho de banda til del 10%, que es sensiblemente menor
que el 40% para cargas de variacin suave. La configuracin
normal en este tipo de cargas es la que se muestra en la
figura 3. La longitud l
1
acta como un transformador /4.
Como sta es la seccin de altas prdidas, la dimensin de
b
1
se ajusta tal que la reflexin en la superficie B (referida

2
al plano de entrada) sea igual que la reflexin en la superficie
A . En tal caso,
| | | |
1
2
A
l
B
e =

Ec. 1
La longitud l
1
se toma de tal forma que las dos
reflexiones se cancelan en el plano de entrada, siendo la
ROE a la entrada igual a la unidad, es decir, Z
IN
= Z
0
. No
obstante, como en cualquier transformador /4 la ROE es
funcin de la frecuencia de funcionamiento. Para un ancho
de banda til del 10%, es posible obtener valores de ROE
menores que 1.10. Se puede obtener un mayor ancho de
banda relativo con dos o tres secciones de carga. La longitud
l
2
se elige como en las cargas de variacin suave, de tal
manera que las prdidas a travs de l
1
y l
2
sean mayores
que 20 (dB).



Fig. 3. Carga de variacin abrupta del material [1]
II. 3 Aplicacin prctica
Una aplicacin con cargas adaptadas es la que se realiza
en la medida de reflexiones en redes de dos puertas. Lo que
se hace es colocar una carga adaptada en la puerta de salida y
medir la ROE a la entrada. Con una carga perfectamente
adaptada, al no haber reflexiones, la ROE medida representa
la reflexin debida a la puerta 2. Sin embargo, como es
prcticamente imposible obtener una carga perfectamente
adaptada, se producir una incertidumbre al considerar la
ROE de la puerta 2 por s misma, ya que la ROE medida a la
entrada podr variar desde ROE
X
/ROE
L
hasta
(ROE
X
)(ROE
L
), siendo ROE
X
y ROE
L
los valores para la
puerta 2 y la carga respectivamente (ROE
X
ROE
L
). Esta
incertidumbre puede eliminarse usndose una carga
deslizante (sliding load) como la mostrada en la figura 4,
consistente en una gua de onda que en su interior lleva una
carga ajustable por el usuario. Con esta carga se puede medir
el valor mximo y el valor mnimo de ROE a la entrada. [1]


Fig. 4. Sliding Load [2]
III. CARACTERSTICAS TPICAS
Los fabricantes de este tipo de componentes ofrecen una
tabla, de la que se puede extraer las caractersticas de la
carga, como la ROE mxima, el rango de frecuencias de
funcionamiento o ancho de banda (mayor en cargas de
variacin suave como se ha comentado anteriormente), que
como sabemos depende bsicamente de la seccin
transversal que se utilice, aunque tambin depende del
mecanismo de adaptacin, la potencia que pueden disipar o
las dimensiones. Suelen acompaar una fotografa del
componente y las distintas longitudes que se especifican en
la tabla. Un ejemplo de ello se encuentra en la figura 5, en la
que se muestra una carga para aplicaciones de alta potencia.




Waveguide
size (EIA)
VSWR
max
Frequency
range
GHz
Power
(watts)
Dim.
"L"
Dim.
"A"
Dim.
"B"
WR-650 1.10 1.12-1.70 1500 22 11 10.5
WR-284 1.10 2.60-3.95 1200 12 6 5
WR-229 1.10 3.30-4.90 800 11 6 5
WR-187 1.10 3.95-5.85 750 10 4 3.5
WR-159 1.10 4.90-7.05 625 8.5 4 3.5
WR-137 1.10 5.85-8.20 500 8.5 3.5 3
WR-112 1.10 7.05-10.0 325 7.5 3 3
WR-102 1.10 7.00-11.0 125 4.5 3 3
WR-90 1.10 8.20-12.4 225 6 2.7 2.75
WR-75 1.10 10.0-15.0 100 5 2.5 2.5
WR-62 1.10 12.4-18.0 250 6 2.5 2.5
WR-51 1.10 15.0-22.0 100 5 2 2
WR-42 1.10 18.0-26.5 150 4 2 2
WR-34 1.10 22.0-33.0 75 5 2 2
WR-28 1.10 26.5-40.0 75 5 2 2

Fig. 5. Caractersticas tpicas ofrecidas por un fabricante para una carga
de alta potencia [3]

En ocasiones tambin se informa sobre los materiales con
los que estn construidos. Las aleaciones ms comunes son

3
las de aluminio (en aplicaciones de alta potencia), y latn,
cobre, plata y acero inoxidable (en aplicaciones de baja y
media potencia).
IV. EJEMPLOS
En las siguientes figuras se muestran algunos ejemplos
grficos de las cargas que se han comentado en funcin de la
potencia que son capaces de disipar y las aplicaciones ms
comunes en las que se suelen utilizar.
IV.1 Cargas de baja potencia

Este tipo de cargas son capaces de disipar unas pocas
decenas de watios (30-40 W) y son utilizadas en aplicaciones
generales en el uso de microondas.



Fig. 5. Carga de baja potencia [2]
IV.2 Cargas de media potencia

Este tipo de cargas pueden disipar una potencia mayor
que las anteriores (hasta 150 W) y se utilizan en mltiples
aplicaciones. El elemento absorbente se suele fabricar de
carburo de silicio ya que puede soportar elevadas
temperaturas.



Fig. 6. Carga de media potencia [4]
IV.3 Cargas de alta potencia

Estas cargas se utilizan para satisfacer necesidades
comerciales o tambin en operaciones militares (estaciones
terrenas y sistemas de radar). Al igual que las cargas
anteriores, son capaces de soportar altas temperaturas gracias
a los elementos cermicos que los componen, por lo que
pueden disipar gran cantidad de potencia (10 kW).



Fig. 7. Cargas de alta potencia [5]
V. CONCLUSIONES
Los aspectos ms importantes de este documento son
principalmente dos: en primer lugar, el que se refiere a los
dos tipos de cargas que existen para guas de onda en funcin
de la forma del material de elevadas prdidas con el que se
construyen (variacin suave o abrupta), as como las
caractersticas de cada tipo; y en segundo lugar el que hace
referencia a los tipos de cargas que existen en funcin de la
potencia que son capaces de disipar, adems de otras
caractersticas comunes que suelen dar los fabricantes.
VI. REFERENCIAS
[1] Peter A. Rizzi, Microwave Engineering. Passive circuits. Prentice
Hall, 1988.
[2] http://www.maurymw.com
[3] http://www.pennengineering.com
[4] http://www.planetcomm.com
[5] http://www.ainfoinc.com





1
CARGAS ADAPTADAS EN GUA DE ONDA
Autora: Mara Jess Garca Martn
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : mgm727@gmail.com

Resumen- Muchas aplicaciones de microondas requieren
que la lnea de transmisin est terminada con una
impedancia conocida. Esto es especialmente importante en
los sistemas de medida. Una de las terminaciones ms
usadas es la carga adaptada para gua de onda.
En ste artculo se mostrar qu es y para qu se utilizan
las cargas adaptadas en gua de onda, as como las
distintas variedades que existen y sus principales
caractersticas tcnicas.
I. INTRODUCCIN
I.1. Definiciones:
Gua de onda: medio de transmisin formado por un solo
conductor hueco por cuyo interior se propaga la energa
electromagntica.
Una carga adaptada o terminacin en gua de onda es un
circuito pasivo de microondas de una puerta realizado con
ste medio de transmisin. Este dispositivo absorbe la
energa de RF sin provocar reflexiones y es equivalente a
terminar la lnea con su impedancia caracterstica. [1].
I.2. Introduccin:
Una gran variedad de circuitos pasivos de microondas y
distintos componentes han sido desarrollados para su uso en
el laboratorio, en comunicaciones de microondas y en
sistemas radar. [2].
El concepto de lnea de transmisin como elemento
equivalente de un medio guiado, en nuestro caso la lnea de
transmisin va a ser una gua de onda, y la caracterizacin de
la propagacin de ondas de tensin y corriente equivalentes
es el punto de partida del clculo de los circuitos de alta
frecuencia. En estos circuitos resulta de crucial importancia
la adaptacin en potencia del generador para conseguir la
mxima transferencia de potencia y la adaptacin en tensin
de la carga para evitar la presencia de la onda reflejada en la
lnea de transmisin. [3]
A la hora de trabajar con dispositivos fsicos, y no sobre
el papel tendremos que recurrir a stas cargas ya fabricadas
eligiendo, segn las necesidades y presupuesto que
tengamos, la ms adecuada en funcin de la relacin de onda
estacionaria, la capacidad de disipar potencia, o el ancho de
banda de trabajo. Ser importante tener todo esto en cuenta y
mediante stas terminaciones evitar la desadaptacin
existente entre la lnea de transmisin y la carga, ya que solo
cuando la lnea est cargada por una impedancia igual a su
impedancia caracterstica no existe onda reflejada, y
evitaremos as la aparicin de patrones de onda estacionaria.
Estas terminaciones son muy utilizadas en el laboratorio
es a la hora de medir impedancias o parmetros S de un
circuito de microondas de ms de una puerta. Para ello
debemos cerrar las puertas de salida (las puertas donde no
vayamos a realizar la medida) mediante cargas adaptadas y
medir a la entrada la ROE, de sta manera no exista onda
reflejada a la entrada y estaremos evitando obtener medidas
errneas. Tambin son importantes a la hora de calibrar
equipos de medida [4].

Fig. 1. Carga adaptada en gua de onda.[8]
II. PRINCIPALES TIPOS
Las cargas adaptadas para guas de onda pueden ser de
dos tipos:
II.1. Cargas de variacin del material suave (tapered
loads):
Las cargas adaptadas con variacin del material suave
ms comunes suelen ser una seccin de gua terminada en
cortocircuito en la que se ha insertado material resistivo (con
prdidas) que suele tener distintas variaciones, pero todas
ellas suaves. Al ser el material con prdidas, se consigue que
la energa incidente se vaya atenuando gradualmente hasta
anularse, as la potencia incidente es absorbida, evitando las
reflexiones. Una longitud de una o ms longitudes de onda
son suficientes para conseguir una ROE de 1.01 o menor.
[2].


Fig. 2. Cargas adaptadas para gua de onda de variacin del material
suave. [2].
Dependiendo de la forma que tenga el material resistivo y
la superficie de contacto que tenga con las paredes de la gua
de onda nuestra carga tendr distintas caractersticas. Cuanta
mayor superficie de contacto tengamos podremos disipar
mayor potencia, pero tendremos menos ancho de banda.

2

Fig. 3. Cargas adaptadas para gua de onda de variacin del material
suave. [4].
La terminacin de la Fig. 3.a) se usa en banda ancha, en
aplicaciones de baja y media potencia. Consiste en una
material con prdidas de forma cnica que puede ser fijo o
variable a lo largo del eje de propagacin. La ROE es
bastante pequea (ROE<1.04) si la longitud L1 es varias
veces mayor que la longitud de onda de la gua. [4].

Fig. 4. Terminacin de Precisin de Baja Potencia. [10].
La terminacin de la Fig. 3.b) se usa para aplicaciones de
alta potencia ya que como hemos visto antes, al hacer que el
material con prdidas tenga mayor superficie de contacto con
las paredes de la gua obtenemos la mxima disipacin.

Fig. 5. Terminaciones de Alta Potencia. [9][10].
II.2. Cargas de variacin del material abrupta (step
loads):
Las cargas de variacin del material abrupta se usan en
aplicaciones donde no hay espacio suficiente para colocar el
material con prdidas de forma cnica (ya que en las cargas
de variacin del material suave slo L1 debe ser varias veces
mayor que
g
).
Su tamao es del orden de media longitud de onda. Un
inconveniente que presentan es el menor ancho de banda
relativo, sobre el 10% (comparado con el 40% de las cargas
de variacin del material suave). [4].

Fig. 6. Carga adaptada de variacin del material abrupta. [4].
Al estar formado por un transformador /4, la ROE vara
con la frecuencia, obteniendo valores menores de 1.10 para
un ancho de banda relativo del 10%. Podremos obtener
cargas con mayor ancho de banda colocando ms secciones
/4.
III. FUNDAMENTOS TERICOS
Como hemos visto antes, una carga adaptada en gua de
onda, es un tramo de gua terminado en cortocircuito, en
cuyo interior hay un material resistivo, de manera que
minimice las reflexiones y absorba toda la potencia
incidente.
El material resistivo a utilizar debe presentar prdidas a
las frecuencias de microondas, normalmente varios dB por
pulgada.
1
1
| |
+

=
ROE
ROE
Ec. 1
| | 1
| | 1

+
= ROE Ec.2
Primero se toma una gua terminada en cortocircuito
ZL=0, =-1, teniendo un valor de ROE .
Despus lo que se hace es introducir prdidas para que al
llegar, la potencia al final de la carga, se vaya atenuando, y
al volver a la entrada (al reflejarse), se atene el doble, no
teniendo prcticamente a la entrada de la carga potencia
reflejada.
La longitud L1 del material resistivo (ver Fig. 3.a) y 3.b))
es varias veces mayor que la longitud de onda de la gua y la
longitud L2 se elige de tal forma que las prdidas en total
(prdidas debidas a L1 y a L2) sean mayores de 20 dB. Esto
asegura que los efectos de la reflexin debida al
cortocircuito estn suficientemente minimizados a la entrada.
Podemos obtener la magnitud de ste efecto con las prdidas
de retorno (L
R
), siendo el coeficiente de reflexin.
) (
| |
1
log 10
2
dB L
R

= E.3

Ej.: Suponemos una atenuacin de 23 dB a travs de L1 y
L2. [4]
|
cc
| = 1
L
Rcc
= 10 log1 = 0;
(L
Rcc
prdidas de retorno del cortocircuito)
L
R
= 0+2*(23) = 46 dB;
Aplicando la Ec.3 = 0.005
Aplicando la Ec.2 ROE = 1.01

Con lo que obtenemos un valor de ROE bastante bueno,
sobre todo comparado con el valor de ROE que
obtendramos sin la carga adaptada.
En el caso de cargas de variacin del material abrupta L1
hace de transformador /4 desde la gua rellena de aire a la
gua rellena por material con prdidas. B1 se ajusta de tal
forma que la reflexin en la superficie B referida al plano de
entrada sea igual a la reflexin debida a la superficie A, es
decir:

3
( )
| | | |
1
2
A
l
B
e =

Ec. 4
La longitud L1 est ajustada para que las dos reflexiones
se cancelen a la entrada por lo que vamos a tener a la entrada
ROE =1, es decir Zin=Zo.
Como en las cargas de variacin suave, L2 se elige de tal
forma que las prdidas en total sean mayores de 20 dB.
IV. TCNICAS DE REALIZACIN
Para la realizacin de cargas adaptadas en gua de onda
se parte siempre de un tramo de gua de onda terminado en
cortocircuito. Despus se introduce un material resistivo en
el interior de la gua, el cual comienza a estrecharse en las
paredes de la gua, donde el campo elctrico es despreciable.
Para aplicaciones de baja frecuencia, el material con
prdidas suele estar formado por polvo de hierro o carbn.
Para aplicaciones de alta frecuencia se usan materiales
cermicos, que soportan mejor las altas temperaturas.
En aplicaciones que requieran media potencia estn
refrigeradas por aire, mientras que las cargas de alta potencia
estn refrigeradas por agua. [6].

Fig. 7. Carga de variacin suave, refrigerada por agua. [4].
La carga de variacin suave refrigerada por agua
(Fig.7.), se usa para aplicaciones de alta potencia de
microondas. Consiste en agua circulando a travs de un tubo
hueco de vidrio.
El incremento de la temperatura del agua es proporcional
a la potencia absorbida. El tubo se inserta con un ngulo
suave para minimizar las reflexiones. Si L1 es mayor que la
longitud de onda de la gua, entonces la ROE es bastante
pequea y casi toda la potencia incidente se disipa por la
circulacin del agua.
V. CARACTERSTICAS TPICAS
La matriz de parmetros [S] resulta de gran utilidad en la
interpretacin de las propiedades de los circuitos pasivos de
microondas puesto que, terminando adecuadamente las
puertas, los mdulos al cuadrado de los parmetros [S]
representan las ganancias de transferencia de potencia entre
puertas.[5].
Las Cargas Adaptadas son circuitos de una puerta por lo
que la matriz [S] ser de tamao 1x1, con lo que el nico
parmetro S a tener en cuenta ser el S11, es decir, la
adaptacin (A) o prdidas de retorno (LR), pudindonos
facilitar ste parmetro de diversas maneras, siendo la ms
comn ddnoslo a travs de la ROE (VSWR).
) ( | | log 20
11
dB S L
R
= < <
R
L 0 Ec. 5
| | 1
| | 1
11
11
S
S
ROE

+
= 1<ROE< Ec. 6
En las siguientes tablas podemos observar un ejemplo de
las caractersticas tpicas que nos proporciona el fabricante:

Fig. 8. Tabla de caractersticas facilitada por el fabricante. Low
power. [8].

Fig. 9. Tabla de caractersticas facilitada por el fabricante. High
power. [9].
-Rango de frecuencias, o ancho de banda. Va a estar
limitado por el mecanismo de adaptacin, pero
fundamentalmente por la seccin transversal de gua de onda
empleada.
-ROE (VSWR) mxima, a travs de ella podremos
obtener el parmetro S11 como hemos visto anteriormente.
Podemos observar que la ROE en ste caso es bastante baja.
-Gua utilizada para la fabricacin de la carga.
-Potencia media (Power Average) en Watios, siendo sta
la mxima potencia que podemos aplicarle de media. A
mayor ancho de banda, tendremos que trabajar con menor
potencia.
-Potencia de pico (Power Peak), en KW, que es la
mxima potencia instantnea que puede soportar nuestra
carga, no indicndonos la duracin de ste instante.
-La longitud de la terminacin, tanto en pulgadas
(inches), como en centmetros (cm).


Fig. 10. Longitud de la carga. [7].

4
VI. CONCLUSIONES
En el artculo hemos podido observar las ventajas que
tiene poder cerrar un circuito de microondas con su
impedancia de referencia, para as poder obtener los
parmetros del S circuito. Otra de las utilidades importante
es a la hora de realizar el calibrado de aparatos de medida.
La Relacin de Onda Estacionaria de stos dispositivos
es bastante buena (ROE<1.1).
En aplicaciones de baja potencia podemos tener unos
pocos W, y en aplicaciones de alta potencia podemos llegar
al orden de los KW.
Existen dos tipos bsicos de cargas adaptadas: las cargas
de variacin del material suave (tapered loads) y las cargas
de variacin del material abrupta (step loads), siendo de
menor longitud stas ltimas, pero obteniendo as un menor
ancho de banda.
Para poder disipar mejor la potencia en dispositivos de
alta potencia, se utilizan sistemas de refrigeracin por aire o
por agua.
VII. REFERENCIAS

[1] R. Snchez y otros. Microondas Prcticas. Servicio de Publicaciones
de la Universidad de Alcal, 2004.
[2] Robert E. Collin. Foundations for microwave engineering. McGraw-
Hill, 1992.
[3] Alpuente Hermosilla, J. y otros. Lneas de Transmisin y Redes de
Adaptacin en Circuitos de Microondas. Servicio de Publicaciones de
la Universidad de Alcal, 2001.
[4] Peter A. Rizzi, Microwave Engineering. Prentice Hall, 1988.
[5] R. Snchez y otros. Teora de Circuitos de Microondas. Parmetros
S. Servicio de Publicaciones de la Universidad de Alcal, 2004.

Internet:

[6] http://www.megaind.com.
[7] http://www.pennengineering.com
[8] http://www.maurymw.com
[9] http://www.mwdevices.com
[10] http://www.channelmicrowave.com
[11] http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/zona_de_apuntes.htm





ATENUADORES RESISTIVOS FIJOS
Alberto de la Ra Lope
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :elruavolador@hotmail.com

Resumen- El presente trabajo proporciona informacin
sobre los atenuadores, mediante una amplia revisin
bibliogrfica. El trabajo se centra en los atenuadores
fijos, analizando las configuraciones y aplicaciones de los
atenuadores de tipo T, de tipo PI y de tipo T Puenteado.
Asimismo se muestran simulaciones para cada uno de
ellos y los resultados obtenidos. Por ultimo, se presentan
otros atenuadores relacionados con los anteriormente
mencionados y sus aplicaciones.
I. INTRODUCCIN
Los atenuadores se utilizan en aplicaciones que requieren
un control en el nivel de la seal. Su funcin es decrementar
la amplitud de una seal mientras se mantiene la adaptacin
de impedancias a la entrada y salida [1]. Hay muchas
aplicaciones con atenuadores que no slo incluyen
comunicaciones por satlite, sino otro tipo de sistemas,
instrumentos de medicin y aparatos elctricos incluidos en
televisiones y radios.
En los sistemas de microondas, en algunos casos, los
atenuadores requieren un control automtico de ganancia
para la recepcin y transmisin de seales. Puesto que
atenan la energa electromagntica, tambin se utilizan en
radiofrecuencia, en donde las funciones de procesado de
seal ocurren en el nivel intermedio de frecuencia [2]. En
este nivel es necesario que la seal no exceda cierto umbral
que marca el equipo. Si no se utilizasen atenuadores, la
distorsin que se producira, dificultara la correcta recepcin
de la informacin.
Existen dos tipos de atenuadores: fijos y variables. Los
variables estn formados por resistencias, switches y diodos
PIN utilizados para variar el nivel de atenuacin. Los
atenuadores resistivos fijos, en su mayora, estn formados
por estructuras de tres resistencias conectadas en T o en PI.
Las estructuras T y PI son slo circuitos equivalentes
convenientes para atenuadores, en los que los valores de las
tres resistencias son determinadas por la atenuacin deseada
y por la impedancia caracterstica en la entrada y en la salida
El presente trabajo se centra en el caso de atenuadores
fijos, estudiando diversas configuraciones y aplicaciones.
II. ATENUADORES TIPO T
La estructura resistiva tipo T es la ms usada en
atenuadores disipativos. Una versin de sta es la estructura
coaxial de la figura 1 [3].

Fig. 1. Atenuador resistivo en cable coaxial. Elaboracin propia.
Est formado por dos resistencias en serie y un disco
cermico situado en medio de stas, el cual tiene una fina
pelcula resistiva.
Cuando las dimensiones de las resistencias son pequeas
respecto a la longitud de onda de operacin, y los efectos
parsitos de la capacidad son despreciables, el circuito
equivalente se reduce entonces al esquema de la figura 2.

Fig. 2. Red en T. Elaboracin propia.
El estudio de este circuito se puede realizar de varias
maneras. De entre ellas, se mencionan las dos siguientes: (i)
utilizando una matriz ABCD y separando el circuito en 3
piezas, imponiendo ya directamente la condicin de
adaptacin; y (ii) aplicando las propiedades de una red
simtrica que es el mtodo que se ha seguido en este trabajo.
Al tener una red simtrica se puede aplicar la excitacin
par (circuito abierto) e impar (cortocircuito).
La matriz S (Ec. 1) deber tener la diagonal principal
igual a cero para que el circuito se encuentre adaptado.

(

+
+
=
o e o e
o e o e
ZO S
2
1
Ec. 1

( ) 0
2
1
22
11 = + = =
O e
S S
Ec. 2

0 1
0 1
0 2 1
0 2 1
2
2
Z R
Z R
Z R R
Z R R
O e
+

+
+ +
+
= +
Ec. 3

Despejando en las ecuaciones 2 y 3 se obtiene la
condicin de adaptacin en la ecuacin 4:

0 2
2
0 2 1
2
1
= + Z R R R Ec. 4
A la hora del diseo se pueden obtener los valores de las
resistencias en funcin de la atenuacin deseada mediante la
ecuacin 5 [4]:

1 10
1 10
20
) (
20
) (
1
+

=
dB L
dB L
R
Ec. 5
donde:
L ) log( 20 ) (
21
S dB =
y
1
1
21
1
1
R
R
S
+

=
.
Lo comentado anteriormente, es vlido para estructuras
de resistencias ideales. Sin embargo, cada resistencia real
1

presenta una capacidad y una inductancia parsita que hace
que nuestro sistema tenga unas impedancias complejas, lo
que implica tener ciertas limitaciones en frecuencia. Esta
realidad hace que varien los parmetros de nuestra matriz [S].
Considerando una atenuacin de 3dB y una Z
0
= 50 ,
obtenemos que R
1
=8.5 y R
2
=143 . Ahora bien, al hacer
una simulacin real (Fig. 3 y 4) de una red resistiva,
supondremos unos valores de capacidad e inductancia para
cada resistencia de C=1pF y L=1nH respectivamente.
Asimismo se deber tener en cuenta los valores de las
resistencias y los valores que se encuentran en el mercado. Si
escogemos la serie de componentes E-12, se obtendr una
R
1
=8.2 y R
2
=150 .

Fig. 3. Representacin de parmetros S
11
y S
21
en funcin de la frecuencia.
Elaboracin propia.

Fig. 4. Representacin de la ROE en funcin de la frecuencia. Elaboracin
propia.

Para que nuestro atenuador sea competitivo impondremos
que la ROE no supere 1.3 y que la atenuacin no sea mayor
de 4 dB. Tambin sealaremos que el parmetro S
11
no sea
considerado, por ser demasiado pequeo en todos los casos.
Con estas condiciones conseguimos unos valores de
S
11
= -16.9070 dB, S
21
= -3.98976 dB y ROE=1.333 para 2350
MHz. Se observa que la ROE supera nuestra condicin. Por
ello, tendremos que estudiar si los parmetros S
11
y S
21
son
correctos a la frecuencia mxima de trabajo, para una ROE
de valor mximo 1.3.

A la hora de hacer el diseo e implementar nuestra red, se
ha de tener en cuenta la capacitancia e inductancia parsita de
cada resistencia. Para ello, vamos a considerar las
condiciones impuestas en el apartado anterior. Para una
atenuacin de 3dB y una Z
0
= 50 , se obtienen valores para
R
1
y R
2
de 17.6 y 294 respectivamente. Si consideramos la
serie comercial E-12, se obtienen valores de R
1
=18 y
R
2
=270 . En las simulaciones de las figuras 6 y 7, vemos
que para 1500 MHz de frecuencia, se obtienen valores de
-10.5261dB para S
11
, S
21
= -3.97235dB y ROE= 1.84756.
Para una ROE=1.30527 encontramos que S
11
= -17.5606
dB y S
21
= -3.89101 dB a la frecuencia de 2275 MHz.
Podremos decir entonces que la frecuencia mxima de
utilizacin de nuestro dispositivo es de 2275 MHz. Aunque
los resultados son buenos, hay que considerar la variacin de
0.3 en R
1
y de 7 en R
2
, lo que implica que el atenuador se
aleje de los resultados tericos deseables y no sea tan preciso.
Cuanto mejor sea la resistencia utilizada y menores sean
sus capacidades e inductancias parsitas, ms se acercar a
ser una red ideal, y por tanto ser un atenuador de mejores
prestaciones.


III. ATENUADORES TIPO PI
Otro tipo de estructura utilizada en atenuadores es la de
tipo PI que se muestra en la figura 5. Este atenuador tambin
es de tipo disipativo. El estudio de este circuito puede
realizarse de varios modos, en nuestro caso hemos utilizado
al igual que en la red en T, la de la simetra.

Fig. 5. Red en PI. Elaboracin propia.
Para que nuestro circuito est adaptado, los parmetros
S
11
y S
22
deben ser igual a 0. Los clculos realizados a partir
de las ecuaciones 1 y 2 son los siguientes:

0 1 0 2 2 1
0 1 0 2 2 1
0 2
0 2 0
2
2
Z R Z R R R
Z R Z R R R
Z R
Z R
e
+ +

+
+

= +
Ec. 6

De la ecuacin 6 obtenemos la condicin de adaptacin.

) ( 0 2
1 2
2
0
2
2
1 = + R R Z R R Ec. 7

Con S
21
=(R
2
-Z
o
)/(R
2
+Z
0
) y L(dB)= -20log|S
21
|
obtenemos la ecuacin de diseo (Ec. 8) [4].


1 10
1 10
20
) (
20
) (
2

+
=
dB L
dB L
R
Ec. 8

Fig. 6. Representacin de parmetros S
11
y S
21
en funcin de la frecuencia.
Elaboracin propia.
2


Fig. 7. Representacin de la ROE en funcin de la frecuencia.
Elaboracin propia.
Se puede observar que la ROE supera el valor de nuestra
condicin, 1.3, con lo que debemos buscar una frecuencia en
la que se cumplan nuestros requisitos. Para la frecuencia de
650 MHz, se obtienen valores para S
11
de -17.673dB, para
S
21
de -3.30127dB y para ROE de 1.30075, confirmndose
as que sta es nuestra frecuencia mxima de trabajo. Al igual
que en la red en T, no se debe olvidar la variacin de 0.4 y
24 que hay en R
1
y R
2
respectivamente, ya que cuanta ms
variacin exista, ms se distanciar de los resultados tericos.
IV. ATENUADOR TIPO T PUENTEADO
La distribucin del atenuador T puenteado es una red
basada en la estructura tipo T. Se utiliza con diodos PIN,
formando un atenuador variable donde se vara el valor de las
dos resistencias fundamentales [5].
La distribucin de la red se puede observar en la figura 8.

Fig. 8. Red T puenteado. Elaboracin propia.
Al igual que en otros casos el estudio seguido ha sido el
de considerar la red simtrica. Mediante la excitacin par e
impar y la ecuacin 1 se obtiene:

0 1
0
0 2
2
Z R
Z
Z R
R
O e
+

+
= +
Ec. 9

Al igual que el resto de atenuadores, el circuito debe estar
adaptado, por lo que se impone la condicin de la ecuacin 2,
y despejando obtenemos:

0
2
0 2 1
= Z R R Ec.10
Sabiendo que |
o e
S S = =
2
1
21 12
| (Ec.11), se
obtiene la ecuacin de diseo:

|
|
.
|

\
|
= 1 10
20
) (
1
dB L
o
Z R
Ec.12

Para hacer un estudio real de nuestro circuito, se deben
considerar los efectos parsitos de las resistencias.
En las siguientes simulaciones (figura 9 y 10) se han
tenido en cuenta los mismos valores de capacidad e
inductancia que en casos anteriores.
Aplicando las ecuaciones de diseo para una atenuacin
de 3dB y una Z
0
de 50 , obtenemos R
1
=20.62 y
R
2
=121.2. Teniendo en cuenta las condiciones ya descritas
y utilizando la serie E-12, obtendremos valores de R
1
=22 y
R
2
=120.
En la simulacin se aprecia que para una frecuencia de
2200 MHz, se obtienen valores para S
11
, S
21
, y ROE de
-15.866dB, -3.9955dB y 1.33272, respectivamente.

Fig. 9. Representacin de parmetros S
11
y S
21
en funcin de la frecuencia.
Elaboracin propia.

Fig. 10. Representacin de la ROE en funcin de la frecuencia. Elaboracin
propia.
Al igual que en los casos anteriores, el valor de ROE es
mayor de 1.3. Para una frecuencia de 1850 MHz, S
11
es
-17.7432dB, S
21
= -3.704204dB y ROE=1.29798. Tales
valores confirman que sta es nuestra frecuencia lmite.
Es necesario matizar que, en este caso, la diferencia entre
los valores tericos y simulados de las resistencias es
mnima, acercndose mucho al caso terico.
V. OTROS TIPOS DE ATENUADORES Y SUS
APLICACIONES
Esta seccin describe otros diseos de atenuadores
relacionados con los vistos anteriormente y algunas
aplicaciones en el campo de las telecomunicaciones.
V.1 Atenuador con lnea de prdidas
En las ms altas frecuencias de microondas, la
funcionalidad de los atenuadores vistos anteriormente se
deteriora rpidamente, debido a que el tamao de los
dispositivos es comparable a la longitud de onda de trabajo.
Las versiones de coaxial son vlidas con baja ROE y con
buenas prestaciones en el rango de 2 a 18GHz. La figura 11
muestra un ejemplo [3].
3


Fig. 11. Atenuador en la lnea central del coaxial. Elaboracin propia.
El conductor central de la lnea coaxial tiene una fina
pelcula resistiva depositada en su superficie. La atenuacin
puede ser calculada con la ecuacin siguiente:

'
'
1 ' '
L
jR
C L j j

= + =
Ec. 13
La constante de atenuacin puede ser estimada como:

0
2
'
'
'
2
'
Z
R
L
C R
=

La ecuacin 14 muestra la atenuacin total At=l, donde l
es la longitud del elemento resistivo.

( )
0 0
2 2
'
Z
R
Z
l R
N A
P t
= =

( )
0
34 . 4
Z
R
dB A
t
=
Ec. 14
Este tipo de atenuador tiene una frecuencia de corte
inferior que podra ser definida como
'
0
0
R
Z
=
. Con
' ' L R << la impedancia caracterstica de la lnea podra
expresarse como
'
'
0
C
L
= Z
.
Una aplicacin de este atenuador es la reduccin de
reflexiones asociadas, en los casos en los que existe
desadaptacin en carga o generador.
V.2 Distribuciones multiterminales de resistencias
En la actualidad, en circuitos integrados de microondas
las distribuciones de atenuadores resistivos presentan claras
ventajas respecto a las cadenas de resistencias discretas [1].
Pequeos o grandes valores de conductancia que aparecen
a veces en circuitos equivalentes, pueden ser debidos a una
pelcula resistiva en la superficie, sin que influya el radio del
componente, que sera requerido en elementos discretos.
Un circuito resistivo distribuido planarmente es una
pelcula resistiva depositada en un sustrato aislado dentro de
un rea. A lo largo de la periferia hay un nmero de
segmentos metalizados (los terminales) que estn separados
por segmentos aislados.
La estructura del rea, la localizacin y tamao de los
terminales, la conductividad de la superficie determinan las
propiedades del circuito.
Una fina pelcula homognea con una resistencia por
superficie de R

por cuadrado puede ser simulada por una


cuadrcula de resistencias como muestra la figura 12.

Fig. 12. Cuadrcula de resistencias y ejemplo de celda [1].
Cada cuadrcula puede constituir un cuadrado de celdas
unidas, cada una de ellas constituida por cuatro resistencias
iguales cuyo valor es 2R

.
La estructura simtrica no es obligatoria. Un ejemplo de
estructura no simtrica es el caso de dos atenuadores con la
misma impedancia caracterstica pero atenuaciones
diferentes. Sin embargo, el resultado bilateral que presenta el
conjunto es elctricamente simtrico.
La simetra geomtrica es ventajosa porque elimina las
variables redundantes y reduce el nmero de condiciones de
tres a dos.
VI. CONCLUSIONES
El trabajo que aqu se ha presentado muestra un estudio
de atenuadores fijos de diversas configuraciones. A partir de
l, se han obtenido las siguientes conclusiones:
Cuando se emplean resistencias, cada una de ellas
presenta una capacidad e inductancia parsita que
hace que el sistema tenga una impedancia compleja,
lo que implica tener limitaciones en frecuencia.
En las simulaciones realizadas para atenuadores T y
bajo las condiciones definidas, la frecuencia mxima
de trabajo ha sido de 2275 MHz, sin olvidar la
variacin existente de 0.2 en R
1
y 7 en R
2
.
Las simulaciones de atenuadores tipo Pi han dado
como resultado una frecuencia mxima de trabajo de
650 MHz. La variacin en este caso es de 0.4 y 24
en R
1
y R
2
respectivamente.
Para el caso simulado de atenuadores T puenteado se
obtuvo una frecuencia lmite de 1850 MHz. La
variacin entre los resultados tericos y simulados
son despreciables.
En altas frecuencias de microondas, se utiliza
diferentes versiones de atenuadores en cable coaxial.
Cuanto mejor sea la resistencia utilizada y menores
sean sus efectos parsitos, obtendremos atenuadores
con mejores prestaciones.
Por ello, la tendencia actual es reducir el tamao del
componente, consiguiendo as utilizar frecuencias
altas de microondas.
VII. REFERENCIAS
[1] Raicu, D. Multiterminal distributed resistors as microwave attenuators
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 42, No 7,
p. 1140-1148. Santa Clara, USA. 1994
[2] Electronics Information, RF & Microwave Attenuator 2006.
http://www.electronics-manufacturers.com
[3] Peter A. Rizzi, Microwave Engineering Passive Circuits, Library of
Congress Cataloging-in-Publication Data. Prentice Hall,1988
[4] Gmez Tornero, J.L y lvarez Melcn, A. Transmisin por Soporte
Fsico. Curso 2006/2007Universidad Politcnica de Cartagena. ETSI
Telecomunicaciones. Cartagena. 2007
[5] RF & Microwave variable attenuators. DC-18.0 GHz. General
information. NJ. 1996
[6] RF, RFI & Microwave Theory and Design. www.rfic.co.uk
4


1
ATENUADORES VARIABLES CON
DIODOS PIN
Cristina Lid de la Muela
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : cristina_lido@wanadoo.es

Resumen- El diodo PIN es uno de los diodos ms
utilizados para trabajar en alta frecuencia debido a sus
caractersticas elctricas y al diseo de los dispositivos de
los que forma parte. Las aplicaciones fundamentales de
los diodos PIN son las de conmutador de RF y como
elemento controlador en atenuadores variables debido a
su velocidad y fcil diseo. En esta ltima aplicacin ser
en la que centraremos el estudio.
I. INTRODUCCIN
El elemento principal de los atenuadores variables con
diodos PIN son los propios diodos PIN. El diodo PIN es un
diodo que presenta una regin P y otra regin N ambas
fuertemente dopadas, separadas por una regin de material
que es casi intrnseco. Esta capa intrnseca, en la prctica, se
sustituye por una capa tipo P de alta resistividad o bien por
una capa N de alta resistividad. La presencia de un campo
elctrico, luz o cualquier forma conveniente de energa hace
que se generen portadores en ella. Se puede decir que el
diodo PIN es un dispositivo controlado por corriente.


Fig 1. Estructura del diodo PIN.

Este tipo de diodos se utiliza para frecuencias elevadas
que pueden exceder 1 GHz [1].
El diodo PIN al disipar potencia hace que la temperatura
en su unin aumente. La temperatura en su unin depende de
la cantidad de potencia disipada, de la temperatura ambiente
y de la impedancia trmica, entre las temperaturas de la
unin y ambiente del diodo [2].
I.1Polarizacin del diodo PIN y circuitos equivalentes
El comportamiento del diodo PIN en polarizacin directa
es el de una resistencia muy baja presentndose incluso
como un cortocircuito, o como un interruptor cerrado. En
esta situacin la cada de tensin en la regin intrnseca es
muy pequea y adems cuando aumenta la corriente
disminuye la resistencia, por tanto se puede considerar que el
diodo PIN es un dispositivo con su resistencia modulada. El
circuito equivalente del diodo PIN polarizado en directa es:

Fig. 2. Circuito equivalente en polarizacin directa.
Sin embargo el comportamiento de un diodo PIN en
polarizacin inversa presenta una impedancia muy alta
equiparndose a un circuito abierto o a un interruptor
abierto. Por tanto su circuito elctrico equivalente es el
mostrado en la siguiente figura:
Rp
L
Ct

Fig. 3. Circuito equivalente en polarizacin inversa.

Sus tensiones de ruptura estn comprendidas en el
margen de 100 a 1000 Voltios. Adems los diodos PIN
presentan una longitud de la regin de transicin
aproximadamente igual a la regin intrnseca y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Otro
dato importante es el hecho de que el valor de la resistencia
del diodo PIN es determinada slo por la corriente en
polarizacin directa [3].
I.2Aplicaciones del diodo PIN
Las principales aplicaciones del diodo PIN son [4]:
- Conmutador de RF
- Resistencia variable
- Fotodetector
- Protector de sobretensiones.
II. ATENUADORES VARIBLES
Los atenuadores variables son usados para controlar la
potencia de transmisin y tiene aplicacin en dispositivos
moduladores controlados electrnicamente, sistemas radar y
circuitos controladores automticos de ganancia (CAG)
L
Rs


2
permitiendo una menor potencia, menor frecuencia de
adaptacin y menor distorsin de la seal de radiofrecuencia.
Los atenuadores variables implementados con diodos
PIN necesitan una red de polarizacin ms sencilla y fcil de
controlar. En este caso se comportan como una resistencia
variable en funcin de la corriente de polarizacin que le
atraviesa, tomando valores desde casi un cortocircuito hasta
los 10 K aproximadamente, aunque esta relacin no es
lineal. A la hora de seleccionar el diodo PIN para una
aplicacin como atenuador se debe considerar el rango de la
resistencia del diodo, que decide directamente el rango
dinmico del atenuador.
El rango de frecuencia de trabajo de estos atenuadores es
de 200 MHz hasta los 40 GHz, estando presentes en
configuraciones que permiten el uso de sistemas de
construccin optimas.
Estos atenuadores tienden a ser ms sensibles a la
distorsin debido a que sus puntos de operacin en
alimentacin coinciden con valores de carga almacenada
bajos. Si la capa intrnseca es delgada, el diodo trabajar con
una corriente de alimentacin directa menor que en el caso
de un diodo con una capa intrnseca de mayor grosor, pero
en general se cumple que a mayor grosor de capa intrnseca,
menor distorsin se produce.
III. TIPOS DE ATENUADORES
Destacan varios tipos de atenuadores dependiendo de su
topologa. Los ms importantes son los que se comentan a
continuacin.
III.1 Atenuadores reflexivos
Utiliza configuraciones simples de conmutadores con
diodos PIN en serie o paralelo. Permiten controlar la
resistencia caracterstica del diodo PIN mediante la corriente
que circula por ellos. El ms simple es el atenuador reflexivo
montado en paralelo. Su estructura es uno o ms diodos PIN
en paralelo con una lnea de transmisin, permitiendo buscar
grandes niveles de atenuacin dependiendo del nmero y el
espacio elctrico entre los diodos. Pero su inconveniente es
la desadaptacin que presenta en estado de atenuacin. La
atenuacin se debe en casi su totalidad a prdidas de
reflexin aunque una pequea porcin puede deberse a
prdidas de transmisin.
C1 C2
Dn
0
D1
0
TP2
D2
TP1
0
Bias

Fig. 4. Atenuador reflexivo genrico en paralelo.
Los valores de atenuacin con el diodo PIN conectado en
serie son:
0
20 log 1
2
s
R
A
Z

= +


[dB] Ec.1
Los valores de atenuacin con el diodo PIN conectado en
paralelo son:

0
20 log 1
2
s
z
A
R

= +


[dB] Ec. 2
III.2 Atenuadores adaptados
Mantiene constante la impedancia de entrada a travs de
un rango de atenuacin. Su diseo puede constar de
mltiples diodos PIN alimentados a distinta tensin para
obtener distinta resistencia como circuitos de ancho de banda
limitado utilizando elementos sintonizados.
III.3 Atenuadores hbridos en cuadratura
Trabajarn en un rango de frecuencias de 10 MHz a 2
GHz debido a las caractersticas de los hbridos. Los diodos
PIN se pueden conectar en paralelo obteniendo una
atenuacin igual a:
0
2
20 log 1
Rs
A
Z

= +


[dB] Ec.3
O bien en serie, siendo su atenuacin:
0
2
20 log 1
Z
A
Rs

= +


[dB] Ec.4
Su topologa es similar en ambos casos cambiando
nicamente la colocacin (bien es serie o paralelo) de los
diodos PIN.
0
Zo
0
0
0
Zo
IN
OUT
DCsupply
0

Fig. 5. Atenuador hbrido en cuadratura adaptado con diodos
conectados en paralelo.
La topologa en serie se utiliza para atenuadores usados a
grandes niveles de atenuacin, mientras que la topologa en
paralelo es recomendada para menores rangos de
atenuacin.
Estos atenuadores permiten manejar el doble de potencia
debido a que la potencia incidente se divide en dos caminos
y a la actuacin de la impedancia de carga. Adems la
impedancia de carga permite que el atenuador sea menos
sensible a las diferentes caractersticas de un diodo en
particular.
Destaca el atenuador balanceado, cuyo diseo es dos
atenuadores reflexivos idnticos colocados en paralelo
conectados entre dos acopladores hbridos en cuadratura de 3
dB. Con este atenuador se consiguen valores bajos de ROE
para todas las condiciones de atenuacin y adems la


3
potencia que puede manejar se mejora en 3 dB. Cubre un
rango de frecuencias de 500 MHz hasta los 40 GHz.
III.4 Atenuador por agrupacin de diodos
Su diseo es similar a los atenuadores reflexivos
montados en paralelo pero aadiendo terminaciones a los
diodos.
III.5 Atenuadores en T puenteados y en
Estos circuitos estn formados por elementos que
funcionan a la frecuencia de las microondas de manera
anloga a como lo hacen en continua. Para conseguir la
variacin de la atenuacin es necesario cambios simultneos
de la corriente de alimentacin en el diodo serie y en el
paralelo, asegurndose una impedancia constante a cualquier
nivel. Su frecuencia de funcionamiento vara desde los 200
MHz hasta los 18 GHz. Estos atenuadores proporcionan un
rango dinmico muy bueno y un tiempo de conmutacin
moderado. Las topologas de estos atenuadores son:
D1(Rs1)
RF input
0
Zo
D2(Rs2)
Zo RF output

Fig. 6. Atenuador en T puenteada.
RF input
D1(Rs1)
D3(Rs3)
D2(Rs2)
0
RF output

Fig. 7. Atenuador en .
Cuya atenuacin en el diseo en T puenteada es:
0
1
20 log 1
s
Z
A
R

= +


[dB] Ec. 5
siendo:
2
0 1 2 s s
Z R R = [
2
] Ec. 6
Y la atenuacin debida al diseo en :

1 0
1 0
20 log
S
S
R Z
A
R Z
+
=


[dB] Ec. 7
Siendo el valor de las resistencias:

2
1 0
3 2 2
1 0
2
S
s
S
R Z
R
R Z

=

[] Ec. 8

1 2 S S
R R = [] Ec. 9
III.6 Atenuadores de cuarto de longitud de onda
Es un atenuador adaptado a la entrada. Esta adaptacin se
consigue cuando ambos diodos estn cargados con la misma
resistencia.
III.7 Atenuadores por conmutacin de bit
Se utilizan para aplicaciones que requieren de un tiempo
de conmutacin elevado y una capacidad alta de manejar
mucha potencia. En su configuracin constan uno o ms
pares de interruptores SP2T. En este diseo los diodos PIN
no se usan como resistores variables, sino como
conmutadores entre los estados de alimentacin directa e
inversa. Esto permite una velocidad mucho mayor de
conmutacin debido a que lo que interesa en este caso es la
alta velocidad de los diodos PIN y la conduccin del
circuito. Adems ofrece mayor capacidad para manejar
potencias ms altas ya que la potencia de RF se absorbe por
los atenuadores fijos y no por los diodos PIN.
Debido a la complejidad del circuito de RF, el coste de
este atenuador es mayor que otros. Adems la incorporacin
de interruptores de alta velocidad puede llevar a una fuga
excesiva de seal de video [5].
IV. SIMULACIN DEL ATENUADOR EN
El diseo a simular va a ser un atenuador en de cuatro
diodos como el que muestra la siguiente figura:
RF output RF input
D2(Rs2) D1(Rs1)
D3(Rs3)
0

Fig. 8. Atenuador en de cuatro diodos

Este atenuador tiene como ventaja principal su simetra
que permite una red ms simple de alimentacin y una
reduccin de la distorsin debido a la cancelacin de las
seales armnicas en la configuracin espalda contra
espalda de los diodos serie.

La simulacin en MMICAD es:



Fig. 9. Simulacin del atenuador en de cuatro diodos

En esta simulacin observamos la ganancia mxima del
circuito frente a la variacin del valor de la resistencia de
unin de los diodos PIN.
Como se puede observar, para valores de resistencia de
unin del diodo PIN pequeos la ganancia es elevada, pero a
medida que el valor de la resistencia aumenta, la ganancia
disminuye.


4
La resistencia del diodo y la atenuacin son inversamente
proporcionales a la tensin aplicada. Por tanto si
representamos conjuntamente la ganancia mxima disponible
y el parmetro S21 en funcin de la resistencia del diodo
tenemos:



Fig. 10. Simulacin del atenuador en de cuatro diodos

Esta topologa de atenuador en de cuatro diodos es muy
utilizada, como por ejemplo, en el siguiente diseo del
atenuador propuesto por Hewlett-Packard:

R3
D4
IN/OUT
C3
R6
D2
0
+Vc
C5
R4
D3
R5
0
C1
IN/OUT
R1
C4
D1
+V
C2
R2

Fig. 11. Circuito propuesto por Hewlett-Packard

El objetivo de este diseo es conseguir que un atenuador
en de cuatro diodos se comporte como un atenuador
resistivo en . La variacin de la atenuacin se consigue
variando la corriente de polarizacin de los diodos [6].

En este caso, la simulacin en MMICAD obtenida es:


Fig. 12. Simulacin del circuito propuesto por Hewlett-Packard
Donde se representa que la ganancia es, en un principio,
elevada y conforme aumenta la resistencia de unin del
diodo PIN la ganancia disminuye, como ocurre en el caso
anterior
Se puede ver que la ganancia del circuito de Hewlett-
Packard es ligeramente inferior con respecto al atenuador en
de cuatro diodos.
V. CONCLUSIONES
Como hemos podido observar en las simulaciones
anteriores, los atenuadores con diodos PIN requieren una red
de polarizacin sencilla y se obtiene un buen
comportamiento de los mismos.
Excepto los atenuadores por conmutacin de bit, los
atenuadores se comportan como una resistencia variable en
funcin de la corriente de polarizacin.
Adems los diodos PIN trabajan adecuadamente en alta
frecuencia.
VI. REFERENCIAS
[1] http://www.cienciasmisticas.com.ar/electronica/semi/tdiodos/index.php
[2] Victor Maes Crdoba, Conmutadores a diodos PIN con estructura en
pi. Trabajo fin de carrera 2006.
[3] http://www.eettaiwan.com/ARTICLES/2002SEP/A/2002SEP20_ICD_
RFD_EMS_AN.PDF
[4] http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_PIN
[5] Germn Blanco Caibano, Atenuador variable con diodos PIN en
lneas microstrip controlado por el puerto paralelo. Trabajo fin de
carrera 2003.
[6] http://www.uvic.cat/eps/recerca/processament/docs/uris2000_2.ps

1
ATENUADORES EN GUIA DE ONDA
SERGIO RODRIGUEZ RESINA
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :actunactun@hotmail.com


Los atenuadores en gua de onda son utilizados para
disminuir la potencia de la seal de microondas que los
atraviesa, en este caso esta disminucin de potencia se
hace de una forma disipativa. Hablaremos en este
trabajo de la clasificacin de estos atenuadores segn
sean fijos o variables, y de la forma que tiene cada uno de
estos grupos de realizar su funcin, Adems
expondremos las caractersticas que debe cumplir
cualquier atenuador y su funcionamiento real
comparado con el ideal.
Por otro lado, mostraremos un caso especial de estos
atenuadores a los cuales se les conoce como rotatorios.
I. INTRODUCCIN
A modo de introduccin comentaremos las caractersticas
que tienen que cumplir cualquier tipo de atenuador, y ms
tarde nos centraremos en ver como el atenuador en gua de
onda las lleva a cabo.
Un atenuador es un componente que reduce la potencia
de la seal que le entra, en una cantidad previamente
prefijada, absorbiendo o reflejando parte de su energa y
disipndola en forma de calor. Esto lo debe realizar,
idealmente, estando su puerta de entrada y salida
completamente adaptadas, siendo esta una de sus
propiedades. Adems un atenuador ideal no debe introducir
cambios o distorsin de fase en el sistema en el que se
inserte. De este modo su matriz ideal quedara de la siguiente
forma:






Fig. 1. Matriz S atenuador ideal
Donde toma valores entre 0 y 1, consiguindose ms
atenuacin a medida que se acerca ms a 0 y menos cuando
tome valores ms cercanos a 1. Viendo la forma que tiene la
matriz podemos comentar que se trata de una red reciproca y
pasiva.
Dentro de los atenuadores podemos distinguir dos
familias segn su forma de introducir la atenuacin:

- Las microstrip y coaxiales, las cuales utilizan elementos
resistivos.



- Las guas de onda, que incorporan las prdidas a la lnea
de transmisin.
Esta ltima familia es la que se est desarrollando en este
trabajo y en la que nos centraremos de ahora en adelante.
II. ATENUADORES EN GUIA DE ONDA
Como hemos comentado, este tipo de atenuadores
introducen la atenuacin incorporando perdidas a la lnea de
transmisin, estas perdidas las introducen bien a travs de
una lamina resistiva o incorporando un dielctrico con
perdidas. Aunque el mas usado es el primer mtodo,
utilizando una lamina resistiva

II.1Atenuadores con lmina resistiva
Estas laminas con utilizadas tanto por atenuadores fijos
como por atenuadores variables, y estn situadas en el centro
de la cara mas ancha y en posicin perpendicular a las
misma. Esto es debido a que el modo TE
10
del campo
elctrico es mximo en la cara mas ancha de la gua de onda
y lleva tambin direccin perpendicular a la misma, con lo
que al colocar la lmina en esta posicin el efecto de
atenuacin es mayor. Esta lmina resistiva tiene una forma
afilada a ambos extremos, en la entrada y en la salida, para
conseguir una buena adaptacin en el ancho de banda til de
la gua de onda. La conductividad y dimensiones de la
misma son elegidas normalmente mediante una tcnica de
prueba y error, hasta alcanzar los valores de atenuacin
deseados.
En el caso del atenuador fijo la lmina permanece fija en
la posicin comentada anteriormente, como muestra la
siguiente figura.



Fig. 2. Atenuador fijo con lmina resistiva.

2
Un ejemplo real de este tipo de atenuadores lo podemos ver
en la siguiente foto.










Fig. 3. Atenuador fijo con lmina resistiva real

Por otro lado la lmina en el caso de los atenuadores
variables entra por la cara mas ancha de la gua de onda a
travs de una ranura, de esa forma intercepta y absorbe una
parte de la potencia de la onda. La colocacin de la ranura es
muy importante, se debe colocar en el centro de la cara ms
ancha y de forma longitudinal, de ese modo no radiar
campo. Si se colocase en otra posicin, la ranura empezara a
radiar, como ocurre en el caso de las antenas ranuradas. La
atenuacin producida depender de la penetracin de la
lmina en la gua de ondas, a mayor penetracin mayor
atenuacin. En las siguientes figuras entenderemos mejor el
funcionamiento de los atenuadores de este tipo.



Fig. 4. Atenuador variable con lmina resistiva
















Fig. 5. Atenuador variable con lmina resistiva real



Este tipo de atenuadores con lminas, tanto los variables
como los fijos, tienen un par de caractersticas que no les
favorecen a la hora de su colocacin, una de ellas es la
dependencia de la atenuacin con la frecuencia, de tal manera
que al aumentar la frecuencia tambin aumenta la atenuacin.
Esto es un inconveniente a la hora de elegir la frecuencia con
la que trabajamos. Y la otra es la dependencia que existe
entre la fase de seal de salida y la penetracin de la lmina
en la gua, lo que hace alejar su funcionamiento del ideal, ya
que un atenuador no debe introducir variacin ninguna en la
fase de la seal que atena. [1]
II.2 Rotatorios
Los atenuadores rotatorios son atenuadores variables en
gua de onda, los cuales introducen la atenuacin mediante la
variacin de la posicin angular de un material resistivo en
la gua. Estn formados por cinco piezas, cuatro fijas y una
rotatoria. Dentro de las cuatros fijas podemos distinguir, dos
que llevan a cabo la transicin entre gua rectangular y gua
cilndrica; y otras dos utilizadas para el mantenimiento de la
polarizacin vertical de la seal. La parte rotatoria es la
encargada de, al girar, absorber parte de la potencia del
campo elctrico. En la siguiente imagen vemos la forma que
tiene dicho atenuador y sus partes ya comentadas.[2]

.
Fig. 6. Rotatorio

A continuacin entraremos al estudio en profundidad del
funcionamiento de este dispositivo. En primer lugar nos
encontramos a la entrada con un campo en modo TE
10
, y
mediante la primera parte del rotatorio hacemos la transicin
a gua cilndrica consiguiendo con esto tener ahora el campo
en el modo TE
11
. Despus hacemos pasar este campo por
una seccin fija que se encarga de eliminar cualquier tipo de
componente con polarizacin horizontal, de este modo se
garantiza que la polarizacin de la seal ser de forma
vertical. Para ello, esta seccin utiliza una lmina en
posicin horizontal con lo que elimina la seal polarizada en
paralelo a la misma.
Una vez pasada esa parte del rotatorio, nos encontramos
con la seccin movible encargada de introducir parte de la
atenuacin en el circuito. Esta se compone de una lmina
resistiva que atraviesa su seccin, al igual que en la anterior,
pero con la peculiaridad de que en este caso al poderse girar
podemos elegir la parte a eliminar de la seal, ya que
eliminaremos toda aquella parte paralela a la lmina. El
ngulo que forma esta lmina con la seal que nos llega es
muy importante, ya que de el va a depender la absorcin de
potencia de la seal. Una vez eliminada la componente del
campo paralela a la lmina, la seal vuelve a pasa por una
seccin fija encargada de conseguir la polarizacin vertical

3
que traamos antes de pasar por el tramo rotatorio. En esta
parte la seal vuelve a sufrir unas perdidas debidas a la
lmina en horizontal que atraviesa su seccin.







Fig. 7. Descomposicin del campo

Y por ltimo se coloca una transicin cilndrica-
rectangular, consiguiendo con ello volver a tener el modo
TE
10
que traamos a la entrada del atenuador. Para ver de
forma ms detallada el paso del campo por el atenuador,
tenemos el siguiente dibujo que muestra los tramos por los
que pasa el campo y su variacin en los mismos.





Fig. 8. Secciones rotatorio

Una vez estudiada las variaciones que sufre el campo,
podemos calcular las prdidas de insercin (Atenuacin) de
la siguiente manera:
2
2 4 4
1
cos ( ) cos ( )
i
m m
E
l
E
= = Ec. 1
Y en Dbs:

4
1
( ) 10log
cos ( )
i
m
L dB


=


Ec. 2
Tericamente este atenuador puede variar entre 0- dBs.
De modo que si tenemos un valor de m=0 obtendremos
unas perdidas nulas (Li=0 dBs), y si m=90 la atenuacin
ser mxima (Li= dBs tericamente). Con lo que
graduando el ngulo graduamos las prdidas.
III. CONCLUSIONES
En este trabajo se han expuesto los atenuadores en gua
de onda ms utilizados, as como su forma de llevar a cabo
la atenuacin, adaptndose a las limitaciones de una gua de
onda. Tambin cabe destacar un par de caractersticas de
estos dispositivos, anteriormente nombradas, que son la
variacin de la atenuacin con la frecuencia y la variacin de
la fase de la seal introducida. Esto se convierte en un
inconveniente a la hora de conectar este dispositivo en una
red.
Por otro lado hemos hablado tambin del atenuador
rotatorio, el cual utiliza un mtodo de atenuacin que tiene la
peculiaridad de alcanzar unos valores mas elevados de
atenuacin que los alcanzados por los otros dispositivos
comentados.
III. REFERENCIAS
[1] Microwave Engineering. Passive circuits,Perter.A.Rizzi
[2] http://www.flann.com/



1
DESFASADORES CON CIRCUITOS
PASO ALTO PASO BAJO
Ana Rodrguez Monter
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : ana.rm86@gmail.com

Resumen- En este documento se abordar el estudio de
desfasadores realizados con circuitos paso alto paso
bajo realizados en T y en , ocupndonos de realizar
tanto una descripcin como un estudio completo de los
mismos. Finalmente, se aportarn unas simulaciones en
MMICAD que permitan observar grficamente el
funcionamiento de estos dispositivos con la variacin de
la frecuencia.
I. INTRODUCCIN
Los desfasadores son dispositivos utilizados para ajustar
la fase de transmisin en un sistema [1] (fase del parmetro
S
21
) independientemente de la frecuencia [2]. La mayora son
redes recprocas, lo que significa que funcionan de modo
efectivo con seales que pasan en cualquier sentido.
Pueden ser controlados elctrica, magntica o
mecnicamente y pueden ser digitales o analgicos [3].
Algunas de sus aplicaciones son: pruebas y calibracin de
antenas, tecnologa de simulacin, bucles de
retroalimentacin para la cancelacin de productos de
intermodulacin en amplificadores, sistemas de cancelacin
de ruido, sistemas radar, etc. [4]
II. DESCRIPCIN Y ESQUEMAS
Un tipo de desfasadores es el paso alto/paso bajo, el
cual puede proporcionar un desfasamiento casi constante de
una octava o ms [5].
Debe su nombre al hecho de que se compone de dos
brazos, uno de ellos formado por un filtro paso alto que
acta avanzando la fase de la red y otro formado por un filtro
paso bajo que retrasa la fase de la red. Ambos filtros pueden
ser implementados en T (figura 1) o en (figura 2) [6].



Fig. 1. Desfasador con circuitos paso alto paso bajo en T.

Fig. 2. Desfasador con circuitos paso alto paso bajo en .

Una ventaja que ofrece este tipo de desfasador es que
ofrece un diseo muy compacto, puesto que los elementos
agrupados se utilizan habitualmente, al contrario que las
lneas de retardo. Esta es una importante consideracin para
los diseos en baja frecuencia porque las lneas de
transmisin pueden ser bastante grandes.
Las frecuencias de corte de los dos filtros deben estar
fuera de la banda de trabajo del desfasador para funcionar
correctamente [7].
III. CIRCUITOS EN T
III.1 Anlisis terico por simetra
Dada la similitud entre los dos filtros, aplicamos la
condicin de simetra a una red en T formada por dos
impedancias Z serie y una admitancia Y paralelo.


Fig. 3. Esquema genrico de los dos filtros.


Realizamos excitacin par e impar en los mismos para
calcular los correspondientes coeficientes de reflexin a la
entrada. Para ello, dividimos el circuito en dos mitades
idnticas y las acabamos, respectivamente, en circuito
abierto (par) y en cortocircuito (impar).


2

Fig. 4. Excitacin par (i) e impar (d).
Ec. 1
Ec. 2
Ec. 3
Ec. 4
Ec. 5
Debido a la simetra fsica del circuito, los coeficientes de
reflexin a la entrada y a la salida son iguales y de valor
igual a la semisuma de los coeficientes de reflexin a la
entrada calculados con excitacin par e impar:
Ec. 6
Ec. 7
Sustituyendo y desarrollando:
Ec. 8
Al ser un circuito recproco, los parmetros de
transmisin son iguales y de valor igual a la semidiferencia
de los coeficientes de reflexin a la entrada con excitacin
par e impar:
Ec. 9
Ec. 10
Sustituyendo y desarrollando:
Ec. 11
Si sustituimos por los valores de los filtros paso alto y
paso bajo obtenemos los correspondientes parmetros de la
matriz S generalizada [el primer operador se corresponde con
el filtro paso alto]:
Ec. 12
Ec. 13
Ec. 14
Ec. 15
Ec. 16
Ec. 17
III.2 Condicin de adaptacin
Para que el circuito se encuentre totalmente adaptado
debe cumplirse que los parmetros de la diagonal principal
valgan cero:
Ec. 18
Ec. 19
Ec. 20
Ec. 21
Al sustituir los valores de e de los dos filtros
comprobamos que la condicin de adaptacin para ambos es
la misma:
Ec. 22
Ec. 23
Ec. 24
III. 3 Matriz S del circuito adaptado
Si aplicamos la condicin de adaptacin en la expresin
del parmetro S
12
tenemos que:
Ec. 25
Simplificando:
Ec. 26
Calculamos los parmetros S
12
y S
21
en ambos casos:
Ec. 27
Ec. 28
Por lo tanto, nos quedan las siguientes matrices S del
circuito adaptado, observando que cada filtro introduce un
desfase igual y de signo contrario:
Ec. 29
Ec. 30

3
III. 4 Simulaciones en MMICAD
Se muestra la simulacin para un desfasador de 90 (45
introduce el filtro paso alto y -45 el filtro paso bajo)
adaptado para la frecuencia de 800 MHz.
Para obtener los valores de los componentes discretos,
primero se elige el desfase que debe introducir cada filtro y
se iguala a la ecuacin 27 para obtener :
Ec. 31
Se obtiene el mismo resultado igualando a la
ecuacin 28 puesto que la condicin de adaptacin para
ambos filtros es idntica.
Posteriormente se obtiene con la condicin de
adaptacin (ec. 24) y a partir de ah, con la Z
o
deseada y con
la frecuencia a la que queramos adaptar el desfasador,
obtenemos L y C.
Tras optimizar con MMICAD los valores obtenidos
tericamente, se ha realizado la simulacin con los siguientes
valores:
L
PA
= 13.9991 nH
C
PA
= 9.52878 pF
L
PB
= 4.28968 nH
C
PB
= 2.89687 pF




IV. CIRCUITOS EN
IV.1 Anlisis terico por simetra
En este caso, aplicamos la condicin de simetra a una
red en formada por dos admitancias Y paralelo y una
impedancia Z serie.

Fig. 5. Esquema genrico de los dos filtros.

Fig. 6. Excitacin par (i) e impar (d).
Clculo de los coeficientes de reflexin a la entrada (ecs.
2 y 4):
Ec. 32
Ec. 33
Clculo de los parmetros de la matriz S teniendo en
cuenta la simetra fsica del circuito (ec. 6) y su reciprocidad
(ec. 9):
Ec. 34
Ec. 35
Sustituyendo los valores de los filtros paso alto (ecs. 12 y
13) y paso bajo (ecs. 14 y 15) [el primer operador se
corresponde con el filtro paso alto]:
Ec. 36
Ec. 37
IV.2 Condicin de adaptacin
Aplicando la ecuacin 18:
Ec. 38
Ec. 39
Ec. 40
Igual que en el caso anterior, la condicin de adaptacin
para los dos filtros es la misma:
Ec. 41
Ec. 42
Ec. 43

4
IV. 3 Matriz S del circuito adaptado
Sustituyendo en la expresin del parmetro S
12
la
ecuacin X obtenida en el apartado anterior:
Ec. 44
Simplificando:
Ec. 45
Calculamos los parmetros S
12
y S
21
:
Ec. 46
Ec. 47
Y conseguimos las siguientes matrices S generalizadas
del circuito adaptado:
Ec. 48
Ec. 49
IV. 4 Simulaciones en MMICAD
Como en el caso anterior, se presenta la simulacin para
un desfasador de 90 (45 el filtro paso alto y -45 el filtro
paso bajo) adaptado para la frecuencia de 800 MHz.
Obtenemos mediante la ecuacin 50 y, a partir de aqu,
continuamos igual que la configuracin en T.
Ec. 50
Tras optimizar con MMICAD los valores obtenidos
tericamente de L y C, se ha realizado la simulacin con los
siguientes valores:
L
PA
= 22.9166 nH
C
PA
= 5.44685 pF
L
PB
= 6.91794 nH
C
PB
= 1.61017 pF




V. CONCLUSIONES
De las simulaciones se desprende que ambas
configuraciones tienen un comportamiento con la frecuencia
muy parecido.
Se comprueba que para la frecuencia central deseada
(800 MHz en este caso) el circuito est completamente
adaptado (S
11
=0 y |S
21
|=1) y que, conforme aumenta la
frecuencia, aumenta el desfase producido en la seal de
entrada teniendo en cuenta que nos alejamos de la frecuencia
de adaptacin, con las consecuentes prdidas en el circuito.
A frecuencias bajas el filtro paso alto presenta unas
prdidas por reflexin altas (|S
11
|=1) y una transferencia de
seal mnima (|S
21
|0), mientras que a medida que aumenta
la frecuencia estos parmetros van alcanzando valores ms
ptimos desde el punto de vista de la transmisin de seal.
Con el filtro paso bajo tenemos, lgicamente, el mismo
caso pero al revs. A frecuencias bajas se da una transmisin
de seal mejor que a frecuencias altas.
Es en un punto intermedio de frecuencia (800 MHz en
nuestra simulacin) donde conseguimos aprovechar de
manera eficaz las caractersticas de ambos filtros, de donde
se deduce la importancia de un correcto y apropiado diseo,
es decir, de una buena eleccin (y optimizacin si es
necesario) de los componentes del circuito segn las
especificaciones que deba cumplir el desfasador para lograr
una buena adaptacin y el desfase deseado.
VI. REFERENCIAS
[1] http://www.odyseus.nildram.co.uk/RFMicrowave_Circuits_Files/Phas
e_%20Shifter.pdf
[2] http://qucs.sourceforge.net/tech/node54.html
[3] http://www.microwaves101.com/encyclopedia/phaseshifters.cfm
[4] http://www.gtmicrowave.com/phase_shifters.php
[5] http://www.microwaves101.com/encyclopedia/phaseshifters.cfm
[6] http://www.medphys.ucl.ac.uk/research/borg/homepages/davek/phd/c
hapter4.pdf
[7] http://www.microwaves101.com/encyclopedia/phaseshifters_HPLP.cf
m

Desfasadores con circuitos
paso alto - paso bajo
Sergio Pea Ruiz
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : Sergio_lag18@hotmail.com

Resumen- En este documento se hace un estudio de
los desfasadores con circuitos paso alto - paso bajo. Por
medio de un anlisis terico por simetra obtenemos la
matriz de parmetros S y a continuacin la condicin de
adaptacin. Tambin se hace un estudio de su desfase y
unas simulaciones con datos.
Un desfasador o desplazador de fase [1] es un
convertidor de energa elctrica o convertidor elctrico
que produce un cambio de fase entre la entrada y la
salida.
En este caso est construido mediante dos clulas en T
que se corresponden con un filtro paso bajo y un filtro
paso alto, adems tenemos dos conmutadores los cuales
permiten usar una celda u otra como desfasador.
Dependiendo de cual usemos y de los valores que
hayamos elegido para los condensadores y las bobinas
que forman las clulas en T, tendremos un desfase u otro.
I. INTRODUCCIN
Un desfasador es un dispositivo que proporciona un
desfase variable en una seal de microondas sin alterar el
trayecto fsico que recorre la seal.
El desfasador ideal proporciona bajas prdidas de
insercin, misma amplitud (o prdida) en todos los estados
de su fase.
En la prctica existen dos tipos de desfasadores, los de
ferrita y los de semiconductores. Los primeros tienen la
ventaja de que pueden manejar potencias elevadas y de que
pueden ser diseados para que presenten un comportamiento
biestable (utilizando materiales de alta remanencia), que
consumen energa nicamente en la conmutacin entre
estados. Por el contrario, los desfasadores de
semiconductores son ms apropiados en sistemas que operen
con frecuencias menores (banda L e inferiores), que
requieran tiempos de conmutacin muy cortos o pesos muy
ligeros [2].
Los desfasadores pueden ser recprocos o no recprocos.
Se puede decir que un desfasador es recproco cuando
transfiere la potencia de la misma manera en los dos sentidos
de la conexin, por lo que se puede decir que funciona con
eficiencia.
Un desfasador no recproco es un dispositivo de dos
puertas en el que el medio de propagacin produce desfases
diferentes para los dos sentidos de propagacin [2].
Un desfasador puede construirse simplemente mediante
un tramo de lnea de transmisin sin prdidas. Para lograr un
desfasador variable se modifica la longitud de la lnea o la
velocidad de propagacin en la misma.
Una ventaja de los desfasadores de circuitos paso alto
paso bajo [5], es que ofrece un diseo muy compacto ya que
agrupa elementos que se usan habitualmente, en lugar de
usar lneas de transmisin. Esta es una consideracin
importante para los diseos de baja frecuencia, (es decir,
por debajo de la banda X [7 - 8 GHz]) porque las lneas de
transmisin pueden generar grandes retrasos a estas
frecuencias.
Un uso habitual de los desfasadores es en la rama de
sonido como por ejemplo para fabricar procesadores de
tiempo o de fase. Son dispositivos electrnicos destinados a
corregir la diferencia de caminos que tienen los altavoces de
un sistema hasta nuestro odo. Consiste en retardos de tiempo
que podemos modificar para conseguir que el sonido que
llega de dos altavoces situados a distinta distancia de
nuestros odos lo haga en fase, tal y como lo hara si los
altavoces estuvieran a la misma distancia de nuestros odos.
II. DESARROLLO
En mi caso voy a trabajar con un desfasador reciproco.
Con el que yo voy a trabajar entra en el grupo de
desfasadores coaxiales y est construido con circuitos paso
alto paso bajo [2] como se muestra en la figura 1.



Fig. 1. Desfasador paso alto paso bajo.

Como se puede ver en la figura anterior, el desfasador
consta de una clula en T formada por tres elementos
reactivos. Cuando ambos conmutadores se colocan en la
posicin inferior, el circuito presenta un desfase
1
. Cuando
ambos conmutadores se colocan en la posicin superior, el
circuito presenta un desfase
2
.
II.1 Anlisis terico por simetra
La matriz S de una clula en T como la mostrada en la
figura 1 para una red genrica con una impedancia serie Z y
1

una admitancia paralelo Y aplicando tcnicas de anlisis por
simetra se obtiene de la siguiente manera [2,3].


Fig. 2. Red genrica de una clula en T

La figura 2 es la clula en T que vamos a analizar por
tcnicas de simetra para obtener su matriz de parmetros S.
Al aplicar las tcnicas de simetra queda de la siguiente
manera (figura 3):



Fig. 3. Aplicando simetra

Nota: Z e Y son valores normalizados de impedancia y
admitancia.
Primero calculamos su excitacin par (figura 4):



Fig. 4. Excitacin par

Y
Z Z
e
2
+ =
Ec. 1

( )
( ) 2 1
2 1
1
2
1
2
1
1
+ +
+
=
+ +
+
=
+

=
Y Z
Y Z
Y
Z
Y
Z
Z
Z
e
e
e
Ec. 2

Segundo calculamos su excitacin impar (figura 5):



Fig. 5. Excitacin impar

Z Z
o
= Ec. 3

1
1
+

=
Z
Z
o
Ec. 4

Como la red es simtrica, nos queda:

( )
( )( )
( ) ( ) [ ] 2 1 1
2 1 1
2
1
22 11
+ + +
+ +
= + = =
Y Z Z
Z Y Z Z
S S
o e
Ec. 5

( )
( ) ( ) [ ] 2 1 1
2
2
1
21 12
+ + +
= = =
Y Z Z
S S
o e
Ec. 6

Por lo que la matriz genrica de parmetros S ser:

( )( )
( ) ( ) [ ] ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]
( )( )
( ) ( ) [ ]

+ + +
+ +
+ + +
+ + + + + +
+ +
=
2 1 1
2 1 1
2 1 1
2
2 1 1
2
2 1 1
2 1 1
Y Z Z
Z Y Z Z
Y Z Z
Y Z Z Y Z Z
Z Y Z Z
S Ec. 7
II.2 Condicin de adaptacin
Para que el circuito se encuentre completamente adaptado
[4], se tiene que cumplir la condicin: 0 =
ii
S
Por lo que en este caso:

( )( )
( ) ( ) [ ]
0
2 1 1
2 1 1
22 11
=
+ + +
+ +
= =
Y Z Z
Z Y Z Z
S S Ec. 8

( )( )
( )( )
2 2
1
2
1
2
1 1
2
0 2 1 1
Z
Z
Z
Z
Z Z
Z
Y Z Y Z Z

=
=
+

= = + +
Ec. 9

En el caso de la clula en T de abajo tenemos que:
jX Z= e jB Y = , por lo que:

( )
2 2 2
1
2
1
2
1
2
X
X
B
X
jX
jX
jX
jB
+
=
+
=

= Ec. 10

En el caso de la clula en T de arriba tenemos que:
jX Z = e jB Y = , por lo que:

( )
2 2 2
1
2
1
2
1
2
X
X
B
X
jX
jX
jX
jB
+
=
+

= Ec. 11

Como se puede observar en las ecuaciones 10 y 11, las
dos celdas tienen la misma condicin de adaptacin.
Sustituyendo la condicin de adaptacin obtenida en la
ecuacin 9, en la ecuacin 6 (que es el parmetro S
21
),
queda:

( )( )
( )( )
( )
12 21
1
1
1 2
1 1
2 1
2
S
Z
Z
Z
Z Z
Z Z
S =
+

=
+

+
+
+
= Ec. 12

Con esto se puede decir que la matriz de parmetros S
completamente adaptada es:

2

=
0
1
1
1
1
0
Z
Z
Z
Z
S Ec. 13
II.3 Variacin de fase
La variacin de fase que produce el desfasador
completamente adaptado, cuando se alternan las posiciones
de los conmutadores es:
Para la clula de abajo, como Z=jX, nos queda:

1
1
1
2
12 21
1
1

j
j
j
e
e
e
jX
jX
S S

=
+

= = Ec. 14
( ) X arctg X arctg = = =
1 1 21
2 2 Ec. 15

Para la clula de arriba, como Z=-jX, nos queda:
1
1
1
2
12 21
1
1

j
j
j
e
e
e
jX
jX
S S =

+
= =

Ec. 16

( ) X arctg X arctg = = =
1 1
'
21
2 2 Ec. 17

Por lo que el desfase queda:

( ) X arctg = = 4
21
'
21
Ec. 18
II.4 Simulaciones
La siguiente grfica (figura 7) muestra la fase de
respuesta prevista para un desfasador paso alto paso bajo
de 90 grados [5], optimizado para la banda C (4 - 6 GHz).
Los valores de los elementos usados en esta simulacin son,
para el paso alto C1=1,40pF y L1=2,09nH, y para el paso
bajo C2=0,40pF y L2=0,63nH (figura 6)



Fig. 6. Topologa del desfasador paso alto paso bajo



Fig. 7. Simulacin desfasador paso alto paso bajo

Como se puede observar la grfica de la figura anterior se
corresponde con la de la figura 8, que se ha obtenido al
simular al desfasador paso alto paso bajo en MMICAD con
los datos dados anteriormente (para poder obtener las fases
que aparecen en la grfica he tenido que restar a los
resultados obtenidos 360 grados y luego ya he pintado la
grfica).



Fig. 8. Simulacin con MMICAD desfasador paso alto paso bajo
III. CONCLUSIONES
Se ha presentado un desfasador paso alto paso bajo que
consta de dos clulas en T que equivalen a un filtro paso alto
y a un filtro paso bajo, de ah su nombre.
La forma de conseguir el desfase deseado es
relativamente sencilla, puesto que se compone, tan slo, de
elementos reactivos, por lo que solo depender del valor de
estos.
Su simplicidad y prestaciones lo convierten en un buen
candidato a ser utilizado en los circuitos en los que
necesitemos desfasar una seal.
IV. REFERENCIAS
[1] D. Pozar Microwave Engineering, 2
rd
.ed, New York : John
Wiley&Sons, 1998.
[2] Lpez Esp, Pablo Luis, Apuntes de microondas, Departamento de T
de la seal, 2007.
[3] J. Alpuente, Lneas de transmisin y redes de adaptacin en circuitos
de Microondas, Servicio de Publicaciones de la UAH, 2001.
[4] R. Snchez, Teora de Circuitos de microondas: parmetros S,
Servicio de Publicaciones de la UAH, 2004.
[5] http://www.microwaves101.com/encyclopedia

3

Desfasadores con circuitos
paso alto - paso bajo
Sergio Pea Ruiz
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : Sergio_lag18@hotmail.com

Resumen- En este documento se hace un estudio de
los desfasadores con circuitos paso alto - paso bajo. Por
medio de un anlisis terico por simetra obtenemos la
matriz de parmetros S y a continuacin la condicin de
adaptacin. Tambin se hace un estudio de su desfase y
unas simulaciones con datos.
Un desfasador o desplazador de fase [1] es un
convertidor de energa elctrica o convertidor elctrico
que produce un cambio de fase entre la entrada y la
salida.
En este caso est construido mediante dos clulas en T
que se corresponden con un filtro paso bajo y un filtro
paso alto, adems tenemos dos conmutadores los cuales
permiten usar una celda u otra como desfasador.
Dependiendo de cual usemos y de los valores que
hayamos elegido para los condensadores y las bobinas
que forman las clulas en T, tendremos un desfase u otro.
I. INTRODUCCIN
Un desfasador es un dispositivo que proporciona un
desfase variable en una seal de microondas sin alterar el
trayecto fsico que recorre la seal.
El desfasador ideal proporciona bajas prdidas de
insercin, misma amplitud (o prdida) en todos los estados
de su fase.
En la prctica existen dos tipos de desfasadores, los de
ferrita y los de semiconductores. Los primeros tienen la
ventaja de que pueden manejar potencias elevadas y de que
pueden ser diseados para que presenten un comportamiento
biestable (utilizando materiales de alta remanencia), que
consumen energa nicamente en la conmutacin entre
estados. Por el contrario, los desfasadores de
semiconductores son ms apropiados en sistemas que operen
con frecuencias menores (banda L e inferiores), que
requieran tiempos de conmutacin muy cortos o pesos muy
ligeros [2].
Los desfasadores pueden ser recprocos o no recprocos.
Se puede decir que un desfasador es recproco cuando
transfiere la potencia de la misma manera en los dos sentidos
de la conexin, por lo que se puede decir que funciona con
eficiencia.
Un desfasador no recproco es un dispositivo de dos
puertas en el que el medio de propagacin produce desfases
diferentes para los dos sentidos de propagacin [2].
Un desfasador puede construirse simplemente mediante
un tramo de lnea de transmisin sin prdidas. Para lograr un
desfasador variable se modifica la longitud de la lnea o la
velocidad de propagacin en la misma.
Una ventaja de los desfasadores de circuitos paso alto
paso bajo [5], es que ofrece un diseo muy compacto ya que
agrupa elementos que se usan habitualmente, en lugar de
usar lneas de transmisin. Esta es una consideracin
importante para los diseos de baja frecuencia, (es decir,
por debajo de la banda X [7 - 8 GHz]) porque las lneas de
transmisin pueden generar grandes retrasos a estas
frecuencias.
Un uso habitual de los desfasadores es en la rama de
sonido como por ejemplo para fabricar procesadores de
tiempo o de fase. Son dispositivos electrnicos destinados a
corregir la diferencia de caminos que tienen los altavoces de
un sistema hasta nuestro odo. Consiste en retardos de tiempo
que podemos modificar para conseguir que el sonido que
llega de dos altavoces situados a distinta distancia de
nuestros odos lo haga en fase, tal y como lo hara si los
altavoces estuvieran a la misma distancia de nuestros odos.
II. DESARROLLO
En mi caso voy a trabajar con un desfasador reciproco.
Con el que yo voy a trabajar entra en el grupo de
desfasadores coaxiales y est construido con circuitos paso
alto paso bajo [2] como se muestra en la figura 1.



Fig. 1. Desfasador paso alto paso bajo.

Como se puede ver en la figura anterior, el desfasador
consta de una clula en T formada por tres elementos
reactivos. Cuando ambos conmutadores se colocan en la
posicin inferior, el circuito presenta un desfase
1
. Cuando
ambos conmutadores se colocan en la posicin superior, el
circuito presenta un desfase
2
.
II.1 Anlisis terico por simetra
La matriz S de una clula en T como la mostrada en la
figura 1 para una red genrica con una impedancia serie Z y
1

una admitancia paralelo Y aplicando tcnicas de anlisis por
simetra se obtiene de la siguiente manera [2,3].


Fig. 2. Red genrica de una clula en T

La figura 2 es la clula en T que vamos a analizar por
tcnicas de simetra para obtener su matriz de parmetros S.
Al aplicar las tcnicas de simetra queda de la siguiente
manera (figura 3):



Fig. 3. Aplicando simetra

Nota: Z e Y son valores normalizados de impedancia y
admitancia.
Primero calculamos su excitacin par (figura 4):



Fig. 4. Excitacin par

Y
Z Z
e
2
+ =
Ec. 1

( )
( ) 2 1
2 1
1
2
1
2
1
1
+ +
+
=
+ +
+
=
+

=
Y Z
Y Z
Y
Z
Y
Z
Z
Z
e
e
e
Ec. 2

Segundo calculamos su excitacin impar (figura 5):



Fig. 5. Excitacin impar

Z Z
o
= Ec. 3

1
1
+

=
Z
Z
o
Ec. 4

Como la red es simtrica, nos queda:

( )
( )( )
( ) ( ) [ ] 2 1 1
2 1 1
2
1
22 11
+ + +
+ +
= + = =
Y Z Z
Z Y Z Z
S S
o e
Ec. 5

( )
( ) ( ) [ ] 2 1 1
2
2
1
21 12
+ + +
= = =
Y Z Z
S S
o e
Ec. 6

Por lo que la matriz genrica de parmetros S ser:

( )( )
( ) ( ) [ ] ( ) ( ) [ ]
( ) ( ) [ ]
( )( )
( ) ( ) [ ]

+ + +
+ +
+ + +
+ + + + + +
+ +
=
2 1 1
2 1 1
2 1 1
2
2 1 1
2
2 1 1
2 1 1
Y Z Z
Z Y Z Z
Y Z Z
Y Z Z Y Z Z
Z Y Z Z
S Ec. 7
II.2 Condicin de adaptacin
Para que el circuito se encuentre completamente adaptado
[4], se tiene que cumplir la condicin: 0 =
ii
S
Por lo que en este caso:

( )( )
( ) ( ) [ ]
0
2 1 1
2 1 1
22 11
=
+ + +
+ +
= =
Y Z Z
Z Y Z Z
S S Ec. 8

( )( )
( )( )
2 2
1
2
1
2
1 1
2
0 2 1 1
Z
Z
Z
Z
Z Z
Z
Y Z Y Z Z

=
=
+

= = + +
Ec. 9

En el caso de la clula en T de abajo tenemos que:
jX Z= e jB Y = , por lo que:

( )
2 2 2
1
2
1
2
1
2
X
X
B
X
jX
jX
jX
jB
+
=
+
=

= Ec. 10

En el caso de la clula en T de arriba tenemos que:
jX Z = e jB Y = , por lo que:

( )
2 2 2
1
2
1
2
1
2
X
X
B
X
jX
jX
jX
jB
+
=
+

= Ec. 11

Como se puede observar en las ecuaciones 10 y 11, las
dos celdas tienen la misma condicin de adaptacin.
Sustituyendo la condicin de adaptacin obtenida en la
ecuacin 9, en la ecuacin 6 (que es el parmetro S
21
),
queda:

( )( )
( )( )
( )
12 21
1
1
1 2
1 1
2 1
2
S
Z
Z
Z
Z Z
Z Z
S =
+

=
+

+
+
+
= Ec. 12

Con esto se puede decir que la matriz de parmetros S
completamente adaptada es:

2

=
0
1
1
1
1
0
Z
Z
Z
Z
S Ec. 13
II.3 Variacin de fase
La variacin de fase que produce el desfasador
completamente adaptado, cuando se alternan las posiciones
de los conmutadores es:
Para la clula de abajo, como Z=jX, nos queda:

1
1
1
2
12 21
1
1

j
j
j
e
e
e
jX
jX
S S

=
+

= = Ec. 14
( ) X arctg X arctg = = =
1 1 21
2 2 Ec. 15

Para la clula de arriba, como Z=-jX, nos queda:
1
1
1
2
12 21
1
1

j
j
j
e
e
e
jX
jX
S S =

+
= =

Ec. 16

( ) X arctg X arctg = = =
1 1
'
21
2 2 Ec. 17

Por lo que el desfase queda:

( ) X arctg = = 4
21
'
21
Ec. 18
II.4 Simulaciones
La siguiente grfica (figura 7) muestra la fase de
respuesta prevista para un desfasador paso alto paso bajo
de 90 grados [5], optimizado para la banda C (4 - 6 GHz).
Los valores de los elementos usados en esta simulacin son,
para el paso alto C1=1,40pF y L1=2,09nH, y para el paso
bajo C2=0,40pF y L2=0,63nH (figura 6)



Fig. 6. Topologa del desfasador paso alto paso bajo



Fig. 7. Simulacin desfasador paso alto paso bajo

Como se puede observar la grfica de la figura anterior se
corresponde con la de la figura 8, que se ha obtenido al
simular al desfasador paso alto paso bajo en MMICAD con
los datos dados anteriormente (para poder obtener las fases
que aparecen en la grfica he tenido que restar a los
resultados obtenidos 360 grados y luego ya he pintado la
grfica).



Fig. 8. Simulacin con MMICAD desfasador paso alto paso bajo
III. CONCLUSIONES
Se ha presentado un desfasador paso alto paso bajo que
consta de dos clulas en T que equivalen a un filtro paso alto
y a un filtro paso bajo, de ah su nombre.
La forma de conseguir el desfase deseado es
relativamente sencilla, puesto que se compone, tan slo, de
elementos reactivos, por lo que solo depender del valor de
estos.
Su simplicidad y prestaciones lo convierten en un buen
candidato a ser utilizado en los circuitos en los que
necesitemos desfasar una seal.
IV. REFERENCIAS
[1] D. Pozar Microwave Engineering, 2
rd
.ed, New York : John
Wiley&Sons, 1998.
[2] Lpez Esp, Pablo Luis, Apuntes de microondas, Departamento de T
de la seal, 2007.
[3] J. Alpuente, Lneas de transmisin y redes de adaptacin en circuitos
de Microondas, Servicio de Publicaciones de la UAH, 2001.
[4] R. Snchez, Teora de Circuitos de microondas: parmetros S,
Servicio de Publicaciones de la UAH, 2004.
[5] http://www.microwaves101.com/encyclopedia

3

1
DESFASADORES BASADOS EN
LNEAS CARGADAS
Lorenzo Muoz Alfaro
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : lormua@hotmail.com

Lo que en este artculo va a ser tratado es el
comportamiento de circuitos desfasadores de microondas
basados en lneas cargadas. El estudio constar de una
parte terica, en la cual se ver de forma ideal como
trabaja este tipo de diseo mediante el planteamiento de las
ecuaciones oportunas basadas en la simetra que ste
presenta. Adems se realizarn una serie de simulaciones
que mostrarn el modo de trabajo en trminos de
adaptacin y transmisin de este tipo de circuitos para una
frecuencia determinada.
I. INTRODUCCIN
Este tipo de diseos se utilizan con el fin de generar un
determinado desfase entre la seal de entrada y la de salida.
Generalmente se construyen para generar desfases de 45 y
menores, aunque pueden utilizarse para otros valores. Las
cargas se sintetizan de forma que crean una perturbacin en
la fase de la seal cuando son conectadas al circuito,
mientras que producen un efecto muy pequeo sobre la
amplitud de la seal. Las cargas deben tener un coeficiente
de reflexin muy elevado con el fin de minimizar las
prdidas del desfasador, para ello se utilizaran cargas
reactivas puras. Obviamente, las cargas no deben estar
prximas al cortocircuito para el desfase requerido, ya que
de ser as, las prdidas introducidas por el circuito
desfasador seran extremadamente elevadas. [1]

II. ESTUDIO TERICO

En este apartado se va a realizar el estudio terico de un
dispositivo ideal, como el que se muestra en la figura 1,
ayudndonos de las propiedades de simetra que presenta.
Para ello dividiremos el apartado de forma que iremos
desgranando el problema para finalmente llegar a una
solucin que consiga la adaptacin del dispositivo y muestre
el comportamiento en fase del circuito.

Zc ; j jB jB
d= /4 g


Fig. 1. Desfasador ideal basado en una lnea /4 cargada.

II.1 Matriz de parmetros S de un circuito simtrico.
Un circuito simtrico puede estudiarse de forma mucho
ms sencilla si se divide por los ejes de simetra que
presenta. La tcnica consiste en la terminacin en circuito
abierto (excitacin par) y en cortocircuito (excitacin impar)
del punto que atravesaba el eje. Se calculan los coeficientes
de reflexin a la entrada en ambos casos y mediante la
combinacin de stos se constituye la matriz de parmetros S
de la siguiente forma:

+
+
=
o e o e
o e o e
Z
S
2
1
0
Ec. 1
El superndice e representa a la excitacin par,
mientras que el superndice o lo hace con la impar.
La siguiente figura representa al eje de simetra del
circuito en cuestin, el cual ser el utilizado para el posterior
estudio.

Fig. 2. Eje de simetra del desfasador ideal.


II.2 Excitacin par.
En este apartado se calcular el coeficiente de reflexin a
la entrada del modelo correspondiente a la excitacin par, el
cual se muestra en la figura 3.
Zc ; j jB
d= /8 g
e

CA
IN
Y
CA

Fig. 3. Modelo equivalente para la excitacin par.


2
La impedancia de entrada en una lnea de transmisin
puede calcularse de la siguiente forma:
d tg jZ Z
d tg jZ Z
Z Z
L C
C L
C IN

+
+
=
Ec. 2
Como
4

= d y 1
4
=

tg la impedancia de
entrada en la lnea ser:
C
L C
C L
C IN
jZ
jZ Z
jZ Z
Z Z
CA
=
+
+
=
Ec. 3

La admitancia de entrada del sistema completo ser:
) ( B Y j Y
C
e
IN
+ =
Ec. 4

De modo general, el coeficiente de reflexin a la entrada
de un sistema se calcula como:
IN
IN
IN
Y Y
Y Y
+

=
0
0 Ec. 5
Haciendo uso de esta ltima ecuacin, el coeficiente de
reflexin a la entrada para la excitacin par ser:
) (
) (
0
0
B Y j Y
B Y j Y
C
C e
+ +
+
=
Ec. 6

II.3 Excitacin impar
En este apartado se calcular el coeficiente de reflexin a
la entrada del modelo correspondiente a la excitacin impar,
el cual se muestra en la figura 4.
Zc ; j jB
d= /8 g
CC
o
CC
IN
Y
o
IN
Y

Fig. 4. Modelo equivalente para la excitacin impar.

Haciendo uso de la ecuacin 2, la impedancia de entrada
a la lnea de transmisin ser:
C
C
C
C IN
jZ
Z
jZ
Z Z
CA
= =
Ec. 7
Por consiguiente, la admitancia de entrada al modelo
ser:
) (
C
o
IN
Y B j Y =
Ec. 8

Finalmente, a partir de la ecuacin 5, el coeficiente de
reflexin a la entrada para la excitacin impar resultante
ser:
) (
) (
0
0
C
C e
Y B j Y
Y B j Y
+

=
Ec. 9

II.4 Clculo de los parmetros S
11
y S
22
.
Como podemos observar en la matriz que describe el
comportamiento de un circuito simtrico (Ec. 1), tanto el
parmetro de adaptacin de la entrada como el de salida
corresponden con la semisuma de los coeficientes de
reflexin a la entrada de la excitacin par e impar. A partir
de esto:
=
+

+
+ +
+
= +
) (
) (
) (
) (
0
0
0
0
C
C
C
C o e
Y B j Y
Y B j Y
B Y j Y
B Y j Y

[ ] [ ] [ ] [ ]
[ ] [ ] ) ( ) (
) ( ) ( ) ( ) (
0 0
0 0 0 0
B Y j Y B Y j Y
Y B j Y B Y j Y Y B j Y B Y j Y
C C
C C C C
+ +
+ + + + + +
=

2 2
0
2
0
2 2 2
0
22 11
2
) (
2
1
,
B Y B Y j Y
Y B Y
S S
C
C o e
+ +
+
= + =
Ec. 10

II.5 Condicin de adaptacin.
Para que el circuito est completamente adaptado debe
cumplirse que sus parmetros S
ii
sean nulos. Por lo tanto, en
el circuito en estudio la condicin de adaptacin ser la
siguiente:

0
2 2 2
0
= +
C
Y B Y


2 2
0
2
B Y Y
C
+ =
Ec. 11

II.6 Clculo de los parmetros S
21
y S
12
.
Si observamos de nuevo la matriz que describe el
comportamiento de un circuito simtrico (Ec. 1), estos
parmetros corresponden con la semirresta de los coeficientes
de reflexin a la entrada de la excitacin par e impar. A partir
de esto:
=
+

+ +
+
=
) (
) (
) (
) (
0
0
0
0
C
C
C
C o e
Y B j Y
Y B j Y
B Y j Y
B Y j Y

[ ] [ ] [ ] [ ]
[ ] [ ] ) ( ) (
) ( ) ( ) ( ) (
0 0
0 0 0 0
B Y j Y B Y j Y
Y B j Y B Y j Y Y B j Y B Y j Y
C C
C C C C
+ +
+ + + + +
=


2 2
0
2
0
0
21 12
2
2
) (
2
1
,
B Y B Y j Y
Y Y j
S S
C
C o e
+ +

= =
Ec. 12

Introduciendo la condicin de adaptacin (Ec. 11) en la
ecuacin anterior llegamos a la siguiente solucin:
jB Y
Y B
j
Y B j Y
Y B Y
j S S
+
+
=
+
+
=
0
2
0
2
0
2
0
2
0
2
0
12 21
2 2
2 ,
Ec. 13

II.7 Matriz de parmetros S del desfasador
La matriz que define el comportamiento del desfasador
en estudio tras introducir la condicin de adaptacin ser la
siguiente:

+
+

+
+

=
0
0
0
2
0
2
0
2
0
2
0
jB Y
Y B
j
jB Y
Y B
j
S
Z
Ec. 14



3
II.8 Desfase introducido por el circuito.
Para calcular el desfase introducido por el desfasador
tendremos que calcular la fase del parmetro de transmisin
S
21
, el cual corresponde con el siguiente valor:
) (
2
) (
2
0
21
B arctg
Y
B
arctg = =

Ec. 15

III. SIMULACIONES

Todas las grficas que aparecen en este apartado han sido
realizadas con el programa de simulacin de circuitos de
microondas MMICAD. Este apartado se va a subdividir en
otros tres, en los que se presentar el circuito construido con
lneas de transmisin ideales, con lneas microstrip sin
prdidas y con prdidas respectivamente.
Los diseos han sido realizados para una frecuencia de
trabajo de 500Mhz y con valores de 1 = B . Esto significa que
los valores de las impedancias caractersticas de las lneas, de
los condensadores de carga y el desfase tendrn que ser
idealmente los siguientes:
225
4
3
4 2
) 1 (
2
= = = =

arctg

= = + = + =
2
50
2 02 . 0 02 . 0 02 . 0
2 2 2 2
0 C C
Z B Y Y

pF
B
C C B 366 . 6
10 500 2
02 . 0
6
=

= = =


En los casos en los que se han utilizado lneas microstrip
podemos observar que aparece un desfase adicional de
180. Esto se debe a que se han utilizado accesos tanto en la
puerta de entrada como de salida de longitud /4. El esquema
de este diseo sera el siguiente:
5
0

o
h
m
5
0

o
h
m
35.35 ohm
50 ohm 50ohm
4
d

=
4
d

=
4
d

=
8
d

=

Fig.5. Esquema del desfasador con lneas microstrip.

III.1 Desfasador con lneas ideales


Fig. 6. Desfase introducido por el desfasador con lneas de
transmisin ideales.



Fig. 7. Prdidas de insercin del desfasador con lneas de
transmisin ideales.


Fig. 8. Prdidas de retorno del desfasador con lneas de
transmisin ideales.

Como muestran los grficos anteriores y era de esperar, al
encontrarnos ante un caso ideal, el circuito se encuentra
totalmente adaptado y no se producen perdidas de insercin,
cosa que no ocurrir, al menos de forma tan destacada en los
casos posteriores.

III.2 Desfasador con lneas microstrip sin prdidas
El sustrato utilizado para esta simulacin tiene las
siguientes caractersticas:

r
=4.5
Grosor del dielctrico (H)=1.6 mm
Grosor del metal (T)=0.035 mm
Tangente de prdidas del dielctrico (TAND)= 0


Fig. 9. Desfase introducido por el desfasador con lneas
microstrip sin prdidas.



4

Fig. 10. Prdidas de insercin del desfasador con lneas
microstrip sin prdidas.



Fig. 11. Prdidas de retorno del desfasador con lneas
microstrip sin prdidas.

Para este caso se puede observar con claridad que las
prdidas de retorno han disminuido con respecto al caso
ideal. Esto se debe a la utilizacin de un componente real
como medio de transmisin, aunque siguen siendo
suficientemente elevadas como para dar el diseo como
vlido. Las prdidas de insercin siguen siendo nulas ya que
la lnea no introduce prdidas por atenuacin.

III.3 Desfasador con lneas microstrip con prdidas
El sustrato utilizado para esta simulacin tiene las
siguientes caractersticas:

r
=4.5
Grosor del dielctrico (H)=1.6 mm
Grosor del metal (T)=0.035 mm
Tangente de prdidas del dielctrico (TAND)=0.025



Fig. 12. Desfase introducido por el desfasador con lneas
microstrip con prdidas.



Fig. 13. Prdidas de insercin del desfasador con lneas
microstrip con prdidas.



Fig. 14. Prdidas de retorno del desfasador con lneas
microstrip con prdidas.

Si observamos los resultados de esta simulacin puede
verse como las prdidas de retorno han disminuido en torno a
5 dB con respecto al caso sin prdidas y que las prdidas de
insercin han alcanzado un valor de 0.65 dB, valores en
ambos casos aceptables a la hora de realizar un diseo de
estas caractersticas.


IV. CONCLUSIONES

Tras el estudio realizado puede observarse que este tipo
de circuitos se comportan de manera muy aceptable para la
frecuencia de diseo, siempre y cuando no nos desplacemos
respecto a este parmetro a la hora de su utilizacin. Debido
a esta caracterstica podemos clasificarlo como un dispositivo
de banda estrecha, ya que la adaptacin de las puertas sufre
un elevado deterioro para frecuencias que difieren a la de
trabajo. Tambin hay que destacar que las prdidas por
insercin del dispositivo son muy pequeas en el caso real.
Como ha podido verse, es un dispositivo de fcil diseo,
en el cual con el simple ajuste de un par de parmetros, la
impedancia caracterstica de la lnea y el valor de las
impedancias de carga, se puede obtener cualquier valor en el
desfase de la seal de entrada para una frecuencia dada,
aunque este siempre vendr limitado por la posibilidad de
sintetizacin de un determinado valor de impedancia
caracterstica en el laboratorio.

V. REFERENCIAS
[1] http://www.microwaves101.com/encyclopedia/phaseshifters_loadedlin
e.cfm

1
DESFASADORES BASADOS EN
HBRIDOS EN CUADRATURA
Santiago Gmez Loro
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : s.gomez.loro@gmail.com

Resumen- Este documento es una plantilla para el envo
de los trabajos de la asignatura de Microondas en el
curso 2007/08. Los trabajos deben contener un resumen
de mximo 100 palabras en el que se describa el
contenido de los mismos. El trabajo se presentar escrito
a doble columna y en letra Times New Roman. En el
Resumen se emplear letra de tipo 10 puntos y negrita.

I. INTRODUCCIN
Llamamos acoplador direccional a cualquier red de
cuatro accesos que sea recproca, sin prdidas y
completamente adaptada. Estos acopladores disponen de una
puerta de entrada, una puerta privilegiada a la que llamamos
directa, una que est aislada y otra que recibe seal acoplada,
distribuidas como aparece en la figura 1.
Los desfasadores basados en hbridos estn basados en
acopladores direccionales hbridos, que, idealmente, realizan
un reparto equitativo de la potencia entre la rama directa y la
acoplada, introduciendo por tanto, unas prdidas de 3 dB.

II. DESARROLLO

II.1Desarrollo
Los desfasadores basados en hbridos son, como
cualquier otro desfasador, recprocos, sin prdidas.
Estos desfasadores estarn adaptados cuando la puerta
acoplada y la aislada estn cargadas con la misma
impedancia como se indica en la figura 1.

ZL1
1
ZL2
90
2
4
90
3


Fig. 1. Acoplador direccional cargado con impedancias idnticas
reactivas.

Estas impedancias, adems de ser iguales, deben ser
reactivas, para que as no se introduzcan prdidas.

De esta manera, debe cumplirse la ecuacin 1:

1 2 L L L L
Z Z Z jX = = = Ec. 1

El desfase que introduce en circuito depende del valor de
la impedancia de carga.

Por lo tanto, un desfasador hbrido responder a la matriz
S que aparece en la ecuacin 2:

0
( )
( )
0
0
L
L
jf Z
Z
jf Z
e
S
e


=


Ec. 2

Dado que el circuito es recproco, es decir, la
transferencia de seal no depende del sentido de
conexin, la matriz S debe ser simtrica, y adems, al ser
sin prdidas, todos los elementos de la diagonal principal
deben ser cero.

Un desfasador basado en hbridos en cuadratura
presenta la matriz S de la ecuacin 3:

0
0 1 0
1 0 0
1
0 0 1
2
0 1 0
Z
j
j
S
j
j



=



Ec. 3


Esta matriz sera correcta siempre y cuando se
correspondiese con la numeracin que aparece en la
siguiente figura:





2
3
2 1
90
4
90


Fig. 2. Desfasador hbrido en cuadratura


El ancho de banda de un desfasador basado en
hbridos en cuadratura es de una octava.


II.2 Ejemplo prctico: Branch Line

Un ejemplo que se utiliza en la prctica es la Branch
Line, que se trata de un desfasador basado en hbridos en
cuadratura que se fabrica con lneas microstrip.

II.2.1 Explicacin terica

Una Branch Line es un circuito que acta como desfasador
de 90. Este diseo no cumple por s mismo la condicin de
adaptacin necesaria para funcionar como un desfasador. Para
que nos encontremos ante un circuito recproco, sin prdidas y
completamente adaptado, las impedancias de las lneas deben
cumplir la ecuacin 4:


2 2 2
0 1 2
Y Y Y = Ec. 4

Al cumplirse esta condicin, el circuito quedar
completamente adaptado, y responder a la siguiente matriz S:

0
0 1 0
0 0 1
1 0 0
0 1 0
Z
j
j
S
j
j




=





Ec. 5


Esta matriz ser vlida siempre y cuando corresponda con
la numeracin de puertas descrita en la siguiente figura:


Z0
Z0 Z0
Z1
4
Z2
l
a
m
b
d
a
/
4
lambda/4
2
Z2
1
3
Z1
Z0


Fig. 2. Branch Line

En una Branch Line, que llegue ms seal a una
puerta que a otra es debido nicamente al desfase que se
produce entre los dos posibles caminos que puede seguir
la seal una vez que se inyecta por la entrada.
De esta manera, en la puerta aislada las seales que
van por diferentes caminos se cancelarn, no existiendo
por tanto seal neta alguna en la puerta.
Por el contrario, en la puerta directa, las dos seales
llegarn con una fase tal que se sumarn, dando lugar a
un mximo de seal.


II.2.2. Simulacin


A continuacin, se presentan una serie de grficas obtenidas
mediante una simulacin con MMICAD de una Branch Line.
En este tipo de circuitos, los parmetros que ms
informacin nos proporcionan son los de transmisin, que nos
indican como se comporta la seal cuando se transmite desde la
entrada hasta cualquiera de las dems puertas.

Como se puede observar en las grficas, la frecuencia de
trabajo de la Branch Line es de 1 GHz.

En la figura 3, se simula la variacin con la frecuencia del
coeficiente de reflexin a la entrada, parmetro
11
S ,
comprobndose que a 1 GHz el coeficiente de reflexin a la
entrada se hace mnimo. Si utilizsemos otra frecuencia que no
fuese 1 GHz, se produciran reflexiones debidas a la
desadaptacin.






Fig. 3. Simulacin del coeficiente de reflexin a la entrada en una
branch line.



En la figura 4, se realiza la simulacin del parmetro
de transmisin,
21
S , entre la entrada y la puerta ms
privilegiada, comprobndose que se trata de ganancia de
tensin. Por este motivo, en la grfica se observan los
valores mximos a la frecuencia de trabajo.




3



Fig. 4. Simulacin del parmetro de transmisin entre la entrada y
la puerta directa en una branch line.



En la siguiente grfica, figura 5, se puede observar
que existe tambin una ganancia de tensin,
31
S , que
es debida al acoplo de seal que se produce con la seal
de entrada. Los valores obtenidos en la grfica son
menores que en la puerta privilegiada, pero tienen una
variacin menos abrupta con la frecuencia.






Fig. 5. Simulacin del parmetro de transmisin entre la entrada y la
puerta acoplada en una branch line.













En la grfica de la figura 6 se puede observar una
simulacin del parmetro de transmisin, ganancia de
tensin, entre la puerta de entrada y la aislada. Esto se
verifica observando que para la frecuencia de trabajo se
produce una bajada abrupta de la ganancia, siendo sta
cercana a cero para esa frecuencia. Por lo tanto, la puerta
cuatro sera la ms aislada.






Fig. 6. Simulacin del parmetro de transmisin entre la entrada y la
puerta aislada en una branch line.



III. CONCLUSIONES

Toda vez que se ha estudiado el comportamiento de
los desfasadores basados en hbridos en cuadratura,
acompandose este estudio de un ejemplo prctico
como es la Branch Line, he llegado a las siguientes
conclusiones:

1. El ancho de banda en el que se puede utilizar un
desfasador basado en hbridos en cuadratura es reducido
debido al acoplador direccional.
2. Los desfasadores basados en hbridos en
cuadratura, como la Branch Line, son bastante tiles para
fabricar desfasadores variables, ya que variando la
impedancia de carga o las impedancias caractersticas de
las lneas se puede variar el desfase.



1
DESFASADORES CON BASADOS EN
HBRIDOS EN CUADRATURA
Isabel Sierra Merino
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : isa1984es@gmail.com

Resumen- En este documento se hace un estudio de los
desfasadores basados en hbridos en cuadratura, estos
dispositivos son los encargados de introducir un desfase a
la seal de entrada a travs de un acoplador direccional.
Para ello, se elaborar un anlisis terico, as como el
estudio de: la matriz de parmetros S, la condicin de
adaptacin, el ancho de banda, y las grficas de los
parmetros S realizadas a travs de un programa de
simulacin de circuitos de microondas.
I. INTRODUCCIN
Los desfasadores son dispositivos de dos puertas
encargados de introducir un retardo adicional a la
propagacin de la seal. Pueden construirse simplemente con
lneas de transmisin sin prdidas y para que sean variables
se modifica la longitud de la lnea o la velocidad de
propagacin de la misma. En el caso de desfasadores
coaxiales, dentro de los distintos tipos, encontramos los
desfasadores basados en hbrido en cuadratura, estudiados a
continuacin.
II. DESARROLLO
II.1Descripcin
Estos tipos de desfasadores estn formados por un hbrido
en cuadratura y dos cargas reactivas puras de iguales
caractersticas (Fig. 1).
El hbrido en cuadratura es un dispositivo encargado de
realizar un reparto equitativo de la potencia entre la rama
directa y la rama acoplada, adems de introducir una
diferencia relativa de fases de 90 entre dichas ramas.
El tamao del desfasador en cuadratura est directamente
relacionado con la banda de frecuencias de trabajo.
A diferencia de los desfasadores basados en lneas
cargadas, los de hbrido en cuadratura pueden ser usados para
proporcionar cualquier cambio de fase.

Fig. 1. Esquema de un desfasador basado en un hbrido en
cuadratura.
Un tipo de desfasador basado en hbridos en cuadratura
muy utilizado es aquel que a su salida se conectan diodos
PIN (Fig. 2), los cuales son usados como interruptores.

Fig. 2. Esquema de un desfasador basado en un hbrido en cuadratura
con diodos PIN

En estos circuitos ambos diodos son polarizados en el
mismo sentido (inverso o directo). De esta forma, las ondas
reflejadas de las dos terminaciones se sumarn en fase en la
puerta de salida. Al polarizar los diodos en ON o en OFF
vara la longitud de la lnea en , lo que dar lugar a un
cambio de fase de en la salida. Idealmente los diodos se
comportan como un cortocircuito cuando estn en ON, y en
circuito abierto cuando se polarizan en OFF, de tal forma que
el coeficiente de reflexin a la derecha del hbrido se puede
escribir como =e
j
para los diodos en ON, y =e
j( +)
para
los diodos en OFF. Si queremos que el ancho de banda del
circuito est optimizado debemos cumplir que el coeficiente
de reflexin para ambos estados tengan la fase conjugada.
Por ejemplo, si =180, el mejor ancho de banda ser
obtenido si = j =0, 2, etc.
II.2 Anlisis Terico
A partir del esquema de la figura 1 realizaremos el
anlisis terico, para ello obtenemos la matriz S del
desfasador con hbrido en cuadratura mediante el anlisis de
las ondas a y b del circuito, sabiendo que:
[ ] [ ] [ ] a S b = Ec. 1
y que la matriz S del hbrido en cuadratura es:
2
1
0 1 0
1 0 0
0 0 1
0 1 0

=
j
j
j
j
S
Zo

Adems, del circuito obtenemos las siguientes
ecuaciones:

2
2 2
b a
L
= Ec. 2
3 3
b a
L
= Ec. 3
De la Ec. 1 y conociendo la matriz S del hbrido
obtenemos:
3 2 1
2 2
1
a
j
a b + = Ec. 4
4 1 2
2 2
1
a
j
a b + = Ec. 5
4 1 3
2
1
2
a a
j
b + = Ec. 6
3 2 4
2
1
2
a a
j
b + = Ec. 7
Sustituyendo Ec. 2 y Ec. 3 en Ec. 4 y Ec. 7:
3 2 1
2 2
1
b
j
b b
L L
+ = Ec. 8
3 2 4
2
1
2
b b
j
b
L L
+ = Ec. 9
Sustituyendo las ondas b
2
y b
3
en b
1
y b
4:

+ +

+ =
4 1 4 1 1
2
1
2 2 2 2
1
2
1
a a
j j
a
j
a b
L L
Ec. 10

+ +

+ =
4 1 4 1 4
2
1
2 2
1
2 2
1
2
a a
j
a
j
a
j
b
L L
Ec. 11
Simplificando queda:
4 1
a j b
L
= Ec. 12
1 4
a j b
L
= Ec. 13
stas ecuaciones nos darn en el apartado II.4 la matriz S
del desfasador.
Para estudiar la relacin que existe entre el valor de las
impedancias y el desfase obtenido suponemos que el
coeficiente de reflexin en la carga toma un valor del mdulo
de uno y una fase de
L,
entonces la fase del desfasador la
podemos escribir como:
L

+ =
2
Ec. 14
siendo:
L L
o L
o L
L
X arctg
Z jX
Z jX
2 =
+

=
que sustituyendo en la Ec.14 obtenemos la relacin que
estabamos buscando:
L
X arctg 2
2
=

Ec. 15
II.3 Condicin de adaptacin
Para que el circuito est completamente adaptado las dos
cargas deben ser de igual valor.
Adems, para que se comporte como un desfasador ideal
los mdulos de los parmetros S
12
y S
21
deben ser iguales y
de valor la unidad. Esto implica que el coeficiente de
reflexin en la carga debe ser tambin de mdulo uno. Por lo
que las Z
L
que conectemos pueden tomar cualquier valor
reactivo puro (
L
jX ), cortocircuito o circuito abierto.
II. 4 Matriz S del circuito adaptado
Teniendo en cuenta las ecuaciones anteriores y la
condicin de adaptacin nos queda la siguiente matriz S:


=
0
0
L
L
Zo
j
j
S
II. 5 Ancho de Banda
El ancho de banda es controlado por el tipo de hbrido en
cuadratura usado para el desfasador. Esta estructura
proporciona un ancho de banda de hasta una octava.
II. 6 Simulaciones
Para realizar las simulaciones conectamos a la salida de las
puertas 2 y 3 un condensador de valor 3,18pF. Obtenemos
las siguientes grficas:
Mdulos de los parmetros S:

Observamos que a la frecuencia de trabajo, 1GHz, el
mdulo del parmetro S
11
es cero, y el mdulo del parmetro
S
21
es uno.
En cuanto al desfase, en la siguiente grfica podemos
observar el funcionamiento del desfasador en funcin de la
frecuencia:


III. CONCLUSIONES
Tras este estudio podemos concluir que, dentro de los
desfasadores coaxiales, los basados en hbridos en
cuadratura tienen la ventaja de poder estar completamente

3
adaptados independientemente de la posicin del
conmutador a su salida.
Por contra, a diferencia de otros desfasadores, y debido al
hbrido en cuadratura, existen prdidas de insercin y
acoplamiento de 3dB.
III. REFERENCIAS
[1] Koul, Shiban K, Microwave and Millimeter Wave Phase Shifter, Vol
II, 3
rd
.ed., Boston: Artech House, 1991.
[2] Pozar, David M, Microwave engineering, 3
rd
.ed., Hoboken (NJ):
John Wiley & Sons, 2005
[3] http://www.microwaves101.com/encyclopedia/phaseshifters.cfm

1
DESFASADOR DE 180 CON ANILLO
HBRIDO
Francisco Javier Herranz Daz
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :kraggi@gmail.com

Resumen- A lo largo de este documento podremos
contemplar el anlisis efectuado sobre el desfasador
hbrido de 180, desde un completo anlisis terico a su
aplicacin prctica a travs de simulaciones. Adems se
expondrn todos los razonamientos requeridos para
obtener el diseo final, incluyendo el desarrollo de los
clculos necesarios y las conclusiones a extraer de todo lo
enunciado.
I. INTRODUCCIN
Este dispositivo tiene como finalidad proporcionar una
seal de salida en contrafase respecto a la misma introducida,
es decir, provocar un retardo de 180 sobre la seal deseada.
De las mltiples variantes que nos ofrece la tecnologa para
realizar dicha operacin, nuestro desfasador est construido a
partir del acoplador direccional anillo hbrido (Figura I),
tambin conocido como Rat-race Coupler debido a su
diseo, donde a partir de las propiedades del acoplador e
introduciendo ciertos cambios podremos lograr el objetivo
deseado de una forma sencilla y no excesivamente costosa.
Dentro de las caractersticas del desfasador destacan ser
un dispositivo pasivo, recproco y sin prdidas, cualidades
que se deben tener presentes en el desarrollo terico para
garantizar el cumplimiento del objetivo inicial por parte de
nuestro dispositivo.



Fig. I. Acoplador direccional anillo hbrido.

II. DESARROLLO
II.1 Anlisis terico
El desfasador se desarrollar a partir de las caractersticas
del anillo hbrido, por eso es importante conocer las
cualidades que aportar el acoplador. El inicio del diseo
ser la matriz de parmetros S normalizada del anillo hbrido,
para poder conocer as su funcionamiento y realizar los
cambios adecuados con el fin de desarrollar el desfasador.

|
|
|
|
|
.
|

\
|

=
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 0 1
0 1 1 0
2
0
j
S
z
Ec. 1

Esta matriz nos muestra la relacin existente entre las
ondas de potencia presentes en los diferentes accesos.

;
2 2
3 2 1
a
j
a
j
b = Ec. 2
;
2 2
4 1 2
a
j
a
j
b + = Ec. 3
;
2 2
4 1 3
a
j
a
j
b = Ec. 4
;
2 2

3 2 4
a
j
a
j
b = Ec. 5
;
1 1 1
a b
L
= I Ec. 6
;
4 4 4
a b
L
= I Ec. 7

El desfasador a disear constar de dos accesos, entrada y
salida de la seal respectivamente, por ello nuestro
dispositivo deber presentar la siguiente matriz de
parmetros S, relacionando las ondas de potencia entre los
dos accesos citados.


|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
3
2
0
3
2
a
a
S
b
b
DZ
Ec. 8

2

Fig. II. Visin exterior del dispositivo final.
Ahora deberemos obtener la matriz del desfasador (S
DZ0
)
a partir de las relaciones existentes en las ecuaciones del
acoplador.
( ) ( );
2 2

2 2

2

2 2 2
2 2
4 1
3
4 1
2
3 2 4
3 2 1
4 4 1 1 2
L L L L
L
L
L L
a a
a
j
a
j j
a
j
a
j j
b
j
b
j
b
I + I + I I =
= |
.
|

\
|
I
+ |
.
|

\
|
I
= I + I =
Ec. 9

( ) ( );
2 2

2 2

2

2 2 2
2 2
4 1
3
4 1
2
3 2 4
3 2 1
4 4 1 1 3
L L L L
L
L
L L
a a
a
j
a
j j
a
j
a
j j
b
j
b
j
b
I I + I + I =
= |
.
|

\
|
I
|
.
|

\
|
I
= I I =
Ec. 10
Una vez realizados los pertinentes clculos, llegamos ala
matriz de parmetros S del dispositivo.

|
|
.
|

\
|
I I I + I
I + I I I
=
4 1 4 1
4 1 4 1
0
2
1
L L L L
L L L L
DZ
S Ec. 11
II.2 Condicin de adaptacin
Para asegurar que el desfasador est completamente
adaptado los elementos de la diagonal principal de S
DZ0
deben ser nulos.
1 4 4 1 11
0 0
L L L L
S I = I = I I = Ec. 12
II.3 Matriz S
DZ0
del circuito adaptado
La matriz S
DZ0
, tras realizar los cambios debidos a la
condicin de adaptacin, ser la mostrada continuacin.

|
|
.
|

\
|
I
I
=
0
0
1
1
1
0
L
L
DZ
S Ec. 13

Observando que se obtiene el resultado deseado, para
conseguir a la salida una seal en contra fase respecto a la
misma introducida.

| | | | ;
1 1 2 1 L
a OUT b IN a I = Ec. 14
II.4 Ancho de banda
El ancho de banda del dispositivo resultante estar fijado
por el del anillo hbrido, ya que es la base de construccin
del desfasador. El ancho de banda del anillo hbrido esta
fijado normalmente entre un 20%-30%, si quisiramos
disponer de un ancho de banda mayor deberamos conseguir
un anillo hbrido de banda ancha, con el consiguiente
aumento del presupuesto por parte del diseo del dispositivo.

II.5 Determinacin de impedancias
Para determinar las caractersticas de las impedancias a
colocar sobre nuestro diseo se aplicar la condicin de sin
prdidas (Ec. 15).
; I S S =
+
Ec. 15
; 1
1
= I
L
Ec. 16
Obteniendo como resultado el descrito por la Ec. 1, el
cual slo es posible de realizar con las siguientes tres
opciones:
1. Cortocircuito
2. Circuito Abierto
3. Impedancia reactiva pura

Desechamos las dos primeras soluciones al incumplir la
condicin de adaptacin (Ec. 12), en cambio la tercera
solucin s cumple la condicin de adaptacin y por ello
fijamos las impedancias de los accesos uno y cuatro con
impedancias reactivas puras.
Un posible diseo sera colocar un cortocircuito y circuito
abierto en los accesos uno y cuatro del acoplador,
cumpliendo as las condiciones requeridas, pero entonces
disearamos un desfasador para unas condiciones nicas de
trabajo, slo pudindose usar en casos muy especficos, lo
cual sera de poca utilidad. Por ltimo nos faltara conocer la
relacin existente entre las impedancias de los accesos uno y
cuatro del anillo hbrido, obteniendo dicha relacin a partir
de la condicin de adaptacin (Ec. 12) y el siguiente
desarrollo.
;
1 4 L L
I = I Ec. 17

Analizando esta ltima ecuacin:

;
1
1
1
1
1
1
4
4
+

=
+

L
L
L
L
X j
X j
X j
X j
Ec. 18
Ahora separaremos la ecuacin anterior en mdulo (Ec.
19-20) y fase (Ec. 21-22), respectivamente, para su mejor
compresin.

;
1
1
1
1
2
4
2
1
2
4
2
4
L
L
L
L
X
X
X
X
+
+
=
+
+
Ec. 19

;
1 4 L L
X X = Ec. 20

( )
( )
( )
( )
;
1
1
1
1
1
*
1
4
*
4
L
L
L
L
X j
X j
X j
X j
+
+
=
+
+
Ec. 21

3
( ) ( )
2
1 4
t
=
l L
X arctg X arctg Ec. 22
Gracias al desarrollo anterior llegamos a la conclusin de
que son impedancias conjugadas entre s.

=
=
1 4
1 1

L L
L L
X j Z
X j Z
Ec. 23

Fig. III. Diseo final del desfasador.
III. SIMULACIONES
A continuacin se podr apreciar la simulacin de los dos
parmetros fundamentales (S11 y S21) de la matriz S
DZO
de
nuestro desfasador (Figura II). Se observar la nulidad de
S11, demostrando as la adaptacin del circuito, a la par que
se distingue la fase de 180 del parmetro S21, necesaria para
la inversin de la seal.

Fig. IV. Parmetro S11 de SDZO.

Fig. V. Parmetro S21 de SDZO.
IV. CONCLUSIONES
Podemos concluir que para lograr el desfase deseado
debemos colocar impedancias reactivas conjugadas en los
accesos del anillo hbrido uno y cuatro, con el fin de
satisfacer todos los requerimientos necesarios para disponer
de un dispositivo completamente adaptado, pasivo, recproco
y sin prdidas.
Para satisfacer el desfase deseado la fase del parmetro
S
21
deber ser 180, hecho que se cumplir si la fase del
coeficiente de reflexin en al carga uno es nulo. Al realizar
las cargas con reactancias puras para crear un desfasador
variable, aumentando su utilidad, incurrimos en la creacin de
una cierta fase no nula por parte de dicho coeficiente de
reflexin, esta fase ser prcticamente despreciable segn
aumentamos la frecuencia, aunque debemos tener presentes
las limitaciones de trabajar a una excesiva frecuencia en el
diseo de componentes.
V. REFERENCIAS
[1] David M. Pozar, Microwave Engineering, 2
nd
.ed., John Wiley &
Sons, 1998.
[2] Peter A. Rizzi, Microwave Engineering Passive Circuits, Prentice-
Hall, 1988.















DESFASADORES BASADOS EN
HBRIDOS DE 180
Salvador Len Martnez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :sleon@amena.es

Resumen- En este documento se va a analizar un
desfasador formado por un circuito hbrido de 180, en
concreto un anillo hbrido con lneas microstrip, con dos
cargas conmutables. Comienza con una breve
descripcin de un circuito desfasador y un circuito
hbrido de 180 para a continuacin realizar un anlisis
terico de dicho desfasador. En l se dan las pautas a
seguir para la obtencin de la matriz de parmetros [S]
adaptada. Se ver el ancho de banda de funcionamiento
junto con una representacin de la respuesta en
frecuencia.
I. INTRODUCCIN
I.1 Desfasador

Un desfasador es un circuito de 2 puertas que introduce
una cierta diferencia de fase entre la seal de entrada y la de
salida, sin introducir prdidas (caso ideal). Su matriz [S]
ideal es la siguiente:

[ ]

0
0
0 d j
d j
Z
e
e
S

Ec. 1

I.2 Hbridos de 180

Un circuito hbrido de 180 (ver figura 1) es un circuito
de 4 puertas que realiza un reparto equitativo de potencia
entre su rama directa y acoplada y en el que existe una
diferencia de fases de 180 entre sus dos ramas directas 1-2 y
4-3. La puerta 4 es la aislada.



Fig. 1. Smbolo de un hbrido de 180

Segn la figura 1 se tienen los siguientes parmetros para
un circuito de cuatro puertas.
( )
21 I
log 20 L : insercin de Prdidas S dB = Ec. 2
( )
31
log 20 C : to Acoplamien S dB = Ec. 3
( )
41
log 20 I : o Aislamient S dB = Ec. 3
( ) ( ) ( ) dB dB
S
S
dB C I log 20 D : ad Directivid
31
41
= = Ec. 5
Debido al reparto de potencia que hace, las prdidas de
insercin (L
I
) y el acoplamiento (C) valen 3dB [1].

La matriz de parmetros S correspondiente a un hbrido
de 180 ideal es:

[ ]


=
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 0 1
0 1 1 0
2
1
0
Z
S Ec. 6

Los hbridos de 180 se pueden realizar con tecnologa
stripline o microstrip . A este grupo pertenece el anillo
hbrido (o rat-race) y el Tapered Coupled Line Hibrid (ver
figura 2).


Fig. 2. Hbridos con tecnologa microstrip: (a) anillo hbrido. (b)
Tapered Coupled Line Hibrid
Otra forma de fabricarlos es mediante guas de onda, en
concreto mediante una T Mgica [1]. cuya forma se puede
ver en la siguiente figura:
1


Fig. 3. T-Mgica
I.3 Desfasadores con hbridos de 180

Se va a utilizar el anillo hbrido de 180 con lneas
microstrip junto con dos cargas de signos contrarios y
conmutables para realizar un desfasador [1]. El esquema de
funcionamiento se puede ver en la siguiente figura:



Fig. 4. Desfasador con hbrido de 180
Para que el anillo hbrido se comporte como tal, se tiene
que cumplir la siguiente condicin:

0 2 1
2 Z Z Z = = Ec. 6

Esta ser la condicin de adaptacin obtenida al igualar
los parmetros de la diagonal de la matriz [S] generalizada
del anillo hbrido. Esta matriz se puede obtener aplicando
simetra [1].
As las cosas, la matriz de parmetros S de un anillo
hbrido completamente adaptado es la siguiente:

[ ]

=
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 0 1
0 1 1 0
2
0
j
S
Z
Ec. 7
Los mdulos de los parmetros ms significativos de este
circuito en funcin de la frecuencia [1] se pueden ver en la
siguiente figura:

Fig. 5. Mdulo de parmetros S en funcin de la frecuencia
II. DESARROLLO
El circuito de la figura 4 se comporta (como ya se ha
dicho) igual que un circuito desfasador de dos puertas. Para
ello, las cargas deben ofrecer un coeficiente de reflexin alto
y un desfase de 180. Las cagas deben tener signo contrario
y slo debe permanecer una conectada al mismo tiempo. Al
entrar la seal por el acceso 2 y teniendo en cuenta el
coeficiente de reflexin en las cargas en el acceso 3 se
obtiene la seal desfasada.
II.1Matriz de parmetros S
Para el clculo de la matriz de parmetros [S] se parte del
anlisis del siguiente circuito:



Fig. 6 Circuito equivalente de un desfasador con anillo hbrido de 180

La matriz resultante deber ser de la forma:
[ ]

=
33 32
23 22
0
S S
S S
S
Z Ec. 8
Aplicando la condicin de adaptacin se debe obtener
una matriz de la forma de la ecuacin 1, dnde la fase
depender de los valores de Z-
II.2 Simulaciones
A continuacin se puede ver la respuesta de un circuito
de este tipo con un anillo hbrido diseado para 35 GHz y
con unas cargas capacitivas equivalentes a 0,001 pF.


Fig. 6. Smbolo de un hbrido de 180
II.3 Ancho de banda
El ancho de banda del circuito vendr determinado por el
del anillo hbrido, el cul est limitado por la frecuencia a la
2

que ha sido diseado. No obstante, el ancho de banda en este
tipo de circuitos suele estar entre el 20% y el 30%.
Una forma de calcular el ancho de banda de un anillo
hbrido es imponer un valor determinado sobre uno de los
parmetros S y ver en la representacin qu valores de dicho
parmetro satisfacen ese valor. En la figura 5 se puede
observar que el ancho de banda (BW) es de 0,2 GHz para
un valor del parmetro |S
14
| de -28dB.

III. CONCLUSIONES
Se ha podido comprobar cmo a partir de un anillo
hbrido cargado con unas impedancias de valor Z se pueden
disear desfasadores. Haciendo combinaciones con otro tipo
de circuitos se pueden construir desfasadores variables,
controlados, etc.
IV. REFERENCIAS
[1] David M. Pozar Microwave Engeneering 2
th
.ed., J ohn Wiley &
Sons, INC.
[2] www.microwave101.comMicrowave Encyclopedia
[3] R. Snchez y otros, Teora de circuitos de microondas. Parmetros
S Servicio de Publicaciones de la UAH, 2004.
[4] http://www.ee.bilkent.edu.tr Electromagnetic Problems
[5] Rizzi, Peter A. Microwave engineering passive circuits
3

DIVISORES DE MICROONDAS CON
LNEAS DE TRANSMISIN.
Javier Moreno Herrera
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :javilolo64@hotmail.com

Resumen- Este documento pretende realizar un estudio
terico del funcionamiento de los divisores de potencia
fabricados con lneas de transmisin. Deduciremos la
matriz de parmetros S descriptiva de cada circuito en
funcin del reparto de potencia deseado en cada puerta y
hablaremos de la condicin de adaptacin, deseable en
todo circuito de microondas. Ayudados de simulaciones
realizadas en el laboratorio veremos el comportamiento
de los circuitos dentro de un rango de frecuencias y
estudiaremos sus limitaciones.
I. INTRODUCCIN
Un divisor de potencia es una red o dispositivo, formado
por tres o ms puertas capaces de repartir la potencia
incidente en una de sus puertas entre las puertas restantes
que forman el divisor, siguiendo una determinada
proporcin.
El dispositivo divisor bsico consta de 3 puertas, lo que
indica que su matriz de parmetros S tiene dimensiones 3x3.
Una de las propiedades fundamentales de las redes de tres
accesos nos indica que si dicha red es recproca, pasiva y sin
prdidas (la potencia inyectada por una de las puertas es la
que debe salir por el resto de puertas del dispositivo), la red
no puede estar completamente adaptada, esto es, no puedo
conseguir que los parmetros de la diagonal principal de la
matriz que caracteriza a la red sean 0 todos a la vez. El
significado fsico de esta consecuencia es que al menos una
de las puertas est desadaptada.
Por este motivo, debemos asegurarnos de que el
generador inyecte potencia en una puerta en la que exista
adaptacin y de esta manera evitar las prdidas por reflexin,
es decir, el generador (de impedancia interna ) debe ver
una impedancia de entrada Zin= al conectarlo al
dispositivo.
0
Z
0
Z
II.1Divisor bsico con lneas de transmisin.
Como hemos dicho con anterioridad, este divisor consta
de 3 accesos, por lo que su matriz de parmetros S (referida
a ) es:
0
Z

[ ]
0
Z
S =

33 32 31
23 22 21
13 12 11
S S S
S S S
S S S


El esquema bsico del divisor es el siguiente:



Fig. 1. Divisor bsico con lneas de transmisin.
Como vemos, el divisor utiliza dos lneas de transmisin
de longitud /4 en paralelo y sin prdidas, con valores de
impedancia caracterstica y y est diseado para
cargas de impedancia . Para cumplir la condicin de
adaptacin en la puerta de entrada hemos de asegurar que la
impedancia vista por el generador sea:
1 C
Z
2 C
Z
0
Z

=
1
Z
1 L
Zin // =
2 L
Zin
( )
0
2
2
2
1 0
2
2
2
1
Z
Z Z Z
Z Z
C C
C C
=
+

Ec. 1
Donde, y gracias a los transformadores /4:

0
2
1
1
Z
Z
Zin
C
L
=
Ec. 2

0
2
2
2
Z
Z
Zin
C
L
=
Ec. 3
De esta manera aseguramos que = 0 y por tanto no
hay prdidas por reflexin en la puerta de entrada.
11
S
La condicin de diseo que nos queda pendiente es el
reparto de potencia necesario en las puertas de salida. Dicho
reparto queda definido en la siguiente ecuacin:

3
2
2
P K P = Ec. 4

Donde es la potencia que viaja a la puerta 2 y la
que lo hace hacia la puerta 3. Segn Ec. 4, si K = 1 tenemos
2
P
3
P
1

que = y el reparto resulta ser equitativo. Vemos por
tanto que la variacin del parmetro K es la que nos va a
permitir obtener el reparto de potencia deseado.
2
P
3
P
La potencia proveniente del generador y que incide a la
entrada de cada transformador /4 es:
INLi
i
Z
V
P
2
1
=
Ec. 5
Donde el subndice i es 2 o 3 en funcin de la puerta de
salida. La tensin es la misma a la entrada de ambos
transformadores ya que estn en paralelo y es la que
suministra el generador. Al ser lneas sin prdidas, la
potencia neta que incide a la entrada de cada transformador
tambin aparece en la carga. Lo explicado con anterioridad
se expone en la siguiente figura:
1
V


Fig. 2. Funcionamiento del divisor bsico con lneas de transmisin.
Las potencias netas y a la entrada de los
transformadores /4 inciden finalmente sobre las cargas en
las puertas 2 y 3 al no presentar dichas lneas prdidas y se
obtienen por tanto de igual manera que en la Ec. 5.
2
P
3
P
De la EC. 5 junto con las Ec. 2, 3 y 4 se obtiene, que:
3
2
0
2
1
2
1
2
P K Z
Z
V
P
C
= =

0
2 2
1
2
1
0
2
2
2
1
3
Z
K Z
V
Z
Z
V
P
C C

= =

Despejando finalmente:
Ec. 6
1 2 C C
Z K Z =
Para conseguir tener y en funcin del reparto de
potencia deseado hemos de sustituir en la ecuacin que nos da
el paralelo (EC. 1). Obteniendo en este caso el siguiente par de
valores:
1 C
Z
2 C
Z
2 C
Z

K
Z K
Z
C
0
2
1
1 +
=
Ec. 7
0
2
2
1 Z K Z
C
+ = Ec. 8
Donde Ec. 8 se obtiene sustituyendo Ec. 7 en Ec. 6.
Tericamente, el valor de K puede ser cualquiera para
cumplir el reparto de potencia deseado, pero en el caso
de , si K es muy pequeo implica que la impedancia a
la que da lugar es muy grande. Si trabajamos en lnea
strip, se necesitar una lnea muy delgada y no siempre
podr realizarse fsicamente (no hay que olvidar que
es funcin de la anchura de la lnea). Por tanto, existe una
limitacin en el reparto de potencia en funcin de la
mnima realizable.
1 C
Z
c
Z
1 C
Z
Para un reparto equitativo de potencia K = 1, se tiene
que:
= =
1 C
Z
2 C
Z 2
0
Z
Por otro lado, si K=0 y entonces 0
2
= P 1
3
= P
necesariamente. En este caso se pierde completamente la
funcin de divisor de potencia.
Para determinar el resto de parmetros de la diagonal
principal es necesario cerrar las puertas 1 y 3 con
para el clculo de y las puertas 1 y 2 para determinar
. Dicho clculo se realiza de anlogamente al clculo
de , y se obtienen los siguientes valores:
0
Z
22
S
33
S
11
S
2 22
1
1
K
S
+
=
Ec. 9
2
2
33
1 K
K
S
+
=
Ec. 10
De estas expresiones se deduce que las puertas 2 y 3
siempre estn desadaptadas. Si K=0, toda la potencia va
hacia una puerta (no hay divisin de potencia) y si k=1
tenemos que = =1/2, que corresponde al reparto
equitativo.
22
S
33
S
Para el resto de parmetros que forman la matriz es
necesario recurrir a la definicin de los parmetros S,
obteniendo los siguientes resultados:
) 1 )( 1 (
1 1 (
2 2
2 2
21
+ + +
+ + +
=
K K K
K K K K
j S
Ec.11

) 1 )( 1 1 (
1 1 (
2 2
2 2
31
+ + +
+ + +
=
K K
K K
j S
Ec. 12
Debido a la reciprocidad del circuito
12 21
S S = y
13 31
S S = . Por ltimo el parmetro que ser
distinto de 0 para todo valor de K, es decir, no existe
aislamiento entre salidas.
23 32
S S =
( ) [ ]
( )( ) ( ) [ ] 2 1 1 1 1
2 1 2 3
2 2 3 2 2
2 3 2 2 3 4
32
+ + + + + + +
+ + + + + + + + +
=
K K K K K K
K K K K K K K K K
S
Ec. 13
II.2 Simulaciones.
En este apartado se pretende ilustrar lo explicado en el
punto anterior mediante la simulacin del comportamiento
del divisor para un reparto determinado. Veremos el valor de
la matriz correspondiente a dicho reparto.
Uno de los casos ms habituales es querer hacer un
reparto equitativo de potencia. En ese caso, el valor de K
2

segn la Ec. 4 es 1 y la matriz de parmetros correspondiente
resulta ser:
[ ]




=
1 1 2
1 1 2
2 2 0
2
1
0
j
j
j j
S
Z

En dicha matriz, correspondiente al divisor de 3 dB, se
aprecia el retardo que sufre la seal al pasar por los
transformadores /4 y el inexistente aislamiento entre las
puertas de salida. Para la simulacin correspondiente
supondremos una , por lo que tenemos para
y , segn Ec. 7 y 8:
50
0
= Z
1 c
Z
2 c
Z
= = 2 50
2 1 c c
Z Z
El diseo se har para una frecuencia de 600 MHz
(colocaremos un marcador a dicha frecuencia). Se obtiene el
siguiente resultado para los parmetros de la diagonal
principal:

Fig. 3. Grfica de mdulos. Frecuencia en MHz.

Fig. 4. Grfica de fase (en grados). Frecuencia en MHz.
En Fig. 3 vemos que el mdulo del parmetro es 0 a
600 MHz, no siendo as su fase, segn muestra Fig. 4.
11
S
Representamos a continuacin los parmetros que nos
dan las prdidas de insercin y el aislamiento entre salidas:

Fig. 5. Grfica de mdulos. Frecuencia en MHz.
Se cumple en este caso que tenemos 3 dB menos de
potencia en cada puerta de salida con respecto a la de entrada
(reparto equitativo) y el aislamiento es el mayor posible a la
frecuencia de diseo.

Fig. 6. Grfica de fase (en grados). Frecuencia en MHz.
Vemos que hay un desfase entre la puerta de entrada y las
de salida de 90 y que el desfase que sufre una seal que viaja
desde la puerta 2 a la 3 o viceversa es de 180, segn indica
el signo de la Ec. 13.
La respuesta del circuito es peridica, es decir, el
comportamiento se repite para mltiplos impares de la
frecuencia de trabajo, debido a que estamos trabajando con
lneas de transmisin.
Si observamos las grficas obtenidas, y en concreto el
parmetro que muestra la adaptacin de la puerta de
entrada, vemos que el ancho de banda del dispositivo en el
que se puede considerar que el comportamiento es ideal
resulta ser reducido, por tanto este divisor es de banda
estrecha. No hay que olvidar que en la simulacin anterior
no hemos tenido en cuenta los efectos de la no idealidad del
dispositivo en estudio (prdidas asociadas), por lo que este
valor resulta ser an ms reducido en la realidad.
11
S
El mdulo al cuadrado de los parmetros fuera de la
diagonal es la ganancia en potencia que se obtiene:
2
1 2
21
= S

1 1
2
21 2
2
1
P P S P = =

2
1 2
31
= S

1 1
2
31 3
2
1
P P S P = =

En el apartado anterior se ha realizado un diseo para un
reparto equitativo de potencia pero podra haberse realizado
un diseo para un reparto diferente, determinando primero K
en la Ec. 4 y obteniendo posteriormente y con las
Ec. 7 y 8. Por ejemplo, para que la puerta 2 reciba 1/3 de la
potencia inyectada en la puerta 1 y la puerta 3, 2/3 de la
misma se necesita que:
1 C
Z
2 C
Z

2 / 1 ) 2 / 1 (
) 3 / 2 (
) 3 / 1 (
2
3 2
1 3
1 2
= =

=
=
K P P
P P
P P


Con esto se obtiene:


=
+
= 6 . 86
1
0
2
1
Z
K
K
Z
C

= + = 23 . 61 1
2
0 2
K Z Z
C


La matriz resultante tras la simulacin es:

=



00035 . 0 180 90
180 00036 . 0 90
90 90 827 . 5
333 . 0 471 . 0 816 . 0
471 . 0 667 . 0 577 . 0
816 . 0 577 . 0 0002 . 0
S

3



Fig. 7. Grfica de mdulos en dB. Frecuencia en MHz.

Donde se aprecia en la matriz que la puerta de entrada
sigue estando adaptada ( ). En Fig. 7 vemos la
variacin en los mdulos de los parmetros y en
funcin del reparto deseado y la frecuencia, permaneciendo
inalteradas las fases.
0
11
S
21
S
31
S
II. 2 Variaciones para divisores equilibrados.

El siguiente circuito es una alternativa al anterior si se
quieren conseguir repartos equitativos exclusivamente.


Fig. 8. Divisor equilibrado.
Donde Z para el primer transformador /4 es:
2
0
Z
Z =
Ec. 14
La longitud de las lneas en las terminaciones puede ser
cualquiera, pero interesa que sean de longitud ms corta
posible para minimizar las prdidas. Solamente tiene un
parmetro de diseo, el valor con el que conseguimos
adaptar la puerta de entrada.
0
Z
Para mejorar el comportamiento en frecuencia, es decir,
conseguir una buena adaptacin de la puerta de entrada en
un margen ms amplio de frecuencias, se encadenan varios
transformadores /4. Realizaremos un ejemplo con N=3
secciones, buscando una respuesta mximamente plana del
circuito lo cual se consigue con un transformador binmico
como a la entrada del divisor como la siguiente figura:

Fig. 9. Divisor equilibrado con transformador binmico.
En primer lugar se obtienen los coeficientes de reflexin
de las discontinuidades:

=

i
N
N
L i
2
Ec. 15
En nuesto ejemplo
2
0
Z
Z
L
=
y = 50
0
Z por tanto:
;
3
1
=
L

24
1
3
=
;
8
1
2
=


;
8
1
1
=

24
1
0
=

Por otro lado, con la siguiente expresin deducimos la
impedancia de cada transformador:
1
1
1
1
1

+

=
N
N
N N
Z Z
Ec. 16
Con los datos obtenidos con anterioridad:
= 174 . 27
3
Z = 94 . 34
2
Z
= 92 . 44
1
Z = 83 . 48
0
Z
En la simulacin se obtiene:

Fig. 10. Grfica de mdulos. Frecuencia en MHz.

Se observa la clara diferencia con el parmetro de la
Fig. 3 en torno a la frecuencia de trabajo (600 MHz) y la
igualdad existente con los parmetros y de Fig. 5
que marcan la transferencia de potencia. Puesto que no
llega a ser cero, se sacrifica la adaptacin perfecta y el
lmite de ancho de banda lo marca el valor mximo que
permita la aplicacin en cuestin para el mdulo de .
11
S
21
S
31
S
11
S
11
S
III. CONCLUSIONES
Los resultados obtenidos en las simulaciones nos indican
la aptitud de estos circuitos trabajando como divisores de
potencia. Indicar que en las simulaciones no se han tenido en
cuenta los efectos de la no idealidad de los circuitos
empleados (prdidas). En todos ellos slo hay adaptacin en
la puerta 1, no existe aislamiento entre las puertas 2 y 3, los
valores de reparto realizables estn limitados por las
impedancias fsicamente realizables.
III. REFERENCIAS
Bibliografa de consulta recomendada:
- Microwave Engineering. D. Pozar. Artech House.
- Microwave Engineering. Passive Circuits. Peter A. Rizzi.
Prentice Hall.
4

1
DIVISORES DE BANDA ANCHA CON
LNEAS DE TRANSMISIN
Elena Delgado Hita
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : edh13454@alu.uah.es

Resumen- En este trabajo se presentan la descripcin y
esquemas tpicos de divisores de banda ancha realizados
con lneas de transmisin, as como un anlisis del
nmero de secciones en funcin del ancho de banda, ya
sea un transformador binmico o de Chebychev. En el
apartado de resultados se muestran simulaciones para
estos dos tipos de transformadores.

I. INTRODUCCIN
Un divisor es una red muy utilizada en muchas
aplicaciones de microondas donde es necesario repartir la
potencia de entrada entre varias ramas. Este dispositivo
requiere tres o ms puertas [1].
A la hora de hacer un divisor de potencia con lneas de
transmisin se puede utilizar una nica seccin /4 o
transformadores /4 de mltiples secciones (transformadores
de cuarto de onda conectados en cascada). Con la segunda
opcin obtenemos un ancho de banda mayor necesario en
muchas aplicaciones de microondas, como por ejemplo en
radiocomunicacin [1]. Este tipo de transformador presenta
una variacin suave de las impedancias caractersticas de las
lneas.
En un divisor con lneas de transmisin como el de la
figura 1 se cumple la relacin

3
2
2
P K P = Ec. 1
, cuando K=1 se dice que el divisor es equilibrado, esto es
porque la potencia entrante se reparte entre las puertas 2 y 3
por igual.

Fig. 1. Divisor de banda estrecha con lneas de transmisin.
Extrado de [1].
Los divisores que nicamente estn hechos con lneas de
transmisin ideales, al no tener ningn componente activo y
tampoco tener prdidas, no pueden estar completamente
adaptados. Por ello recurrimos a adaptar la puerta de entrada
(Z
1
= Z
0
).
Para un divisor equilibrado con una Z
0
= 50 como

K
Z K
Z
C
0
2
1
1 +
=
Ec. 2

0
2
2
1 Z K Z
C
+ =
Ec. 3

entonces Z
C1
= Z
C2
= 50 (2) .
Se observa, en las figuras 2 y 3, que estos
transformadores son de banda estrecha, y en concreto se han
diseado para una frecuencia de resonancia de 1 GHz. Esto
se puede apreciar en todos los parmetros pero
especialmente se observa en el coeficiente de reflexin (S11
se anula a la frecuencia de resonancia) y, aunque no tan
claramente, para el aislamiento, S23 es un mnimo.




Fig. 2. Divisor equilibrado, parmetros S11, S22 y S33 (estos dos
ltimos superpuestos)

2


Fig. 3. Divisor equilibrado, parmetros S21, S31 y S23 (coinciden
los dos primeros)

Se puede consultar la matriz de parmetros S de un
divisor en funcin de K para la frecuencia de resonancia en
[1]. Como se ha explicado anteriormente, el nico parmetro
nulo es el S11 debido a que solamente la puerta de entrada
est adaptada y a que en este tipo de transformadores no hay
aislamiento, lo que supone un importante inconveniente.
A partir de la Teora aproximada de pequeas reflexiones
[1] se disean fcilmente transformadores de mltiples
secciones, transformadores de banda ancha como son el
binmico, y el de Chebychev.
Esta teora est basada en la incidencia, reflexin y
transmisin de ondas de tensin en planos de acceso. El
coeficiente de reflexin a la entrada es

=
N
i
i j
i IN
e
0
2
, i = 1, 2, 3N Ec. 4
siendo i la longitud elctrica de la lnea y
i
el coeficiente
de reflexin parcial de la discontinuidad i-sima. En nuestro
caso las lneas que nos interesan son de cuarto de onda,
i=90.


Fig. 4. Transformador /4 de mltiples secciones.
II. DESARROLLO
Cuando adaptamos la entrada de un divisor de banda
estrecha con un transformador de banda ancha (como son el
binmico y el de Chebychev) obtenemos una respuesta en
frecuencia menos selectiva y, por lo tanto, un mayor ancho
de banda que en muchas aplicaciones es un requisito
fundamental.

Fig. 5. Divisor de banda ancha con lneas de transmisin.


A continuacin se exponen las diferencias entre el uso de
transformadores binmicos o de Chebychev.

II.1Divisor con Trasformador Binmico
Este trasformador proporciona en la frecuencia de diseo
una respuesta mximamente plana.
Los coeficientes de reflexin de las discontinuidades
valen

=

i
N
N
L i
2
Ec. 5
y cumplen las propiedades de simetra:
i N i
= Ec. 6
Las impedancias caractersticas de las lneas se obtienen
de la forma:
i
i
i i
Z Z
+

=
+
1
1
1
Ec. 7
Desarrollando este mtodo (aproximacin de pequeas
reflexiones) Z
0
no coincide con la impedancia de partida, se
pueden obtener mejores resultados empleando:

+
0
1
ln 2 ln
Z
Z
i
N
Z
Z
L N
i
i
Ec. 8

Para hallar el ancho de banda de manera terica [1] se
emplean las siguientes frmulas:

( )
M L
M
cos = Ec. 9

N
L
M
f
f
1
0
arccos
4
2

Ec. 10
siendo
M
la longitud elctrica para un valor mximo
tolerable del coeficiente de reflexin a la entrada (||
M
), N el
nmero de secciones y f/f
0
el ancho de banda relativo de
adaptacin.

La figura 6 muestra la dependencia del ancho de banda de
adaptacin con respecto a la relacin ||
M
/|
L
|, el ancho de
banda es mayor cuanto mayor sea el nmero de secciones.








3
f/f
0









||
M
/|
L
|
Fig.6. Ancho de banda relativo del transformador binmico.

II.3 Transformador de Chebychev

Con el transformador de Chebychev se obtiene una
respuesta en frecuencia con un rizado constante en la banda
de paso.
La representacin del coeficiente de reflexin a la entrada
(
IN
) con la frecuencia tiene la misma forma que los
polinomios de Chebychev de orden N, de ah el nombre de
este transformador. En nuestro caso N es nmero de
secciones del transformador y de manera grfica se reconoce
porque es la cantidad de mnimos de la banda de rizado que
presentan, por ejemplo, los parmetros S11 y S23 con
respecto a la frecuencia. Esto se puede comprobar en la
figuras 10 y 11, en el apartado de resultados.
El valor del coeficiente de reflexin a la entrada para un
nmero de secciones impar es:
( ) [ ]

+ =

1
2
0
2 /
2
1
2 cos 2
N
i
N i
jN
IN
i N e
Ec. 11
si N es par:
( ) [ ]

2
1
0
2 cos 2
N
i
i
jN
IN
i N e
Ec. 12
Las impedancias caractersticas de las lneas se pueden
hallar, al igual que en el caso de transformadores binmicos,
con la ecuacin 7 pero se obtiene un resultado ms preciso
utilizando la ecuacin aproximada:


+
i
i
i
Z
Z
1
ln
2
1
Ec. 13
Para hallar el ancho de banda se pueden utilizar las
frmulas:


=
M
L
M
Z
R
N 2
ln
arccos
1
cos ) sec(
0

Ec. 14

M
f
f 2
1 2
0
Ec. 15
La forma ms sencilla de determinar el mnimo nmero
de secciones en funcin del ancho de banda relativo y de la
relacin ||
M
/|
L
| es mediante la figura 7.
Al igual que en el transformador binmico el ancho de
banda aumenta con el nmero de secciones.
Si comparamos las figuras 6 y 7 observamos que con
igual nmero de secciones obtenemos mayor ancho de banda
con un transformador de Chebychev que con uno binmico.


f/f
0









||
M
/|
L
|
Fig.7. Ancho de banda relativo del transformador de Chebychev.


III. RESULTADOS
Hallando las impedancias caractersticas de las lneas
mediante la ecuacin 8 se ha simulado el coeficiente de
reflexin a la entrada de un divisor con transformador
binmico (figura 8). El transformador adapta una
impedancia de 50 a una de 25 para una frecuencia de
resonancia de 1 GHz y las impedancias caractersticas del
divisor valen 50. Si suponemos un valor mximo tolerable
del coeficiente de reflexin a la entrada (||
M
) de 0.133 para
2, 3 y 4 secciones obtenemos grficamente un ancho de
banda aproximado de 840, 1040 y 1160 MHz
respectivamente.




Fig. 8. Parmetro S11 de un divisor con transformador binmico
realizado con 2, 3 y 4 secciones.



4
La representacin del parmetro S23 (aislamiento) se
muestra en la figura 9:



Fig. 9. Parmetro S11 de un divisor con transformador binmico
realizado con 2, 3 y 4 secciones.
Cambiando el valor de las impedancias caractersticas de
la simulacin anterior operando y utilizando la ecuacin 13,
se obtienen las simulaciones de un divisor con transformador
de Chebychev.
Para un valor mximo tolerable del coeficiente de
reflexin a la entrada de 0.133 obtenemos un ancho de banda
aproximado de 940, 1260 y 1380 MHz para 2, 3 y 4
secciones respectivamente.




Fig.10. Parmetro S11 de un divisor con transformador de
Chebychev realizado con 2, 3 y 4 secciones.

La representacin en decibelios del parmetro S23 de un
divisor con transformador de Chebychev es la siguiente:


Fig. 11. Parmetro S23 de un divisor con transformador de
Chebychev realizado con 2, 3 y 4 secciones.
IV. CONCLUSIONES
En este trabajo se ha mostrado la variacin de distintos
parmetros de divisores de banda ancha realizados con lneas
de transmisin en funcin de la frecuencia y del nmero de
secciones. A la vista de los resultados obtenidos se observa
que a mayor nmero de secciones en el transformador el
ancho de banda es tambin ms grande.
As mismo comprobamos que para un mismo ancho de
banda, en las mismas condiciones, un transformador
binmico requiere ms secciones que uno de Chebychev,
esto acarrea el inconveniente de necesitar ms componentes
y un mayor tamao del divisor.
V. REFERENCIAS

[1] Rafael Boloix Tortosa, Elementos acopladores, hbridos y divisores de
potencia, http://www.personal.us.es/rboloix/pub_mic/mic1.pdf
[2] Valentn Trainotti, Instituto de investigaciones cientficas y tcnicas de
las fuerzas armadas CITEFA,
http://www.fi.uba.ar/materias/6654/download/Metodo%20de%20Medi
ci%F3n%20de%20tres%20antenas.pdf
[3] Pablo L. Lpez Esp,
http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/apuntes/Tema2_3p_lin
.pdf
[4] J. Alpuente Hermosilla, M. P. Jarabo Amores, P. L. Lpez Esp y J. A.
Pamies Guerrero, Lneas de transmisin y redes de adaptacin en
circuitos de microondas, ed. Universidad de Alcal, 2001
[5] R. Snchez Montero, P. L. Lpez Esp y J. Alpuente Hermosilla,
Microondas prcticas.ed. Universidad de Alcal, 2004.



1
DIVISORES DE BANDA ANCHA CON
LINEAS DE TRANSMISION
Juan Alcoceba Venegas
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : juanalco@hotmail.com

Resumen. En este documento estudiaremos un divisor de
potencia con lneas de transmisin 4 al que le hemos
aplicado un transformador binmico para seleccionar el
ancho de banda de uso. Tambin estudiaremos como
afecta la cantidad de secciones de lneas de transmisin al
dicho ancho de banda y las impedancias caractersticas
que deben tener dichas lneas para obtener la respuesta
deseada.
I. INTRODUCCIN
Por definicin un divisor es una red de tres o ms puertas
que permite repartir la potencia de la seal incidente por una
de las puertas entre las otras puertas siguiendo una
determinada proporcin. En nuestro caso estudiaremos un
divisor de tres puertas y observaremos de que depende dicho
reparto para as conseguir optimizar nuestro divisor.

Fig. 1. Esquema del divisor de banda ancha con transformador
binmico de N secciones.
II. DESARROLLO
Para una mejor comprensin dividiremos nuestro estudio
en dos partes, una en la que estudiaremos la parte encargada
de dividir la potencia que seria el divisor en si y otra parte
que se encargara de adaptar las impedancias y el ancho de
banda de nuestro divisor mediante un transformador que
puede ser binmico o de Chebychev.
II.1 Divisor
Como ya hemos mencionado el divisor reparte la
potencia entrante por una puerta entre el resto de puertas,
nosotros tomaremos un divisor de tres puertas 1:2, una
puerta de entrada (1) y dos puertas de salida (2 y 3) como el
que muestra la figura siguiente.

Fig. 2. Esquema del divisor de potencia.
Podemos poner la relacin entre la potencia saliente por
la puerta P2 y la potencia saliente por la puerta P3 como:
3 2
2
P K P = Ec. 1
Donde K es una cte. que nos da la proporcionalidad de
potencia entre P2 y P3. Si tomamos el circuito sin perdidas
tendremos la ecuacin:
3 2 1 P P P + = Ec. 2
Despejando de las ecuaciones 1 y 2 obtenemos las
relaciones de la potencia saliente respecto a la potencia
entrante y a la cte. de proporcionalidad:
2
2
1
1
2
K
K P
P
+

= Ec. 3
2
1
1
3
K
P
P
+
= Ec. 4
Si adems tenemos en cuenta las relaciones:
1
2
1
2
INL
Z
V
P = Ec. 5
2
2
1
3
INL
Z
V
P = Ec. 6
Teniendo en cuenta la ecuacin 1 podemos hallar la
relacin de las impedancias de entrada a las lneas respecto
de a la cte. K:

2
2
2
1 INL INL
Z K Z = Ec. 7
Podemos hallar las impedancias caractersticas de cada
una de las lneas de transmisin de las puertas de salida con
las formulas:
K
Z K
Z
CP
0
2
2
1 +
= Ec. 8
0
2
3
1 Z K Z
CP
+ = Ec. 9
En nuestro caso como tomaremos un divisor equilibrado,
es decir K=1, obtendremos:
2
0 3 2
= = Z Z Z
CP CP
Ec. 10
Simulando dicho divisor en MMICAD obtenemos las
siguiente grafica donde se puede observar tanto la
representacin del aislamiento (S23) que es mximo a nuestra
frecuencia deseada como la potencia de salida por cada
puerta (S21 y S31), estos dos ltimos estn superpuestos
debido a que al ser K=1 se reparte por igual la potencia
entrante.

Fig. 3. Representacin de los parmetros S21 S31 y S23 del divisor.
II.2 Trasformador binmico
En nuestro estudio el transformador binmico ser el
encargado de adaptar las impedancias y el ancho de banda de
nuestro divisor, dicho transformador proporciona una
caracterstica de mxima planicidad del coeficiente de
reflexin en la banda de paso alrededor de las frecuencias de
diseo. Si utilizramos el transformador de Chebychev en
lugar de una respuesta mximamente plana obtendramos un
rizado entorno a la frecuencia deseada.
II.2.1 Adaptacin de impedancias
La adaptacin se realiza con lneas de transmisin de
longitud 4 y la cantidad de dichas lneas es directamente
proporcional al aumento del ancho de banda y a la
planicidad del coeficiente de reflexin entorno a la
frecuencia de diseo. Para calcular la longitud de los tramos
4 usaremos la formula:
4 4
= =
f
v
d

Ec. 11
Para calcular las impedancias caractersticas de las lneas
de transmisin debemos calcular antes los coeficientes de
reflexin de las discontinuidades, para lo cual utilizaremos la
siguiente formula:

=

i
N
N
L i
2 Ec. 12
Donde N es el nmero de secciones de longitud 4
utilizadas. Tambin debemos tener en cuenta que el
coeficiente de reflexin
L
es:
0
0
Z Z
Z Z
L
L
L
+

= Ec. 13
Una vez obtenidos los valores de los coeficientes de
reflexin de las discontinuidades obtendremos las
impedancias caractersticas de las lneas con las siguientes
formulas:
N
N
L N
Z Z
+

=
1
1
Ec. 14

1
1
1
1
1

+

=
N
N
N N
Z Z Ec. 15
Estos resultados constituyen una solucin aproximada al
problema de adaptacin con transformadores 4 de
mltiples secciones ya que se ha e utilizado una expresin
aproximada de
IN
resultado de aplicar la teora de
pequeas reflexiones, debido a esto el valor de
0
Z obtenido
no coincidir con el dato de partida. Puede obtenerse un
mtodo de calculo mas consistente con los datos de partida
(
0
Z y
L
Z ), teniendo en cuenta que N i
i
,.., 1 , 0 , 1 = << ,
los valores de
i
pueden aproximarse como:

=
+
+
+
i
i
i i
i i
i
Z
Z
Z Z
Z Z
1
1
1
ln
2
1
Ec. 16
Donde hemos aplicado la aproximacin:
1
) 1 ( 2
) ln(
+

=
x
x
x Ec. 17



Sustituyendo los valores de
i
y posteriormente el de
L
en la (Ec. 16) obtenemos:

3

=

i
N
Z Z
Z Z
N
L
L
i
2 2 2
0
0
Ec. 18
Aplicando de nuevo la aproximacin (Ec. 17):
N i
Z
Z
i
N
L N
i
,., 2 , 1 , ln 2 2
0
=



Ec. 19
Combinando la (Ec. 16) y la (Ec. 19) obtenemos:
N i
Z
Z
i
N
Z
Z
L N
i
i
,., 2 , 1 , ln 2 ln
0
1
=

+
Ec. 20
Esta expresin tambin se trata de una pero esta es mas
exacta que la anterior, si necesitramos obtener los valores
exactos deberamos aplicar las ecuaciones de las lneas de
transmisin que constituyen las distintas secciones del
transformador.
II.2.2 Ancho de banda de adaptacin
Como se puede observar de la siguiente expresin el
ancho de banda de adaptacin depende del nmero de
secciones.

=
N
i
i j
i IN
e
0
2
Ec. 21
Estudiando la ecuacin anterior tambin nos damos
cuenta de que la funcin
IN
es una funcin peridica de
periodo = , por lo que tambin son peridicas y de
mismo periodo las impedancias de cada tramo de lnea.
Si
M
es el valor mximo tolerable del coeficiente de
reflexin a la entrada y d
M M
= es la longitud elctrica
de las secciones a la frecuencia
M
f a la que
M
IN
= ,
ambos valores estn relacionados mediante la expresin:
( ) ( )
N
M
N
M
A cos 2 = Ec. 22
Tomando:
L
N
A =

2 Ec. 23
Y despejando
M
obtenemos:

=
N
L
M
M
1
arccos Ec. 24
Y podemos calcular el ancho de banda relativo de la
adaptacin como:

N
L
M
f
f
1
0
arccos
4
2

Ec. 25
Aplicando de nuevo la aproximacin:
L
L
L L
Z R
Z R
Z
R
=
+

2 2 ln
0
0
0
Ec. 26
Expresamos el ancho de banda relativo como:

N
L
M
Z
R
f
f
1
0
0
ln
2
arccos
4
2

Ec. 27
Representando [Ec. 25] obtenemos la siguiente grafica:

Fig. 4. Ancho de banda relativo del transformador binmico para N
secciones. [2]
De la grafica anterior o con las expresiones anteriores
conociendo el ancho de banda y la relacin
L
M

que
deseamos podemos obtener el nmero de secciones
necesarias para realizar el transformador binmico con las
respuestas deseadas.
II.4 Ejemplo
Dado un divisor de potencia 1:2 de valor K=1 e
impedancia = = 50
0 L
Z Z con transformadores
binmicos de 3 segmentos para adaptar las impedancias. Si
el valor mximo del modulo del coeficiente de reflexin a la
entrada de dicho transformador es 0.05. Calcular los
coeficientes de reflexin, las impedancias caractersticas de
cada tramo de lnea y el ancho de banda relativo de la red de
adaptacin.


4
Debido a que K=1 la potencia se reparte por igual entre
ambas puertas, en nuestro caso como vamos a adaptar la
entrada mediante un transformador binmico no es necesario
adaptar las puertas de salida son la lneas de transmisin por
lo que:
= = = 50
0 3 2
Z Z Z
CP CP

Ahora calcularemos los coeficientes de reflexin de las
lneas de transmisin que forman el transformador binmico
teniendo en cuenta que a la salida de dicho transformador se
debe ver una impedancia de
2
0
Z
a la que llamaremos
L
Z .
3
1
50 25
50 25
0
0
=
+

=
+

=
Z Z
Z Z
L
L
L

24
1
8
1
8
1
24
1
2
3
2
1
0
=
=
=
=

=

i
N
N
L i

Y con estos coeficientes obtenemos las impedancias
caractersticas de las lneas de transmisin con la formula:
=
=
=
=

+

=

8262 . 48
9201 . 44
9379 . 34
1739 . 27
1
1
0
1
2
3
1
1
1
Z
Z
Z
Z
Z Z
N
N
N N

Como se puede observar el valor de
0
Z no es el que
queramos, as que utilizaremos la siguiente formula para
optimizar dichas impedancias donde = 50
0
Z :

+
0
1
ln 2 ln
Z
Z
i
N
Z
Z
L N
i
i

=
=
3564 . 35
8502 . 45
2
1
Z
Z

=
=
0016 . 25
2643 . 27
3
L
Z
Z

Observamos que con esta optimizacin si tenemos los
valores deseados de
0
Z y
L
Z .
Para calcular el ancho de banda relativo de la red de
adaptacin aplicamos la siguiente formula:
7132 . 0 arccos
4
2
1
0
=

N
L
M
f
f







Simulando el ejercicio anterior en MMICAD obtenemos
las siguientes graficas.

Fig. 5. Representacin del modulo del coeficiente de reflexin.
En la anterior figura se puede observar que el ancho de
banda es de unos 0.8 GHz, que la respuesta es mximamente
plana entorno a la frecuencia deseada y que esta respuesta se
repite peridicamente a mltiplos impares de 1 GHz.
Tambin se observa que el modulo del coeficiente de
reflexin es mximo a mltiplos pares de 1 GHz.
Fig. 6. Representacin del modulo del coeficiente de reflexin.
En la figura anterior se puede apreciar como el
transformador ha incrementado el ancho de banda relativo.
III. CONCLUSIONES
En este estudio hemos podido observar como dependen
tanto las impedancias como la potencia de la constante de
proporcionalidad K. Tambin hemos comprobado como
aumenta el ancho de banda cuantas mas secciones de lneas
de transmisin tenga el transformador binmico y la simetra
de los coeficientes reflexin en dicho transformador.
IV. REFERENCIAS
[1] P.L. Lpez Esp, J. Alpuente Hermosilla y otros, Lneas de
Transmisin y Redes de Adaptacin en Circuitos de Microondas,
Alcal de Henares, Madrid, Espaa: Servicio de Publicaciones de la
Universidad de Alcal, 2001.
[2] P.L. Lpez Esp, Adaptacin de banda ancha con transformadores,
Alcal de Henares, Madrid, Espaa,
http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mt/apuntes/banda_ancha.p
df

1
DIVISORES RESISTIVOS
Enrique Gonzlez Maceiras
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :tespias@hotmail.com


Un divisor resistivo es un circuito formado por
elementos pasivos, resistencias, que permite un reparto
ecunime entre cada una de sus puertas de salida de la
potencia introducida a la entrada. Como veremos a lo
largo de la siguiente exposicin, este circuito tiene una
serie de limitaciones. El modelo terico para el circuito
ideal ya tiene sus inconvenientes (consumo de potencia),
y el real no hace si no agravar estos, introduciendo las
limitaciones propias de todo componente real,
comportamiento no ideal de los elementos resistivos
(efectos parsitos), discontinuidades, etc.

I. INTRODUCCIN
El divisor resistivo es una red reciproca, ya que es pasiva,
solo contiene materiales istropos que influyan en la seal
transmitida. Todos los divisores y combinadores son redes
reciprocas, con lo que
ji ij
S S = , es decir, la matriz de
parmetros S es igual a su transpuesta. Una propiedad
fundamental de este tipo de redes es que no pueden ser
simultneamente reciprocas, libres de perdidas y adaptadas.
En nuestro caso presentamos una red adaptada, por lo que
necesariamente no podr estar libre de prdidas. Una red con
prdidas es una en la cual la suma de las potencias incidentes
en todos los puertos es mayor que la suma de las potencias
de salida en todos los puertos. Por lo tanto disipa potencia.
En este caso

2 2
n n
b a , y por consiguiente
( ) ( ) ( ) 0 1
*
S S .
A continuacin se presenta un divisor resistivo genrico:



Fig. 1. Divisor resistivo de N puertas.


El comportamiento de todo circuito de microondas queda
definido por la matriz de parmetros S. Como sabemos, un
divisor resistivo se caracteriza por repartir la potencia que se
le inyecta por la entrada de forma equitativa a costa de
introducir prdidas debidas a los elementos resistivos.
Adems, y como hemos explicado, el circuito esta adaptado,
por lo que la diagonal principal sern todo 0s. Debido a
todo esto, es fcil suponer que un divisor resistivo genrico
con N puertas tendr una matriz de parmetros S ideal de la
siguiente forma:

[ ] ( )

=
0 1 1 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
0
L
M O M M M
L
L
L
N f S
Z
Ec. 1

Como se observa, la matriz esta compuesta por todo
1s excepto la diagonal principal, todo 0s. Esta diagonal
representa una ganancia de retorno nula, o lo que es lo
mismo, unas prdidas de retorno infinita, debido a la
idealidad de la red y la adaptacin de la misma no hay onda
reflejada. Los 1s del resto de la matriz nos informan del
reparto equitativo de potencia,, y el trmino que multiplica la
matriz, f(N) de la fraccin de potencia que pasa a cada
puerta, dependiendo dicha fraccin del nmero de puertas.
Debido al consumo de potencia que existe en las
resistencias, no toda la potencia inyectada a la entrada se
reparte por las salidas, y la suma de los cuadrados de los
trminos de cada fila o columna (que es la suma de las
porciones de potencia que se reparten por cada puerta de
salida) no dar como resultado la unidad. Por tanto el valor
de f(N) en cualquier caso ser menor que
1 1 N
, valor
que representara un reparto igualitario sin prdidas por
todas las salidas. Ms adelante obtendremos dicho valor.
Otro dato a destacar es que todos los 0 =
ji ij
S S , lo que
nos advierte de que las puertas no estn aisladas entre si, y al
ser iguales todas, ser totalmente indiferente la puerta que
cojamos como entrada.


II. DESARROLLO
En una unin T, existe un reparto de potencias sin
prdidas, pero con uno de los puertos desadaptados. En el

2
divisor resistivo agregamos elementos resistivos que
consiguen la adaptacin a costa de las prdidas que
introducen. A continuacin vamos a comprobar como se
calcula dicha resistencia y como afecta a la matriz de
parmetros S que caracteriza este circuito de microondas.

II.1Condicin de adaptacin

Para hallar el valor de las resistencias que posibilitan la
adaptacin en el circuito, cargaremos cada rama con la
impedancia caracterstica
0
Z . Debemos conseguir que se
cumpla la siguiente condicin para que no haya reflexiones a
la entrada ( 0
11
= S ):

( )
0 3 2
|| || || Z Z Z Z R Z
N in
= + = L Ec.1

Siendo Zi la impedancia que presenta cada rama, y que
en nuestro caso ser la suma de la impedancia que
conectemos a la salida de cada rama,
0
Z , y la resistencia R
que queremos averiguar. Resolviendo dicha ecuacin
logramos la adaptacin en el divisor de N puertas y R tomar
el valor [1]:


( )
N
Z N
R
0
2
= Ec.2


Por tanto tendremos que:


( ) ( )
N
Z N
Z
N
Z N
Z Z Z
N
0
0
0
3 2
2 2 . 2
= +

= = = = L Ec.3


La impedancia a la entrada de la puerta 1 ser la
siguiente:



( )
( )
0 3 2
0
|| || ||
2
Z Z Z Z
N
Z N
Z
N in
= +

= L Ec.4

Al existir una impedancia de entrada igual a la
impedancia caracterstica, conseguimos la adaptacin del
circuito, y que tericamente no se produzca onda reflejada
por desadaptacin. Esta adaptacin se produce en todas y
cada una de las N puertas del divisor resistivo, es decir, la
Ec.4 se cumple en todas y cada una de las N puertas, ya que
la resistencia R es la misma, y estamos cerrando cada puerta
con la misma impedancia de carga
0
Z
.

II.2Clculo de matriz de parmetros S

Como existe adaptacin en todas las puertas del
circuito, tenemos que 0 =
ii
S , o lo que es lo mismo, no
existe onda reflejada y por tanto las prdidas de retorno son
infinito.
Por otro lado tenemos que:


( )
1
0 0
0
1
.
2
. 2 . 2
. 2
V
N
N
Z N
N
Z
N
Z
V V =

+
=
Ec.5

Para obtener Vi, y conseguir el valor de los
ij
S tenemos
que resolver la siguiente ecuacin:



( )
=

+
= = = = V
N
N
N
Z N
Z
Z
V V V V
N
.
2 . 2
. 2
0
0
0
3 2
L


1 1
2
.
1
1
.
2 2
. 2
V
N
V
N N
N

=
Ec.6

Como resultado final tenemos que la matriz de
parmetros S quedar:

[ ]

=
0 1 1 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
1
1
0
L
M O M M M
L
L
L
N
S
Z
Ec.7

Como vemos, es conveniente evitar la utilizacin de esta
red con un alto nmero de puertas, ya que a medida que
aumenta dicho nmero se consume mayor potencia en las
resistencias propias del divisor.
A partir de la matriz de parmetro S de la Ec.7, es fcil
deducir las prdidas de insercin que introduce el divisor
resistivo. Vienen dadas por la siguiente ecuacin [2]:

( )

=
2
Re _
1
1
log . 10
N
L
sistivo Divisor
Ec.8

Las prdidas de insercin y la potencia disipada en el
divisor resistivo, segn el nmero de puertas es el siguiente:


N Puertas
(N)
Prdidas Insercin
Divisor Resistivo
(dB)
Potencia disipada
en Divisor Resistivo
(%)
3 6.02 50%
4 9.54 66.7%
5 12.04 75%


En la simulacin con MMICAD, considerando los
circuitos de 3, 4 y 5 puertas, con resistencias 16.66..6, 25 y
30 respectivamente, cumpliendo la condicin de

3
adaptacin (Ec.2) obtenemos unos resultados de
1 21 i
S S =
para cualquier valor de i:


Fig. 2. Representacin del parmetro
21
S en dB respecto de la
frecuencia en MHz.
Los valores del parmetro
21
S que obtenemos de
MMCAD son los siguientes:

! Freq DB[S21] DB[S21] DB[S21]
(MHz) N=3 N=4 N=5
100.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412
110.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412
120.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412

2990.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412
3000.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412

Con lo que comprobamos que se cumple la ecuacin en
un circuito ideal perfectamente adaptado.
Ahora vamos a observar el nulo aislamiento entre
puertas, viendo los valores que nos da MMCAD para
cualquier
ij
S . Tomaremos como muestra
23
S , pero en
realidad se cumple para todos, incluso
21
S :


Fig. 3. Representacin del parmetro
23
S en dB respecto de la
frecuencia en MHz

Los valores reportados por MMCAD son los siguientes:

! Freq DB[S23] DB[S23] DB[S23]
(MHz) N=3 N=4 N=5
100.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412
110.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412
120.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412

2990.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412
3000.000 -6.02060 -9.54243 -12.0412

En cuanto a
11
S , que coincidir en valor con todos los
ii
S y nos da idea de las prdidas de retorno, obtenemos unos
resultados:


Fig. 4. Representacin del parmetro
11
S
en dB respecto de la
frecuencia en MHz.
Numricamente MMCAD da los siguientes valores:

! Freq DB[S11] DB[S11] DB[11]
(MHz) N=3 N=4 N=5
100.000 -200.000 -200.000 -200.000
110.000 -200.000 -200.000 -200.000
120.000 -200.000 -200.000 -200.000

2990.000 -200.000 -200.000 -200.000
3000.000 -200.000 -200.000 -200.000


Como vemos, con esos altos valores negativos de
11
S , el
circuito esta perfectamente adaptado, no se producen
reflexiones.
Como vemos en las simulaciones, los valores se
mantienen con la frecuencia, ya que es una red formada por
elementos pasivos (resistencias), que por el momento
consideramos ideales (no vara su comportamiento con la
frecuencia). Por ese motivo no se han incluido simulaciones
de la fase de los parmetros, ya que las resistencias no
cambian dicha fase. A continuacin, veremos que estas
condiciones no se dan en un dispositivo real, en el cual
aparecen efectos parsitos que hacen que su comportamiento
vare con la frecuencia. En otro orden de cosas, cabe
destacar, que los desarrollos tericos y las simulaciones nos
hacen suponer la inconveniencia de realizar divisores
resistivos con un nmero elevado de puertas, ya que la
potencia disipada dentro del mismo circuito aumenta de
manera exponencial con N.

II.3 Efectos parsitos

Con altas frecuencias se complica enormemente la
implementacin de elementos concentrados, es decir,
elementos que presentan un comportamiento puramente
resistivo, capacitivo o inductivo, porque para ello se requiere
que las dimensiones del circuito sean mucho menores que la
longitud de onda a la frecuencia de trabajo (l</10).
En el caso particular de los divisores resistivos, hablamos
principalmente de circuitos hbridos para coaxial, que se
fabrican con un nmero de 3, 4, 5, 6, 7 e incluso 10 puertas
(p.ej DA-DE Series de microlab [3]). Estos circuitos trabajan
aceptablemente a frecuencias inferiores a 1.5 GHz. En este

4
rango de frecuencias, el efecto parsito predominante, que
aparece en todas las resistencias de pelcula (componente de
este tipo de circuitos), es el de una capacidad en paralelo con
las resistencias tpicas del divisor resistivo. La simulacin
con MMICAD nos aclarar hasta que punto es nocivo este
efecto, y hasta que punto es asumible. Para la simulacin
utilizaremos un divisor resistivo de 3 puertas, con
resistencias de 16.66..6 (cumpliendo la condicin de
adaptacin) y una capacidad parsita supuesta de 4.7 pF.
Hay que tener en cuenta que se trata de una simulacin, para
aclararnos como puede afectar dicho efecto nocivo, ya que
en la realidad, este efecto parsito variar con la frecuencia y
depender de la calidad de los componentes que utilicemos.
Grficamente el circuito quedara as:



Fig. 5. Divisor resistivo de 3 puertas con efecto parsito.

La simulacin en MMICAD nos brinda los siguientes
resultados:


Fig. 6. Representacin del parmetro
21
S
y
11
S
en dB con la
frecuencia en MHz.
Los valores a 500, 1000 y 1500 MHz son los siguientes:

! Freq DB[S11] DB[S21]
! (MHz) DIVRESR DIVRESR
500.000 -24.3648 -5.91072
1000.000 -18.7535 -5.63332
1500.000 -15.8382 -5.29257

Como vemos en las grficas, a bajas frecuencias el
comportamiento del circuito es muy similar al ideal. A
medida que aumentamos la frecuencia de trabajo, las
prdidas de retorno son menores, vemos como crece el valor
de la onda reflejada. Las prdidas de insercin, de las que
nos da idea
21
S , tambin disminuyen. Este efecto se
produce, debido a que a medida que aumentamos la
frecuencia de trabajo, la impedancia de la capacidad parsita
va asumiendo relevancia, ya que se va aproximando en
comportamiento al de un cortocircuito.
En cuanto a la fase, ahora si cambia, ya que tenemos ese
efecto parasito que desfasa la seal de entrada. Grficamente
tenemos:

Fig. 6. Representacin de la fase de los parmetros
21
S
y
11
S
en
grados con la frecuencia en MHz.
Los valores a 500, 1000 y 1500 MHz sern en este caso
(en grados):

! Freq ANG[S11] ANG[S21]
! (MHz) DIVRESR DIVRESR
500.000 -100.457 3.36796
1000.000 -110.261 5.94464
1500.000 -118.974 7.46395

Ahora si vemos una variacin en la fase, debido al efecto
capacitivo parsito que si tenemos en cuenta. Ahora la fase
vara con C.
III. CONCLUSIONES
A lo largo del captulo hemos profundizado en las
principales caractersticas de este circuito, su
funcionamiento, sus limitaciones, sus posibles utilidades.
Como divisor de potencia, se emplear sobre todo en
circuitos con cable coaxial, cumpliendo moderadamente con
sus objetivos, ya que en el mejor de los casos, con 3 puertas
(2 de salida) se pierde la mitad de la potencia de la seal de
entrada, consumida en las resistencias. A medida que
aumenta N, el uso del divisor se hace casi inviable, ya que
las prdidas aumentan exponencialmente (con el cuadrado de
N), y sera conveniente, buscar otra solucin como divisor de
potencia. Tambin se puede utilizar como combinador de
seal, pero el nulo aislamiento entre las distintas puertas
tambin desaconseja este uso. En cuanto al efecto parsito,
es un factor que siempre deberemos tener en cuenta en
nuestros diseos, ya que el comportamiento de los
componentes dista en mucho del ideal, y tambin en gran
medida del que nos asegura el fabricante, siempre demasiado
optimista en las evaluaciones de su producto.
III. REFERENCIAS
[1] Microwave Encyclopedia
http://www.microwaves101.com/encyclopedia/resistive_splitters.

[2] Universal Microwave Components Corporation (UMCC)
http://www.umcc111.com/Definition-In-Phase-Power-Divider.htm

[3] Aptec Electronics, manuals
http://www.aptecelectronics.com/manuals/FXR-DA-DEseries.pdf


1
DIVISOR WILKINSON
Nombre del Autor: Israel de Lucas Fernndez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :israel.delucas@gmail.com

Resumen- Divisor Wilkinson. Este documento tiene como
finalidad, facilitar al estudiante de microondas toda la
informacin relativa al diseo y desarrollo del divisor
Wilkinson.
I. INTRODUCCIN
Divisor de potencia dispositivo que reparte la potencia
entre las ramas de salida, a partes iguales si esta equilibrado.
E. J. Wilkinson ide un circuito resistivo que,
introducido en el divisor con lneas, hace que ste quede
completamente adaptado.
I.1 Caractersticas

Dispositivo con una entrada y mltiples salidas.
Circuito con perdidas, pero si las puertas de salida se
cargan con la misma impedancia no disipa potencia.
Tiene todas sus puertas adaptadas.
El reparto de potencias es equitativo si se carga las
salidas con impedancias iguales.
Existe aislamiento entre las puertas de salida.
Es un circuito de banda estrecha.

2
/4
ZC2
3
/4
ZC3
4
/4
ZC4
/4
ZC1
1
R
R
R
ZIN
ZL3
ZL4
ZL2


Fig. 1. Divisor Wilkinson con una entrada y tres salidas.
II. DESARROLLO
La matriz de parmetros S de este dispositivo, partiendo
de la matriz de dispersin generalizada.

+ =
+ =
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
a S a S b
a S a S b
Ec. 1
De la Ec.1 tenemos que:
1
1
11
a
b
S =
Y
1
2
21
a
b
S =
Ec. 2
De la primera relacin de Ec.2 podemos sacar los
parmetros S
11
, S
22
, S
33
, S
NN.
O
Z
P
Z
O
C
Z
Z
2
2
O
C
Z
Z
2
3
O
C
Z
Z
2
4


Fig. 2. Esquema Wilkinson simplificado y adaptando las salidas
con la impedancia de referencia.
A partir del circuito de la figura 2, calculando el paralelo,
tenemos:
O
O
C
O
C
O
C
P
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z
Z = =
2
4
2
3
2
2
|| ||
Ec. 3
Al estar completamente adaptado, los parmetros S
ii
=0,
por el mismo razonamiento, las salidas estarn acopladas
entre si, quedando los parmetros caractersticos entre
salidas igualados a cero.

Para calcular la potencia entre las ramas directas
(entrada-salida), nos ayudamos del siguiente circuito:
O
Z
O
C
Z
Z
2
O
C
Z
Z
2
N
O
Z
4

I
1
I
2
O
Z

Fig. 3. Esquema Wilkinson simplificado para calcular los
parmetros de scattering de las ramas directas.
Partiendo de la Ec.1 sacamos el parmetro S
21
,

1
2
0 1 1
0 2 2
1
2
21
V
V
Z I V
Z I V
a
b
S =
+

= =
Ec. 4

+ + + +
= = =
IN
d j
IN
d
IN L
jV e V e V V

Ec. 5
+
+ =
L L L
V V V
Ec. 6
Con la Ec. 5 y Ec.6 sacamos:

( ) ( )
C L L
Z V V + =
+
1
Ec. 7
y


( ) ( )
C IN IN IN
Z V V + =
+
1
Ec. 8


2

El coeficiente de reflexin en la carga, es:
( )
N
N
N Z Z
N Z Z
Z Z
Z Z
Z
C
C
C L
+

=
+

=
+

=
1
1
0 0
0 0
0
0
Ec. 9
Y el coeficiente de reflexin a la entrada con respecto al
coeficiente en la salida, queda:
( ) ( ) ( )
N
N
Z e Z Z
C L
d j
C L C IN
+
+
= = =

1
1
2 Ec. 10
Partiendo de la Ec. 2 y sustituyendo en ella las
expresiones de las ecuaciones Ec. 7 y Ec. 8 y las anteriores
de los coeficientes:

( ) ( )
( ) ( )
N
j
N
N
V
N
N
jV
Z V
Z V
V
V
V
V
S
IN
IN
C IN IN
C L L
IN
L
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
21
=

+
+
+

+
=
=
+
+
= = =
+
+
+
+
Ec. 11
Quedando los parmetros de scattering para las ramas
directas de
N
j

.

Montando la matriz de parmetros S, de este dispositivo,
nos queda:

0 0 0 1
0 0 0 1
0 0 0 1
1 1 1 0
N
j
....
.
.
.
.
.
.
. S[Zo]=

Fig. 4. Matriz de parmetros S del divisor de potencia
Wilkinson 1:N.
II.1 Condicin de adaptacin.

Si el nmero de puertas de salida es igual a dos, es decir
que estamos ante el divisor Wilkinson bsico, las
condiciones de adaptacin son:
Si K 1 habr que adaptar las salidas mediante sendos
transformadores 4 , siendo las impedancias
caractersticas de las lneas de:
K Z Z
C
=
0 2
Ec. 12
K Z Z
C
/
0 3
= Ec. 13
Si K=1, no necesitamos los transformadores, solo es
necesario cumplir las siguientes condiciones de adaptacin:

2
2
3
P K P = Ec. 14
3
2
2 C C
Z K Z = Ec. 15
3
2
3
1
K
K
Z Z
O C
+
=
Ec. 16

+
=
K
K
Z R
O
1
2
Ec. 17
Donde K indica la parte de potencia que se distribuye a
cada puerta de salida.

Si el nmero de puertas de salida es mayor a dos y K=1,
las condiciones de adaptacin a cumplir, sern:

N Z Z Z Z
O CN C C
= = =
3 2
Ec. 18
O
Z R = Ec. 19
O L L l IN
Z Z Z Z Z = = = =
4 3 2
Ec. 20

II.2 Ancho de banda.

Como podremos ver unos puntos mas adelante, en las
simulaciones, el divisor de potencia Wilkinson es un
dispositivo de banda estrecha, ya que puede ser utilizado en
un margen estrecho de frecuencias, pudiendo aumentar dicho
ancho de banda colocando varias secciones.

II.3 Tabla de fabricante.

La siguiente tabla, nos muestra unas caractersticas
estimadas por un fabricante de divisores Wilkinson, este
caso es de un divisor Wilkinson de 4 salidas y conectores
tipo SMA. (ref. http://www.trilithic.com).

Mod. WPD-50/4 SMA

Si a partir de las caractersticas del fabricante, queremos
calcular los parmetros S, se podra hacer de la siguiente
manera:

Primero con la ROE (VSWR) calculamos el parmetro
S
11
:
1
1
11
+

=
ROE
ROE
S
Ec. 21

Despus podemos calcular el parmetro correspondiente a una
rama directa, S
21
:
2
21
log 10 S L
I
= Ec. 22
mx L
way
L
I I
+ =
1
log 10
Ec. 23


Frec
(GHz)
LI
Mx(dB)
VSWR I(dB)
Imp
()
4-
way
0.8-2.5 1.0 1.40:1 25 50

3
Despejando S
21
de Ec.22:

10
2
21
10
LI
S

= Ec. 24
II.4 Simulaciones.

Para las simulaciones de este dispositivo, vamos a usar el
software MMICAD.
Las simulaciones las haremos en lnea microstrip con una
constante dielctrica (
r
) de 4.5 y una tangente de perdidas
del material( tan ) de 0.03.
Mediante el software PCAAD calculamos la
reff
y el
ancho de la lnea. (
reff
=3.446 y W=3mm).
La simulacin del divisor se realizara a la frecuencia de
500MHz, por lo que para saber la longitud de las lneas
microstrip, hay que seguir el siguiente procedimiento:

reff

f
c
=
Ec. 25
4

= d Ec. 26
Calculando la longitud de cada lnea y metiendo todos
los datos en el MMICAD, tenemos:
El parmetro que nos da las prdidas de reflexin S
11
:


Fig. 5. Simulacin del parmetro de reflexin del Wilkinson
1:N.
Como vemos en la figura 5, el divisor se comporta muy
bien a la frecuencia de diseo, ya que tiene una atenuacin
por reflexin muy grande. A medida que nos alejamos de
dicha frecuencia de diseo, el dispositivo se comporta mal.

El parmetro que nos dice el aislamiento entre salidas
S
23
,S
34
:


Fig. 6. Simulacin del parmetro de aislamiento del Wilkinson
1:N.
Este parmetro nos indica como se comportan entre si las
salidas, y como podemos ver en la grafica anterior las salidas
estn totalmente aisladas entre si, con una atenuacin de
unos 42dB.



El parmetro que nos dice las prdidas de insercin S
21
:


Fig. 7. Simulacin de las prdidas de insercin del Wilkinson 1:N.

Las prdidas de insercin nos indica que potencia de la
que inyectamos en la salida se va a disipar en el circuito. Por
tanto este dispositivo es muy bueno respecto a prdidas de
insercin.

Para ver la distribucin de potencia a cada puerta de
salida lo podemos ver en la siguiente figura:


Fig. 8. Simulacin de la distribucin de potencia entre las
salidas.
Como resumen a todas las figuras, podemos resaltar que
el divisor Wilkinson es un dispositivo de banda estrecha, ya
que segn vamos aumentando en frecuencia el circuito se va
degradando, perdiendo todas sus caractersticas.
III. CONCLUSIONES.
En este documento vemos como se comporta el divisor
wilkinson con N ramas de salida. En las simulaciones hemos
visto como un divisor wilkinson realizado con lneas
microstrip esta limitado a trabajar en frecuencias bajas y a
una banda estrecha.

IV. REFERENCIAS.
[1] R.Snchez Montero, P.L.Lpez Esp, J.Alpuente Hermosilla
Microondas prcticas,Ed 2004.
[2] Apuntes microondas de la Universidad politcnica de Alcal de
Henares.
[3] D.M. Pozar, Microwave engineering, 2nd edition, 1998 John-Wiley
& Sons.
[4] Apuntes del departamento de teora de la seal de la universidad de
Sevilla.
[5] Dispositivos de microondas que estn en el mercado en la pagina Web
http://www.trilithic.com


1
DIVISOR WILKINSON
Mara Carvajal Galn
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : mariacarvaj@gmail.com



Resumen- En este documento se pretende explicar el
funcionamiento de un divisor Wilkinson equilibrado,
desde que fue inventado, sus posteriores mejoras y la
simulacin de un Wilkinson equilibrado de tres salidas.

I. INTRODUCCIN
El primer divisor mejorado fue diseado por Ernest
J.Wilkinson, el circuito original era de tipo 1:N equilibrado
basado en un divisor con lneas que incorporaba un elemento
resistivo que puenteaba las salidas. Este divisor estaba
construido con cable coaxial, y Wilkinson lo llam An
improved N-way power divider "An N-way Hybrid
Power Divider".



Fig.1. En esta figura se muestran. dos de los divisores de potencia que mas
comnmente se han usado.


En la figura 1 (b) se usa simetra circular, donde todos los
terminales estn conectados al conductor central de cable
coaxial, y las cargas estn conectadas por medio de un
transformador lamda cuartos. Para proporcionar aislamiento
entre los terminales de salida, los cruces en forma de T de la
figura 1 (a) han de ser remplazados por cruces hbridos.
Adems de coste y complejidad de proveer de un nmero
separado, casi idntico, de hbridos, la estructura de
alimentacin tiene la limitacin de proveer de un solo
nmero binario de salidas. Si son requeridas 9 salidas, por
ejemplo, un divisor 16a1 debe ser usado con 7/16 de potencia
de salida disipada en cargas iguales. Por otra parte la figura
1b, a causa de su simetra circular, provee cualquier nmero
de salidas. Es, de todas formas, la desventaja mas seria el no
tener aislamiento entre salidas, y que los terminales de salida
estn mal conectados porque todas las cargas aparecen en



paralelo a travs de un terminal de salida. Posteriormente
Wilkinson describe un mecanismo que tiene la simetra
circular de la figura 1b, de manera que mantiene fase y
amplitudes iguales entre cualquier numero de salidas,
independientemente de la frecuencia, pero que provee de
aislamiento y conecta las salidas.

El divisor de potencia presentado en la figura 2 consiste en
una lnea coaxial en la cual el conductor hueco interior ha
sido dividido en n ejes de longitud /4 .Un corto plato
conecta los ejes a la entrada, y las resistencias estn
colocadas de manera radial entre cada eje en el final de la
salida y en un cruce comn.



Fig.2. En esta figura se muestra el divisor mejorado diseado por Wilkinson.


Cuando una seal se introduce en el divisor de potencia, es
dividida en virtud de su simetra en n equifases de amplitud
equivalente. No se disipa potencia en las resistencias cuando
se conectan cargas a las salidas, ya que todos los ejes estarn
conectados con el mismo potencial. Aun as, si ocurre una
reflexin en uno de los terminales de salida, la seal reflejada
se dividir; parte de ella viajara directamente a los restantes
terminales a travs de las resistencias, y el resto viaja de
nuevo hacia la entrada, dividindose de nuevo en el cruce de
los ejes y retornando al resto de los terminales salientes. De
este modo la onda reflejada llega a los restantes terminales de
salida en dos partes, y la diferencia de longitud de
trayectoria entre dos trayectorias de viaje es de 180 mientras
los ejes son de /4 de longitud. Esto se aprecia cuando el
valor de las resistencias y la impedancia caracterstica de las
lneas de transmisin del eje estn apropiadamente escogidas,
de forma que las dos partes de la onda reflejada son iguales
en amplitud; por ello tiene lugar la cancelacin completa.


2

Fig.3. Aqu se muestra el circuito interno del divisor Wilkinson


Refirindonos ala figura 3, si se aplica un voltaje v al
terminal de salida 1 por un generador de resistencia interna
Ro, entonces el voltaje Vn que aparece en otros terminales de
salida debe ser igual a causa de la simetra. Siendo aplicables
las ecuaciones de transmisin lineal cuando cada lnea de
transmisin del es un cuarto de la longitud de onda (=/2).

De este modo, si la carga interna R y la impedancia
caracterstica de las lneas de transmisin se ajustan de
acuerdo con Zo= Ro n , las salidas estarn completamente
aisladas y conectadas. La impedancia de entrada bajo estas
condiciones estar en combinacin paralela con las n cargas
de salida Ro, despus de que cada una haya sido
transformada a travs de un cuarto de longitud de onda con
Zo;

[1]

II. DESCRIPCIN Y ESQUEMA
Este montaje est hecho para un reparto equilibrado (misma
potencia a todas las salidas).
Al ser un circuito pasivo, recproco y con prdidas se
consiguen dos ventajas fundamentales con respecto al divisor
con lneas:
Tiene las salidas aisladas entre si
El divisor est completamente adaptado



Fig.4. Esquema del divisor Wilkinson equilibrado


La primera lnea de impedancia caracterstica ZC1 no sirve
para adaptar, sino para alejar el plano de acceso.
Se puede llegar a la conclusin del valor de las ZC2 y ZC3
fcilmente, ya que al ser las lneas transformadores g/4
ZC= Zl2*ZC1
En el caso del divisor Wilkinson equilibrado ,en el que el
reparto de potencias tiene que ser equitativo, los valores que
deben tomar las impedancias son los mostrados en el
recuadro superior.
[2]
III. ADAPTACIN
El divisor Wilkinson estar totalmente adaptado si k=1, si
esto ocurre, todos los parmetros de la diagonal principal
sern igual a cero. ( S11=S22=S33=0).
Al intentar hacer que el reparto fuera desequilibrado, se quiso
mantener sobre todo el aislamiento entre salidas, aunque se
sacrificara la adaptacin.


Fig.5. Representacin de los parmetro S11,S22 Y S33 del Wilkinson
equilibrado

En la grafica de la figura 5 se puede observar que solo para
k=1 el divisor est adaptado.



3



Fig.6. En esta grfica se representan los parmetros S21, S31 y S23 de un
divisor Wilkinson bsico.

En la grfica de la figura 6 se puede observar que el
aislamiento es siempre cero, independientemente del valor
que tome k, sin embargo solo coincide con el reparto de
potencia cuando k=1.
[2]


IV. ANCHO DE BANDA

En el divisor Wilkinson equilibrado k=1 se consigue un aislamiento
perfecto y esta completamente adaptado a la frecuencia de diseo,
con lo que es un dispositivo de banda estrecha, en cuanto nos
separamos de la frecuencia de diseo se desadapta.
Cabe destacar que el divisor Wilkinson es ms sensible a parsitos
de adaptacin que a los parmetros de transferencia, para medir la
frecuencia de diseo habr que fijarse especialmente en el
aislamiento entre salidas.

[2]



V. SIMULACIONES

Se va a simular un divisor Wilkinson equilibrado con 3
salidas a 500 MHz.
Como se trata de un Wilkinson equilibrado el reparto de
potencias tiene que ser equitativo, as pues la potencia en
cada salida ser 1/3 de la potencia a la entrada. Las
impedancias caractersticas sern las mismas para los tres
tramos de lnea de cada salida, cuyo valor, junto con la
anchura y longitud de cada tramo de lnea, se muestra a
continuacin:



mm l
mm W
Z Z Z Z
i
i
c c c
116 . 84
0062 . 1
60 . 86 3
0 4 3 2
=
=
= = =
Ec. 1




[ ]

=




2 . 179 247 . 0 8 . 177 95 . 178
247 . 0 69 . 179 869 . 0 97 . 178
8 . 177 869 . 0 73 . 179 02 . 179
95 . 178 97 . 178 02 . 179 018 . 17
50
0835 . 0 171 . 0 0765 . 0 548 . 0
171 . 0 331 . 0 171 . 0 548 . 0
0765 . 0 171 . 0 0834 . 0 548 . 0
548 . 0 548 . 0 548 . 0 0163 . 0
S





Tras la simulacin, se obtienen las siguientes grficas:


Fig.7. Representacin de los parmetros
11
S ,
23
S y
34
S .





Fig.8. Representacin en dB, de los parmetros
21
S ,
31
S y
41
S .



En la grfica de la figura 7 se representa el
coeficiente de reflexin a la entrada, la potencia que va de la
puerta 3 a la 2 y la potencia de la puerta 4 a la puerta 3. Este
reparto de potencias coincide, es decir, la misma fraccin de
potencia va de la puerta 3 a la 2, que de la 4 a la 3.


4
Para finalizar, en la grfica de la figura 8 se
representan tres curvas que coinciden punto a punto con la
frecuencia. Cada curva representa la potencia que va de la
entrada a cada una de las tres salidas, como las curvas
coinciden, la potencia se reparte de igual forma de la entrada
a cada una de las salidas. Estamos ante un divisor
equilibrado.

Del mismo modo, el acoplamiento de potencia es bastante
bajo, por lo que este circuito tambin permite una correcta
transferencia de potencia.

Puesto que se dise el circuito desde el principio
para que funcionase perfectamente para una frecuencia de
500MHz, es para sta para la que se obtienen los mejores
valores en cuanto a todo: adaptacin, transmisin de
potencia, acoplamiento


VI. CONCLUSIONES

De todo lo expuesto anteriormente cabe destacar en primer
lugar que tiene grandes ventajas con respecto al divisor con
lneas, por ser pasivo, reciproco y con perdidas se consigue
que est completamente adaptado y que tenga las salidas
aisladas entre s.

Otra cuestin a tener en cuenta es que aunque tenga
resistencias, el divisor Wilkinson no disipa potencia.

El divisor Wilkinson es un dispositivo de banda estrecha.

El Wilkinson cuando acta como divisor tiene prdidas, lo
cual le convierte en buen divisor. No ocurre esto cuando
acta como combinador, pues en este caso tiene 3db de
prdidas y tiene un comportamiento bastante regular.


Hay reparto equitativo de potencias entre las puertas de salida
si stas estn cargadas con dos impedancias iguales.


La matriz S de un Wilkinson a 3db es la siguiente:






De la matriz S expuesta anteriormente se puede deducir:
- Al ser nula la diagonal principal est completamente
adaptado.

- Existe aislamiento entre las puertas 2 y 3 ya que los
parmetros S23 y S32 son cero.


- El trmino 1: 2 significa que es a 3 db.


- Los unos que hay en la matriz nos indican que hay
un reparto equitativo de la potencia.

- Por ltimo, el j muestra que son lneas g/4

[2]



III. REFERENCIAS
[1] Ernest J.Wilkinson An N-Way Hibrid power divider, IRE
Transactions on microwave theory and techniques.pp 116-118;
January,1960


[2] Pablo Luis Lpez Esp, Transparencias y apuntes de clase,
Diciembre 2007



1
DIVISOR WILKINSON 1:2
Mario Bodega Prieto
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :mariobodega@hotmail.com

Resumen- En este trabajo llevar a cabo una
caracterizacin del divisor Wilkinson 1:2, partiendo de
las definiciones generales de los divisores y
particularizando para el caso del divisor en estudio tanto
en su versin de equilibrado como desequilibrado.
Analizar las ecuaciones de diseo en funcin de la
variable K y estudiaremos sus impedancias adecuadas,
as como su matriz S caracterstica. Para finalizar
aadir una serie de simulaciones en el programa
mmcad.
I. INTRODUCCIN
Bsicamente un divisor es una red de tres o ms puertas
en la que se produce un reparto de potencia entre cada una de
sus puertas de salida en funcin de un parmetro de diseo
K. En nuestro caso trataremos con divisores de tres puertas
que quedan caracterizados por una matriz cuadrada de
dimensiones 3x3 y que tienen como caractersticas
fundamentales el ser recprocos, con o sin prdidas y que
pueden estas adaptados.
Si nos centramos ms en los divisores Wilkinson,
debemos decir que su propiedad fundamental es tener las
salidas aisladas entre s gracias a la presencia de una
resistencia que une cada una de estas puertas de salida. El
valor de esta resistencia esta definido por una serie de
ecuaciones que relacionan las impedancias caractersticas de
las lneas
4
y el valor de la constante K. Como he
comentado, las puertas de salida estn unidas a la de entrada
a travs de lneas de transmisin de longitud
4
, lo que
introducir una fase de -90 en la matriz S.


II. DESARROLLO
II.1 Descripcin y esquema

Un divisor Wilkinson 1:2 produce un reparto de
potencia entre sus dos salidas de una manera no aleatoria y
que quedar determinada por el parmetro K. Estas salidas
tienen la propiedad de estar aisladas entre s y unidas por una
resistencia.








El esquema bsico es:


Fig. 1. [1]Esquema bsico de un divisor Wilkinson.
Como decamos en la introduccin, se trata de un
dispositivo pasivo, recproco, con prdidas (en el caso de que
las puertas 2 y 3 no se carguen con la misma impedancia) y
que puede estar adaptado. Cuando los puertos de salida estn
cargados con las impedancias de diseo (resistencias
adecuada) por R no circula corriente por lo que no aparecen
prdidas disipativas en el dispositivo, en cambio, si se
termina con otras impedancias, se producir reflexin de
potencia, repartindose una parte por la resistencia R y
volviendo otra a la puerta de entrada, pero nunca a la otra
puerta de salida. Para conseguir adaptacin (no se pierde
potencia por reflexin) trabajaremos con divisores Wilkinson
con transformadores. Estos transformadores se colocaran
entre la carga y la lnea
4
y introducirn un nuevo retardo
de -90. Podemos realizar de nuevo un esquema para aclarar
conceptos:


2

Fig. 2. [1] Esquema bsico de un divisor Wilkinson con transformadores.


II.2 Condiciones de diseo.
Para llevar a cabo el reparto de potencias debemos tener
en cuenta una serie de ecuaciones que relacionan las
impedancias (tanto las de las lneas
4
como las de carga)
y las potencias propiamente dichas. En este apartado
realizaremos un estudio matemtico de las condiciones que
deben cumplir los distintos parmetros para lograr la
adaptacin y el aislamiento:
2
3 2
P P K = Ec. 1

2
3 0 3
1
c
k
Z Z
k
+
= Ec. 2
2
2 2
2 3 0 3
1
c c
k
Z k Z k Z
k
+
= = Ec. 3
2
0
1 k
R Z
k
+
= Ec. 4
2
0
*
L
C
Z Z K = Ec. 5

L3
0
C
Z
Z =
K
Ec. 6
Estas ecuaciones determinan las impedancias
caractersticas del divisor ( Ec. 2 y Ec. 3), el valor de la
resistencia que debemos colocar para que queden aisladas
las puertas de salida (Ec. 4). Y finalmente las impedancias
de las secciones
4
correspondientes al transformador
para que a la entrada de dicho transformador veamos las
impedancias adecuadas (Ec. 5 y Ec. 6).
La Ec. 1 nos relaciona las potencias de salida del
Wilkinson 1:2. En el siguiente apartado haremos ms
hincapi en esta ecuacin ya que nos ser de gran utilidad
para definir la condicin de equilibrio o desequilibrio del
divisor.
II.3 Divisor equilibrado y desequilibrado
Como decamos en el apartado anterior, la condicin de
equilibrio esta dada por le Ec. 1 que relaciona las potencias
de salida de las dos puertas.
Decimos que un divisor es equilibrado cuando tenga en
ambas puertas la misma fraccin de potencia. Esto se cumple
cuando le asignamos a la variable K el valor 1 quedando las
ecuaciones de la siguiente manera:
3 2
P P = Ec. 7

3 0
2
c
Z Z = Ec. 8
2 3 0
2
c c
Z Z Z = = Ec. 9
0
*2 R Z = Ec. 10
2
0
L
C
Z Z = Ec. 11

L3
C 0
Z =Z Ec. 12

De la misma manera, cuando nos referimos a un divisor
desequilibrado, estamos haciendo alusin a aquel divisor
que su condicin de diseo es distinto a 1, por lo que las
potencias presentas en ambas puertas sern distintas, y
siendo la suma de ambas igual a la de la puerta de entrada
para el caso de adaptacin.

II.4 Matriz S en funcin de K
Este divisor quedar completamente definido con una
matriz 3x3. Si nos centramos en el Wilkinson con
transformadores, debemos tener en cuenta que el mdulo al
cuadrado de la matriz S coincide con el reparto nominal de
potencias gracias a la adaptacin entre la entrada y las
salidas, es decir, no aparece una onda reflejada.
Como decimos, la matriz S de un divisor 1:2 tendr la
siguiente forma:
11 12 13
21 22 23
31 32 33
S S S
S S S
S S S






Una vez vista la estructura, nos centraremos en el clculo
de los parmetros:
11 22 33
0 S S S = = = Ec. 13
Estos parmetros son los que indican la adaptacin, en
nuestro caso sern, como veremos mas adelante en la
simulacin, igual a 0, debido a que cuando cerramos nuestro

3
circuito con las impedancias adecuadas (
2 3
0
L L
L L
Z Z Z = = ),
no circula corriente por la resistencia R y las prdidas por
desadaptacin son nulas.
23 32
0 S S = = Ec. 14
Nuevamente obtenemos 0 en el clculo de estos
parmetros que relacionan ambas puertas de salida, este
hecho nos informa de que existe aislamiento entre dichas
salidas gracias a la conexin entre ellas por una resistencia R,
que en el caso de no existir adaptacin (es decir, que no
carguemos al circuito con sus impedancias adecuadas) se
encargar de absorber parte de la potencia reflejada para que
no pase al resto de las puertas salientes.

2
3 2
2 2
1 2 3 2 2 2
(1 )
P K P
P P P P K P K P
=
= + = + = +

2
21 12 2
1
1
1
P
S S
P K
= = =
+

El signo negativo es debido a que si recorremos el
camino desde la puerta de entrada hasta la salida en la puerta
dos, atravesamos dos lneas de longitud
4
y como cada
una introduce un desfase de -90, al final tendremos un
desfase de -180.
De la misma manera podemos calcular el parmetro
31
S :
3
1 2 3 3 3 2 2
1
2
3
31 13
1 1
2
1
( 1)
1
1
1
1
1
P
P P P P P
K K
P
P
K
S S
P P
K
= + = + = +
+
= = = =
+

El signo negativo aparece por el mismo motivo que el
caso anterior.
Finalmente podemos poner la matriz S en funcin del
parmetro K como:
2
2
2
2
1 1
0
1
1
1
1
0 0
1
1
0 0
1
1
K
K
S
K
K



+

+



=
+


+




II.5 Simulaciones
Para la realizacin de las simulaciones he hecho uso del
programa mmicad. He simulado un circuito divisor
Wilkinson para una frecuencia de diseo de valor 1Ghz con
transformadores para comprobar que tanto las condiciones de
diseo expuestas en el apartado II.2 como los parmetros S
se cumplen. Lo acompaar de unas grficas en ejes
cartesianos:


Fig. 3. Parmetros S11 S22 S33 en funcin de K.



Fig. 4. Parmetros S23 y S32



Fig. 5 Parmetros S12 S21 S13 S31.


4

Fig. 6 Evolucin de las impedancias caractersticas y de R


Fig. 7 Evolucin de S11, S22, S33 en funcin de la frecuencia
comprobndose que para f=1GHz, el circuito esta completamente adaptado.


Fig. 8 Evolucin de S23, S31, S21 en funcin de la frecuencia
comprobndose que para f=1GHz, el circuito presenta las puertas de salida
completamente aisladas.

Podemos comprobar en las grficas obtenidas que:
- Los parmetros S11, S22, S33 permanecen
constantes y de valor 0 para todo valor de K.
- Las salidas estn aisladas por ser S23 y S32 igual a
cero, por lo que el valor de R es correcto.
- S12 y S13 varan en funcin de K hasta llegar a
K=1, momento en el cual se comporta como un
divisor equilibrado repartiendo la potencia de
manera equitativa entre ambas puertas de salida.

III. CONCLUSIONES
El divisor Wilkinson es un circuito divisor de potencia
que puede contener dos o ms puertas de salida, y esta
caracterizado por ser un dispositivo pasivo, reciproco con
prdidas y que puede estar adaptado. Una caracterstica
fundamental es la presencia de unas resistencias que unen
una a una las puertas de salida.
Para convertirlo en un circuito sin perdidas, deberemos
cargar las salidas con unas impedancias que denominamos
como adecuadas de valores
2 0 L
Z Z K = y
0
3 L
Z
Z
K
= .
Para solucionar los problemas de adaptacin le
pondremos a la salida de cada puerta unos transformadores
de longitud
4
y con una impedancia caracterstica
definida para que el divisor sigua viendo a su salida las
citadas impedancias de diseo.
Otra propiedad de este divisor es tener las salidas aisladas
entre s, de manera que en el caso de tener reflexin de
potencia por desadaptacin, la potencia no pase de una
puerta a otra y sea absorbida por la resistencia de
aislamiento.

IV. REFERENCIAS
[1] Pablo Lpez Esp, Dispositivos pasivos recprocos de tres puertas
(parte 1)
rd
.UAH, 2007.



1
T EN GUA DE ONDA
Leticia Fernndez Mndez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : Leticia_fernandez_mendez_itt@hotmail.com

Resumen- En este documento se presenta el divisor o
combinador de potencia en gua de onda de 3 puertas: T
plano E y H y acoplador de 4 puertas: T mgica. Se
describe y esquematiza cada diseo de T (T plano E, T
plano H y T mgica). Y as mismo, se representan
grficamente los campos magntico y elctrico sobre los
mismos, caracterizando las particularidades de cada uno
y exponiendo los correspondientes circuitos equivalentes.
I. INTRODUCCIN
Cuando la energa viaja a lo largo de una gua de onda y
llega a un empalme o interseccin, se divide y sigue el
camino indicado por el empalme. Pero diferentes tipos de
conectores afectan a la energa de diferentes formas.
La T en gua de onda es la interseccin ms simple y ms
usada en las guas de onda. Estos conectores se dividen en
dos tipos bsicos: T plano E y T plano H (divisores de
potencia), y en conectores hbridos: T mgica, los cuales son
desarrollos algo ms complicados de las uniones bsicas de
T (acopladores de potencia).
El tipo de gua de onda utilizado en estos casos es
rectangular, siendo as su modo de propagacin fundamental
el TE
10
. [1]

Si definimos la T en gua de onda de otro modo,
podemos decir que es un circuito pasivo recproco de 3 o 4
puertas, refirindose respectivamente a T plano E o plano H
y a T mgica.
Adems de la condicin de circuito recproco, cada T
cumple la condicin de simetra fsica, lo que aade facilidad
de anlisis y simetra en la matriz de parmetros S
correspondiente.
A continuacin analizamos cada diseo de T en
diferentes apartados.
II.1 T planoE
Una T plano E es un conector de gua de onda pasivo
recproco y simtrico utilizada para crear conexiones serie en
circuitos de gua de onda y conseguir una divisin de
potencia. Tambin es llamada T serie.
La peculiaridad de la T plano E es el brazo E,
perpendicular a la gua de onda principal, y se encuentra
centrado en la gua principal por la cara ms ancha, tal y
como se muestra en la figura 1.

Fig. 1. Reproduccin fsica de T plano E.
A continuacin se muestra la representacin de los
campos sobre la T plano E segn las diferentes opciones de
puerta de entrada de la seal.
Se representa el campo E, ya que en una T plano E es el
campo representativo, quedando el campo H en segundo
lugar.

Fig. 2. Representacin de las puertas a(brazo coplanar), b(brazo E) y
c(brazo coplanar) de la T plano E.


Fig. 3. Representacin del campo E cuando se inyecta potencia por
la puerta a.

Fig. 4. Representacin del campo E cuando se inyecta potencia por
la puerta b: brazo E.



2
Fig. 5. Representacin del campo E cuando se inyecta potencia por
la puerta c.
Si traducimos las representaciones a una matriz de
parmetros S obtenemos lo siguiente:

=
1 2 1
2 0 2
1 2 1
2
1
] [
E
S Ec. 1
Debemos observar que al inyectar potencia por el brazo
E, las salidas estn en contrafase, con lo cual, los signos
correspondientes en la matriz de parmetros S: S21 y S22
son diferentes.
Podemos completar la matriz de parmetros sin realizar
todas las mediciones porque el circuito es recproco. [1]

II.2 T planoH
Una T plano H es un conector de gua de onda pasivo
recproco y simtrico utilizada para crear conexiones
paralelo en circuitos de gua de onda y conseguir una
divisin de potencia. Tambin es llamada T paralelo.
El brazo H es perpendicular a la gua de onda principal
para reducir la tolerancia y permitir su uso como divisor de
potencia, tal como indica la figura 6.

Fig. 6. Reproduccin fsica de T plano E.
A continuacin se muestra la representacin de los
campos sobre la T plano H segn las diferentes opciones de
puerta de entrada de la seal.
Se representa el campo H, ya que es el campo
representativo en una T plano h, quedando el campo E en
segundo lugar.

Fig. 7. Representacin del campo H cuando se inyecta potencia por
la puerta b: brazo coplanar.


Fig. 8. Representacin del campo H cuando se inyecta potencia por
la puerta b: brazo H.
A diferencia de la T plano E, no existe desfase entre las
salidas cuando la entrada de potencia es inyectada por el
brazo H.
Del mismo modo, la representacin del campo H cuando
la potencia es inyectada por un brazo coplanar es la misma
que si fuese por el otro brazo, siendo as necesarias
nicamente dos representaciones.
La matriz de parmetros correspondiente a la T plano H
es la siguiente:

=
1 2 1
2 0 2
1 2 1
2
1
] [
H
S Ec. 2
II.3 T mgica
La T mgica es una combinacin la de T plano E y la T
plano H. Tambin es llamada T hbrida.
Para la T mgica se cumple el teorema que dice que
cualquier red de cuatro accesos recproca, sin prdidas y
completamente adaptada es un acoplador direccional; en este
caso, acoplador en gua de onda. [2]
Un acoplador hbrido es un acoplador direccional que
realiza un reparto equitativo de la potencia entre su rama
directa y acoplada. Debido al reparto de potencia que hace,
las prdidas de insercin y el acoplamiento toman un valor
de 3dB. En este caso, las ramas se corresponden con los
brazos E, H y coplanares. La longitud de los brazos H y E
coincide con la longitud de los brazos coplanares.
Si analizamos fsicamente la T mgica podemos decir
que este tipo de T son conectores cuyos brazos E y H estn
centrados en la gua principal y son perpendiculares a sta
con tolerancias muy pequeas. Dando as lugar a 4 brazos:
brazo E, H y dos brazos coplanares, correspondientes los dos
ltimos con la gua principal, y as pues, 4 puertas, como
indica la siguiente figura.

Fig. 3. Representacin fsica de una T mgica, indicando los brazos
coplanares (Flange Co-linear) y los brazos E y H (Flange E Arm y
Flange H Arm, respectivamente).
La matriz de parmetros S correspondiente a la T mgica es
la siguiente:
1
4
2
3

3


=
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 0 1
0 1 1 0
2
1
] [
mgica
S Ec. 3
En una T mgica, las salidas estn aisladas las unas de las
otras, siendo las prdidas tericas de 3dB; en la matriz de
parmetros S figura como
2
1
.
La diagonal principal es nula porque se corresponde con
el caso ideal y no existen prdidas por reflexin en cada
puerta.
La diagonal secundaria es nula tambin debido al
aislamiento entre las puertas, o desacoplo.
Si inyectamos potencia por el brazo H (1), no sale
potencia por el brazo E (4) y viceversa: S
14
= S
41
= 0. Esto es
debido a que al entrar la energa por una puerta, lleva una
polarizacin, y al intentar salir por la aislada correspondiente
como no tiene la polarizacin esperada, no se recibe seal a
la salida.
De igual modo los brazos coplanares estn desacoplados:
S
23
= S
32
= 0. La energa que entra por un brazo coplanar se
reparte entre los brazos E y H. Para el caso de salida por el
brazo E, existe un desfase de 180 (S
34
= S
43
= -1)
La T mgica se utiliza para mezcladores de balanceado,
como sintonizadores con cortocircuitos deslizantes y en
circuitos de AFC.
Las T mgicas se utilizan tambin para tomar medidas de
ROE (onda estacionaria).

II. CONCLUSIONES
Los conectores de T de guas de onda estn analizados
como ideales, pero hay que tener en cuenta que en realidad
existen unas prdidas, y esto hace que los valores de las
matrices varen, aunque cualitativamente el efecto es el
mismo.
III. REFERENCIAS
[1] http://www.fnrf.science.cmu.ac.th/theory/waveguide
[2] Microondas 3 ITT-ST. Tema 2: Circuitos pasivos de microondas.
Pablo Luis Lpez Esp
[Fig.1.] http://www.geocities.com/etsetb/4a_mw_t2.pdf
[Fig.2.] http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/apuntes/
[Fig. 3] www.uniquesys.com/products/passive/waveguides/s146.html

ACOPLADOR BRANCH LINE
Beatriz Barcala Snchez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : beatriz_barcala@yahoo.es

Resumen- En este documento se lleva a cabo una
caracterizacin del acoplador direccional Branch Line.
De las caractersticas que posee como acoplador
direccional en general y como acoplador ramal en
particular. Se har tambin un estudio mediante la
matriz de parmetros Scattering y cmo sta puede ser
simplificada gracias a las propiedades de la Branch Line,
para posteriormente hacer una simulacin del
funcionamiento de los parmetros de la matriz S ms
caractersticos.
I.
II.
INTRODUCCIN
El objetivo de este artculo es una caracterizacin de los
acopladores direccionales, especialmente la Branch line.
Histricamente, el acoplador Branch line es uno de los
dispositivos hbridos ms usados y ms populares debido a
su facilidad de diseo e implementacin. Se fabrica con
tecnologa microstrip o stripline.
Un acoplador direccional es una unin de cuatro puertas
unidas por dos lneas de transmisin y un mecanismo de
acoplo entre ellas. De las cuatro puertas, una de ellas se toma
como entrada, dos de ellas como salidas y la otra queda
aislada. De esta manera cuando la potencia es introducida
por la puerta de entrada es repartida solamente a dos de las
tres puertas restantes. Quedando tambin las entradas
aisladas por parejas. Es una red recproca, sin prdidas y
completamente adaptada.
Un caso particular son los acopladores hbridos; que son
acopladores direccionales que realizan un reparto equitativo
de potencia entre las dos puertas por las que sale la energa.
DESARROLLO
II.1 Descripcin y esquemas
El acoplador Branch Line consiste en dos lneas de
transmisin paralelas y el mecanismo de acoplo usado en
este dispositivo consiste en dos (o ms) secciones de lnea
4
.Suponiendo las cuatro puertas cargadas con su
impedancia de referencia, como se muestra en la Fig.1.



Fig. 1a) y b). Esquemas tpicos de una Brarnch Line

La Branch Line es un dispositivo de cuatro puertas, una
de entrada y tres de salida, con la propiedad de que si la
energa incide por la puerta 1 se reparte entre la 3 y la 4 pero
nunca por la 2. Igualmente, si la energa incide por la puerta
2, se repartir entre las puertas 3 y 4 pero nunca por la 1. Por
tanto, se dice que las puertas 1 y 2 estn aisladas entre s. Lo
mismo sucede si tomamos las puertas 3 y 4 como entrada, la
energa siempre se repartir por las puertas 1 y 2 quedando la
3 y la 4 aisladas entre s.
Cada una de las 3 puertas de salida recibe un nombre en
funcin de la energa que le llega. Se identificar la puerta 1
como puerta de entrada de la energa y se llevar a cabo un
estudio energtico de identificacin del resto de puertas.
Dado que la va de unin entre la puerta 1 y la 3
corresponde a una rama principal (Z
1
), identificaremos la
puerta 3 como Puerta Directa. Segn podemos observar en
la Fig. 1. para llegar desde la puerta 1 hasta la puerta 4 la
seal puede recorrer dos caminos; primer camino pasando
por la puerta 3 y el segundo camino a travs de la puerta 2.
En la puerta 4 se sumaran dos seales en fase (desfasadas
ambas 180 debido a las dos lneas de transmisin de
longitud
4
atravesadas) por tanto existe seal de salida
desde la puerta 1 y la puerta 4 es la Puerta Acoplada.
Siguiendo el mismo desarrollo pero para la puerta 2,
obtendremos que cuando ambas seales se combinan tienden
a cancelarse, identificando as, la puerta 2 como Puerta
Aislada. Tal y como se muestra en la Fig.1.
Para una buena caracterizacin de la Branch Line, como
circuito pasivo y como acoplador direccional debemos
evaluar los siguientes parmetros bsicos: la adaptacin, las
prdidas de insercin, el acoplo, la directividad y el
aislamiento. Lgicamente, estos parmetros dependern de
las puertas anteriormente identificadas y se definen
suponiendo las puertas 2, 3 y 4 cargadas por sus impedancias
caractersticas y un generador de impedancia interna igual a
la impedancia caracterstica de la puerta 1 conectado en
dicha puerta.
Se define adaptacin o prdidas de retorno como la
diferencia en dB entre la potencia incidente a la entrada del
circuito y la potencia reflejada:

11
log 20 S L
R
= Ec.1 p p
R
L 0
El parmetro S
11
equivale al coeficiente de reflexin a la
entrada de la puerta 1. Tambin se puede definir mediante la
relacin de onda estacionaria:

11
11
1
1
S
S
SWR

+
=
p p SWR 1 Ec.2
donde el valor 1 equivale a una adaptacin perfecta e
infinito a una desadaptacin.
1

Si el resto de puertas estn cargadas con sus impedancias
caractersticas el coeficiente de reflexin a la entrada es nulo,
por tanto existira una adaptacin perfecta en todas las
puertas del circuito. Debido a que dada la adaptacin de una
puerta, todas se comportan de la misma manera.
Se definen las prdidas de insercin como la relacin en
dB entre la potencia de entrada y la potencia de salida por la
rama directa:

31
3
1
log 20 log 10 ) ( S
P
P
dB L
i
=

=
Ec.3
Siendo P
1
la potencia incidente en la puerta 1, P
3
la
potencia que sale por la puerta 3 y S
31
el parmetro de la
matriz S que se explicar a continuacin.
El acoplo se define como la relacin en dB entre la
potencia de entrada y la potencia de salida por la puerta
acoplada:

41
4
1
log 20 log 10 ) ( S
P
P
dB C =

=
Ec.4
Siendo P
4
la potencia que sale por la puerta 4 y S
41
el
parmetro de la matriz S.
El aislamiento se define como la relacin en dB entre la
potencia de entrada y la potencia de salida por la puerta
idealmente aislada:

21
2
1
log 20 log 10 ) ( S
P
P
dB I

=
Ec.5
Siendo P
2
la potencia que sale por la puerta 2 y S
21

parmetro de la matriz S.
Idealmente la potencia P
2
que sale por la puerta aislada
debe ser nula.
Para definir la directivita debemos mirar la relacin de
potencia entre la puerta acoplada (P.4) y la puerta aislada
(P.2):

) log 20 ( log 20 log 10 ) (
41 21
2
4
S S
P
P
dB D =

=
Ec.6
Segn podemos ver en las Ec.4, Ec.5 y Ej. 6 la
directividad, el acoplamiento y el aislamiento se relacionan
de la siguiente forma:
Ec.7
) ( ) ( ) ( dB C dB I dB D =
II.2 Clculo de parmetros S por simetra
Realizaremos la caracterizacin del circuito de
microondas a partir de la matriz de parmetros Scattering o
parmetros [S], que relaciona las ondas de tensin incidentes
en cada uno de los planos terminales de la red y las reflejadas
o dispersadas. Al ser un circuito formado por cuatro puertas,
obtendremos una matriz de dimensiones 4x4.
Ec.8
[ ]

=
44 43 42 41
34 33 32 31
24 23 22 21
14 13 12 11
0
S S S S
S S S S
S S S S
S S S S
S
Z
Dicho anlisis lo llevaremos a cabo a travs de las
tcnicas de simetra debido a la forma fsica del dispositivo.
En el esquema de la Fig. 2. observamos que tenemos dos
planos de simetra, uno horizontal y otro vertical.

Fig. 2. Plano de simetra para una Branch Line
Dividiendo el circuito por el plano horizontal, quedan dos
mitades iguales y por tanto la matriz final estar formada por
submatrices iguales entre s. Los circuitos equivalentes que
obtenemos son:


a) S
e
(par) b) S
o
(impar)
Fig. 3. Circuitos equivalentes a) par b) impar de una Branch Line
Por tanto la matriz de parmetros S puede obtenerse a
partir de las submatrices de los circuitos de la Fig. 3 como:

+
+
=
o e o e
o e o e
S S S S
S S S S
S
2
1 Ec.9
Como se mencion anteriormente, la propiedad de
simetra puede aplicarse nuevamente sobre ambos circuitos
mediante el plano vertical. Dividendo ambos circuitos por el
plano vertical obtenemos los circuitos equivalentes
mostrados en la Fig. 4.

a) S
ee
(par-par) b) S
eo
(par-impar)


c) S
oe
(impar-par) d) S
oo
(impar-impar)
Fig. 4. Circuitos equivalentes debidos al segundo plano de simetra.
a)Circuito equivalente par-par, b)Circuito equivalente par-impar,
c)Circuito equivalente impar-par, d)circuito equivalente impar-impar
Las longitudes de las lneas de transmisin de los
circuitos de la Fig. 4 son de 8 = l para la frecuencia de
trabajo.
Por tanto las expresiones matriciales Se y So que
habamos obtenido a partir de la Fig. 3 se pueden escribir de
la siguiente forma:

+
+
=
eo ee eo ee
eo ee eo ee
e
S S S S
S S S S
S
2
1 Ec.10

+
+
=
oo oe oo oe
oo oe oo oe
o
S S S S
S S S S
S
2
1 Ec.11
Para obtener el valor de las expresiones S
ee
, S
eo
, S
oe
y S
oo

basta con analizar cada uno de los circuitos equivalentes
correspondientes mostrados en la Fig. 4. Los cuatro circuitos
se corresponden con un circuito de una puerta, por tanto los
parmetros S anteriormente mencionados se corresponden
con el coeficiente de reflexin a la entrada de cada circuito.
Y dado que vamos a trabajar con componentes en paralelo
tiene la siguiente expresin:

ij in
ij in ij
Y Y
Y Y
S
_ 0
_ 0
+

= =
Ec.12
Donde es el coeficiente de reflexin a la entrada de
cada circuito y Yin es la admitancia de entrada a cada
circuito y se calcula como la suma de las admitancias de
ambas lneas.
Ec.13
2 1
Y Y Y
in
+ =
Dado que tenemos lneas de longitud 8 = l terminadas
en cortocircuito y circuito abierto, las admitancias de dichas
lneas son:
Ec.14
c
jY ca Y = ) (
Ec.15
c
jY cc Y = ) (
2

Donde Yc es la impedancia caracterstica de la lnea.
Y por tanto las admitancias de entrada a cada uno de los
circuitos equivalentes de la Fig. 4 son:
Ec.16
2 1 2 1
) ( ) ( jY jY ca Y ca Y Y
ee
+ = + =
Ec.17
2 1 2 1
) ( ) ( jY jY ca Y cc Y Y
eo
+ = + =
Ec.18
2 1 2 1
) ( ) ( jY jY cc Y ca Y Y
oe
= + =
Ec.19
2 1 2 1
) ( ) ( jY jY cc Y cc Y Y
oo
= + =
Volviendo a la Ec. 12 para particularizar el coeficiente de
reflexin para cada circuito y sustituyendo las ecuaciones
Ec.16 Ec.17 Ec.18 y Ec.19 obtenemos los siguientes
resultados:
Simetra par-par:

) (
) (
2 1 0
2 1 0
0
0
Y Y j Y
Y Y j Y
Y Y
Y Y
S
ee
ee ee ee
+ +
+
=
+

= =
Ec.20
Simetra par-impar:

) (
) (
2 1 0
2 1 0
0
0
Y Y j Y
Y Y j Y
Y Y
Y Y
S
eo
eo eo eo

+
=
+

= =
Ec.21
Simetra impar-par:

) (
) (
2 1 0
2 1 0
0
0
Y Y j Y
Y Y j Y
Y Y
Y Y
S
eo
eo oe oe
+

=
+

= =
Ec.22
Simetra impar-impar:

) (
) (
2 1 0
2 1 0
0
0
Y Y j Y
Y Y j Y
Y Y
Y Y
S
oo
oo oo oo
+
+ +
=
+

= =
Ec.23
Con estos valores podemos obtener las ecuaciones
matriciales Se y So de las ecuaciones Ec.10 y Ec.11 y
sustituir as en la ecuacin Ec. 9 para obtener la matriz de
parmetros S buscada.
Pero esta matriz puede ser simplificada debido a las
propiedades de los acopladores direccionales enunciadas
anteriormente:
Las puertas 1 y 2 y las 3 y 4 estn aisladas entre s:
Ec.24
) 0 (
34 12
= = S S
Al ser una red recproca, la matriz correspondiente es
una matriz simtrica:
Ec.25
) (
ji ij
S S =
Y debido a la condicin de adaptacin los parmetros de
la diagonal principal tienen valor cero:

)
Ec.26
( 0
44 33 22 11
= = = = S S S S
Si adems sabemos que se trata de una red sin prdidas la
matriz S es una matriz unitaria [ ] [ ] [ ] ( ) I S S =
+
de donde
podemos obtener entre otras, las siguientes ecuaciones que
simplificarn an ms la matriz anterior:
Ec.27
0
24
*
14 23
*
13
= + S S S S
Ec.28
0
24
*
23 14
*
13
= + S S S S
Como sabemos que
kl ij kl ij
S S S S =
*
las Ec.27 y Ec.28 las
podemos escribir de la siguiente forma:

24 14 23 13
S S S S =
Ec. 29

24 23 14 13
S S S S =
Ec.30
Y dividiendo la ecuacin Ec.29 entre la Ec.30
obtenemos:

14 23
S S =
Ec.31
Por tanto el acoplamiento entre las puertas 2 y 3 ser
igual que el acoplamiento entre las puertas 1 y 4.
Si adems sustituimos la ecuacin Ec.31 en la Ec.30
vemos que:

24 13
S S =
Ec.32
Y que el acoplamiento entre las puertas 1 y 3 ser el
mismo que entre las puertas 2 y 4.
En cuanto a la fase, existe un desfase relativo de 90
entre la rama directa y la rama acoplada.
Por tanto con las ecuaciones Ec.24, Ec.25, Ec.27, Ec.31 y
Ec.40 la matriz quedar simplificada de la siguiente forma:
Ec.33
[ ]

=
0 0
0 0
0 0
0 0
13 14
14 13
13 14
14 13
0
S S
S S
S S
S S
S
Z
II.3 Condicin de adaptacin
Como se explic anteriormente, debido a la condicin de
adaptacin los parmetros de la diagonal principal de la
matriz S de una Branch Line son nulos, tal y como se puede
ver en la Ec.33.
Obtendremos la condicin de adaptacin relacionada con
las impedancias caractersticas de las lneas de transmisin.
Dado que los cuatros parmetros son nulos, desarrollaremos
el parmetros S
11.
De las ecuaciones anteriores Ec.9 Ec.10 y
Ec.11 se puede obtener el parmetro S
11
:

[ ]
oo oe eo ee
S S S S S + + + =
4
1
11
Ec.34
Sustituyendo los resultados de las ecuaciones Ec.20,
Ec.21, Ec.22 y Ec.23 obtendramos:
0
)) ( ))( ( ))( ( ))( ( (
) (
2 1 0 2 1 0 2 1 0 2 1 0
4
0
2 2
2
2
1
11
=
+ + + +
+
=
Y Y j Y Y Y j Y Y Y j Y Y Y j Y
Y Y Y
S
Ec.35
Despejando de la ecuacin Ec.43 para que el circuito se
encuentre completamente adaptado se debe cumplir que:
Ec.36
2
2
2
1
2
0
Y Y Y =
II.4 Matriz S adaptada
Imponiendo la condicin de adaptacin expresada en
Ec.36 en el resto de parmetros no nulos de la matriz
obtenemos que:

1
0
13
Y
Y
j S =
Ec.37

1
2
14
Y
Y
S =
Ec.38
Y por tanto la matriz de parmetros S normalizada para
una Branch Line completamente adaptada queda de la
siguiente manera:
[ ]





=
0 0
0 0
0 0
0 0
1
2
1
2
1
1
1
2
1
2
1
1
0
Z j
Z
Z
Z
Z
Z j
Z j
Z
Z
Z
Z
Z j
S
Z
Ec.39
II.5 Simulaciones
Por ltimo se mostrarn unas simulaciones de la Branch
Line con el programa MMICAD.
La grfica que se muestra a continuacin se corresponde
con una Branch Line Ideal a 3dB, a una frecuencia de trabajo
de 1MHz y unas impedancias caractersticas de valores
tpicos y
= 4 . 35
1
Z
y . Obtenidas a partir de la
= 50
2
Z
3

condicin de adaptacin calculada anteriormente en la Ec.36,
con una y sabiendo que a 3dB se cumple que
= 50
0
Z
1
0
1
2
Y
Y
Y
Y
=
:

Fig.5.Mdulo de los parmetros S de una Branch Line Ideal.

Fig.6.Fase de los parmetros S de una Branch Line Ideal.

En la fig.5 se observa que a la frecuencia de trabajo el
acoplamiento (S
41
) y las prdidas de insercin (S
31
) son muy
prximos a 3dB y segn me alejo de dicha frecuencia los
parmetros varan suavemente, en cambio el aislamiento
(S
21
) y la adaptacin (S
11
) tienen un mnimo agudo a la
frecuencia de trabajo y son mucho ms sensibles a las
variaciones con la frecuencia. Estamos hablando de un
circuito muy sensible con la frecuencia y por tanto de Banda
Estrecha. Si observamos la Fig.6, correspondiente a las fases
de los parmetros, obtenemos los siguientes valores para la
frecuencia de trabajo: Ph(S
11
)=0.34; Ph(S
21
)=269.65;
Ph(S
31
)=270.00; Ph(S
31
)=180.00. Por tanto podemos
comprobar que a dicha frecuencia existe un desfase relativo
de 90 entre la rama directa y la rama acoplada (S
41
). A este
tipo de Branch Line, se le conoce como Branch Line hbrida
de cuadratura.
Por el contrario las grficas de la Fig.7 y Fig.8 pertenecen
a una Branch Line con lneas de transmisin no ideales sin
prdidas y con prdidas a una frecuencia de 500Mhz y unas
anchuras (W
2
=0.3007cm y W
1
=0.5220cm) y longitudes
(l
2
=8.07cm y l
1
=7.88cm) calculadas a partir de las
impedancias anteriores

Fig.7.Mdulo de los parmetros S de una Branch Line Sin prdidas.

Fig.8.Mdulo de los parmetros S de una Branch Line Con prdidas
Podemos observar que al introducir prdidas se producen
variaciones en todos los parmetro. El acoplamiento y las
prdidas de insercin usando lneas con prdidas se alejan
ligeramente de los valores ideales obtenidos con una Branch
Line sin prdidas, mientras que la variacin que se produce
en el aislamiento y en la adaptacin es ampliamente
significativa. Los parmetros, si se usan lneas con prdidas,
son menos sensibles a la variacin con frecuencia.
III.
IV.
CONCLUSINES
Se ha llevado a cabo el estudio y el anlisis del acoplador
direccional Branch Line, circuito de amplia utilizacin, como
hemos visto por su facilidad de diseo dado que se fabrican
con tecnologa microstrip o stripline, sin embargo, debido a
esto est orientado a acoplamientos menores de 10dB, ya que
tiene la limitacin de las anchuras de las lneas; para
acoplamientos grandes necesitaramos impedancias grandes,
que equivalen a anchuras demasiado pequeas, algunas
irrealizables fsicamente. Son dispositivos de banda estrecha
y por tanto muy sensibles a la variacin con la frecuencia,
para poder fijar un ancho de banda de trabajo, deberemos
elegir un aislamiento idneo dado que es el parmetro ms
sensible a las variaciones de frecuencia. Si fijndonos en la
Fig.5 optamos por un aislamiento de 20dB, obtenemos un
ancho de banda de aproximadamente 100KHz
(0.947~1.053)MHz. De tal forma que las prdidas de
insercin y el acoplamiento apenas sufren variaciones. Un
ancho de banda mayor repercute en un empeoramiento de las
caractersticas de la Branch Line, por tanto lo ideal es llegar
a una situacin de compromiso dependiendo de las
necesidades. Este es especialmente uno de los ms usados,
una Branch line hbrida de 90, que realizar un reparto
equitativo de potencia entre su rama directa y su rama
acoplada. Para no modificar este carcter hbrido, a la hora
de conectar la Branch line a otros dispositivos, debemos
alargar todas las puertas la misma longitud para no perder el
desfase relativo que le da esa caracterstica de hbrido de 90.
Una de las posibles aplicaciones del hbrido de 90 es la
obtencin de dos seales de cuadratura a partir de una fuente
nica. Otra aplicacin muy tpica de un acoplador
direccional se encuentra en los analizadores de redes, que se
emplean para medir los parmetros S de un circuito de
microondas. La Branch line es muy utilizada hoy en da en
nuevas investigaciones, como ejemplo podemos encontrar su
utilizacin en una antena reconfigurable basada en haces
conmutados, como acoplador de dos lentes apiladas para
conseguir el carcter reconfigurable.
REFERENCIAS
[1] R.E.Collin Foundation for Microwave Engineering, 2
nd
ed.
MacGraw-Hill series in electrical engineering. Radar and Antennas.
[2] R. Snchez Montero, P.L.Lpez Esp, M.P. J arabo Amores and
J .Alpuentes Hermosilla Teora de circuitos de Microondas.Parmetros S,
Servicion de publicaciones de la Universidad de Alcal.
[3] S.R.Pennock and P.R.Shepherd Microwave Engineering with wireless
applications, Macmillan Press LTD.
[4] P.L.Lpez Esp Apuntes de la asignatura Microondas de
Ing.Tec.Telecomunicaciones, Stmas. Teleco
[5] H.R.Ahn and I.Wolff Asymetric Four-Port and Branch-Line Hybrids,
IEEE Transactions on Micorwave Theory and Techniques, vol. 48, pp. 1585-
1588, September 2000.
[6] J .Alpuentes Hermosilla, M.P. J arabo Amores, P.L.Lpez Esp and J .A.
Pamies Guerrero Lneas de transmisin y redes de adaptacin en circuitos
de microondas Servicios de publicaciones de la Universidad de Alcal,2001
[7] P.A.Rizzi Microwave Engineering. Passive Circuits Pretince-Hall,
Inc. 1988.
[8] R. Snchez Montero, P.L.Lpez Esp and J .Alpuentes Hermosilla
Microondas prcticas Servicion de publicaciones de la Universidad de
Alcal.
[9] J .A.G.Malherbe Microwave Transmission Line Couplers,Artech
House,Inc.1988
[10] M.S.Prez and Y.M.Alonso Antenas de Haz Conmutado par Estaciones
Base de Telefona Mvil, Departamento de seales, sistemas y
radiocomunicaciones de la Universidad Politcnica de Madrid.2001.
4

1
ANILLO HBRIDO
Cristina Fernndez Fernndez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e- mai l : cr i sf dez84@yahoo. es

Resumen- En el apartado de la introduccin se hace una
breve introduccin histrica acerca de los acopladores
direccionales y un anillo hbrido basado en un divisor
Wilkinson. En el desarrollo se hace un estudio ms a
fondo del dispositivo en cuestin, incluyendo su
descripcin y esquema, el clculo de los parmetros de
Scattering, la condicin de adaptacin y la
correspondiente matriz adaptada, adems de una
simulacin del circuito para ver su comportamiento en
frecuencia. Por ltimo un apartado de conclusiones.
I. INTRODUCCIN
Despus de que Hertz verificase la teora de ondas
electromagnticas de Maxwell, no seria hasta el ao 1930
cuando, motivado por las necesidades de radares militares
principalmente, comenzase el desarrollo de componentes
pasivos de microondas durante la segunda Guerra Mundial.
El primer acoplador direccional, refirindose a l como
antena de lazo, es acreditado a la compaa H.A Affel de
A.T.T, el cual fue archivado y hasta cinco aos despus,
1927 no sera concedido. Este acoplador estaba formado por
dos lneas /4 y dos cables de unin entre ellas con un
resistor a una de sus salidas y un detector a la otra, colocado
paralelamente a lo largo de los dos cables o lnea de
transmisin. [1]
[2]La estructura general de los acopladores direccionales
de hoy son dos lneas de transmisin que se encuentran
unidas por un mecanismo de acoplo entre ellas. En el caso de
acopladores de 90 y 180 estos mecanismos de acoplo son
lneas de transmisin /4.
[3]El anillo hbrido es usado en su mayora para la
divisin de potencia en arrays de antenas en circuitos
impresos debido a que es un circuito que proporciona un
buen aislamiento entre sus puerta de salida, lo cual es
esencial para minimizar el acoplamiento mutuo entre
elementos radiantes. Los primeros diseos consideraban un
anillo hbrido con iguales impedancias en todos sus puertos.
En casos en los que la salida y la entrada requiriese
impedancias distintas, se colocaban transformadores en la
puerta correspondiente y en la aislada, lo que provocaba un
volumen mayor y unas prdidas importantes adicionales. La
solucin fue realizar un anillo hbrido mediante un
transformador de impedancia de doble direccin Wilkinson.





II. DESARROLLO

II.1 Descripcin y Esquema

[4]El anillo hbrido es un circuito pasivo de cuatro
puertas, recproco, sin prdidas y completamente adaptado.
Este dispositivo es un acoplador direccional, es decir
realiza un reparto de la potencia que se le suministra, entre
las tres puertas restantes. En cualquier acoplador direccional
una de sus puertas se encuentra aislada de la de entrada
(rama aislada), otra recibe potencia de forma privilegiada
(rama directa) y la ltima recibe potencia de forma menos
privilegiada (rama acoplada). En el caso del anillo hbrido el
reparto de potencias es equitativo entre su rama directa y
acoplada, quedando una aislada de la entrada. De esta forma
las prdidas de insercin, que relaciona la potencia de
entrada con la de salida por la rama directa, y el
acoplamiento, que relaciona la potencia de entrada con la se
salida por la rama acoplada es ambos de 3dB.
Como cualquier acoplador, cuenta con dos lneas de
transmisin y un mecanismo de acoplo entre ellas.
Fsicamente tiene un aspecto en forma de anillo del cual
salen cuatro accesos. Su esquema es el siguiente:

Fig. 1. Esquema de un acoplador Anillo Hbrido.
Podemos observar en la Figura 1 que las lneas de
transmisin que lo componen tendrn una impedancia
caracterstica de Z
2
, que forman las lneas principales,
mientras que las lneas de impedancia caracterstica Z
1

formarn los mecanismos de acoplo entre las anteriores. El
diseo de un acoplador para unas especificaciones dadas se
basa en encontrar el valor de estas impedancias
caractersticas que realizarn el reparto de potencia. Como
estamos tratando el caso de un anillo hbrido el valor de Z
1
y
Z
2
sern iguales.
Respecto a la longitud de stas, tres de las lneas sern
transformadores /4 y una cuarta de 3/4, formando un

2
permetro de 6/4. Debido al uso de lneas de transmisin en
la construccin del dispositivo la seal sufre retardos
dependiendo de los accesos que se tomen como entrada y
salida. En el caso del anillo hbrido la diferencia de fase
entre las dos vas principales es de 180. Para poder
comprobarlo y atendiendo a la numeracin de las puertas
seguida en el esquema, hacemos un seguimiento de la seal
desde que se inyecta por la puerta 1 hasta salir por la puerta
3, es decir, en una de las dos vas principales. La seal
atraviesa una lnea /4, teniendo un desfase la seal en la
puerta de salida (puerta 3) de -90 respecto a la de entrada
(puerta 1). De la otra lnea principal, la diferencia de fase
entre la puerta de salida (puerta 4) y la de entrada (puerta 2)
es de -270 por atravesar una lnea 3/4.

180 ) 270 ( 90
24 31
= = = A
S S
Ec. 1

Otra de las consecuencias del uso de lneas de
transmisin es que la respuesta en frecuencia tiene una
periodicidad de /2.
A la hora de trabajar con acopladores es importante
identificar los accesos. Para ello, sabemos que la rama de
entrada y la directa se encuentran sobre la misma va
principal, al igual que la rama acoplada y aislada lo estn
sobre la otra va principal.
Siguiendo la numeracin del esquema y usando el acceso
1 como entrada, la puerta 3 quedara como la rama directa,
por estar estos dos accesos sobre una de las dos lneas
principales, as pues, sobre la otra lnea de impedancia
caracterstica Z
2
se encontrarn las ramas aislada y
acoplada. Para identificarlas hacemos un seguimiento de la
seal desde la puerta de entrada a cada uno de los accesos
siguiendo los dos posibles caminos que puede seguir
De la puerta 1 a la 2: Si la seal se transmite hacia la
derecha, sta atraviesa una lnea de longitud /4, que se
corresponde con un retardo de -90. Si por el contrario se
transmite hacia la izquierda atraviesa dos lneas /4 y la de
3/4, sufriendo un desfase de -450, es decir -90. Luego
ambas seales llegan al acceso 2 en fase, tendiendo a
reforzarse, con lo cual podemos concluir diciendo que esta
sera la rama acoplada.
De igual forma de la puerta 1 a la 4 el retardo de la seal
hacia la derecha atraviesa dos lneas /4 (-180). Hacia la
izquierda pasamos por una lnea /4 y 3/4, que se
corresponde con un desfase de -360. Luego ambas seales
llegan al acceso 4 en contrafase y se cancelan, con lo cual la
puerta 4 ser la aislada.
Haciendo el mismo estudio de recorrido de la seal
tomando como entrada la puerta dos tenemos:
Acceso 2 entrada
Acceso 4 directa
Acceso 1 acoplada
Acceso 3 aislada
El anillo hbrido presenta un plano de simetra que deja
el acceso 1 y 2 en un plano y el 3 y el 4 en el otro, con lo
cual el acceso 3 se comporta de igual forma que el 1 y el 2
con el 4, as pues bastara con sustituir 1 por 3 y 2 por 4 y
viceversa en la identificacin de puertas anterior para
conocer cada acceso.
II.2 Clculo de los parmetros S
[5]Para conocer los parmetros de Scattering aplicamos
simetra sobre el dispositivo. El nico plano de simetra que
encontramos es aquel que divide el anillo hbrido de la
siguiente forma:

Fig. 2. Plano de simetra del Anillo Hbrido.
Quedndonos con el semiplano izquierdo, el circuito
equivalente al que llegamos es:

Fig. 3. Circuito equivalente del semiplano izquierdo de simetra del
Anillo Hbrido.
Hallamos las impedancias de entrada de las lneas /8 y
3/8 para el caso de excitacin par y excitacin impar
sabiendo que la expresin general de la impedancia de
entrada a una lnea es:
) ( .
) ( .
d tg jZ Z
d tg jZ Z
Zc Z
L C
C L
IN

+
+
= Ec. 2
Y que la impedancia de entrada de una lnea /4 es:
L
C
IN
Z
Z
Z
2
= Ec. 3
Como los accesos quedan colocados en paralelo en lugar
de trabajar con impedancias, lo haremos con admitancias
normalizadas para que resulte ms sencillo.
EXCITACION PAR: Los accesos que aparecen del plano
de simetra se sustituyen por circuitos abiertos. Por lo tanto
tenemos:
2 8 /
jY Y
CA IN
=

Ec. 4

2 8 / 3
jY Y
CA IN
=

Ec. 5
Con la excitacin par conoceremos la matriz S par, luego
hallamos el parmetro S
11
, el S
22
y el parmetro S
21
o S
12

para la situacin en la que los accesos de los planos de
simetra sean circuitos abiertos.

3
S
e
11
: para conocer el parmetro S
11
cargamos el acceso 2
con su admitancia caracterstica.

Fig. 4. Circuito equivalente para el clculo del coeficiente de reflexin
a la entrada cuando existe excitacin par.
2 1 4 / Y j Y
L
= Ec. 6
2 1
1
4 /
2
Y j
Y
Y
I N

=
Ec. 7
2 1
1
2 11
2
Y j
Y
Y j Y
e

+ = Ec. 8
2 2
2 2
1 2 1
2 2 1 2 1
11 1
11 1
11 11
Y Y
Y j Y Y
Y
Y
S
e
e
e e
+ +

=
+

= I = Ec. 9

S
e
22
: de la misma forma anterior hallamos el parmetro
S
22
cargando el acceso 1 con su admitancia caracterstica.
2 2
2 2
1 2 1
2 2 1 2 1
22 1
22 1
22 22
Y Y
Y j Y Y
Y
Y
S
e
e
e e
+ +
+
=
+

= I = Ec. 10

S
e
21
o S
e
12
: por ser el circuito recproco dar igual
calcular S
21
queS
12
. Para el clculo de cualquiera de estos
parmetros recurrimos a la definicin del parmetro con las
ondas a y b.
Yo I V
Yo I V
a
b
S
a
e
/ 1 1
/ 2 2
1
2
21
0 2
+

= =
=
Ec. 11
Yo I V / 2 2 = Ec. 12
11 / 1 1
e
Y I V = Ec. 13
Sustituyendo Ec.12 y Ec.13 en Ec.11 tenemos:
11 1
2
1
2
21
e
e
Y
V
V
S
+
= Ec. 14
Hallamos la relacin V2/V1 sabiendo que la tensin
incidente a la salida de la lnea /4 es la misma que la de
entrada desfasada 90 y por lo tanto los coeficientes de
reflexin a la entrada y a la salida de la lnea son iguales
pero cambiado de signo.
2 1
1
) 1 ( 1
) 1 ( 1
1
2
Y j
Y
j
Y
Y
j
V
V
IN
L

=
I +
I +
= Ec. 15
Sustituyendo la Ec.15 en Ec.14 tenemos el parmetro S
21
2 2
1 2 1
1
2 21
Y Y
Y
j S
e
+ +
= Ec. 16
La matriz S
e
nos queda:
(
(
(
(

+ +
+
+ +

+ +

+ +

=
2 2
2 2
2 2
2 2 2 2
2 2
1 2 1
2 2 1 2 1
1 2 1
1
2
1 2 1
1
2
1 2 1
2 2 1 2 1
Y Y
Y j Y Y
Y Y
Y
j
Y Y
Y
j
Y Y
Y j Y Y
S
e

Ec. 17
EXCITACION IMPAR: Los accesos que aparecen del
plano de simetra se sustituyen por cortocircuitos. Por lo
tanto tenemos:
2 8 /
jY Y
CC IN
=

Ec. 18

2 8 / 3
jY Y
CC IN
=

Ec. 19
De igual forma que con la excitacin par obtenemos una
matriz S
o
:
(
(
(
(

+ +

+ +

+ +

+ +
+
=
2 2
2 2
2 2
2 2 2 2
2 2
1 2 1
2 2 1 2 1
1 2 1
1
2
1 2 1
1
2
1 2 1
2 2 1 2 1
Y Y
Y j Y Y
Y Y
Y
j
Y Y
Y
j
Y Y
Y j Y Y
S
o
Ec. 20
Para hallar la matriz S total y como estamos hallndola
mediante simetra aplicamos:
| | | |
| | | |
(

+
+
=
o e o e
o e o e
S S S S
S S S S
S
2
1
Ec. 21

Sustituyendo la matriz S
e
(Ec.17) y S
o
(Ec.20) en Ec.21
tenemos que:
2 2
2 2
44 33 22 11
1 2 1
1 2 1
S S S S
Y Y
Y Y
+ +

= = = = Ec. 22
2 2
43 34 21 12
1 2 1
1
2
Y Y
Y
j S S S S
+ +
= = = = Ec. 23
2 2
42 24 31 13
1 2 1
2
2
Y Y
Y
j S S S S
+ +
= = = = Ec. 24
0
32 23 41 14
= = = = S S S S Ec. 25

II.3 Condicin de Adaptacin
El anillo hbrido es un acoplador completamente
adaptado, luego todos los elementos de la diagonal principal
deben ser 0.
0
1 2 1
1 2 1
2 2
2 2
=
+ +

Y Y
Y Y
Ec. 26
1 1 2
2 2
= +Y Y Ec. 27

4
II.4 Matriz S adaptada
Obtenemos la matriz S adaptada aplicando la condicin
de adaptacin a la matriz S hallada.
(
(
(
(
(

=
0
1
2
0
1
0
0
2
2
0
0
1
0
2
1
0
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
j S Ec. 28
En el caso que estamos tratando, como es un anillo
hbrido, Y1 e Y2 tendrn el mismo valor:
2
2 1
Yo
Y Y = = Ec. 29
Segn la numeracin de los accesos como el esquema de
la Figura 1:
2 log 20 log 20
31
Y S LI = = Ec. 30
1 log 20 log 20
12
Y S C = = Ec. 31
II.5 Simulaciones
Comprobaremos lo ya expuesto simulando con el
programa MMICAD un anillo hbrido a la frecuencia de
1GHz respetando la numeracin de la Figura 1.

Fig. 5. Representacin de la adaptacin (S11) y el aislamiento (S41).
Podemos comprobar en la Fig.5, como a la frecuencia de
diseo la puerta 1 se encuentra adaptada y que la
transferencia de potencia entre la puerta 1 y la 4, que es la
aislada es cero idealmente.

Fig. 6. Representacin de las prdidas de insercin (S31) y el
acoplamiento (S21).
En la Fig.6 vemos como las prdidas de insercin y el
acoplamiento coinciden a la frecuencia de diseo con 3dB,
indicando que la potencia se reparte por igual entre la puerta
directa y acoplada.


Fig. 7. Representacin del desfase entre vas principales.
Fijndonos en la Fig.7, a 1GHz podemos ver que el
desfase en la va principal entre el acceso 1 y 3 es de -90,
mientras que el de lnea que une los accesos 2 y 4 tiene un
desfase de 90, es decir que el desfase entre las dos vas
principales de 180
El parmetro ms significativo para conocer la frecuencia
de trabajo en un anillo hbrido observando su
comportamiento en frecuencia son el acoplamiento y
aislamiento, aunque es el aislamiento el que es ms sensible
a posibles variaciones.
II. CONCLUSIONES
Los acopladores direccionales son dispositivos pasivos de
cuatro puertas que realizan el reparto de la seal de entrada
entre dos de sus tres salidas. En el caso del anillo hbrido el
reparto es equitativo entre los accesos de salida. Tambin
podemos usar este dispositivo como desfasador. Una
caracterstica a destacar es que se trata de un dispositivo de
banda estrecha ya que desplazndonos de la frecuencia de
diseo las caractersticas, sobre todo de acoplamiento y
adaptacin se ven afectadas. Un inconveniente es que tiene
un gran permetro. Cabe destacar, que como para cualquier
dispositivo si la longitud de los accesos vara, la matriz de
parmetros S tambin se ve afectada. En este trabajo se han
considerados unos accesos ideales de longitud 0 e
impedancia Z caracterstica, as como un comportamiento
ideal del anillo, sin incluir prdidas de sustrato.

III. REFERENCIAS
[1] IEEE Transactions on microwave theory and techniques, VOL. MTT-32,
NO. 9, SEPTEMBER1984
[2] MACOM an AMP company, Application Note. RF Directional Couplers
and 3dB Hybrids Overview, M560
[3] ELECTRONICS LETTERS 21
st
J une 1990 Vol.26 No.13.
[4] Circuitos pasivos recprocos de microondas. Tema 2. Pablo Luis Lpez
Esp. Departamento de Teora de la Seal y Comunicaciones. UAH
[5] Teora de circuitos de microondas. Simetra. Tema 1.Pablo Luis Lpez
Esp. Departamento de Teora de la Seal y Comunicaciones. UAH.



1
ANILLO HBRIDO
Gnova Urea Santos
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :genurenasa@yahoo.es

Resumen- En este documento vamos a hablar sobre uno de
los circuitos pasivos de microondas, el anillo hbrido, es un
circuito pasivo recproco de cuatro puertas. Haremos el
anlisis y el diseo de este acoplador direccional (rat-race).
Dnde veremos el clculo de los parmetros S (parmetros
de dispersin), entraremos en la condicin de adaptacin,
junto con la matriz S adaptada, para terminar con la
simulacin del mismo.
I. INTRODUCCIN
De la unin de cuatro guas vamos a estudiar uno de los
dispositivos pasivos que es el acoplador direccional, en
nuestro caso concreto el anillo hbrido (hybrid ring).
Definimos un acoplador directivo como la unin de
cuatro guas no disipativa y no degenerada, adaptada desde 2
de dichas guas y tal que no existe acoplo entre una de las
ltimas y otra de las restantes: s
11
= s
22
= s
13
. Tenemos varios
teoremas:
Teorema 1: Un acoplo directivo est completamente
adaptado y tambin estn desacopladas la pareja formada
por las guas que no se suponen desacopladas
inicialmente.
Teorema 2: Una unin de cuatro guas no disipativa y
no degenerada que est adaptada desde tres de ellas es un
acoplo directivo.
Teorema 3: Si una unin de cuatro guas, no
disipativa y no degenerada, tiene dos guas desacopladas
y est adaptada desde ellas, es un acoplo directivo.
Tenemos las siguientes matrices:

0 s
12
0 s
14

S
1
= s
12
0

s
23
0 Ec.1
0 s
23
0 s
34

s
14
0 s
34
0

0 0 s
13
s
14

S
3
= 0 0

s
23
s
24
Ec.2
s
13
s
23
0 0
s
14
s
24
0 0






De la matriz S
1
hacemos la siguiente interpretacin
fsica:

B
1
= s
12
* a
2
+ s
14
* a
4
Ec. 3
B
2
= s
12
* a
1
+ s
23
* a
3
Ec. 4
B
3
= s
23
* a
2
+ s
34
* a
4
Ec. 5
B
4
= s
14
* a
1
+ s
34
* a
3
Ec. 6
Si a
3
, a
2
, a
4
= 0 entonces:
B
1
= 0; B
2
= s
12
* a
1
; B
3
=0; B
4
= s
14
* a
1

La potencia incidente por la gua 1 se distribuye
entre las 2 y 4.
|s
21
|
2
+ |s
41
|
2
= 1
El coeficiente de transmisin es el mayor de los
coeficientes anteriores.
El coeficiente de acoplamiento es el menor de los
anteriores. El nombre del tipo de acoplo lo da la relacin
en dB del coeficiente anterior.
Directividad es la relacin entre la acoplada y la
aislada.

En la puerta 2 es donde va ms potencia y en la puerta 4
donde va menos potencia.
Si se calculan los elementos diagonales de S
H
S=I se llega
a:
||s
21
||=||s
34
||
||s
14
||=||s
23
||

La conclusin es que la puerta acoplada y la transmitida
se encuentran desfasadas 90
El acoplo directivo asimtrico 180 de desfase entre la
puerta acoplada y la transmitida.




2

II.1Anillo Hbrido

Un acoplador hbrido es un acoplador direccional que
realiza un reparto equitativo de la potencia entre su rama
directa y acoplada. Debido al reparto de potencia que hace,
las prdidas de insercin y el acoplamiento toman un valor
de 3dB


II.2 Simulacin

Vamos a hacer el estudio de la simulacin de un anillo
hbrido a 3dB. Las ecuaciones para obtener el diseo del
anillo hbrido son las siguientes.
Ec. 7
Ec. 8
Ec. 9
En el caso de un anillo hbrido a 3dB en el que todas sus
puertas estn adaptadas, en la que se cumple:
Ec. 10

De aqu se deduce:
Z
1
=sqrt2 Z
0
Ec.11




Con una frecuencia de diseo de 500Mhz, obtendramos
los valores que mostramos en la siguiente tabla, para el caso
ideal, el caso sin prdidas y el caso con prdidas:

Realizamos los clculos tericos de las longitudes,
anchuras e impedancias de las lneas de transmisin: Z
0
=50,
y con el mmicad y el uso de las instrucciones
correspondientes como el MCURVE, obtendremos las
grficas correspondientes, del mdulo y la fase como
mostramos a continuacin para el caso ideal:

MMICAD -- Fri Mar 05 20:01:42 2004
FREQUENCY [GHZ]
0.1 0.825 1.55 2.28 3
-100
-75
-50
-25
0
DB[S11]
AN_IDEAL
DB[S12]
AN_IDEAL
DB[S13]
AN_IDEAL
DB[S14]
AN_IDEAL

Fig.5 Mdulo

MMICAD -- Fri Mar 05 20:01:25 2004
FREQUENCY [GHZ]
0.1 0.825 1.55 2.28 3
0
90
180
270
360
PHA[S12]
AN_IDEAL
PHA[S13]
AN_IDEAL
PHA[S14]
AN_IDEAL

Fig. 6 Fase
Para el caso del anillo hbrido de 3 dB la frecuencia de
trabajo es prcticamente coincidente con la de diseo segn
los datos que se obtienen en la simulacin. Si se realiza un
barrido de frecuencia en pasos de 20MHz se ve que el
mnimo valor del parmetro s
11
lo tenemos para la frecuencia
de diseo.

II. CONCLUSIONES

Observamos que el anillo hbrido a 3dB reparte por igual
la potencia en las puertas adyacentes a la entrada y deja
aislada la no adyacente.
III. REFERENCIAS
[1] D. Pozar, Microwave Engineering, 3
rd
.ed.
[2] IEEE hybrid ring
[3] P. Lpez Espi, Apuntes Microondas , Spain, 2007
[4] Prcticas laboratorio antenas y microondas
[5] Internet, hybrid_ring_tuning_instructions"


1
ACOPLADORES DE AGUJEROS
Estefana Moya Cobo
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : emc18987@alu.uah.es

Resumen: Acopladores con agujeros.
El trabajo consta de varias partes: en la introduccin
est descrito un breve comentario sobre la historia de las
microondas y de los acopladores direccionales en gua de
onda. El desarrollo consta de tres partes; descripcin,
ecuaciones y tipos fundamentales. En tipos de
acopladores hemos descrito acopladores con 2 agujeros y
multiagujero. Viendo el comportamiento en frecuencia
de ambos hemos llegado a las conclusiones redactadas en
la ltima parte del trabajo.
I. INTRODUCCIN
Despus de que Heinrich Rudolf Hertz en 1888, siendo
ya profesor de fsica en la universidad de Karlsruhe, se
introdujera en el campo de las ondas electromagnticas y
reformulara las ecuaciones que Maxwell y Faraday
enunciaron anteriormente, pudo demostrar
experimentalmente que las ondas elctricas podan viajar en
el espacio libre. [1]
El campo de las microondas fue insignificante hasta
aproximadamente 1930. A partir de 1939 se fue
desarrollando gracias al apoyo de los militares durante La II
Guerra Mundial (1939-1945). En esta poca ya existen
publicaciones y referencias a los circuitos pasivos de
microondas a estudiar como son los acopladores
direccionales. [2] Los acopladores direccionales formados
generalmente por cuatro puertas reparten la potencia desde
una de las puertas que la consideramos como entrada haca
las otras tres puertas restantes. Una de las puertas recibir la
mayor parte de la potencia siendo as la puerta privilegiada,
otra de las puertas recibir menos potencia la
denominaremos la puerta menos privilegiada y por ltimo la
puerta restante la potencia que recibir ser
aproximadamente nula, por lo tanto tomar el nombre de
puerta aislada.
En 1932, George C. Southworth empez a investigar con
guas de onda en los laboratorios Bell Telephone. Como la
frecuencia ms alta con la que experimentaban era de
200Mhz, Southworth llen la gua de onda con agua
destilada para disminuir la seccin transversal elctrica y as
aumentar la frecuencia de trabajo. Segn una publicacin de
Leo Young la primera transmisin de seal por gua de onda
se llev a cabo en Mayo de 1933. [2]
El acoplador direccional en gua de onda ms temprano
probablemente us un par de sondas capacitivas espaciadas
/ 4 a lo largo de dos guas de onda. El primer empleo de
un acoplador con agujero fue el acoplador Bethe-hole, que
tiene un agujero redondo centrado comn entre las dos guas.
Este acoplador consista en cancelar la seal hacia una
direccin y reforzarla haca otra. El empleo de dos o ms
agujeros espaciados / 4 a lo largo de las dos guas
paralelas fue inventado por la W. W. Mumford el 14 de
junio de 1944, y publicado el 31 de julio de 1951. [2]

II. DESARROLLO
II.1Descripcin y esquema
Un acoplador direccional con guas de ondas es un
dispositivo de cuatro puertas que se realiza con dos guas de
onda puestas en contacto y taladradas por la cara que tienen
en contacto para conseguir un direccionamiento de la
potencia de entrada hacia dos de las tres puertas de salida.
Un pequeo agujero en la amplia pared comn entre dos
guas rectangulares proporciona 2 componentes de onda que
se refuerzan en la fase en la puerta denominada acoplada, y
se cancelan en la puerta denominada aislada. [3]


Fig. 1. Esquema de acoplador direccional con gua de onda
Bethe-hole.
Haremos un anlisis del comportamiento del acoplador
direccional Bethe-hole ya que es el acoplador ms simple
porque se compone nicamente de un agujero.
Sabiendo que:
La componente normal del momento bipolar elctrico y
la componente axial del magntico radian con simetra par.
[4].
La componente transversal del momento magntico lo
hace con simetra impar. [4]
Una forma de controlar estas amplitudes consiste en
desplazar la abertura de la pared lateral de la gua s. [4]

Podemos llegar a las siguientes ecuaciones:


2
0 0
2 / k =

II.2 Ecuaciones. [3]

Por la puerta 1 excitamos modo dominante de la gua
10
TE .
10
10
sin
sin
cos
j z
y
j z
x
j z
z
x
E A e
a
A x
H e
Z a
j A x
H e
aZ a

=

=
Ec.1
Donde:
A= amplitud del campo elctrico
Z
10
=
0
2
0
1 ( / 2 ) a


Ec.2
Impedancia del modo TE
10

=
2
0 0
1 ( / 2 ) k a Ec.3
Constante de fase
Ec.4

En la gua inferior la amplitud de la onda ser

Ec.5

Ec.6
Sabiendo que:
Ec.7


Donde:

a= dimensin de la gua indicada (cara ms ancha) en la
Fig.2
b= dimensin de la gua indicada en la Fig.1


2
0
2
3
e
r = Polarizacin elctrica Ec.8

2
0
4
3
m
r = Polarizacin magntica Ec.9

0
r Radio del agujero

Fig. 2. Esquema de acoplador direccional con gua de onda
Bethe-hole.
Siendo s la distancia al agujero y a la anchura de la
gua podemos determinar la posicin en la que tenemos que
fijar el agujero dentro de las guas con:

0
2 2
0
sin
2( )
s
a
a

Ec.10
Esta ecuacin representa la distancia ptima del agujero a
las caras laterales para obtener una potencia mnima a la
salida de la puerta aislada y maximizar la potencia que se
transmite a la puerta acoplada.
As pues el factor de acoplo o acoplamiento para el
acoplador Bethe-hole es:
10
20log ( )
A
C dB
A

= Ec.11
Y la directividad toma un valor de:
10
10
20log ( )
A
D dB
A

+
= Ec.12
A partir de la Ec.11 y teniendo en cuenta a la hora de
sustituir las ecuaciones Ec.6, Ec.7, Ec,8 y Ec.9 se determina
el radio del agujero taladrado entre las guas para un
acoplamiento dado.
Podemos concluir afirmando que un acoplador Bethe-hole
puede ser diseado encontrando el valor de s (la posicin de
la apertura ptima) y hallando
0
r para un acoplamiento
especifico.
II.3 Tipos fundamentales

Los acopladores en gua de onda se clasifican segn la
cara de la gua donde se practican los taladros y atendiendo a
si son lneas de transmisin paralelas o perpendiculares.
Segn la cara por donde se unen podemos distinguir dos
familias: [5]
Sidewall couplers: unidas por la cara lateral, que
normalmente es la cara ms estrecha.
Topwall couplers: unidas por la cara ms ancha montada
una encima de otra.
2
2 2 2 0
sin sin cos
10 0
2 2 2
10
10
jwA
s s s
m
A
c P
a a a
Z a


= +




2
2
2 2
2 2 0
sin sin cos
10 0
2
10
10
jwA
s s s
m
A
e P
a a a a
Z


+
= +




10
10
ab
P
Z
=

3
Dentro de esta ltima familia podemos distinguir en
funcin de cmo estn montadas las guas entre guas
longitudinales y guas de cruz.
Los taladros realizados entre ambas guas pueden tener
diferentes formas, las ms comunes son en forma cilndrica o
en aspa. Las formas de los agujeros van a determinar la
calidad del acoplamiento entre las guas, as como el tamao
variar el acoplamiento entre ellas.
II.4 Acopladores de dos agujeros
Son dos guas en contacto cuyos taladros (los dos
agujeros) estn separados / 4
g
.
Una de las caractersticas del acoplador con agujeros es
que se produce acoplamiento entre guas tanto del campo
elctrico como del magntico. La diferencia entre los
acoplamientos de ambos campos es que en el campo
elctrico se produce la propagacin en fase de ondas hacia
las puertas acoplada y aislada (en la gua secundaria) y en el
campo magntico produce ondas de igual amplitud tambin
desfasadas en la gua secundaria.
Analizaremos el comportamiento del acoplador en gua
de onda de dos agujeros topwall atendiendo al
comportamiento del campo elctrico: [5]


Fig. 3. Esquema de acoplador direccional de dos agujeros en gua de onda

Entramos por la puerta 1, y tomamos como referencia de
fases el primer agujero, una pequea parte de la seal se
acopla hacia abajo como indican las flechas del dibujo, es un
acoplamiento dbil ya que 1 a = y 1 b << .
La seal b se reparte hacia la izquierda
r
b y hacia la
derecha
f
b .
La seal a sufre un retardo de 90 al ser una lnea
/ 4
g
, sta a su vez se vuelve a repartir en el 2 agujero en
r
jb y
f
jb .
En la gua de abajo la seal
r
jb se propaga por la
gua en el sentido inverso de propagacin retrasndose
tambin 90 quedando -
r
b .
En la gua de abajo la seal
f
b tambin se propaga por
la gua retrasndose 90, (
f
jb ).
La puerta directa nos quedar la seal introducida a la
entrada con un desfase de 90 debido a la propagacin por la
lnea / 4
g
.
As en la puerta 4 -
r
b y
r
b se cancelarn dejando a esa
puerta sin seal y por lo tanto ser la puerta AISLADA.
La puerta 3 quedar reforzada ya que tenemos
f
jb y
f
jb y por lo tanto nos quedar 2
f
jb y por lo tanto
tendremos la puerta ACOPLADA.

As el acoplamiento lo podemos definir en forma
numrica como:

20log(2 )
f
C b =

Ec.13
Los acopladores de dos agujeros posen una respuesta en
frecuencia ms estrecha que los acopladores de n agujeros,
separados entre s una distancia de / 4
g
. Es una respuesta
mucho ms selectiva.

II.5 Acopladores multiagujero
Partiendo de la ltima caracterstica descrita en los
acopladores de dos agujeros en la que destacamos su
respuesta selectiva en frecuencia, para mejorar la respuesta
en frecuencia utilizaremos mayor nmero de aberturas
siempre distanciadas / 4
g
.


Fig. 4. Esquema de acoplador direccional multiagujero en gua de onda


La onda incidente tiene amplitud a.
Distinguimos
0
a

(coeficiente de acoplamiento hacia


detrs) y
0
a
+
(coeficiente de acoplamiento hacia delante).
Suponemos origen de fases en n=0.

Excitamos la puerta 1.

Si los agujeros son pequeos, hay slo una pequea
fraccin potencia acoplada por la gua superior de modo que
nosotros podemos decir que la onda incidente sobre todos
los agujeros es esencialmente la unidad. Tendremos de
nuevo los coeficientes
f
b que se desplaza en la direccin de
propagacin y
r
b que se desplaza en direccin contraria.

As las seales de salida son: [3]

En la puerta de salida (2) o directa tendremos:


Ec.14

En la puerta acoplada (3) tenemos:
0
n
N
jN d jN d
f
n
e e b

=
+


4

2
0
n
N
j N d
f
n
e b

=

Ec.15
Y en la puerta de entrada (1) y aislada (4) tendremos:

2
0
n
N
j n d
r
n
b e

=

Ec.16

As podemos definir el acoplamiento y la directividad
para un acoplador multiagujero como:

C=
0
20log ( )
n
N
f
n
b dB
=


Ec.17
D=
2
0
0
20log ( )
n
n
N
j n d
r
n
N
f
n
b e
dB
b

=
=

Ec.18


II.6 Simulaciones

Simulamos con el programa de clculo matlab el
comportamiento del acoplador en gua de onda de dos
agujeros.
Simulamos los mdulos de las salidas en las puertas
acoplada y directa:

2
1
j d
e

+
2
1
j d
e

Ec.19



Fig. 5. Representacin grfica de la salida en un acoplador de dos agujeros



El eje de abscisas est cuantificado en radianes.

En la grfica 1 podemos observar que se anula a los 90 y
se refuerza a las 180, es una funcin peridica.

En la grfica 2 por el contrario tenemos un mximo en
90 y un mnimo en 180 ( rad).



Fig. 6. Representacin grfica de la salida en un acoplador de dos agujeros

III. CONCLUSIONES
Principalmente podemos destacar la respuesta en
frecuencia como conclusin ms importante. Los
acopladores se disean para tener un acoplamiento
determinado para un rango de frecuencias en las que
vayamos a trabajar. La directividad va a ser el parmetro
clave cuando queramos obtener un buen acoplador en gua
de onda.
Si tenemos un buen aislamiento tendremos una buena
directividad ya que:
D= I-C, podemos decir que tenemos una buena
directividad entorno a D=18 dB.


Fig. 8. Representacin grfica en la banda X de frecuencias de un acoplador
tpico de -20 dB de un solo agujero. [3]
El acoplamiento es constante para toda la banda de
frecuencias, la directividad es de banda estrecha para el
acoplador de un solo agujero. Podemos alcanzar una banda
de frecuencias ms ancha para la directividad usando una
serie de agujeros de espaciados / 4
g
.
IV. REFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Heinrich_Rudolf_Hertz
[2] IEEE Transaction microwave theory and techniques, VOL. Mm-32, NO.
9, SEPTEMBER1984
[3] Microwave Physics and Techniques, Lecture 10 Power Dividers and
Couplers UCSB June 19, 2003 A. Nassiri ANL.
[4] Elementos acopladores, hbridos y divisores de potencia. Microondas
captulo I. Departamento de Teora de la Seal y Comunicaciones
Universidad de Sevilla.
[5] Circuitos pasivos de microondas. Tema 2. Pablo Lus Lpez Esp.
Departamento de Teora de la Seal y Comunicaciones UAH.

5



1
ACOPLADORES DE AGUJEROS
Antonio Jos Soto Mrquez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : ajsoto_1@hotmail.com

En el presente texto sobre acopladores de agujeros se
podr encontrar una explicacin del principio de
funcionamiento empleado por este tipo de dispositivos,
los principales tipos de acopladores, incluyendo en estos
apartados acopladores de uno y dos agujeros, y
acopladores multiagujero, as como los principales
montajes y configuraciones de los mismos. Todo ello
acompaado de ilustraciones con gran valor didctico y
de las expresiones ms relevantes que acompaan a los
dispositivos bajo estudio.
I. INTRODUCCIN
En gua de ondas, para conseguir acoplamiento de seal,
el mtodo ms comn es usar aperturas en las paredes de la
gua, normalmente en forma de delgadas ranuras o agujeros.
Asumiendo la propagacin de modo TE
10
, la apertura 1 de la
figura, radia parte de la energa de la onda y, por tanto,
encuentra su uso como acoplador direccional en el cual una o
ms aperturas se encuentran en la cara comn entre dos guas
contiguas, de ese modo permite la transferencia de energa
electromagntica entre ellas.
Para el caso de acoplamiento elctrico, el campo elctrico
(E
y
) se extiende desde la gua principal a la gua secundaria.
En el acoplamiento magntico, es H
x
quien se acopla a la
gua secundaria. De esta manera, la radiacin que pasa por la
apertura circular es debida al acoplamiento entre el campo
elctrico y el magntico. Por otro lado, el acoplamiento
debido a la apertura 2 de la figura, se debe solo al campo
magntico H
z
existente en la apertura, ya que para el caso de
las pequeas ranuras, el acoplamiento es esencialmente
magntico (solo la componente del campo magntico paralela
a la ranura se acopla por la apertura) [1]. Una manera
alternativa de ver el acoplamiento magntico es en trminos
de la interrupcin de las corrientes de conduccin. Para la
apertura 3 de la figura, se radia energa ya que la corriente de
conduccin longitudinal (J
z
) es interrumpida. Las aperturas
nmero 4 y 5 interrumpen las corrientes de conduccin
transversales (J
x
y J
y
respectivamente), de ese modo se
produce acoplamiento magntico mediante la componente
H
z
. Ranuras como las mostradas en la parte derecha de la
figura, son no radiantes ya que no interrumpe ninguna
corriente [4].


Fig. 1. Aperturas radiantes y no radiantes en gua rectangular.
II. ACOPLADORES DE UN AGUJERO
II.1El acoplador de Bethe-hole
La propiedad fundamental de todos los acopladores
direccionales es producir dos ondas separadas, las cuales se
suman en fase en la puerta acoplada y se cancelan en la
puerta aislada. Una de las formas ms simples de hacer esto
es mediante una gua de ondas, que se coloca encima de otra,
con un pequeo agujero en la cara ancha comn entre las dos
guas. Entonces al acoplador se le conoce como acoplador
Bethe, que tiene las dos versiones que se muestran en la
figura.


Fig. 2. Versiones del acoplador Bethe-hole
De la teora de acoplamiento por pequeas aperturas,
sabemos que una apertura puede ser reemplazada por una
fuente equivalente consistente en los momentos de los
dipolos elctricos y magnticos. Por esta razn, ajustando las
amplitudes relativas de las dos fuentes equivalentes, se puede
cancelar la radiacin en la direccin de la puerta aislada,
mientras se refuerza en la direccin de la puerta acoplada.
Como se puede ver en la primera ilustracin de la figura, las
dos guas son paralelas, y el acoplamiento se controla
mediante la distancia s, que representa el desplazamiento de
la apertura desde el borde de la gua. Para el acoplador de la
segunda ilustracin de la figura, las amplitudes de las ondas
se controlan mediante el ngulo , formado entre las dos
guas [3]. En funcin del ajuste de , se puede alcanzar un
gran valor de directividad. La principal caracterstica de este
acoplador es que produce acoplamiento entre guas tanto del
campo elctrico como del magntico. Para una seal de
entrada por la puerta 1, el acoplamiento elctrico produce la
propagacin en fase de ondas hacia las puertas 3 y 4. El
acoplamiento magntico (H
x
), produce ondas desfasadas,

2
pero de igual amplitud, en la gua secundaria. En funcin del
ajuste del ngulo , los coeficientes de acoplamiento
elctrico y magntico pueden ser iguales, producindose
cancelacin total de la onda en la puerta 4. Debido a esto
mismo, la potencia se inyecta por la puerta 1, y se acopla a la
3, pero no a la 4. El ngulo para el cual se obtiene el valor de
directividad mxima se obtiene mediante la siguiente
ecuacin:

2
0
2
1
cos

g Ec. 1
Es posible minimizar la potencia que pasa a la puerta
aislada (la 4) y maximizar la que se transmite a la acoplada
(la 3) seleccionando la distancia del agujero a las caras
laterales [1]. La distancia ptima puede determinarse a partir
de la expresin

) ( 2
.
sin
2 2
0
0
a
a
s

Ec. 2
Cuando el espaciamiento s de la apertura respecto a la
cara ancha de la gua se elija para satisfacer la relacin
anterior, la potencia acoplada en la puerta 4 ser cero.
Un anlisis ms detallado muestra que el acoplamiento y
la directividad pueden obtenerse mediante:
cos
1
log 20
X
C
Ec. 3

cos 1
cos 2
log 20
+
+ = C D
Ec. 4
donde
g
ab r X 3 / . 16
3
0
=
, y r
0
representa el radio de la
apertura. El acoplamiento en la puerta 3 est dado por la
ecuacin dada ms abajo, con X + 1 sustituido por X + 1
y A
1
+A
3
intercambiado con A
2
+A
4
. Cuando a 2
0
= , la
apertura se encuentra en el centro, es decir, s=a/2 [2], lo que
hace que se comporte como un acoplador inverso. La razn
de esto es que el vector del campo elctrico se invierte al
acoplarse en la gua secundaria, pero el vector magntico no.
Para esa condicin, el campo acoplado en la puerta 3 es
mnimo, y el acoplado a la 4 mximo. El acoplamiento y la
directividad que se consiguen estn dados por:
X
X
A A
C
C
2
4 2
1
log 20 log 20
+
=
+
=
Ec. 5
1
3 1
4 2
log 20 log 20

=
+
+
= X
A A
A A
D
Ec. 6
donde
( ) a d sen ab r X
g
/ ) 3 / . 16 (
2 3
0
=
. Estas frmulas se
cumplen slo a la frecuencia de diseo. Los resultados
obtenidos estn basados en la aceptacin de que la pared de
la gua en la cual se encuentra la apertura es infinitamente
delgada. Para grosores normales de las paredes de las guas
de onda, el acoplamiento ser 1 2 dB menor. Uno de los
problemas de este tipo de acoplador es que tiene una
directividad muy dependiente con la frecuencia, y por tanto,
su utilidad est limitada a aplicaciones de banda estrecha [2].
Con todo esto, un acoplador Bethe puede ser diseado,
encontrando el valor de s y la posicin de la apertura, y
despus se debe determinar el tamao de la misma, r
0
, para
obtener el factor de acoplamiento deseado.
La geometra de este tipo de acopladores, a menudo
puede variar en funcin de la aplicacin y fabricacin. Por
eso, estos acopladores se disean para obtener las
caractersticas adecuadas a la frecuencia de trabajo; cualquier
desviacin de la frecuencia de trabajo puede suponer alterar
el nivel de acoplamiento y directividad [3].

III. ACOPLADORES DE DOS AGUJEROS
El funcionamiento de la versin de dos agujeros se puede
entender con la ayuda de la figura, donde se toma la puerta 1
como entrada. Ambas aperturas son de idntica forma y
tamao. La onda incidente por la puerta 1 es designada por el
fasor a
1
= a
1 0
. Como se propaga hacia la puerta 4, parte de
la onda se acopla por el primer agujero hacia las puertas 3 y
2. Esas ondas son denotadas como k
f
a
1 l
y k
r
a
1 0 ,
donde k
f
y k
r
son los coeficientes de acoplamiento directo e
inverso. Destacar que la onda de la puerta 3 est retrasada en
fase l , donde
g
/ 2 =
es la constante de fase de la gua
de onda. Para el acoplamiento k
f
y k
r
son menores de 0.1. Por
tanto, el acoplamiento debido a la segunda apertura produce
ondas directa e inversa de valor k
f
a
1 l y k
r
a
1 l 2
,
respectivamente. Con esto, las ondas salientes de las puertas
3 y 2 son
l a k b
f
=
1 3
2
y
) 2 1 0 1 (
1 2
l a k b
r
+ =
. La
potencia asociada a esas ondas est dada por
2
3
b y
2
2
b
. As,
2
1
2
3
4 a k P
f
=
y
l a k l jsen l a k P
r r

2 2
1
2 2 2
1
2
2
cos 4 | 2 ) 2 cos 1 ( | = + =

Fig. 3. Acoplador de dos agujeros

Puesto que
2
1
a es la potencia incidente por la puerta de
entrada, el acoplamiento y la directividad para el acoplador
de dos agujeros estn dados por:

=
2
4
1
log 10
f
k
C
Ec. 7

l
k
k
D
r
f

2
2
cos
log 10

=
Ec. 8
El acoplamiento solo es funcin de k
f
, el cual depende
del tamao de la apertura y de la frecuencia de trabajo. Para
agujeros circulares pequeos de dimetro d, k
f
es
proporcional a
3
d . Cuando el agujero se encuentra en la cara
estrecha, k
f
aumenta a medida que la frecuencia de trabajo
disminuye. Esto se debe a que la interrupcin de las
corrientes transversales, las cuales producen el acoplamiento,
aumenta cuando la frecuencia de funcionamiento se acerca a
su punto lmite. La respuesta en frecuencia para un agujero
situado en la cara ms ancha es ms compleja. Para ambas
caras, el acoplamiento es independiente de l ya que la
longitud de los caminos que atraviesan las ondas hasta llegar
a la puerta 3 es idntica. La directividad, en cambio, es

3
funcin de l ya que la diferencia de fase de las ondas que
llegan a la puerta 2 es l 2 . La expresin de la directividad
escrita antes para el acoplador de dos agujeros se puede
reescribir como:
2 2
cos
1
log 10 log 10

=
l k
k
D
r
f


Ec. 9
La directividad es la suma de la directividad propia de
una nica apertura ms una directividad asociada al array (en
este caso array de dos elementos). Para una longitud l fija, la
directividad es funcin de , y por tanto, de la frecuencia [1].
Los parmetros de acoplamiento de las aperturas (k
f
y k
r
)
generalmente sufren pequeas variaciones con la frecuencia;
el acoplamiento C no depende particularmente de la
frecuencia, y presenta una respuesta prcticamente plana en
toda su banda de operacin. La directividad por su parte s es
sensible a la frecuencia, debido a que tambin lo es el factor
de array
l sec
. Es posible conseguir anchos de banda
mayores que los que alcanza el acoplador de doble agujero
utilizando acopladores de mltiples agujeros [2].

III.1Acoplador Riblet-Saad
Este acoplador fue diseado por Riblet y Saad. Alcanza
una gran directividad. La ranura longitudinal acopla H
z

produciendo ondas en la gua secundaria dadas por k
z
a
1
. La
ranura transversal acopla H
x
produciendo ondas distintas
dadas por +k
x
a
1
y -k
x
a
1.

Fig. 4. Ranuras de un acoplador Riblet-Saad

Si las dimensiones de las ranuras son las mismas, la
relacin k
x
/ k
z
es proporcional a la relacin H
x
/ H
z
en la gua
principal. Para a
g
2 = , lo cual ocurre sobre la mitad de la
banda de uso de la gua, k
x
/k
z
=1 y se produce una
cancelacin total de la onda (b
2
=0) en la puerta 2. La seal
acoplada a la puerta 3 es
1 3
2 a k b
x
= .

Fig. 5. Acoplador Riblet-Saad
De esta manera la mxima directividad y el acoplamiento
plano ocurren a la misma frecuencia. La directividad es
funcin de la frecuencia, ya que lo es k
x
/k
z
. Para un nico par
de ranuras, se pueden alcanzar valores de directividad
mayores de 20 dB en el 25% de la banda de frecuencia. Para
conseguir mayores valores de directividad y ancho de banda,
es necesaria la utilizacin de diseos basados en
multisecciones [1].

III.2 Acoplador de fase invertida de Schwinger
Consiste en dos agujeros separados l=
g
/4 a la frecuencia
de diseo. Est diseado para intercambiar la dependencia
con la frecuencia del acoplamiento y la directividad, adems,
la direccin de propagacin de la onda acoplada es opuesta a
la de la onda de la gua principal. Ambos fines se consiguen
haciendo que una apertura radie un campo el cual es el
opuesto al radiado por la otra. La primera apertura radia los
campos segn b
f
y b
r
, y la segunda apertura segn -b
f
y -b
r
.
La posicin de las ranuras hace que la componente H
z
se
acople a la gua secundaria. La porcin de la onda que se
propaga hacia la puerta 2 recorre la misma distancia, por lo
que se produce cancelacin (b
2
=0). Por otro lado, las ondas
las ondas que viajan hacia la puerta 3 se suman con un
desfase de 180 2 = d a la frecuencia de diseo.

Fig. 6. Acoplador de Schwinger
Cabe destacar que el acoplamiento es funcin de d
pero no lo es la directividad, por lo que el factor de acoplo es
ms sensible con la frecuencia que la directividad. Por tanto,
el factor de acoplo ser
d sen b C
r
2 log 20 =
Ec. 9
y es mximo para d=
g
/4. De esta forma, sus caractersticas
se ajustan al acoplador de dos agujeros descrito
anteriormente [1]. Para este acoplador, la directividad es
tericamente infinita y est dada por dada por
d
b
b
d b
b
e b
b
D
r
f
r
f
d j
r
f

sec log 20 log 20


cos
log 20
1
2
log 20
2
+ = =
+
=

Ec.10
Realmente, en la prctica, la directividad D
evidentemente no es infinita [2].

III.3 Acoplador de Moreno de guas cruzadas
En el acoplador de Moreno las guas se orientan
formando un ngulo recto. El acoplamiento se realiza a
travs de las caras anchas, mediante dos aperturas en forma
de cruz con las cuales se consigue un fuerte acoplo de
campos.

Fig. 7. Acoplador de Moreno de guas cruzadas
La longitud que recorren las componentes que van hacia
la puerta 2 es la misma, las ondas llegan desfasadas 180, y
por tanto, se cancelan. Por tanto, la directividad de este tipo
de acopladores es independiente de l . A la frecuencia de

4
diseo, l=
g
/4 por lo tanto las ondas que llegan (acopladas)
a la puerta 3 se suman. Esas ondas estn en fase, ya que el
retraso de fase de 180 es debido al desplazamiento de l 2 .
La seal principal incidente por la puerta 1 se acopla a la
puerta 3, pero no a la puerta 2. El acoplamiento tambin
depende de l , y por tanto es sensible a la frecuencia. Este
diseo da lugar a una elevada sensibilidad con la frecuencia
tanto de la directividad como del factor de acoplo [1].

IIII. ACOPLADORES MULTIAGUJERO
Este tipo de acopladores direccionales son utilizados
normalmente en aplicaciones que requieren un acoplamiento
bajo. Consisten en dos guas de onda rectangulares idnticas
que tienen una cara comn, ya sea la ancha o la estrecha,
como se muestra en la fig. 8. En ambos casos, la distancia l
entre aperturas es de
g
/4 a la frecuencia de diseo.

Fig. 8. Acopladores multiagujero
La banda de frecuencia de trabajo del acoplador es
bastante escasa. El ancho de banda se puede incrementar
utilizando tcnicas de multiseccin. Estos mtodos se pueden
utilizar para conseguir acopladores direccionales de banda
ancha. En el caso Butterworth, la distribucin de los
parmetros de la apertura va en funcin de los coeficientes
binomiales. Para ilustrar esto, vamos a considerar un
acoplador de tres agujeros (dos secciones), como el
mostrado:

Fig. 9. Acoplador multiagujero
Para una onda incidente por la puerta 1, el fasor total de
las tres ondas en la puerta 3 est dado por
l a k b
f
2 4
1 3
= , lo que hace que la potencia sea
2
1
2 2
3 3
16 a k b P
f
= =
. El fasor total de las ondas en la puerta 2
es
( )
l l a k
l l a k
l a k l a k a k b
r
r
r r r



2 cos 4
2 2 cos 1 2
4 2 2 0
2
1
1
1 1 1 2

= +
= + + =
. Con
esto la expresin de la potencia en la puerta 2 queda:
l a k b P
r

4 2
1
2 2
2 2
cos 16 = = Ec. 11
y la directividad del acoplador binomial de tres
agujeros:
4 2
cos
1
log 10 log 10

=
l k
k
D
r
f

Ec. 12
Destacar la mejora en el ancho de banda al aumentar el
nmero de secciones. El mismo anlisis que el realizado
anteriormente se puede generalizar a acopladores binomiales
de n secciones (n+1 agujeros), obteniendo la siguiente
expresin para la directividad:

n
r
f
l k
k
D
2 2
cos
1
log 10 log 10

Ec. 13
Para conseguir buena directividad en todo el ancho de
banda, se seleccionan los valores de los coeficientes de las
aperturas en funcin de los coeficientes de Tchebyscheff.
Para k
f
= k
r
, la directividad mnima sobre todo el ancho de
banda para una acoplador direccional de n secciones est
dada por:

2
0
min
cos
1
log 10

n
T D
Ec. 14
donde el ancho de banda est definido por
0 0
l y
T
n
representa el polinomio de Tchebyscheff de grado n. Para
obtener una directividad mnima, el ancho de banda de un
diseo de Tchebyscheff es mejor que el de un diseo
Butterworth, para el mismo nmero de secciones [1].
En otros trminos, el acoplamiento est dado por:

=
=
N
n
f
k C
0
log 20
Ec. 15
En un acoplador direccional multiagujero se requiere que
el acoplamiento de cada apertura sea pequeo, por lo que el
radio de las aperturas tambin debe ser pequeo.

V. CONCLUSIONES
Este tipo de dispositivos basa su funcionamiento en la
radiacin mediante aperturas, gracias a las cuales se produce
la transferencia de energa de una gua a la otra. Con esto y la
variacin de caminos seguidos por las seales, se consiguen
determinados desfases en estas, logrando as que su suma de
lugar al refuerzo y/o la cancelacin deseados en las seales
de salida. Para lograr esto, se emplean distintas tcnicas, que
van desde variar el nmero de agujeros radiantes, variar la
posicin y forma de las aperturas en las guas, la colocacin
de las guas, etc.

VI. REFERENCIAS
[1] Peter A. Rizzi, Microwave Engineering, Passive Circuits, pp. 367-
377, Patience Hall, 1988.
[2] Robert E. Collin, Foundations for Microwave Engineering, 2 ed., pp.
413-427, Wiley-Interscience, 2000
[3] David M. Pozar, Microwave Engineering, 3 ed., pp. 323-332, Wiley,
2005
[4] Gilbert H. Owyang, Foundations for Microwave Circuits, pp. 296-
310, Springer-Verlag, 1989
[5] C. G. Montgomery, R. H. Dicke and E. M. Purcell, Principles of
Microwave Circuits, pp. 299-301, IEE Electromagnetic Waves Series
25, 1987
[6] Charles A. Lee and G. Conrad Dalman, Microwave Devices, Circuits
and Their Interaction, pp. 99-102, Wiley Series in Microwave and
Optical Engineering, 1994



1
LNEAS ACOPLADAS
Juan Garca-Alcaiz Fernndez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal de Henares. Escuela Politcnica Superior.
e-mail :juangaf@hotmail.com


Resumen- Con este trabajo se pretende mostrar al lector los
fundamentos y caractersticas generales de las lneas de
transmisin acopladas, as como las ventajas de dicho medio de
transmisin frente a otros para su uso en el rango de las
microondas. El documento finaliza comparando dos tipos
diferentes de lneas acopladas: las lneas microstrip y stripline.
I. INTRODUCCIN
Se considera lnea de transmisin acoplada a un sistema
semicerrado de transmisin, formado por dos o ms tiras de
conductor paralelas separadas una distancia s, aisladas entre
s, dispuestas sobre substratos, denominados dielctricos, y
en el que las ondas, sin quedar totalmente confinadas en uno
u otro, es decir, sin existir un medio fsico nico que limite el
volumen por donde se propagan, puede ser guiada entre dos
puntos. Adems, gracias al comportamiento de las ondas
electromagnticas en este tipo de medios, las caractersticas
de las seales pueden ser modificadas en funcin de las
exigencias del proyecto.
II. LNEAS DE TRANSMISIN ACOPLADAS
Las lneas de transmisin acopladas disponen, por lo
menos, de dos conductores, para poder establecer entre ellos
una diferencia de potencial (quedando uno referido como
plano de masa). Debido a esta estructura, son capaces de
propagar modos transversales electromagnticos (TEM),
cuyas ondas que los conforman, tienen la propiedad de que
las componentes axiales de los campos elctricos y
magnticos son nulas.


Fig. 1. Lneas de transmisin acopladas con diferentes modos de
propagacin.

En la figura, C11 y C22 representan las capacidades entre
uno de los conductores y el plano de tierra cuando el otro
conductor no est presente. Por el contrario, C12 es la
capacidad entre los dos conductores en ausencia del plano de
tierra. En el modo par los dos conductores se encuentran al
mismo potencial, y la corriente fluye por ambos con la misma
amplitud y sentido. La simetra del campo elctrico crea una
pared magntica en el plano x=0, que impide que la corriente
circule entre los conductores. En el modo impar, uno de los
conductores se encuentra a potencial +V, y el otro a V. La
corriente fluye por ambos conductores con la misma
amplitud, pero en sentidos opuestos.

Las caractersticas de la lnea acoplada vienen dadas por
los valores de la permitividad efectiva y capacidad
(impedancia caracterstica) de los modos TEM par e impar.
En estos modos, los campos elctrico y magntico son
perpendiculares entre s y sus magnitudes estn relacionadas
por una impedancia de la onda, que depende nicamente de
las caractersticas del medio dielctrico por el que se propaga
la onda, de ah la importancia de elegir un buen material, en
funcin de las necesidades del diseo.

Estos sistemas pueden modelarse como redes de
parmetros distribuidos siendo posible estudiar la excitacin
y la propagacin de las ondas de tensin y corriente sin
necesidad de resolver las ecuaciones de Maxwell, sujetas a
las condiciones de contorno impuestas por el sistema.
Abordar, desde el punto de vista electromagntico el
planteamiento de la explicacin de este medio de transmisin
queda fuera del alcance de este trabajo, se abordar la
temtica desde el punto de vista del anlisis de las ecuaciones
de las ondas de tensin y corriente (incidente y reflejada) que
se propagan por las lneas.

II.1Modelo circuital de la lnea de transmisin

La caracterizacin de la propagacin de la seal analgica
en las lneas de transmisin se hace por medio de los
parmetros primarios y secundarios, que paso a definir ahora.



Fig. 2. Circuito equivalente de las lneas de transmisin con
prdidas.

2
Donde L, R, C y G son respectivamente la inductancia
(H/m), la resistencia (/m), la capacidad (F/m), y la
conductancia (S/m) por unidad de longitud, que se
corresponde con las inversa de la resistencia de aislamiento
entre ambos conductores. Son los parmetros primarios de las
lneas de transmisin homogneas. Estos parmetros estn
uniformemente distribuidos a lo largo de la lnea, y dependen
de la naturaleza y propiedades elctricas de los materiales de
la misma, del mtodo de construccin y geometra, y de las
frecuencias de las corrientes de la lnea, debido al efecto
pelicular.

R, es la resistencia por unidad de longitud debida a la
resistividad no nula de los conductores que forman la lnea.
En cuanto a las perdidas por radiacin, este efecto es ms
acusado cuanto mayor es la frecuencia donde la separacin
entre conductores es comparable o mayor incluso que la
longitud de onda de la seal. En este caso, los campos
radiados por cada conductor no se cancelan entre s, dando
lugar a una prdida de energa.

L, es la inductancia de lazo por unidad de longitud debida a
los flujos interior y exterior a los conductores. Si el conductor
es perfecto, la corriente en su interior es nula, y la inductancia
total es igual a la inductancia externa (debida al flujo
externo). Si el conductor no es perfecto, la inductancia total
ser la suma de las inductancias externa e interna (esta
ltima debida al flujo interno).

C, es la capacidad uniformemente distribuida debida a la
presencia de conductores separados por dielctricos.

G, representa las prdidas que aparecen cuando el dielctrico
que separa los conductores no es perfecto.
II.2 Ecuaciones de las lneas de transmisin. Ondas de
tensin y corriente

Cuando se realiza el estudio de un circuito en baja
frecuencia, puede considerarse que las ondas de tensin y
corriente afectan al circuito completo en el mismo instante de
tiempo. Es decir, se desprecian los efectos de la propagacin
debido a que la longitud de onda de la seal es mucho mayor
que las dimensiones fsicas del circuito, haciendo
despreciables el desfase que experimenta la seal y el tiempo
que tarda en propagarse. . Para poder aplicar las tcnicas de
anlisis de baja frecuencia, el circuito debe estudiarse en
secciones de longitud diferencial, en las cuales los parmetros
pueden concentrarse en un solo valor.


Fig. 3. Ondas de tensin y corriente de las lneas de transmisin.

En frecuencias de microondas, los desfases y retardos no
son despreciables, y las ondas de corriente y tensin tienen
valores distintos en distintos puntos del circuito, y en un
mismo instante de tiempo .Aplicando las leyes de Kirchhoff
al circuito equivalente a una seccin infinitesimal de lnea de
transmisin, las expresiones instantneas de la tensin y la
corriente vienen dadas por:

( , )
( , ) ( , )* * * ( , )
v z z t
i z t v z z t G z i z z t
t
+
= + + +

Ec.(1)
( , )
( , ) ( , ) * * * * ( , )
i z t
v z t i z t R z L z v z z t
t

= + + +

Ec.(2)
Dividiendo por z y calculando el lmite cuando z
tiende a cero, las anteriores se transforman en la siguiente
pareja que se conoce como ecuaciones de la lnea de
transmisin con prdidas:

( , ) ( , )
* ( , )
( , ) ( , )
* ( , ) *
v z t i z t
R i z t L
z t
i z t v z t
G v z t C
z t

=


=

Ec.(3)

Suponiendo una dependencia armnica con el tiempo, las
expresiones instantneas de la tensin y la corriente se
expresan:

( , ) Re[ ( ) * ]
( , ) Re[ ( ) * ]
jwt
jwt
v z t V z e
i z t I z e
=
=
Ec.(4)

Donde V(z) e I(z) son los favores asociados a las
expresiones instantneas de la tensin y la corriente
respectivamente y w es la pulsacin del generador de
excitacin. Dado que las ecuaciones que describen el circuito
son lineales y el operador parte real, tambin lo es, se
resolver el sistema de ecuaciones planteado sustituyendo
v(z,t) por V(z)*e
jwt
e i(z,t) por I(z)*e
jwt
, sin olvidar que para
obtener la solucin de las tensiones y corriente instantneas
se habrn de aplicar las ecuaciones anteriores.

Sustituyendo estos valores en las ecuaciones de la lnea
de transmisin con prdidas y eliminando el trmino e
jwt
se
obtienen las siguientes relaciones entre fasores:

( )
( ) * ( )
( )
( ) * ( )
V v
R jwL I z
z
I z
G jwC V z
z

= +

= +

Ec.(5)

Si se define la impedancia serie de la lnea por unidad de
longitud como Z=R+jwL y la admitancia paralelo por unidad
de longitud como Y=G+jwC las expresiones anteriores se
pueden reescribir como:

( )
* ( )
( )
* ( )
V v
Z I z
z
I z
Y V z
z

Ec.(6)

3
Derivando respecto a z en una de las ecuaciones
anteriores y sustituyendo en la otra, se obtiene:

2
2
2
2
2
2
( )
( ) * ( ) * ( ) * ( )
( )
( ) * ( ) * ( ) * ( )
V z
R jwL G jwC V z V z
z
I z
R jwL G jwC I z I z
z

= + + =

= + + =

Ec.(7)

Donde
2
* Z I = .
III. LNEAS DE TIRAS

Las lneas planares, debido a la alta atenuacin que
presentan y a su baja capacidad de transmisin de potencia,
no son tiles para transmitir informacin entre puntos
alejados. Se emplean para realizar componentes pasivos en
circuitos de microondas, tales como bobinas, condensadores,
redes de adaptacin, filtros, antenas, resonadores, etc., o
simplemente como elementos de interconexin, de reducidas
dimensiones, y con buenas caractersticas en aplicaciones de
microondas.
Adems tienen la ventaja de que se pueden fabricar con
tcnica PCB (placa de circuito impreso), lo que les hace
econmicamente atractivas.
Los substratos que conforman estos materiales, deben
reunir las siguientes propiedades:

Reducida tangente de prdidas elctricas
Buena conduccin trmica
Elevada constante dielctrica
Uniformidad e isotropa

El conductor ms utilizado es el cobre (Cu), y la cantidad
de material se expresa generalmente en oz(cantidad de
material por pie cuadrado). Los valores tpicos son 0.5, 1 2
oz, que determinan el espesor del conductor, respectivamente
(17.8, 35.6 y 71.1 m). Y en cuanto a sus caractersticas
deseadas:

Alta conductividad
Escasa dependencia de la resistencia superficial (Rs)
con la temperatura
Buena fijacin al substrato

Hay diversas variantes de las lneas de cinta, de las que
las ms usadas son la lnea de cinta propiamente dicha
(stripline) y la lnea de microcinta (microstrip).

III.1Stripline

Las lneas stripline estn formadas por dos cintas
conductoras paralelas de tierra, y una cinta conductora interna
de seal entre ellas. El ancho w de la cinta de seal es
pequeo frente al ancho de las tiras de tierra, de manera que
stas pueden considerarse planos infinitos. El espesor de la
cinta de seal es w y la separacin entre las tiras de tierra,
llena con un dielctrico de permitividad
r
, es h.



Fig. 4. Lneas stripline, en varias configuraciones y propagacin en
el interior de las lneas stripline

Los parmetros ms significativos que describen el
comportamiento de estas lneas son:
Impedancia caracterstica:

0
120
( )
r r


= Ec.(8)

La velocidad de propagacin y la longitud de onda en la
lnea se obtienen de las expresiones:
0
r
r
c
v

=
=
Ec.(9)
III.2 Microstrip

A diferencia de la stripline, las lneas microstrip son
estructuras abiertas, de forma que las lneas de campo no
estn confinadas en un solo medio, sino que se distribuyen en
el dielctrico y el aire. Debido a esta manera de propagacin,
los modos que propaga este sistema son denominados cuasi-
TEM pares e impares. Una cinta conductora muy ancha
funciona como plano de tierra y sobre ella se coloca un
dielctrico de permitividad
ef
y espesor b. sobre el sustrato
hay una (o varias) cinta de seal de espesor t y ancho w.


Fig. 5. Lneas microstrip, en varias configuraciones

4
La impedancia caracterstica de la lnea es de difcil
clculo debido al campo disperso fuera de la regin entre los
conductores. Las expresiones ms conocidas son las halladas
por Wheeler [2]. A partir de ellas se han realizado
aproximaciones y mejoras para diversas situaciones. En este
trabajo solamente se presentan las frmulas ms sencillas en
las que se desprecia el espesor t de la cinta de la seal.

2
1 1 1
0.04 1
2 2 12
1
r r
eff
w
b b
w



+
= + +


+



0
0
8
/ ln
4 2
eff
b w
w b Z
w b



+


Ec.(10)
0
0
1
/
1.393 0.667ln( 1.444)
eff
w b Z
w w
b b


+ + +


La velocidad de propagacin y la longitud de onda en la lnea
se obtienen de las expresiones:
0
eff
eff
c
v

=
=
Ec.(11)
III.2 Microstrip o Stripline?

Ahora bien, la pregunta es: cual es el mejor mtodo para
encaminar la seal, microstrip o stripline?, la mayora de los
ingenieros diran que depende, la respuesta se basa en la
definicin de mejor. El proceso de cualquier diseo se basa
en balancear compensaciones, ya que, generalmente entre un
correcto funcionamiento y una respuesta aceptable interfiere
a su vez, no sin riesgo, el factor de costes. Es por esto que no
es conveniente basar diseos en reglas estrictas, cada diseo
es nico, los caminos marcados, pautas y mtodos definidos
por otros son meras herramientas a la hora de disear, pero en
ltima instancia, cada ingeniero necesita crear su propio
camino, y la mayora de las veces, lo ms rpidamente
posible. Todo lo que se puede hacer, es precisar los pros y los
contras de las lneas microstrip y las stripline, quedando a
criterio del ingeniero y a las exigencias impuestas por el
diseo la conveniencia de construir con una u otra.

En los diseos de alta frecuencia, los factores de primer
orden son la impedancia, la interferencia y la atenuacin
controladas, que influyen la anchura del conductor.

En cuanto a irradiacin, la microcinta irradiar ms que
un stripline, debido a que el conductor por el que se gua la
seal, est en contacto con el aire, no se confina todo en el
medio, as que si se carece de medio blindado para evitar las
interferencias, recibidas o producidas por la microcinta, se
recomienda valorar la opcin de stripline.
A igual impedancia, la microstrip requiere el grueso total
del dielctrico, al usar sustrato FR-4, en cambio para la
stripline se requiere el total del grueso de dos veces la
anchura del sustrato, con dos planos de referencia al rededor
del conductor principal.
En cuanto a la atenuacin, la diferencia es ms sutil, para
100 ohmios la diferencia de prdida del conductor es casi
comparable entre las dos, sin embargo la prdida dielctrica
es ms baja en microstrip que en stripline para FR-4, ya que
algunas lneas de campo en microstrip estn en el aire, donde
ven un factor ms bajo de disipacin que en el dielctrico.
Esto da a la microstrip cerca de una atenuacin ms baja del
30% que el stripline, que significa potencialmente una
anchura de banda ms alta de la interconexin por el 30%.

Hoy en da, se disponen de numerosas herramientas al
alcance de los ingenieros, capaces de simular el
comportamiento de estos medios de transmisin, alguno de
ellos son MMICAD, Microwave Office, o Libra, entre otros.


Fig. 6. Representacin con MMICAD del parmetro S21 en dB,
para lneas ideales microstrip y stripline
IV. CONCLUSIONES
Debido a la creciente demanda de sistemas que trabajan
en banda RF y microondas, tanto en comunicaciones civiles
como de defensa, las lneas de transmisin acopladas se
muestran como una opcin muy acertada en la eleccin de
fabricacin de sus componentes (filtros, acopladores,
amplificadores etc.), por la estabilidad que demuestran a
altas frecuencias, la facilidad de fabricacin y manejo, y,
como no, un coste moderado frente a otros medios.
Cada proyecto tiene sus exigencias, compromisos, y
queda a criterio del ingeniero el uso de cualquiera de las
tecnologas a su alcance en el diseo a altas frecuencias, pero
es indudable la calidad y ventajas que estos elementos
aportan a un sistema de comunicaciones.
III. REFERENCIAS
[1] H.A. Wheeler, Transmission-Line Properties of Parallel Strips
Separated by a Dielectric Sheet, IEEE Trans. Microwave Theory and
Techniques, MTT-3, No.3, marzo 1965, pp. 172-185.
[2] de I.J.Bahl, D.K.Trivedi, "A Designers Guide to Microstrip Line",
Microwaves, Mayo 1977, p.174. Frmulas ms complejas, para
mayores anchos de banda y situaciones de geometras variadas, pueden
encontrarse en el documento RT 3.1.2 de la firma Rogers Corp.
(http://www.rogers-corp.com/mwu/litintbl.htm).
[3] J. Alpuente Hermosilla, y otros, Lneas de transmission y Redes de
Adaptacin en Circuitos de Microondas, Servicio de Publicaciones
Universidad de Alcal, 2001.
[4] David M. Pozar, Microwave Engineering, Second Edition, John
Wiley & Sons, Inc.1998.
[5] C. E. Free and C. S. Aitchison, Improved Analysis and Design of
Coupled-Line Phase Shifters, IEEE Trans. Microwave Theory and
Techniques, vol 43, n 9, Septiembre 1995.
[6] E. G. Cristal and L. Young, Theory and Tables of Optimum
Symmetrical TEM-Mode Coupled-Transmision-Line Directional
Couplers IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol MTT-
13, n 5, Septiembre 1965.
[7] M.J. Madero Ayora., Lneas de transmisin planares, Escuela
Superior de Ingenieros de Sevilla,2007.


1
LNEAS ACOPLADAS
Javier Gascuea Moreno
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : jgm15027@alu.uah.es

Resumen- En este documento se muestra una breve
descripcin del concepto de lneas acopladas, junto con
alguno de los montajes ms usuales. Para ello se aportan
los clculos tericos necesarios, as como los esquemas y
simulaciones oportunos para el efecto.
Mostraremos especial dedicacin en la realizacin
sobre tecnologas microstrip y stripline por ser estas de
gran popularidad.

I. INTRODUCCIN
Las ondas planas uniformes, son ejemplos de propagacin
de ondas sin guas (libremente), en el sentido de que una vez
que se han propagado en una direccin, dentro de un bloque
infinito de material, continan propagndose en la misma
direccin. De acuerdo con lo anterior, las lneas de
transmisin (al igual que las guas de onda) se utilizan para
guiar la propagacin de la energa de un punto a otro.
As pues, una lnea de transmisin se puede definir como
un dispositivo para transmitir o guiar energa de un punto a
otro.
Decimos que dos pistas conductoras con fuentes de
excitacin no comn estn acopladas cuando la excitacin
elctrica sobre una de ellas se manifiesta en la otra. Esta
manifestacin la realiza el campo electromagntico en base a
elementos de acople (bien capacidades o inductancias).

II. DESCRIPCICIN Y ESQUEMA

El funcionamiento se basa en la posibilidad de poder
detectar y separar las ondas incidente y reflejada presentes en
la lnea de transmisin.
Tal y como se puede ver en la figura 1 el acoplamiento se
lleva a cabo cuando las dos lneas de transmisin estn lo
suficientemente juntas como para que exista un campo
elctrico entre ellas. El grado de acoplamiento depender de
la separacin entre ellas, siendo ms fuerte cuanto ms
prximas estn la una de la otra.

Fig.1. Lneas acopladas

Dos lneas acopladas conforman un sistema formado por
cuatro accesos (figura 2), el cual puede dividirse a su vez en
lo que se denota como modo Par y modo Impar (figura 3) en
alusin a la impedancia que caracteriza cada modo.
A continuacin en la figura 2 y en la figura 3 veremos
una imagen explicativa de dicho montaje realizado sobre
microstrip, donde podemos ver la configuracin de los
puertos.














Fig.2. Esquema lneas acopladas

1

2

3

4

Zo

Zo

Zo

Zo

V /2

V /2


Fig.3. Esquema modo Par o modo Impar

Indicar como la impedancia en modo par es mayor que la
impedancia en modo impar.
Como veremos ms adelante las lneas acopladas se usan
como potentes divisores en los cuales la potencia se divide
entre las dos salidas, y cuya gran ventaja es la capacidad de
proporcionar un gran aislamiento y la mejor entrada de la
VSWR.
De aqu que existan multitud de aplicaciones como
multiplexores, demultiplexores, filtros direccionales,
cambiadores de fase etc



1
2
3
4
Zo
Zo
Zo Zo
V V

2
III.CLCULOS TERICOS

Cada lnea puede ser analizada mediante la teora de lneas
de transmisin. Los voltajes e intensidades para los modos
par e impar se muestran a continuacin.

1 4
1 4
cos( ) . .sin( )
. .sin( ) cos( )
V e e j Zo e V e
I e j Voe e e I e



=



Ec.1

1 4
1 4
cos( ) . .sin( )
. .sin( ) cos( )
O O
O O
V o j Zo o V
I j Voe o o I



=



Ec.2

Tener presente que denotaremos al modo par con el
subndice e y al modo impar con el subndice o
Y las condiciones de contorno que caracterizan dichos
modos son:

3 4 0 I e I e = =
Ec.3
3 4 0 V o V o = =
Ec.4

El coeficiente de transmisin se obtiene como

2 2 2 1 1
1 1 1 1 1
V V e V o V e V o
V V e V o V e V o
+
= =
+ +

Ec.5

en trminos de la impedancia caracterstica:
2
1
V
V

Ec.6
. ( .cot( ) . tan( ))
2. . . tan( ).cot( ) . ( .cot( ) . tan( ))
j Zo Zoe e Zoo o
Zoe Zoo o e j Zo Zoe e Zoo o


+
=


siendo la impedancia caracterstica:

. Zo Zoe Zoo =

Ec.7

Por ltimo calcularemos las impedancias en modo par y
modo impar para dos lneas acopladas en tecnologa
microstrip. Nos centramos en este tipo tecnologa por ser de
gran popularidad. Los valores obtenidos tras realizar el
desarrollo pertinente son los siguientes.

eff.0
7 0.1
4.1, , 2.97
7 7


=



Ec.8

eff.e.0
5 10
4.1, , 3.089
7 7


=



Ec.9
5 2
4.1, , 69.314
7 7
Zo ohm

=



Ec.10

En la ecuacin 7 calculamos la permitividad efectiva de la
lnea microstrip, tomando como datos de entrada
eff.0
(
r
, u,
p), donde
r
para la lnea microstrip es de 4.1, u representa la
relacin entre la anchura y grosor tal como se muestra en la
figura 4 y p se rige por la ecuacin p=t/h.


w s w h

Fig.4.Lnea acoplada en microstrip

Seguido de esto calculamos la permitividad efectiva para
el modo par como se muestra en la ecuacin 8 y la
impedancia caracterstica, ecuacin 9.
Por ltimo calculamos la permitividad efectiva para el
modo impar (ecuacin 10) y las dos impedancias buscadas
para los diversos modos (ecuaciones 11 y 12) atendiendo a
los valores de entrada
eff.o.0
(
r
, u, p, g) y ZL(
r
, u, p, g),
donde g corresponde a g=s/h

eff.o.0
5 4 2
4.1, , , 2.586
7 7 7


=


Ec.11

5 4 2
4.1, , , 53.78
7 7 7
ZLo ohm

=



Ec.12

5 4 2
4.1, , , 76.432
7 7 7
ZLe ohm

=



Ec.13

IV.CONFIGURACIONES EN STRIPLINE Y
MICROSTRIP

En primer lugar presentaremos los dos tipos de tecnologas
mencionados, as como una breve descripcin de estos. En la
figura 5 se muestran dos fragmentos de tecnologa microstrip
y stripline. Como podemos ver el formato stripline posee una
estructura de sndwich, mientras que el formato microstrip
solo posee un plano de masa, producindose la propagacin
de un modo no homogneo. Por esta razn podemos afirmar
que por una lnea stripline se propagan los modos TEM, a
diferencia de una microstrip por la que se propagan los
modos quasi TEM

H
S W
L
H
W
t
r,tan GND
GND


Fig.5.Tecnologa microstrip y stripline





3





Las lneas acopladas se emplean para la construccin de
filtros para lneas microstrip basndose en el concepto de
inversor de admitancia a la frecuencia para la cual su
longitud fsica es /4.
A continuacin se ofrece una breve introduccin sobre
acopladores direccionales, por ser estos un caso particular de
las lneas acopladas de gran inters de estudio.
El uso de lneas acopladas para la construccin de
acopladores direccionales se da cuando estemos trabajando
con acoplamientos iguales o superiores a 10dB, ya que este
elevado valor de acoplamiento supone una limitacin en la
construccin de acopladores con mecanismos de
acoplamiento con lneas de transmisin como es el caso de la
Branch o el Anillo, ya que implicara una impedancia
caracterstica elevada y por lo tanto una anchura de lnea
irrealizable por su escasa anchura.
En el caso de acopladores con lneas acopladas, se
emplean dos lneas de transmisin de longitud /4 con
iguales impedancias caractersticas y con mecanismo de
acoplo el campo elctrico que aparece entre ellas.
Si el circuito formado por las 2 lneas acopladas se
encuentra adaptado, estaremos hablando de lo que se conoce
como acoplador direccional. En la figura 6 podemos ver los
cuatro accesos que lo conforman.
La funcionalidad de estos acopladores consiste en dividir
la potencia que llega por el puerto de entrada y pasarla a los
puertos de salida de modo que tomando una puerta al azar,
manda potencia a otras dos, dejando aislada la cuarta
restante.



Fig.6.Acoplador direccional

Siguiendo el esquema anterior, los accesos 1-2 y 3-4 son
directos entre s por encontrarse sobre la misma lnea de
acceso. El acoplamiento es mayor cuanto menor sea la
distancia a la fuente, por lo tanto los accesos 1-3 y 2-4 estn
acopladas entre s y los accesos 1-4 y 2-3 aislados. Si
consideramos el acceso 1 la entrada, la puerta 3 ser la
acoplada, la 2 la directa y la 4 la aislada.
El reparto de potencia entre las dos salidas se realiza de
forma que una de ellas recibe potencia de una forma
privilegiada, rama directa, mientras que la otra recibe
potencia de forma menos privilegiada, rama acoplada. Si el
reparto de potencia se realiza de forma equitativa hablaremos
de acopladores direccionales hbridos, pudiendo distinguir
ente hbridos de 180 o hbridos de 90 atendiendo al desfase
entre las ramas que reciben la potencia.
Los parmetros bsicos a la hora de caracterizar una
acoplador direccional son el acoplo (ecuacin 13), el
aislamiento (ecuacin 14) y la directividad (ecuacin 15) que
se define como:

1
2
( ) 10log
P
C dB
P

=



Ec.14

1 1 3
4 3 4
( ) 10log 10log
P P P
I dB
P P P

= = +



Ec.15

3
4
( ) 10log
P
D dB I D
P

= =


Ec.16

El acoplador bsico tiene una longitud de un cuarto de
longitud de onda, teniendo este una aplicacin inmediata en
las tcnicas usadas actualmente. Sin embargo, con el fin de
mejorar el ancho de banda en acoplamientos dbiles surge el
acoplador de tres cuartos de longitud de onda, que est
compuesto por tres acopladores de cuarto de longitud de
onda colocados en cascada, tal y como se muestra en la
figura 7.
1
2
3
4
/4
/4
/4

Fig.7.Acoplador direccional 3/4

La particularidad de este acoplador es la fcil
implementacin y la gran utilidad para acoplos a partir de 10
dB.
Existen mltiples tipos de acopladores direccionales
como la branch line o el anillo hbrido, compuestos por lneas
acopladas de longitud cuarto de onda o tres cuarto de onda,
en los cuales no entraremos en detalle an sabiendo de su
gran importancia hoy en da
A continuacin se adjuntan algunas realizaciones en
tecnologa stripline
a b c

Fig.8.modelos para acoplador direccional de 3dB



d f e
1 IN
3 OUT
2 DIR
4 AIS

4
Fig.9.e y f modelos para prdidas de acoplamiento, d modelo para
acoplador de tres cuartos de longitud de onda
Un posible ejemplo de aplicacin podra ser un acoplador
direccional en microstrip, para aplicaciones de TV en la
banda de UHF (470MHz a 860 MHz).


V.SIMULACIONES

Usando el programa MMICAD podemos ver la
simulacin de una lnea acoplada de longitud elctrica 90 y
adaptada.
Como el S21 y el S12 son iguales se confirma que el
circuito es recproco. A la frecuencia de diseo S11 y S22
(que tambin son iguales) se aproximan a cero por ser un
circuito completamente adaptado.
Esto significa que en una lnea acoplada adaptada el
coeficiente de reflexin a la entrada es igual que a la salida.
En la figura 10 se puede ver lo explicado anteriormente.
Tambin se aade la simulacin de una lnea acoplada con
prdidas en la que ya no se cumple esta relacin, figura 11.







Fig.10.Lnea acoplada ideal








Fig.11.Lnea acoplada con prdidas
VI.CONCLUSIONES

Los resultados de este trabajo generalizan los publicados
previamente en los que se demostraba la viabilidad a la hora
de utilizar lneas acopladas en las microondas. Se resalta el
gran abanico de posibilidades que estas nos ofrecen hoy en
da a la hora de implementar circuitos, as como la facilidad
de diseo. Tambin cabe resaltar la importancia de la
eleccin correcta de la longitud del acoplador a la hora de
realizar los diseos prcticos, tal y como se ha demostrado en
las realizaciones sobre microstrip y stripline.

VII.REFERENCIAS

[1] B. M. Schiffman, "A new class of broadband
microwave 90 phasebhifters." IRE Truns., vol. MTl-6, no. 4,
pp. 232-237, Apr. 1958.
[2] E. M. T. Jones and J. T. Bolljahn, "Coupled-strip
transmission line filtersand directional couplers," /RE
Truns., vol. MTT-4, no. 4, pp. 124-130, Apr. 1956.
[5] B. Schick and J. Kohler, "A method for broadhand
matching of diffei-entia1 phase shifters," I EEE Trans.
Microwaiv Theory Tech.. vol.
MTT-25, no. 8. pp. 666671, Aug. 1977.
[6,7] W. J. Getsinger, "Microstrip dispersion model,"
lEEE Trun.r. Mic,ro\vrrve Theory Tech., vol. 21, no. I , pp.
34-39, Jan. 1993.
[8,9]"Accurate Wide-Range Design Equations for the
Frequency Dependent Characteristics...", Kirschning, Jansen,
IEEE MITT Jan 1984, pgina 83 en adelante.
[10,11]"Accurate Wide-Range Design Equations for the
Frequency Dependent Characteristics...", Kirschning, Jansen,
IEEE MITT Jan 1984, pgina 83 en adelante.
[12,13] "Handbook of Microwave and Optical
Components", Chang, Chapter 1, Table 1.16.
[14,15] Teora de circuitos de microondas. Parmetros
S, pgina 174 en adelante, R.Snchez Montero, P.L.Lopez
Esp, M.P.Jarabo Amores, J.Alpuente Hermosilla.
[16] Microondas Prcticas, pgina 42, R.Snchez
Montero, P.L.Lopez Esp, J.Alpuente Hermosilla.




1
FERRITAS DE MICROONDAS
Rubn Garca Garca
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : rg.garcia1@gmail.com

Resumen- Las ferritas han adquirido mucha importancia
en el diseo de dispositivos no recprocos de microondas
a lo largo de las ltimas dcadas. La variedad de estos
materiales, as como sus caratersticas de baja
conductividad y anisotropa magntica, han permitido
realizar filtros, aisladores, desfasadores, circuladores, y
dems, todos ellos no recprocos, que hasta su llegada
eran imposibles de fabricar[1].
I. INTRODUCCIN
Con este trabajo realizaremos un anlisis general de los
materiales ferrimagnticos, comnmente conocidos como
ferritas.
Todos los materiales presentan unas propiedades
magnticas que se deben a los momentos magnticos de cada
tomo. Estos momentos vienen asociados al movimiento
orbital de los electrones alrededor del ncleo (momento
magntico orbital) y al movimiendo de los electrones sobre s
mismos (momento magntico de spn). La suma de los
momentos de todos los electrones presentes en un tomo nos
dar como resultado el momento magntico total del mismo.
Dependiendo de la respuesta conjunta de estos dipolos
magnticos al aplicarles un campo externo, tendremos varios
tipos de magnetismo: diamagnetismo, paramagnetismo,
ferromagnetismo, y en un grupo aparte, antiferromagnetismo
y ferrimagnetismo.
II. DESARROLLO
II.1 Ferrimagnetismo

En algunos materiales cermicos, existen diferentes iones
con momentos magnticos distintos (suelen ser Fe
2+
y Fe
3+
).
Al aplicar un campo magntico externo, los dipolos del in A
se alinean con el campo mientras que los dipolos del in B lo
hacen de forma antiparalela al campo (fig.1). Esta alineacin
se realiza mediante un movimiento de los spines de cada
electrn (movimiento de precesin) alrededor de la direccin
del campo magntico aplicado, el cual determina la pulsacin
del mismo. Como las magnitudes de los momentos opuestos
no son iguales, aparece una magnetizacin neta en la
direccin del campo externo. A estos materiales se les
denomina ferrimagnticos[2].
L. Neel estudi la interaccin de los spines de los
electrones en las ferritas en 1948.







II.2 Tipos de ferritas
Dependiendo de la magnetizacin que presenten
inicialmente podremos distinguir entre[3]:

- Ferritas blandas: No presentan una magnetizacin
significativa, por lo que podemos controlar su
funcionamiento mediante su polarizacin. Esta
propiedad las hace muy tiles para crear
dispositivos no recprocos de alta frecuencia, donde
las corrientes parsitas son un problema. En nuestro
caso se usarn principalmente como filtros,
desfasadores y aisladores.

- Ferritas duras: Presentan inicialmente una
magnetizacin fuerte que se considera permanente,
prcticamente no tendrn utilidad en los
dispositivos de microondas, se usan como imanes.

La forma de fabricar ambos tipos de ferritas es
prcticamente idntica. Se componen de xido frrico,
(XO)
m
(Fe
2
O
3
)
n
, siendo X un in de valencia 2 como cadmio,
cobalto, cobre, hierro, manganeso, nquel, zinc o alguna
tierra rara.
Se mezclan las proporciones de los materiales que
componen la ferrita y se muelen. Este polvo se introduce en
un horno a unos 1200 de manera que los componentes
reaccionen, se comprime para que la mezcla coja
consistencia, y finalmente se vuelve a hornear a mayor
temperatura para la compactacin final.
Es en este ltimo punto donde para crear ferritas duras se
aplica un campo magntico externo de manera que se quede
grabado de forma permanente.
Ademas de esta clasificacin, las ferritas tambin se
suelen clasificar segn la estructura cristalina que presentan:

- Granates: Forman parte de las ferritas blandas y
deben su nombre a que su estructura es idntica a la
de los cristales del mineral granate. Su composicin
es M
3
Fe
5
O
12
, donde M es un in de tierra rara. El
ms conocido es el YIG, formado por hierro e itrio,
y tiene mucha importancia como material para
aplicaciones de microondas. El ciclo de histresis de
los granates es cuadrado, tendr mayores prdidas
que las espinelas.

- Espinelas: Tambin son ferritas blandas pero en
este caso su estructura es similar a los cristales del
mineral espinela. La ms utilizada es la magnetita,
cuya composicin es FeO Fe
2
O
3
. La principal
ventaja frente a las granates es su mayor
Fig. 1. Momentos magnticos alineados de forma antiparalela
de diferente magnitud, ferrimagnetismo.

2
magnetizacin de saturacin. El ciclo de histresis
es rectngular y de menor superficie, el cual
propicia menores prdidas. Sus aplicaciones son
idnticas a las granates, se utilizarn como filtros,
desfasadores y aisladores no recprocos.

- Magnetoplumbitas o Ferritas hexagonales: Son
ferritas duras y poseen una estructura cristalina
similar al mineral plumbita. Se utilizan
fundamentalmente como imanes permanentes.

Ninguno de estos materiales se encuentra en la naturaleza,
ya que el complicado proceso de sntesis que requieren slo
se da de forma artificial.

II.3 Propiedades fundamentales

Los materiales ferrimagnticos presentan una baja
conductividad, lo que implica bajas prdidas, y unas
propiedades anisotrpicas que son inducidas por una
polarizacin previa del material.
La interaccin del campo de RF externo dar lugar al
movimiento de precesin de los momentos bipolares
alrededor de H
0
(fig.2) (de forma similar a un giroscopio).
Una vez polarizado el material, una seal de microondas
polarizada circularmente que se propaga en la misma
direccin que los momentos magnticos atravesar la ferrita
sin complicaciones. Sin embargo una seal con la direccin
opuesta se encontrar una oposicin a su paso y la interaccin
ser ms lenta. Esta propiedad direccional se usa para la
construccin de dispositivos de microondas como los
aisladores, circuladores y giradores[3].


Fig. 2. Movimiento de precesin, trayecto del eje de rotacin.

La energa trmica hace que los dipolos magnticos de
una ferrita se desven de su alineamiento. Al aumentar la
temperatura, se alcanza un punto en el cual el magnetismo de
estos materiales desaparece completamente, comportndose
como un material paramagntico. Este valor se denomina
temperatura de Curie (fig.3).
En los granates, este valor ser de unos 280C mientras
que en las espinelas ser bastante mayor pudiendo llegar
hasta los 600C.





II.4 Ciclos de histresis

Cualquier material ferrimagntico, a temperaturas
inferiores a la de Curie T
c
, est formado por regiones
tridimensionales o dominios en los cuales sus momentos
magnticos netos estn orientados al azar. Cada uno de esos
dominios esta magnetizado hasta la saturacin y separados
unos de otros mediante paredes de Bloch o de dominio, a
travs de las cuales la direccin de magnetizacin cambia
gradualmente[4].
El proceso de histresis (fig.4) es irreversible, una vez
apliquemos un campo magntico a una ferrita no podremos
devolverla a su estado inicial. Se define a continuacin.
La densidad de flujo magntico B y la intensidad de
campo magntico H no son proporcionales en estos
materiales. Si el material no est magnetizado, la curva de
histresis estar en el origen. Al aplicar un campo H las
paredes de Bloch irn avanzando, creciendo as los dominios
que lleven una direccin favorable al campo, y el campo B ir
aumentando conforme lo haga el campo H. Finalmente
tendremos un solo dominio paralelo casi por completo al
campo externo, se dice que el material est saturado. Una vez
llegamos a este punto H
s
, B no crecer ms por mucha
intensidad magntica que apliquemos.
A medida que el campo H se reduce debido a la inversin
de su direccin, la curva no invierte el camino original, sino
que se produce el efecto de histresis en el cual el campo B
va retrasado con respecto al campo aplicado H, se produce un
almacenamiento magntico. Cuando H es nulo, existe un
campo residual B
r
o de remanencia, el material permanece
magnetizado en ausencia de un campo magntico H. Este
comportamiento se debe al movimiento de las paredes de los
dominios, el proceso que realizaban se invierte encontrndose
con una resistencia al movimiento que explica el desfase
entre H y B.
Para hacer nulo el campo B dentro de la ferrita, se debe
aplicar un campo H
c
o de coercitividad en direccin opuesta
a la del campo original.
Si continuamos aplicando el campo en sentido contrario,
finalmente se alcanza la saturacin en la direccin opuesta.
Una segunda inversin del campo hasta el punto de la
saturacin inicial completara el ciclo de histresis simtrico
como indica la siguiente figura:



Fig. 4. Campos B y H en ferritas. Ciclo de histresis rectangular.

La prdida de potencia es directamente proporcinal al
rea de la curva de histresis.




H
0
Fig. 3. Temperatura de Curie para YIG de aluminio.

3
II.5 Polarizacin

Las ferritas se pueden polarizar de dos formas
diferentes[3][5]:

- De forma longitudinal: La direccin de propagacin
y la de polarizacin coinciden. Un campo H
polarizado circularmente interaccionar con la
ferrita dependiendo del sentido de polarizacin
como vemos a continuacin,


Ec.1

Por lo tanto las ondas se propagarn con diferentes
constantes de fase (
+
y
-
) provocando as el
Efecto Faraday del que hablaremos en otro
subapartado.

- De forma transversal: La direccin de propagacin
y la de polarizacin son perpendiculares. En este
caso tambin tendremos dos comportamientos
distintos que vendrn dados por las siguientes
ecuaciones,


Ec.2

A diferencia de la polarizacin longitudinal, en la
transversal no existir efecto Faraday. Lo que
aprovecharemos ser la frecuencia de resonancia
para atenuar la seal o desfasarla ms o menos,
segn trabajemos en una polarizacin o en otra.
Tambin lo veremos en un apartado posterior.

II.5 Tensor de permeabilidad

Las propiedades magnticas de una ferrita polarizada se
expresan mediante un tensor de permeabilidad anisotrpica,
el cual relaciona los campos B y H como se observa a
continuacin[3]:

Ec.3

Cuando la direccin de propagacin es z y la ferrita est
polarizada longitudinalmente el tensor ser el siguiente:
Ec.4





Donde y k toman los siguientes valores:



Ec.5
Como consecuencia de esta anisotropa, la ferrita ser
capaz de descomponer la seal que le llegue en dos
componentes polarizadas circularmente (una a derechas y
otra a izquierdas), tratando a cada una de ellas de forma
independiente y con velocidades de propagacin distintas.
Esta propiedad se denomina birrefringencia circular.
El tensor de permeabilidad fue obtenido por Polder en
1949.

II.7 Efecto Faraday

En las ferritas el efecto Faraday es resultado de la
resonancia ferromagntica debida al tensor de permeabilidad.
Esa resonancia provoca que las ondas se descompongan en
dos ondas polarizadas circularmente y se propaguen con
velocidades diferentes[3]. Una vez atraviesan el material las
ondas se recombinan, de manera que se produce un cambio
en la orientacin de la onda resultante final (fig. 5).



Fig. 5. Efecto Faraday en las ferritas.

Esta propiedad se aplicar en dispositivos de microondas
como el aislador de rotacin de Faraday, que utiliza la
rotacin del eje de la onda en la ferrita para que slo exista
propagacin en un sentido.

II.8 Resonancia

Como sabemos habr un punto de resonancia en la ferrita
donde las prdidas sern mximas (Fig.6). Que trabajemos
en l o no, depender de la intensidad del campo de
polarizacin transversal que le inyectemos.



Fig. 6. Resonancia magntica en las ferritas. Polarizacin en sentido +z

d

4

Definimos H como anchura de lnea, que es rango de
intensidades de polarizacin que nos permiten trabajar con la
ferrita en resonancia. El punto H
o
=H
r
ser donde tendremos la
mxima atenuacin posible. Esta resonancia slo se
encontrar en un sentido de la polarizacin (fig.6). Esta
diferencia ser la utilizada para crear aisladores de resonancia
en guas de onda[6].

Fig. 6. Permeabilidad magntica real e imaginaria en las ferritas. Segn la
polarizacin +z y z

Sin embargo otros dispositivos trabajan fuera de la
resonancia para aprovechar otras propiedades como la
diferencia de valores de la parte real de la permeabilidad (),
y as crear desfasadores variables no recprocos.
III. CONCLUSIONES
Como hemos visto, las ferritas son la esencia de los
dispositivos pasivos no recprocos de microondas. Las dos
formas de polarizar estos materiales nos dan resultados
variados y flexibles segn sean nuestras necesidades: la
polarizacin longitudinal implica el efecto Faraday, la
transversal en resonancia nos da un punto de mxima
atenuacin en una direccin, ofrecindonos ambos tipos la
posibilidad de sintetizar circuladores y aisladores, y la
polarizacin transversal fuera de la resonancia, que nos
facilita una diferencia de fase entre las seales directa e
inversa para crear desfasadores. Por lo tanto las ferritas son
un gran avance para la transmisin de seal de alta
frecuencia, que hasta el momento no ha dejado de
evolucionar.
III. REFERENCIAS
[1] Kenneth J. Button, A Review of Microwave Ferrite Devices.
[2] J.H. Van Vleck, Fundamenta Theory of Ferro- and Ferri- Magnetism,
Procedings of the IRE. 1956.
[3] http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/apuntes/Ferritas.pdf,
apuntes de clase.
[4] F.J. Rosenbaum, On the Latching of Rerrite Microwave Devices,
IEEE Transactions On Microwave and Theory Techniques. 1976.
[5] David M. Pozar, Microwave Engineering
[6] Nicolaas Bloembergen, Magnetic Resonance in Ferrites, Proceedings
of the IRE. 1956.




1
GIRADOR Y AISLADOR DE
ROTACIN DE FARADAY
Francisco Javier Fragoso Jimnez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :fj47@hotmail.com

Resumen- Los dos dispositivos a estudiar, poseen la
particularidad de la no reciprocidad, es decir, su matriz
S no es simtrica y en consecuencia, su comportamiento
es distinto dependiendo del sentido en el que los
excitemos. Tanto el girador como el aislador son
dispositivos de dos puertas; el primero, introduce una
diferencia de fase de 180 entre sus dos sentidos de
transmisin y el segundo, posee muy bajas prdidas de
insercin en un sentido y muy altas en la direccin
opuesta. Ambos estn construidos con ferritas y se basan
en una consecuencia particular de estas en determinadas
condiciones, denominada efecto Faraday.
I. INTRODUCCIN
Dado que estamos ante un dispositivo, cuya construccin
est basada en incluir un elemento de un material
denominado ferrita, comenzaremos por un estudio breve
sobre este tipo de materiales, el porqu de su uso y se
explicar en qu consiste el efecto Faraday. A
continuacin se har un anlisis descriptivo y se indagar en
el funcionamiento de cada uno de los dispositivos.
II. DESARROLLO
II.1 Teora Ferrimagntica y efecto Faraday
II.1.1 Las ferritas
Los materiales magnticos pueden dividirse en cinco
tipos: materiales diamagnticos, paramagnticos,
ferromagnticos, antiferromagnticos y ferrimagnticos. Los
materiales ferrimagnticos son aquellos que poseen un
nmero impar de electrones en los que la interaccin entre los
momentos de spin de tomos prximos, en ausencia de
campo magntico, tiende a orientar la mitad de de los
momentos de spin en un sentido, y la otra mitad en sentido
contrario; todo ello dentro de cada dominio de Weiss. En
consecuencia, en este grupo, el momento magntico
resultante tiende a anularse, pero solo se cancelar si la
magnitud de los momentos antiparalelos es la misma, este es
el caso de los materiales antiferromagnticos. En cambio
quedar una magnetizacin residual en el dominio, si dichas
magnitudes son distintas: es el caso de los ferrimagnticos o
ferritas. [1]

Las ferritas son materiales xidos magnticos de baja
conductividad elctrica cuyo principal constituyente es el
hierro y cuyos tomos forman una estructura cristalina que
les dota de propiedades de anisotropa en su permeabilidad
magntica. Aunque tienen similitud con los ferromagnticos,
al poseer una magnetizacin neta en los dominios, M
s

(magnetizacin de saturacin) en ausencia de campo
magntico, es debida a un mecanismo diferente.
II.1.2 Tensor de Permeabilidad
La relacin entre el momento magntico y momento
angular puede escribirse:
s m
r r
= Ec.1
Donde es la constante de relacin giromagntica.
Supongamos que en una ferrita existe un campo magntico
externo de polarizacin
0
H z H
)
r
= . El dipolo y el spin
seguirn un movimiento de precesin alrededor del vector
H
0
, en consecuencia el vector m describir un cono alrededor
del campo magntico H
0
aplicado con una pulsacin
0
, que
es la velocidad con la que es capaz de responder el material.
[1] Como adems en el material existen N dipolos
magnticos por unidad de volumen, la magnetizacin total
ser:
m N M
r
r
= Ec.2
Y la ecuacin del movimiento:
H M
dt
M d
r r
r
=
0
Ec.3
Si sobre este campo magntico de polarizacin aplicamos un
campo magntico H
r
en alterna (seal a transmitir),
obtendremos un campo magntico total dado por:
H z H H
t
r r
+ =
0
Ec.4
Este campo provocar una magnetizacin total en la ferrita:
M z M M
s t
r r
+ = Ec.5
Si sustituimos Ec.4 y Ec.5 en Ec.3, tomando 0 =
dt
dM
s
,
0
H H <<
r
y dndole a H
r
una dependencia armnica con el
tiempo de pulsacin , quedarn las siguientes expresiones:


2
( )
y m x m x
H j H M + =
0
2 2
0
Ec.6a
( )
y m x m y
H H j M
0
2 2
0
+ = Ec.6b
Donde,
0 0 0
H = y
s m
M
0
= ; lo que demuestra la
relacin existente entre H
r
y M
r
. Podemos relacionar
B
r
(densidad de flujo magntico) y H
r
a travs de la
expresin:
( ) [ ]H H M B
r r r r
= + =
0
Ec.7
Donde el tensor de Permeabilidad est dado por:
[ ] [ ] [ ] ( )

= + =
0
0
0 0
0
0

jk
jk
U Ec.8
Los elementos del tensor de permeabilidad son:
( ) ( )

+ = + = + =
2 2
0
0
0
1 1 1


m
yy xx
Ec.9a
2 2
0
0 0 0

= = =
m
yx xy
j j k Ec.9b
Los materiales que tienen este tipo de tensor de
permeabilidad son llamados girotrpicos, ya que la
componente de x (o y) de H
r
da lugar a ambas componente x
e y de B
r
, con 90 de desfase entre ellas. [2]

II.1.3 Efecto Faraday
Hemos concluido el carcter tensorial que se obtiene
cuando se polariza una ferrita en la direccin de propagacin
de la onda. Ahora, aplicaremos este tensor de permeabilidad
a una regin infinita llena de ferrita, con un campo de
polarizacin dado por
0
H z H
)
r
= . Una vez aplicadas las
ecuaciones de Maxwell se obtiene la siguiente solucin para
:
( ) k =

Ec.10
Obtenemos dos constantes de propagacin distintas y en
consecuencia, velocidades de propagacin diferentes.
Asociados a esta constante tendremos los siguientes fasores:
( )
z j
e y j x E E
+

+
=


0
r
Ec.11a
( )
z j
e y x j Y E H
+

+ +
+ =


0
r
Ec.11b
( )
z j
e y j x E E

+ =


0
r
Ec.11c
( )
z j
e y x j Y E H


+ =


0
r
Ec.11d
Observamos que los campos relacionados con
+
poseen una
polarizacin circular a derechas mientras que los campos
relacionados con
-
tienen una polarizacin circular a
izquierdas.

[2] Y
+
e Y
-
son las admitancias de onda dadas por:
k
Y
e
+
= =
+
+

Ec.12a
k
Y
e

= =

Ec.12b
Si ahora consideramos un campo elctrico linealmente
polarizado en z=0, representado como la suma de dos
polarizaciones circulares. Cada una de las componentes se
propagar con una constante de propagacin diferente:
+
y

-
, quedando el campo:
( )
2
2

2
cos
z
j
e z sen y z x E
+
+

+ +


=


r
Ec.13
Esta es todava una onda polarizada linealmente, pero cuya
polarizacin rota a medida que la onda se propaga por el eje
z. Si se toma un punto del eje z la direccin de polarizacin
vendr dado por:
z
E
E
x
y


= =
+
2
tan
1

Ec.14
Este efecto se denomina Rotacin de Faraday, ya que fue
Michael Faraday, quien primero observ el fenmeno,
durante su estudio de la propagacin de la luz a travs de
lquidos que tenan propiedades magnticas. [2]

Para <
0
y positivo, dependiendo del sentido del
campo de polarizacin, se hace negativo o positivo a
medida que aumenta z, es decir, que la polarizacin rota en el
sentido antihorario o en sentido horario dependiendo de la
polarizacin. Las permeabilidades magnticas para una
polarizacin circular a derechas y a izquierdas, quedaran:

+ = +


0
0
1
m
k Ec.15a

+
+ =


0
0
1
m
k Ec.15b
De forma similar, para un campo de polarizacin en +z, Una
onda que viaja en la direccin z rotar su polarizacin en
sentido horario si miramos en la direccin de propagacin
z; Si estuvisemos mirando en la direccin +z, la direccin
de rotacin sera en sentido antihorario (la misma que para la

3
onda que se propaga en +z). La rotacin de Faraday es por
tanto un efecto no reciproco. [2]
II.2 Girador de rotacin de Faraday
II.2.1 Descripcin y esquema
Como ya se ha comentado, un girador es un dispositivo
de dos puertas con una diferencia de fase de 180 entre sus
dos sentidos de trasmisin, aunque su utilidad prctica no es
importante, fue uno de los dispositivos de ferritas que
primero se diseo (B.D.H. Tellegen en los Laboratorios
Philips, realiz el anlisis del girador en 1948 [1]), ya que
demostraba claramente la caracterstica de no reciprocidad
de la ferrita. Nos centraremos en el caso de un girador en
gua de ondas rectangular, el cual est compuesto por cinco
partes bien diferenciadas, segn se muestra en la Fig.1.

Fig. 1. Esquema fsico/elctrico de un girador de rotacin de
Faraday de 180. A: Elemento de torsin. B: Transiciones gua
rectangular-gua cilndrica. C: Gua de ondas cilndrica. D:
Elemento de ferrita. E: Imn polarizador. F: Esquema elctrico. 1:
Puerta 1. 2: Puerta 2.
El imn ser el encargado de generar un campo magntico
constante en el sentido de la propagacin para polarizar la
ferrita. Cuando introducimos una seal en la puerta 1, la
seal quedar desfasada 180 en la puerta 2, adems de las
prdidas de insercin, que se considerarn despreciables. Sin
embargo si la seal de entrada la situamos en la puerta 2,
obtendremos, en la salida (puerta 1), una seal idntica a la
de entrada.
II.2.2 Anlisis de funcionamiento.
Un girador, est basado en el efecto Faraday y la rotacin
que una ferrita polarizada en la direccin de propagacin
ejerce sobre la polarizacin lineal de una onda plana. Como
ya habamos comentado en el apartado II.1.3. Este hecho es
aprovechado por el girador para reforzar o cancelar el efecto
del elemento de torsin, y en consecuencia reforzar o
cancelar el desfase segn se muestra en la Fig. 2 y Fig. 3:
Fig. 2. Esquema del funcionamiento de un girador. Se puede
observar como el desfase introducido en directa es de 180

Fig. 3. Esquema del funcionamiento de un girador en inversa. Se
observa como el desfase que introduce es de 0.
La razn de que la gua interior sea cilndrica es garantizar
cualquier giro de la polarizacin en su interior, ya que si
fuera rectangular nicamente podramos tener dos valores de
polarizacin. Adems las puntas de la ferrita se suavizan
para evitar cambios abruptos en el interior de la gua y no
tener saltos de impedancia que nos llevara a
desadaptaciones.
II.2.2 Matriz S y parmetros tpicos.
Con todo lo dicho, la matriz S ideal del girador quedar:

=
0 1
1 0
) (
0
Z S Ec.16
Donde la matriz aparece adaptada tanto a la entrada como a
la salida y sin prdidas. El parmetro S
21
nos muestra el
desfase de 180 que introduce el dispositivo en directa. [1]

Dependiendo del material, la temperatura de trabajo, la
impondr la temperatura de Curie, temperatura a la que la
ferrita pierde sus propiedades y se comporta como un
material paramagntico (de 200 a 500C). [1]

II.3 Aislador de rotacin de Faraday
II.3.1 Descripcin y esquema
Este dispositivo, es un componente de dos puertas que
posee muy bajas prdidas de insercin (del orden de 0.5 dB)
en una direccin (directa) y muy altas prdidas (del orden de
20 dB) en la direccin opuesta.

[1] Es muy similar al girador
anteriormente descrito, excepto en que tanto la torsin
empleada como la rotacin de la polarizacin producida por
la ferrita son de 45:

Fig. 4. Esquema fsico y elctrico de un aislador de rotacin de
Faraday. A: Lminas resistivas B: Elemento de torsin. C:
Transiciones gua rectangular-gua cilndrica. D: Gua de ondas
cilndrica. E: Elemento de ferrita. F: Imn polarizador. G: Esquema
elctrico.1: Puerta 1. 2: Puerta 2.

4
El imn, en este caso, polarizar la ferrita en sentido
contrario al de propagacin de la onda. Las lminas
resistivas son las encargadas de que en su interior, de existir
un campo, sea con polarizacin vertical (TE
10
), absorbiendo
el resto de las componentes. Si se introduce una seal por la
puerta 1. La ferrita, en este caso cancelar el efecto de
rotacin en el elemento de torsin, obteniendo la misma
seal a la salida, exceptuando las prdidas de insercin que
se considerarn despreciables. Si lo que hacemos es
introducir la seal por la puerta 2, la ferrita har rotar la
polarizacin vertical inicial, y el elemento de torsin
reforzar esta rotacin, haciendo que la seal a la salida
tenga completamente polarizacin horizontal, siendo la
lmina resistiva la encargada de disipar esa seal y por tanto
eliminndola.
II.3.2 Anlisis de funcionamiento
El funcionamiento del aislador tiene su base en el mismo
concepto del girador, pero con pequeos matices:
Imaginemos una onda que viajara en +z con polarizacin
lineal. Si su polarizacin es vertical, sta ser inmune a la
lmina resistiva. La torsin que realiza en esta ocasin es de
45 grados, y la ferrita polarizada cancelar el efecto rotando
la polarizacin de la onda, de nuevo a la verticalidad. De
nuevo, al tener polarizacin vertical atravesar la lmina sin
degradarse. En el caso de que la onda viaje en z, sufrir una
rotacin en su polarizacin debido a su paso por la ferrita,
siendo en esta ocasin el elemento de torsin el encargado
de reforzar esta rotacin. Como la onda llega con
polarizacin horizontal a la salida, la lmina resistiva
disipar la seal al completo. Este hecho es descrito en la
Fig. 5:

Fig. 5. Esquema del funcionamiento de un aislador. En la parte
superior se muestra el funcionamiento en directa, donde la onda no
sufre cambios, mientras que en la figura inferior se muestra el
funcionamiento en inversa y como la onda es eliminada.
II.3.3 Matriz S y parmetros tpicos.
El aislador est diseado para eliminar las ondas
reflejadas que vuelven al generador, sea cual sea la carga.
Imaginemos el siguiente esquema, donde el aislador ha
sido cargado con una carga Z
L
:

Fig. 6. Esquema de un aislador cargado con una carga Z
L
.
Independientemente de cual sea esta carga la impedancia de entrada
ser Z
0
.
Cmo la onda reflejada se anula, el dispositivo siempre estar
adaptado aunque no entregue toda la potencia a la carga. La
lmina resistiva disipar la potencia sobrante, y en
consecuencia aumentando la temperatura del dispositivo. Por
tanto, el S
12
es nulo y el coeficiente de reflexin a la entrada
vendr dado por la siguiente ecuacin:
11
22
21 12
11 0
1
) ( S
S
S S
S Z
L
L
IN
=


+ = Ec.17
Por ltimo, la matriz S ideal de un aislador, ser:

=
0 1
0 0
) (
0
Z S Ec.18
Donde la matriz aparece adaptada tanto a la entrada como a
la salida y sin prdidas. El parmetro S
21
nulo, nos demuestra
como la seal en inversa es anulada por completo.
El uso de estos dispositivos se centra sobretodo en fibra
ptica, donde existe gran variedad de modelos comerciales.
Los fabricantes suelen facilitar como parmetros tpicos:
Prdidas de insercin, aislamiento, prdidas de retorno,
potencia de trabajo, temperatura y ancho de banda, los
cuales pueden rondar, respectivamente: 0.25dB, 23dB,
23dB, 200W, -10C a 85C y 20 MHz aproximadamente. [3]

III. CONCLUSIONES
Hemos evidenciado la gran utilidad que poseen los
materiales no recprocos en la fabricacin de dispositivos de
microondas, sobretodo para la del aislador, elemento
fundamental en los equipos de alta frecuencia, en concreto,
los generadores de seal, los cuales son extremadamente
sensibles a las reflexiones producidas por desadaptaciones.
El aislador los protege, disipndolas en forma de calor, pero
casualmente es con este calor con el que se debe poner
extremo cuidado, ya que debe ser evacuado del dispositivo
correctamente, porque la ferrita puede llegar a perder sus
propiedades si alcanza una temperatura extremadamente alta.
Adems las ferritas poseen muy baja conductividad y limitan
las prdidas por corrientes parsitas a altas frecuencias por lo
que este tipo de dispositivos tienen muy bajas prdidas de
insercin. Es por eso que se utilizan en multitud de
aplicaciones de microondas, como ncleos para antenas de
FM y transformadores de alta frecuencia.
IV. REFERENCIAS
[1] P.L. Lpez Esp, Microondas 3 ITT-ST, Dto. de Teora de la Seal y
Comunicaciones, Universidad de Alcal;
http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/apuntes/Ferritas.pdf
[2] D. M. Pozar, Microwave Engineering. Ed. John Wiley 2 Ed.
[3] http://www.dmlmicrowave.co.uk/html/drop-in_isolator.html

1
GIRADOR Y AISLADOR DE
ROTACIN DE FARADAY
Francisco Andrs Alumbreros Lpez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :paquitoand@hotmail.com

Resumen: El efecto Faraday (tambin llamado
rotacin Faraday) intenta demostrar la interaccin
entre la luz y un campo magntico. Dicho efecto
describe cmo el plano de polarizacin de la luz puede
cambiar y muestra cmo su alteracin es proporcional
a la intensidad del componente del campo magntico
en la direccin de propagacin de la onda luminosa.
- es el ngulo de rotacin (en
radianes);
- B es flujo de densidad
magntica en la direccin de
propagacin (en teslas);
- d es la longitud del camino
ptico (en metros).

Fig. 1. Descripcin grfica del efecto de rotacin de Faraday.

Los dispositivos a continuacin descritos basan su
funcionamiento en dicho fenmeno, es decir, se basan
en la alteracin que sufren las componentes de un
campo al atravesar una gua de onda cuyo interior se
encuentra relleno de ferrita (materiales aislantes con
fuertes propiedades magnticas).[1]


I. GIRADOR DE FARADAY

El Girador es un dispositivo pasivo no recproco de dos
puertas que produce un desfase de rad en una seal que
se propaga de la puerta A a la puerta B, y un desfase rad
menor en la seal que se propaga en sentido contrario.[2]

I.1 Descripcin

Este dispositivo consiste en una gua rectangular, en la que
el modo dominante es el TE
10
con una torcedura de 90
conectada a un extremo de una gua circular, que a su vez
es conectada a otra gua rectangular en su otro extremo.
Las dos guas rectangulares tienen la misma orientacin de
los puertos de entrada.


La longitud de la ferrita es tal que el giro del plano de
polarizacin de los campos al recorrerla es de 90.
La gua circular contiene una barra delgada cilndrica de
ferrita con los extremos afilados para reducir las posibles
reflexiones.
Para producir una rotacin de 90 del modo TE11
dominante en la gua rectangular, y para polarizar la
ferrita, se aplica un campo magntico continuo, en
direccin axial, en la entrada (direccin en la que
queremos que se propague la seal).
En primer lugar, consideramos una onda que propaga de la
izquierda a la derecha (de la puerta A a la puerta B), al
pasar por la torcedura que se encuentra en la puerta de
entrada, el plano de polarizacin gira 90 en sentido
contrario a las agujas del reloj. Como la ferrita produce
una rotacin adicional del plano de polarizacin de 90, el
ngulo total de rotacin a la salida ser de 180.
En segundo lugar, para una onda que se propaga de
derecha a izquierda (de la puerta B a la puerta A) la
rotacin del plano de polarizacin introducida por la
ferrita es de 90 en el mismo sentido. Sin embargo, en
pasar por la torcedura, la rotacin de 90 introducida por
sta cancela la rotacin anterior, y por tanto, para la
transmisin de la puerta B a la puerta A, no hay ninguna
rotacin neta para el plano polarizacin, por lo que a la
seal introducida en la entrada no sufrir ningn desfase al
atravesar el dispositivo.
La rotacin de 180 para la transmisin de la puerta A a la
puerta B es equivalente a un cambio de fase adicional de
180 y esto hace que se invierta la polarizacin del campo
que introdujimos a la entrada. Es evidente, entonces, que
el dispositivo descrito satisface la definicin de un
girador.[3]

Fig. 2. Variacin del modo fundamental del campo elctrico
TE10 al atravesar el girador.[4]

2
I.2 Esquema

















Fig. 4. Esquema del funcionamiento del girador.[5]


I.3 Matriz S del girador


Ec. 1

Como vemos en la matriz S, el girador es un dispositivo
completamente adaptado, ya que los elementos de la
diagonal principal son igual a cero. Por otro lado, en el
sentido de propagacin de la puerta 1 a la puerta 2, el
desfase producido por el girador es de 180 (la fase del S
21

es de 180), y en sentido contrario, el desfase introducido
es de 0 (la fase del S
12
es de 0). Tambin es importante
destacar que como el mdulo de todos los parmetros S es
menor o igual que 1, el girador es un dispositivo pasivo, y
como la matriz S no es simtrica, a su vez es un
dispositivo no recproco.

II. AISLADOR DE FARADAY

El aislador es un dispositivo que permite una transmisin
con atenuacin nula cuando la propagacin se realiza en
un sentido, pero introduce una atenuacin y un aislamiento
muy altos cuando realizamos la transmisin en sentido
contrario, con el fin de proteger al generador de la
reflexiones producidas en la carga, por ello, el aislador a
menudo es usado para acoplar un generador de seal
microondas a una red de carga. Este hecho tiene la gran
ventaja de que toda la potencia disponible en el generador
puede ser entregada a la carga, ya que las reflexiones
producidas en el circuito no pueden llegar al generador,
debido a que se atenan, aprovechando el hecho de que en
un sentido de propagacin la atenuacin es muy alta.

Por consiguiente, el generador ve una carga adaptada y,
efectos como la variacin de potencia de salida y variacin
de la frecuencia se evitan con variaciones en la
impedancia de carga, por lo que podemos concluir que la
principal aplicacin del aislador es que, colocados a la
salida de generadores hacen que stos vean siempre la
misma impedancia, independientemente de cual sea la
carga efectiva.

II.1 Descripcin

El aislador es similar al girador en la construccin pero a
diferencia de ste, el aislador emplea una torcedura de 45,
y una rotacin del plano de polarizacin que sufre la seal
al atravesar la ferrita es de 45.
Las placas resistivas se colocan horizontalmente, ya que
absorbern el campo elctrico cuando la polarizacin de
ste sea perpendicular a la superficie de la lmina
resistiva, sin embargo, cuando la polarizacin del campo
sea paralela a la posicin de la lmina, la lmina no
absorber nada, por lo que dichas lminas resistivas
absorben el modo TE01 y no afectan al modo TE10.
Las placas resistivas que son insertadas en la entrada y
salida de las guas rectangulares absorben el campo (que
es polarizado con la componente vectorial elctrica
paralela al lado ms ancho de la gua), son ms pequeas
que en el girador.
El funcionamiento es el siguiente: Una onda que se
propaga de la puerta 1 a la puerta 2 tiene un giro de
polarizacin de 45 en sentido contrario a las agujas del
reloj provocada por la torcedura y un giro de 45 del
plano de polarizacin en el mismo sentido producido por
la ferrita; dicha onda aparecer en la puerta 2 con la
polarizacin correcta para propagarse en la salida de la
gua, por lo que la polarizacin de la onda ser entonces
perpendicular a la cara ms ancha de la gua, (el modo
TE01 podr propagarse entonces ya que posee la
polarizacin correcta). Una onda que se propaga de la
puerta 2 a la puerta 1 pasar a travs de la gua circular,
sufriendo en su paso por ella un giro de 45 en el sentido
de las agujas del reloj en la polarizacin debido a la
rotacin producida por la ferrita, por lo que la onda no
puede atravesar la torcedura ya que no posee la
polarizacin correcta. En el caso en el que parte de la
seal atravesara la torcedura, la lmina resistiva se
encargara de atenuarla.
Sin placa resistiva, la onda que llega a la puerta 1 se
reflejara hasta la puerta 2, por lo que la placa resistiva en
la salida tiene como misin evitar mltiples reflexiones
dentro de la gua que provocara la transmisin en ambas
direcciones.
El aislador introduce unas prdidas de insercin muy bajas
(del orden de 0,5 dB) en una direccin (directa) y unas
prdidas muy altas (del orden de 20 dB) en la direccin
contraria.[4]

=
0 1
1 0
Zo
S

3

Fig. 5. Variacin del modo fundamental del campo elctrico
TE10 al recorrer el aislador.[2]



II.2 Esquema













Fig. 6. Esquema del funcionamiento del aislador.[5]


II.3 Matriz S


Ec. 2

Al igual que en el caso del girador, a partir de la matriz S,
vemos que el aislador es un circuito completamente
adaptado (los elementos de la diagonal principal son
nulos). Tambin vemos que en la propagacin directa, el
dispositivo no presente prdidas de insercin (ya que el
mdulo del parmetro S
21
es 1), pero que en sentido
contrario, presenta idealmente unas prdidas de insercin
infinitas (el mdulo del parmetro S
12
es 0). Por ltimo,
vemos tambin como el girador es un dispositivo pasivo
(el mdulo de los parmetros S es menor o igual que la
unidad), y es un dispositivo no recproco, ya que la matriz
S no es simtrica.[3]
III. CONCLUSIONES
Tanto el aislador y el girador, son dispositivos de
microondas realizados con ferritas no recprocos.
La funcin del aislador es que la carga que ve el
generador a su salida cambie, ya que este mediante este
dispositivo se consigue que la impedancia de entrada no
sea funcin de la impedancia de carga.
El giro del plano de polarizacin producido por la
ferrita tiene el mismo sentido que el giro provocado por la
torcedura, en un sentido la ferrita refuerza el giro
provocado por la torsin y en sentido contrario lo cancela.
En la construccin de ambos dispositivos, la ferrita
debe ser polarizada en la misma direccin y sentido en el
que queremos que se pueda propagar la seal.
El efecto de la rotacin del plano de polarizacin en
ambos dispositivos se produce en una gua cilndrica
debido a que por simetra de rotacin, el modo
fundamental de dicha gua puede estar orientado en
cualquier sentido, siempre y cuando tenga direccin
radial.[3]

IV. REFERENCIAS
[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Faraday
[2] Pablo Luis Lpez Esp, Apuntes de Microondas, 2007.
[3] Robert E.Colling, Foundations for microwave engineering, ed.
McGraw Hill International Editions, 1992.
[4] Alejandro Delgado Gutirrez, Juan Zapata Ferrer,Circuitos de alta
frecuencia, Universidad Politcnica de Madrid, 1988.
[5] C.Lester, The Elements of Nonreciprocal Microwave Devices

.

=
0 1
0 0
Zo
S

AISLADORES DE RESONANCIA Y
DESPLAZAMIENTO DE CAMPO EN
GUA ONDA
Alicia Ruiz Campn
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
aliciaruizcampon@gmail.com

Resumen- Los aisladores son circuitos pasivos, no
recprocos, con dos accesos y formados en guas de ondas
a las que aadimos lminas de ferrita. Permiten el paso
de la seal en sentido de propagacin pero la cancelan en
sentido contrario.[1]
Existen varios tipos de aisladores principales: aislador de
Rotacin de Faraday, aislador de resonancia y aislador
de desplazamiento de campo; analizaremos los dos
ltimos tipos.
Ambos se construyen en guas de onda rectangulares,
tienen polarizacin perpendicular a la direccin de
propagacin (transversal) y consiguen el aislamiento
debido a propiedades de la ferrita.

I. INTRODUCCIN
Un aislador es un circuito pasivo de dos puertas, no
recproco que presenta baja atenuacin o prdidas de
insercin cuando la potencia pasa de la puerta 1 a la 2, pero
que tiene un gran aislamiento o prdidas cuando la potencia
entra por 2 y se dirige hacia 1. El aislador debe disipar esta
potencia y no reflejarla.

II. DESARROLLO
II.1Descripcin y esquema

Tanto los aisladores de resonancia como los de
desplazamiento de campo se construyen en guas de onda
rectangulares por las que se propaga el modo TE
10
. En los
dos planos paralelos a la cara ms estrecha de la guiaonda el
campo magntico tiene polarizacin circular que ser horaria
en la direccin de propagacin y antihoraria en sentido
contrario. La posicin de estos planos vara con la
frecuencia.



Fig. 1. Gua de onda rectangular, modo TE
10
.


II.1.1 Aislador de resonancia

Los aisladores de resonancia se construyen colocando
una tira de ferrita en un punto de la gua de onda rectangular.
Segn donde se coloque la tira de ferrita existen dos
formas de aislador de resonancia son el aislador plano E y el
plano H.

s

Fig. 2. Aislador de resonancia plano H.

t Ferrita


Fig. 3. Aislador de resonancia plano E.

Los parmetros t y s deben ser pequeos para evitar su
influencia de forma significativa en los campos.
El aislador plano E debido a la orientacin vertical de la
ferrita tiene una superficie de contacto muy pequea por lo
que la capacidad de evacuacin ser reducida lo que hace que
la ferrita se caliente y pierda sus propiedades de aislador.
Para el aislador plano H se colocan una especie de pastillas
de ferrita en orientacin horizontal por lo que hay ms
superficie de contacto y por ello mayor disipacin de calor.
Por ello el plano E ser menos adecuado para sistemas de
microondas de alta potencia media. [2]
1


Un inconveniente de este tipo de aislador es su margen de
frecuencia debido a que trabaja en resonancia.
Gracias a la colocacin de un imn externo que enfrenta
sus polos norte y sur a la lmina de ferrita se consigue la
polarizacin.



Fig.4. Aislador con imn externo que polariza.


II.1.2 Aislador de desplazamiento de campo

Los aisladores de desplazamiento de campo se
construyen al igual que los de resonancia con una tira de
ferrita en uno de los planos de polarizacin circular de los
campo de la gua rectangular, trabajan fuera de resonancia
por lo que la ferrita no absorbe energa en ningn sentido.


t Ferrita


Fig. 5. Aislador de desplazamiento de campo.

Para cumplir la misin de un aislador en la cara interior
de la tira de ferrita se aade una capa resistiva, idntica a la
de un atenuador, y unido a esto una chapa cermica que se
utiliza para aumentar el ancho de banda de aislamiento.

Chapa cermica
Tira resistencia
Tira ferrita


Fig. 6. Construccin de un campo de desplazamiento de aislamiento.

En la direccin de propagacin se dispersa el campo que
ser mnimo, con lo que son bajas las prdidas de insercin
mientras que en la direccin contraria es mximo pues se
agrupa el campo y la energa es amortiguada por la capa de
resistencia, dando gran aislamiento. El valor de este
aislamiento puede ser incrementado por el aumento de la
longitud del aislador.




Fig. 7. Campo elctrico de un desplazamiento de campo.

Una diferencia a destacar es que el campo esttico de
polarizacin es mucho menor que el del aislador de
resonancia.

II.2 Anlisis de funcionamiento

El funcionamiento de un aislador se consigue por la
direccin en que la potencia atraviesa el dispositivo.
Para los aisladores de resonancia si la potencia va en
direccin de propagacin no hay prdidas de insercin
mientras que en sentido inverso toda la potencia se refleja y
la ferrita la absorbe, se produce el aislamiento.[3]
Para los aisladores de desplazamiento de campo como su
propio nombre indica se desplazan las lneas de campo
elctrico fuera de la lmina de ferrita en el sentido de
propagacin y las concentra en la ferrita en el sentido inverso
produciendo el aislamiento. La ferrita en este caso no trabaja
en resonancia y no va a absorber energa.

II.3 Matriz S

En general la relacin de las ondas a y b en un circuito
es:

2
1
22 21
12 11
2
1
a
a
s s
s s
b
b
Ec.1








2


Un esquema de conexin puede ser el de la figura
siguiente:



Fig.8. Conexin de generador y carga a travs de aislador.

Puesto que los aisladores son circuitos pasivos (|S
ij
|1)
se dos accesos (N=2) y no recprocos (SS
t
).

Si el circuito est completamente adaptado, es decir,
cuando todos los accesos terminan con la impedancia de
referencia, todos ellos presentan una impedancia igual a la de
referencia, esto implica la mxima transferencia de potencia
y se representa en la matriz S con S
ii
=0.
Adems los circuitos de microondas pasivos y sin
prdidas deben tener una matriz S unitaria, por tanto la
matriz S de un oscilador ideal es:

0
0 1
0 0
_
Z
ideal Aislador
S

= Ec. 2
Como se observa en la matriz S anterior |s
12
|=0; lo que
indica que cuando la puerta 2 es la entrada la puerta 1 est
aislada. Mientras que como |s
21
|=1 cuando la puerta 1 es la
entrada la puerta 2 es la rama directa.

II. 4 Parmetros tpicos
Dado que los aisladores son redes de dos accesos o
puertas algunos parmetros a destacar son:
- Prdidas de insercin:
) ( log 20 ) (
21
dB s dB L
I
= Ec. 3
Las prdidas de insercin se pueden deber a:
- Reflexin a la entrada, lo que produce prdidas por
desadaptacin
) 1 log( 10 ) (
2
11
s dB L
M
= Ec. 4


-Disipacin del circuito, que da lugar a las prdidas por
disipacin
2
21
2
11
1
log 10 ) (
s
s
dB L
D

= Ec. 5
) ( ) ( ) ( dB L dB L dB L +
D M I
= Ec. 6
- Prdidas de aislamiento:
) ( log 20 ) (
12
dB s dB I = Ec. 7
Por ser los aisladores circuitos pasivos:
|s
21
|< 1 L
i
(dB) es POSITIVO.
|s
12
|< 1 I (dB) es POSITIVO.
- Prdidas de retorno:
) ( log 20 ) ( dB s dB L
ii R
= Ec. 8
III. CONCLUSIONES
La funcin del aislador no es la adaptacin de
impedancia entre el generador y la carga, sino evitar que la
onda reflejada en dicha carga pueda afectar al
funcionamiento del generador.
Son dispositivos no recprocos, que funcionan con 2
puertas aunque necesitan una tercera puerta que ir
conectada siempre a una carga adaptada, eliminan la onda
reflejada y como consecuencia siempre ver Z
0
de
impedancia de entrada aunque no se cargue con Z
0
.
Las principales aplicaciones de los aisladores son:
- Proteccin de dispositivos activos.
- Eliminacin de onda estacionaria: En algunos casos
en que es difcil adaptar un componente a la lnea en toda la
banda de trabajo. Un aislador aunque no proporciona la
mxima transferencia de potencia, elimina las reflexiones
deseadas.
III. REFERENCIAS
[1] Lneas de transmisin y redes de adaptacin en circuitos de
microondas. J. Alpuente ,Servicio de Publicaciones de la UAH. 2001
[2] The Elements of Nonreciprocal Microwave Devices. C. Lester Hogant
[3] http://es.wikipedia.org/wiki/Aislador_de_microondas
[4] K.J.Button, Theoretical analysis of the operation of the field
displacement ferrite isolator, IRE Trans.MMT, July 1958, p.303308
[5] Polder, D., On the theory of electromagnetic resonance, Phil. Mag.
40(1949), p.99
[6] Microwave Engineering D.Pozar. Artech House.
[7] Microwave Engineering. Passive Circuits. Peter A. Rizzi. Prentice Hall.
[8] Teora de circuitos de microondas. Parmetros S R. Snchez,
Servicio de Publicaciones de la UAH, 2004.
[9] Circuitos de microondas con lneas de transmisin. Javier Bar Temes.
Politext. Edicions UPC
[10] Circulators and Isolators, unique passive devices.Philips
[11] Theory of Ferrites in Rectangular Waveguides. K. J. Button and B.
Laxt
3

CIRCULADORES


Resumen-Este trabajo trata sobre la
aplicacin de los circuladotes en microondas,
dichos elementos estn formados por
desfasadores no recprocos conseguidos a
partir de ferritas empleadas en microondas
.En lo que este trabajo describiremos los
diferentes tipos de circuladotes que
encontramos, centrndonos especialmente en
el circulador de fase diferencial. Tambin
procederemos a realizar el anlisis hbrido
con circuitos hbridos equivalentes, de dichos
circuladores, centrndonos en las
caractersticas principales su matriz S y los
diferentes parmetros tpicos referidos sus
correspondientes prdidas.

I. INTRODUCCIN
Los circuladores son unos dispositivos, en los
cuales la potencia sigue unos sentidos muy
determinados en forma circular. Esta circulacin
puede ser hacia la izquierda o hacia la derecha.
Estos elementos se basan principalmente en el
funcionamiento de las ferritas, las cuales como
caracterstica general dejan pasar la potencia en
sentido y en sentido inverso no.


II. DEFINICN Y TIPOS

II. I. DEFINICIN
Un circulador es un dispositivo pasivo de 3 o
ms puertas, donde la potencia se transfiere de
una puerta a la siguiente en un orden
preestablecido. Esto quiere decir como
indicamos en la fig1.que la potencia entra por la
puerta 1 sale por la puerta 2 y la puerta 3 esta
desacoplada o aislada.

Formado por una red pasiva y sin prdidas
(unitaria) que se construye con materiales
magnticos (ferritas), sus aplicaciones se
centran en duplexores de antenas (en las que las
antenas son receptoras y emisoras a la vez)[4]


Fig.1..Plano esquemtico de un circuladores de 3 y 4 puertas


II.II. TIPOS
Dentro de los circuladores, existen los diferentes
tipos:
II .II .I. CIRCULADOR DE FASE
DIFERENCIAL:
Se trata de un circulador formado con
desfasadores no recprocos, los cuales dichos
desfasadores se emplean en aplicaciones de alta
potencia.


Fig.2..Esquema de un circulador de fase diferencial

II .II .II. CIRCULADOR DE ROTACIN
DE FARADAY:
Se trata de un circulador basado en la rotacin
del plano de polarizacin de una seal de RF a
causa de la magnetizacin de la ferrita, la
longitud de la ferrita se elige para conseguir una
rotacin de /4 de plano de polarizacin.



Fig.3. Esquema de circulador de rotacin de faraday




Alicia Del Olmo Jimnez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : alicia_dlm_lis@hotmail.com

II .II. III. CIRCULADORES DE ANILLO:
Consiste en un dispositivo formado por 3
divisores o tres T, y tres desfasadores no
recprocos.
(Este circulador no se realiza en la prctica, ya
que son muy caros de realizar)

Fig. 4. Esquema de circulador de anillo

II. II .IV. CIRCULADORES DE UNION:
Este tipo de circuladores se han realizado
empleando uniones del plano E, plano H, lneas
stripline, stripline suspendida, microstrip y
fineline
Existen dos tipos en T y en Y, estos circuladores
tienen un imn que polarizan transversalmente
la ferrita, y unos postes en las puertas para que
haya adaptacin.

El funcionamiento de los circuladores de unin
en lnea microstrip es muy similar al de las
lneas stripline aunque funcionan habitualmente
con valores de campo magntico esttico por
debajo de la resonancia, los circuladores de
unin en gua de onda tambin operan por
debajo de la resonancia



Fig.5. Esquema de un circulador de unin

III. CIRCULADOR DE FASE
DIFERENCIAL

El circulador de fase diferencial esta construido
con una lnea rectangular cuyo modo es el
TM
10
, esta formada por los siguientes
elementos: una T mgica doblada, un desfasador
no reciproco (que se emplea en aplicaciones de
alta potencia) y acoplador de agujeros de 3 dB.


Fig.6.Esquema de un circulador de fase diferencial

El circulador de rotacin de Faraday, dira que
es un circulador de media potencia, cuyo
inconveniente es que es muy voluminoso, y al
que se le aaden dos salidas adicionales para
que sea un circuito sin prdidas y esta formado
por dos hbridos uno de 90 y otro de 180.

El funcionamiento de circulador diferencial
consiste la introduccin de una onda por la T
mgica doblada, en esta la onda se divide en
dos ondas de igual potencia e igual fase, las
cuales entran por el desfasador no recproco. La
primera onda ser desfasada por el desfasador
no reciproco, con fase a, y la segunda con b,
donde a= b+90 grados. Una vez pasado el
diferenciador no recproco, ya una vez en el
acoplador de 3 dB son divididas de nuevo en
dos partes iguales, pero la onda que va por la
rama principal estar desfasada 90 grados con
respecto a la que ira por la otra gua que
permanecer igual. Por lo tanto, podemos decir,
que las ondas se suman en fase en la puerta 2 y
se cancelan o suman en contrafase en la puerta 4
[1].

En sentido inverso la onda que entra por la
puerta 2 es dividida en el acoplador de 3 dB, en
dos ondas con la misma amplitud, pero
desfasada 90 grados. La primera ser desfasada
b y la segunda a. En la T mgica, ambas
ondas son unidas y sumadas en contrafase cada
una en la puerta 1, pero sumadas en fase en la
puerta 3 y as sucesivamente.

Para conocer mejor el principio de
funcionamiento, nos centramos en la
construccin de un desfasador no recproco es el
mismo que el del aislador resonante. Pero el
campo magntico es mas bajo que en el de
resonancia.

El grosor y la anchura de las lminas de ferrita y
la permanencia del campo magntico son los
que dan la diferencia de fase de los 90 grados

El circulador de fase diferencial es usado en el
manejo de la potencia. La construccin de este
dispositivo es voluminosa y especialmente cara
[1].




IV. ESQUEMA

En el siguiente punto, vamos a comentar el
esquema de los circuladores:

En el caso el circulador de 3 puertas la onda
entra por la puerta 1 sale por la puerta 2, y la
puerta 3 esta desacoplada o aislada. Si
hicisemos que la onda entrara por la puerta 2,
esta saldra por la puerta3 (rama con mxima
trasferencia de potencia, y la puerta 1 estara
desacoplada)

Fig.7..Esquema de un circulador de 3 puertas



Fig.8. Esquema de un circulador de 4 puertas

En el caso de circulador de 4 puertas, el
funcionamiento es similar, la onda entra por la
puerta 1, sale por la puerta 2(rama directa),
saldra por la puerta 4 (que estara desacoplada),
y la puerta 3 estara aislada


V .ANALISIS CON CIRCUITOS
HBRIDOS EQUIVALENTES

El anlisis mediante circuitos hbridos consisten
en conocer el reparto equitativo de potencia
entre su rama directa y acoplada

Si tomamos como ejemplo el circulador de fase
diferencial, tenemos:



Fig.9.. modelo hbrido
En primer lugar la onda entra por la T mgica, y
se dividen a la mitad para ir cada una por una
rama. La onda que va por la rama superior (1/2)
pasa por el desfasador que en este sentido no
introduce ningn desfase. Sin embargo, la onda
que va por la rama inferior sufre un retardo de
90 grados al pasar por el desfasador (teniendo
j/2).
Una vez ambas ondas en este punto, la onda que
va por la rama suprior (rama directa) vuelve a
sufrir una divisin (teniendo en este caso de
la amplitud de la seal) al igual que ocurre en la
rama inferior pero en este caso tenemos j/4,
debido al retardo sufrido anteriormente.
Como en este punto , el siguiente elemento es
un desfasador en cuadratura, si la onda que iba
por la rama superior nada ms salir del
desfasador la onda se vuelve a dividir teniendo
en este caso , que al pasar al desfasador en
cuadratura sufre un retardo de 90 grados,
obteniendo otra onda de j/4 por lo tanto nos
encontramos que en la puerta 2 tenemos dos
ondas de j/4 de amplitud de seal que se suman
en fase, conociendo ya, que esta es la puerta de
salida de potencia.
Con la onda que va por la rama inferior se
vuelve a dividir pasa por el desfasador en
cuadratura sufre un retardo de 90 grados, por lo
tanto en este punto, que seria la puerta 4
tenemos dos ondas una de de amplitud y otra
de -1/4 de amplitud las cuales se sumarian en
contrafase y se cancelaran, estando la puerta 4
aislada.
A la puerta 3 no le llega nada por lo tanto
podemos decir que esta tambin aislada.


VI. MATRIZ S

La forma ms genrica en la que podemos
expresar la matriz S es:

s





=



siendo:

=0 adaptacin
=1 circulacin
=0 aislamiento

Por lo tanto, tendramos, la forma ideal:

0 0 1
1 0 0
0 1 0
dcha
s


=



o
0 1 0
0 0 1
1 0 0
izda
s


=




En este caso podemos ver que todos los Sii =0,
esto es debido a que esta completamente
adaptado, y adems podemos decir que son
matrices no simtricas y unitarias.

Si nos fijamos en su respectiva matriz S ideal
0 0 1
1 0 0
0 1 0
s


=




Analizndola la diagonal son todos ceros porque
esta adaptado. En el caso de esta matriz en
concreto, tal y como estn colocados los unos
dentro de la matriz nos sirve para indicar la
puerta por la cual entro y la puerta por la cual
debo salir. Por ejemplo, si el parmetro S
21
tiene
un uno en esa posicin quiere decir que entro
por la puerta 1, y salgo por la 2. En el caso del
parmetro S
32
que entro por la puerta 2 y salgo
por la 3 y por ultimo S
13
que entro por la puerta
3 y salgo por la 1. El resto de las posiciones
donde tengo un cero quiere decir que no son
puertas adyacentes (por lo tanto estn aisladas)

En la realidad la matriz S no toma la forma
ideal, ya que los circuladores presentan prdidas
y los accesos aislados no lo estn
completamente.
11 12 13
21 22 23
31 32 33
s s s
s s s s
s s s


=




Con

11 22 33
, , 1( 0 s s s < )
13 21 31
, , 1( 1 s s s < )
12 23 31
, , 1( 0 s s s < )




El comportamiento no recproco es reflejado en
la matriz asimtrica
11 12 13 11 21 31
21 22 23 12 22 32
31 32 33 13 23 33
s s s s s s
s s s s s s
s s s s s s







Esto significa:
12 21
S S
12 21
S S
12 21
S S
Adems si asumimos que la matriz es sin
prdidas el producto de la matriz con la
compuesta conjugada compleja S [3].

.
t
SS I = Ec. 1

VII. PARMETROS TPICOS

Los parmetros tpicos corresponden a:

a) Prdidas de retorno (Medida de la desviacin
de adaptacin)
( ) 20log
R
L dB Sii = Ec. 2
(Si el acceso est adaptado el mdulo de Sii=0,
L
R
->infinito)

b) Prdidas de insercin (Entre los 2 accesos
hay trasferencia de seal)

( ) 20log
I
L dB Sij = Ec. 3
(Si el acceso est adaptado el mdulo de Sij=0,
L
T
=0)

c) Aislamiento (Entre los 2 accesos idealmente
aislados)

( ) 20log I dB Sij = Ec. 4
( ) 2log (
I
) I dB Sij L dB = Ec. 5

(Si el acceso est adaptado el mdulo de Sij=0,
Lt=0)

VIII. CONCLUSIONES

Como conclusin podemos indicar que los
circuladores son dispositivos de 3 puertas que
basan su funcionamiento principalmente en
desfasadores no recprocos, que se encuentran
completamente adaptados, con un sentido de
funcionamiento muy definido. Utilizados como
duplexores de antenas, mediante su matriz ideal
S podemos ver que no tiene simetra,


IX. REFERENCIAS

[1] Aplication note AN98035,Circulators and
isolators, unique passive devices
[2] Milton A.Treuhaft,Network Propieties Base
don the Scattering Concept.
[3] Javier Bar Temes,Circuitos de microondas
con lineas de transmision
[4] Jess Sanz Marcos,Microondas circuitos
pasivos (Internet)
1
CIRCULADOR DE ROTACIN
DE FARADAY Y DE UNIN
Mara del Pilar Herrez Fuentes
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :pilar.herraez@gmail.com


Resumen: Los circuladores en general son
unos dispositivos muy utilizados en
microondas, en este documento se ha
abordado de manera resumida el
funcionamiento y caractersticas de dos de
ellos el circulador de rotacin de Faraday y
los circuladores de unin.

I. INTRODUCCIN

Las ferritas son materiales cermicos
ferromagnticos, compuestos por hierro, boro y
bario, estroncio o molibdeno.
Tienen una alta permeabilidad magntica, lo
cual les permite almacenar campos magnticos
con ms fuerza que el hierro. Se producen a
menudo en forma de polvo, con el cual se
pueden producir piezas de gran resistencia y
dureza, previamente moldeadas por presin y
luego calentadas, sin llegar a la temperatura de
fusin, dentro de un proceso conocido como
sinterizacin. Mediante este procedimiento se
fabrican ncleos para transformadores, bobinas
y otros elementos elctricos o electrnicos. [1]
En cuanto a los estudios cientficos, las
primeras publicaciones acerca de los
dispositivos con ferritas datan del ao 1947. [2].
En 1949, la teora de Polder sobre la influencia
de la resonancia ferromagntica en la
permeabilidad magntica, obteniendo el tensor
de permeabilidad magntica, llego a ser una
base para entender sus propiedades en las
microondas. Ms tarde se aadi la idea de un
girador por medio de la rotacin de Faraday y
se us para crear una nueva clase de
componentes de microondas. En 1952, Hogan
dise el primer rotador de microondas.
El comportamiento de todos los dispositivos
con ferritas se pueden explicar por medio de
uno o ms de los siguientes efectos: Rotacin de
Faraday, la resonancia ferromagntica, el
desplazamiento del campo, los efectos no
lineales.[3]
El circulador de rotacin de Faraday y los
circuladores de unin son dispositivos de
microondas fabricados con ferritas.
Los circuladores son dispositivos pasivos
usados en los equipos de radiofrecuencia y
microondas desde hace dcadas. Un circulador
es un dispositivo pasivo formado por 3 o ms
puertas, en el que la potencia pasa de una puerta
a la siguiente quedando las dems desacopladas.
[4].
Los circuladores pueden dejar pasar la
potencia de forma horaria o antihoraria, pero
slo en un sentido y siempre en el mismo, no
pudindose modificar.



Fig. 1. Representacin de un circulador indicando el sentido
de transferencia de potencia.
Al igual que la mayor parte de los
dispositivos de microondas, la matriz S de los
circuladores nos indica las caractersticas de los
mismos en cuanto al modo de funcionamiento.
As la matriz ideal de cualquier circulador
ser.[5]



Ec. 1



Siendo:
=0, que se corresponde con los parmetros de
la diagonal principal. Al ser cero nos indica que
es un circuito completamente adaptado.
y sern los parmetros que nos determinen
el sentido de transferencia del dispositivo.
=0 cuando el sentido de funcionamiento del
dispositivo sea horario y 1 cuando sea
antihorario.
=0 cuando el sentido sea antihorario y 1
cuando sea horario

S





=



2
II. CIRCULADOR DE ROTACIN
DE FARADAY.

El circulador de rotacin de Faraday es un
dispositivo de cuatro puertas, sin prdidas, no
recproco.
II.1 Efecto Faraday.

El efecto Faraday (denominado a veces
como rotacin Faraday) fue descubierto en 1845
por el fsico Michael Faraday, e intenta
demostrar la interaccin entre una onda
electromagntica y un campo magntico. El
efecto describe cmo el plano de polarizacin
de la onda puede cambiar al polarizar una ferrita
con un campo magntico esttico y muestra
cmo su alteracin es proporcional a la
intensidad de la componente del campo
magntico en la direccin de propagacin de la
onda.
El efecto Faraday es resultado de una
resonancia ferromagntica cuando la
permeabilidad de un material se representa por
un tensor. Esta resonancia provoca que las
ondas se descompongan en dos rayos
polarizados circularmente y que se propagan
con velocidades diferentes. Esta propiedad se
conoce como birrefringencia circular. Los rayos
se recombinan al llegar a la interfase del medio,
de tal forma que la onda resultante final tiene
una rotacin de su plano de polarizacin.[6]

II.2 Principio de funcionamiento.

El circulador de rotacin de Faraday est
basado en la rotacin del plano de polarizacin
de una seal de RF a causa de la magnetizacin
de la ferrita.
La seal del modo TE
10
que se propaga en
una gua rectangular, entra por la puerta 1 y se
acopla mediante una transicin a una gua
cilndrica de manera que se excita el modo
fundamental de esta ltima TE
11.
. Como la
orientacin del campo elctrico en la puerta 1
es perpendicular a la cara ms ancha y la puerta
3 est colocada en sentido longitudinal la
energa no puede salir por dicha puerta, de esta
forma la onda continua su camino, y se
encuentra, centrada en el eje de la gua
cilndrica, una varilla de ferrita magnetizada en
la direccin de propagacin, de ah que la
polarizacin de este tipo de dispositivos sea
longitudinal.
La onda que ha entrado en el circulador
polarizada linealmente, puede descomponerse
como suma de dos ondas polarizadas
circularmente y de sentidos contrarios, estas
ondas interactan con los spines de la ferrita
dando lugar a un giro del plano de polarizacin
de la seal. La longitud de la ferrita se elige para
conseguir una rotacin /4 del plano de
polarizacin. Una vez atravesada la ferrita, el
plano de polarizacin por tanto ha girado 45 y
estamos en una gua de onda circular en la que
su modo de propagacin es TE
11
, en este punto
el campo como ocurra en la puerta 3, es
paralelo a la puerta 4, por lo que la energa
tampoco puede salir al exterior por ella,
atraviesa por tanto la transicin de gua
cilndrica a circular y sale al exterior por la
puerta 2 donde el campo s es perpendicular ala
cara ms ancha de la gua de onda rectangular,
ya que dicha puerta adems est girada 45 con
respecto a la de entrada, como el plano de
polarizacin. Si la energa entra por la puerta 2,
la ferrita vuelve a modificar el plano de
polarizacin y el campo en este caso tendr la
orientacin idnea para salir por la puerta 3, no
pudiendo salir ni por la 4 ni por la 1, y por el
mismo motivo si entra por la puerta 3 saldr por
la 4 y si entra por la 4 saldr por la 1. [7]



Fig. 2. Principio de construccin de un circulador de
rotacin de Faraday.[4]

II.3 Matriz de parmetros S.

Para conocer la matiz S de un circulador de
rotacin de Faraday no tenemos ,ms que
observar el funcionamiento anteriormente
descrito. La seal como en todos estos
dispositivos se transfiere solo en un sentido e
idealmente, sin prdidas ya que no existen
elementos disipativos.



Ec.2




III. CIRCULADORES DE UNIN.

Los circuladores de unin son los diseos
ms implementados en cuanto a circuladores se
refiere. Los circuladores de unin se han
realizado empleando uniones plano E, plano H,
lneas stripline, stripline suspendida, microstrip
y finline. Se realizan con mltiples
configuraciones, desde guas de onda estndar
hasta en miniatura coaxiales. Las capacidades
de potencia varan desde megavatios hasta
0 0 0 1
1 0 0 0
0 1 0 0
0 0 1 0
dchas
S



=



3
vatios y tambin anchos de banda de una octava
en una gran variedad de fabricantes.
En 1964, Bosma present un artculo sobre
un circulador de unin de 3 puertas empleando
una solucin aproximada a los valores de
contorno del problema. Los parmetros de
circulacin se calcularon para predecir el
comportamiento en frecuencia del dispositivo
(donde la ferrita es un medio con una constante
dielctrica y una permeabilidad
e
). Fay y
Comstock extendieron el trabajo de Bosma y
describieron el funcionamiento del circulador en
trminos de modos de rotacin contraria de una
cavidad de ferrita cargada.

III.1 Principio de funcionamiento.

Los circuladores de unin estn compuestos
de tres elementos:
Un circuito resonante que sirve para
almacenar la energa, dependiendo el modelo a
implementar ser de una forma u otra, en los
modelos en gua de onda este elemento se
corresponde con el volumen comn que existe
donde confluyen las tres guas que lo forman, o
dos discos de ferrita que rellenan los espacios
vacos que existen entre el disco metlico del
centro y los planos de tierra en los realizados
con lneas.
De una ferrita, cuya misin es desplazar los
campos dentro del circuito resonante para crear
un nulo en una salida y un mximo en la otra.
Generalmente se emplean formas cilndricas,
prismas triangulares y esferas.
Y un tercer elemento de adaptacin de cada
una de las puertas.
El circuito resonante se conecta a 3 lneas de
transmisin, separadas entre s 120, mediante
redes de adaptacin de impedancias (formando
las tres puertas del circulador). Se colocan dos
imanes en el exterior para polarizar campo
magntico esttico, la polarizacin en este tipo
de dispositivos es transversal y fuera de la
resonancia, ya que si la polarizacin fuese en
resonancia nuestro dispositivo atenuara la
seal. En ausencia del campo magntico externo
de polarizacin, el circuito resonante soporta
dos modos de rotacin contraria, los cuales
estn degenerados (tienen la misma frecuencia
de resonancia). Al aplicar el campo a lo largo
del eje de simetra los modos dejan de estar
degenerados, porque la permeabilidad relativa
de un modo es (+k)/ y la del otro (-k)/,
esto se conoce como particin de modos. La
particin de modos se ajusta para conseguir el
ancho de banda deseado, el cual est
determinado por el acoplamiento a las lneas de
transmisin.
Fay y Comstok explicaron el
funcionamiento del dispositivo de la siguiente
forma: en ausencia de campo magntico
esttico, si una onda entra por la puerta 1 se
divide en dos ondas con la misma velocidad de
propagacin que circulan una en sentido horario
y la otra en sentido contrario, dando lugar a un
patrn de onda estacionario y de manera que se
acopla la mitad de la potencia por cada una de
las puertas 2 y 3 (fig. 4a).
Al aplicar un campo magntico
perpendicular al disco de ferrita la velocidad de
propagacin de las dos ondas anteriores ya no es
la misma. La onda que se propaga en sentido
horario lo hace con velocidad
+
y la que lo hace
en sentido antihorario lo hace con velocidad
-
,
esto provoca un giro del patrn de ondas
estacionarias en sentido antihorario al aumentar
la intensidad del campo esttico. Si el ngulo de
rotacin es de 30 el dispositivo es un circulador
(fig. 4b) la puerta 3 queda desacoplada y toda la
potencia sale por la puerta 2. Si el campo
esttico es mayor que el valor de la resonancia
se consigue girar el patrn 30 en sentido
horario con lo que se invierte el sentido de
circulacin de la seal dentro del dispositivo
(fig. 4c). En el primer caso el campo esttico
est por debajo del valor de la resonancia y en el
segundo por encima de dicho valor de
resonancia.



Fig. 4. Funcionamiento del dispositivo en funcin del campo
magntico[4]
Los circuladores de unin en lnea stripline
como los que se acaban de describir se emplean
entre 150 MHz y 2 GHz aproximadamente si su
campo esttico est por encima de la resonancia
y entre 1.5 a 20 GHz si son del tipo en el que el
campo esttico queda por debajo de la
resonancia.
Estos dispositivos no son de banda estrecha,
aunque su ancho de banda est limitado por el
circuito resonante que contienen y no por la
ferrita
El funcionamiento de los circuladores de
unin en lnea microstrip es muy similar al de
las lneas stripline aunque funcionan
habitualmente con valores de campo magntico
esttico que hacen que el dispositivo funcione
por debajo de la resonancia.


Fig. 5. Circuladores de unin en gua de onda. [4]

4

Los circuladores de unin en gua de onda
tambin operan por debajo de la resonancia. La
siguiente figura muestra dos ejemplos de
circuladores en gua de onda.

III.2. Matriz de parmetros S.

La matriz de un circulador de unin, es la
de un dispositivo pasivo no recproco y sin
perdidas, por lo que:


0 0 1
1 0 0
0 1 0
S


=



Ec 3
En el caso de que el circulador tenga sentido
horario.
0 1 0
0 0 1
1 0 0
S


=



Ec4
Y la Ec.4 en el caso de que el circulador tenga
sentido antihorario
IV. CONCLUSIONES
Los circuladores son uno de los dispositivos
ms usados en los circuitos de microondas, se
utilizan en sistemas que se usan como
receptores y transmisores a la vez para evitar
que la seal a transmitir pase al receptor y
viceversa, siendo el peor caso el caso en el que
la seal proveniente del transmisor se colase en
la etapa de recepcin pues destruira toda la
etapa.
En equipos de amplificacin tambin se usan
para proteger las diferentes etapas de
amplificacin colocando entre cada una de ellas
un circulador en el cual se adapta con un carga
la puerta aislada para absorber las posibles
reflexiones que se pudiesen provocar y evitar as
que unas etapas daen a otras.
Como ejemplo en la foto podemos ver un
circulador fabricado hoy en da.








Fig 6. Modelo comercial de un circulador.

V. REFERENCIAS.

[1] http://es.wikipedia.org/wiki/Ferrita.
[2] Kenneth J. Button, Microwave Ferrite device: the first
ten years, IEEE Trans on microwave theory and
techniques, vol. mtt-32, no. 9, Septiembre 1984.
[3] J. Douglas Adam, Lionel E. Davis, Gerald F. Dionne,
Ernst F Schloemann and Steven N. Stitzer, Ferrite
devices and materials, IEEE Trans on microwave
theory and techniques, vol 50, pp 721-737, Marzo
2002.
[4] Philips Semiconductors Circulators and Isolators
unique passive devices , aplication note, Marzo 1998
[5] David M. Pozar , Microwave engineering, 2
nd
. ed,
Jonh Wiley & Sons, Inc, 1998.
[6] http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_Faraday.
[7] Sandra Archilla Aparicio, Dispositivos de
microondas, Proyecto fin de carrera Universidad de
Alcal, 2004



1

RESONANCIA EN LNEAS DE
TRANSMISIN
Ral Pinel Garca
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail: raul_pinel_garcia@hotmail.com


Resumen- El contenido de este trabajo usa la teora
de lneas de transmisin para explicar cmo vara el
comportamiento de las lneas de transmisin con la
frecuencia, demostrando la periodicidad con la
frecuencia en parmetros como la impedancia de
entrada. Veremos los circuitos equivalentes segn las
terminaciones de las lneas y el factor de calidad que
presentan.

I. INTRODUCCIN

En el estudio de las microondas una lnea de
transmisin se puede modelar de dos maneras, como un
circuito de parmetros primarios (R, G, L, C) o por los
parmetros secundarios (Zc, ).
Los parmetros primarios son la resistencia, la
conductancia, la inductancia y la capacidad por unidad
de longitud.


Fig.1 Modelo de parmetros primarios de lnea con prdidas

Aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito de la
figura 1 se obtienen los parmetros secundarios de las
lneas de transmisin los cuales representan la constante
de propagacin () y la impedancia caracterstica de la
lnea (Zc).

Ec.1
Ec.2

En la ecuacin 2, representa la constante de
atenuacion y la constante de fase.




Una lnea real presenta una impedancia de entrada que
tiene una expresin:

Ec.3

En el caso de considerar la lnea ideal (=0) la
ecuacin 3 nos queda de la forma:

Ec.4

Vamos a introducir un concepto al que nos
referiremos posteriormente, la longitud elctrica (d).
Este concepto da idea de a qu distancia elctrica (no
fsica) se encuentra la carga de el punto de referencia
que tomamos o dicho de otra forma cuantos periodos de
la seal entran en el mismo espacio fsico. Se puede
apreciar que depende de la frecuencia y que a mayor
frecuencia mayor distancia elctrica. Es por tanto un
parmetro adimensional que relaciona el nmero de
onda con la distancia fsica de la lnea.

II. COMPORTAMIENTO DE LA LINEAS

En este apartado vamos a ver la variacin de la
impedancia de entrada de la lnea con la frecuencia
observando su periodicidad.
Podemos adelantar que las impedancias de entrada
podrn presentar carcter capacitivo o inductivo y en
puntos muy concretos se comportarn como circuitos
resonante paralelo o serie en un estrecho margen de
frecuencias, veremos adems los factores de calidad de
esos circuitos equivalentes y los valores que presentan
sus componentes que son funcin de la frecuencia.

II.1. Lneas ideales

El primer caso que vamos a ver es la lnea ideal, las
terminaciones en circuito abierto y circuito cerrado, la
impedancia de entrada que presentan y el valor del
circuito equivalente.





R L
C G
z z+z

2


II.1.1.Lnea terminada en C.C.

Si particularizamos la ecuacin 4 para ZL=0 tenemos
la siguiente expresin de impedancia de entrada:

Ec.5

Si representamos la impedancia de entrada en funcin
de la longitud fsica tenemos lo siguiente:


Fig.2.Impedancia de entrada de una lnea en cortocircuito

Analizando todos los posibles valores de longitud
elctrica tenemos que:
Si la impedancia tiene un
carcter inductivo:
Ec.6
Si la impedancia
tiene un carcter capacitivo
Ec.7
Si ( la impedancia tiende a
infinito (Zin= ) y tenemos un circuito resonante
paralelo.
Si la impedancia es cero (Zin=
tenemos un circuito resonante serie.

II.1.2.Lnea terminada en C.A

Si particularizamos la ecuacin 4 para ZL= tenemos
la siguiente expresin de impedancia de entrada:
Ec.8
Haciendo un estudio anlogo al anterior tenemos que:
Si ( ) la impedancia tiene un
carcter capacitivo:
Ec.9
Si ) la impedancia
tiene un carcter inductivo:
Ec.10
Si ( ) la impedancia de entrada es
cero (Zin=0) y tenemos un circuito resonante serie.
Si ( ) la impedancia de entrada tiende
a infinito (Zin= ) y tenemos un circuito resonante
paralelo.

II.2.Linea de bajas prdidas.

Al tener en cuenta la atenuacin en las lneas la
expresin de la impedancia de entrada corresponde con
la ecuacin 3.

II.2.1.Lnea terminada en C.C.

Si particularizamos la ecuacin 1 para ZL= tenemos
que la impedancia de entrada toma un valor:

Ec.11

Haciendo la aproximacin de bajas prdidas (d<<1) y
operando con la tangente hiperblica de un nmero
complejo tenemos:

Ec.12

Vamos a considerar ahora que la longitud fsica de la
lnea es igual a /2 y que adems por ser de bajas
perdidas, en un estrecho margen de frecuencias en torno
a la frecuencia de resonancia tenemos una impedancia
de entrada:
Ec.13
Segn lo que habamos expuesto en el caso de lneas
ideales cuando la terminacin es un circuito cerrado y
cuando la longitud fsica era /2 tenamos un circuito
resonante serie.
Para lneas con bajas prdidas tambin es un circuito
serie en un estrecho margen de frecuencia cuyos
elementos tienen las siguientes expresiones:

Ec.14
Ec.15
Ec.16

Estas ecuaciones representan los parmetros
concentrados del circuito resonante serie, si lo
queremos expresar en funcin de los parmetros
primarios de las lneas tenemos:

Ec.17
Ec.18
Ec.19

Donde se puede ver que la resistencia equivalente
depende de las perdidas del conductor y del dielctrico.
Si seguimos los mismos pasos cuando la longitud fsica
de la lnea sea /4 obtendremos un circuito resonante
paralelo cuyos parmetros concentrados son:

Ec.20
Ec.21
Ec.22





3



y en funcin de los parmetros primarios:

Ec.23
Ec.24
Ec.25

II.2.2.Lnea terminada en C.A.

La impedancia de entrada en este caso es:

Ec.26

Operando anlogamente a lo que hicimos en el caso
de circuito cerrado tenemos que para cuando la longitud
fsica es /4 tenemos un circuito resonante serie, y
cuando es /2 un circuito resonante paralelo.
Las expresiones de los parmetros concentrados para
cada caso se resumen a continuacin:

Si la longitud es mltiplo impar de /4 tenemos un
circuito resonante serie:

Ec.27
Ec.28
Ec.29

Si la longitud es mltiplo par de /4 tenemos un
circuito resonante paralelo:

Ec.30
Ec.31
Ec.32

II.3. Casos particulares.

Visto lo anterior podemos considerar como casos
particulares aquellos en los que la longitud fsica de la
lnea es /4 y /2.Para la lnea con longitud /4
observamos que si la terminacin es un circuito abierto
(ZL= ) a la entrada tenemos una impedancia Zin=0, es
decir, hemos pasado del circuito abierto al cortocircuito,
esto se puede ver como una inversin de la impedancia,
en la Carta de Smith pasamos del cortocircuito al
circuito abierto movindonos una longitud /4.
Para una lnea de longitud /2 la impedancia de
entrada es siempre igual a la impedancia de carga
independientemente de cul sea la impedancia
caracterstica de la lnea.







II.4.Factor de Calidad.

El factor de calidad da una idea de la eficiencia con la
que se almacena la energa en un circuito.
Los factores de calidad de los circuitos resonante serie
y paralelo equivalentes los podemos expresar as:

Ec.33
Ec.34

Analizando las expresiones anteriores vemos que el
factor de calidad disminuye al aumentar la atenuacin
en la lnea, este efecto lo veremos mejor en el apartado
de simulacin.

III. SIMULACIONES EN FRECUENCIA

En este apartado veremos que ancho de banda
presentan los circuitos equivalentes cuando las
impedancias de nuestras lneas bajen 3dBs por debajo
del mximo y podremos hacernos una idea de las
limitaciones que tenemos al trabajar con una nica
seccin de lnea de transmisin de impedancia
caracterstica constante.
Para ello usaremos el programa de simulacin para
circuitos de microondas MMICAD.

III.1.Simulacin de lnea ideal con distintas
terminaciones.

En esta simulacion tenemos una linea a la cual
cambiamos la terminacion entre cortocircuito y circuito
abierto. En torno a las frecuencias para las que la
impedancia de entrada tiende a infinito la linea se
comporta como un circuito resonante paralelo y cuando
tiende a cero un circuito resonante serie.

Fig.3.Impedancia de entrada de una linea ideal en decibelios

III.2.Simulacin de lnea real terminada en circuito
abierto.

Para hacer esta simulacion se ha escogido una linea
con frecuencia de resonancia a 1GHz con una longitud
fisica de media longitud de onda, impedancia
caracteristica de 50 y una atenuacion de 3dBs por
metro a la frecuencia de 1GHz, terminada en circuito
abierto.

4


La siguiente grfica muestra la impedancia de entrada
al circuito en decibelios.


Fig.4.Impedancia de entrada de lnea real terminada en c.a.

Las frecuencias de resonancia del circuito resonante
paralelo son , es decir, para 1Ghz, 2GHz,
3GHz, vemos que a estas frecuencias la impedancia de
entrada tiende a infinito.
Calculamos ahora los parametros concentrados
equivalentes del circuito resonante paralelo. Segn lo
expuesto anteriormente tenemos:
Una longitud de onda , la distancia
por tanto , y la atenuacin
Np/m
Los parmetros concentrados para 1GHz (n=1) son
atendiendo a las ecuaciones 30, 31 y 32:






De la grfica podemos sacar el factor de calidad asi:



Las frecuencias de resonancia del circuito resonante
serie es , es decir, 0.5GHz,
1.5GHz, 2.5GHz, a estas frecuencias la impedancia
tiende a cero.
Para calcular el circuito resonante serie a la frecuencia
de 500MHz hacemos n=1.
Debemos tener en cuenta que la atenuacin de 3dB/m
que habiamos establecido es a la frecuencia de 1GHz, al
ser la atenuacin funcion de la frecuencia ese valor no
se corresponde para la frecuencia de estudio. Para saber
que atenuacin tiene la linea a 500Mhz recordamos que
la atenuacin es proporcional a la raz de la frecuencia
[ ], de aqu obtenemos una atenuacin de
0.2439 Np/m.
Si calculamos los parmetros concentrados tenemos:






Y de la grfica:



Para terminar con este apartado disponemos de tres
lneas de transmisin con atenuaciones de 3, 10 y 20
dBs por metro.

Fig.5.Impedancias de entrada para distintas atenuaciones.

IV. CONCLUSIONES

Las ideas bsicas que se han intentado exponer son
que una linea de transmision a frecuencias de
microondas se puede modelar como un circuito de
parametros distribuidos, al analizar las ondas de tension
y corriente en tal circuito obtenemos los parmetros
secundarios de las lineas de transmision, la constante de
propagacion y la impedancia caracteristica de la linea.
En funcin de esos parmetros se obtiene la
impedancia de entrada de una lnea real terminada con
una carga (ec.3).
A partir de ah hemos hecho dos tipos de
aproximaciones, para una lnea ideal (=0) y para una
lnea de bajas prdidas (d<<1).
Para cada caso hemos terminado las lneas con circuito
abierto y con cortocircuito y hemos analizado como
vara la impedancia de entrada.
Algunas ideas que deben quedar claras es que la
impedancia es peridica en /2, que el factor de calidad
disminuye segn aumenta la atenuacin en la linea y
por tanto con la frecuencia.

V. REFERENCIAS

[1] J.Alpuente y otros, Lneas de Transmisin y Redes de
Adaptacin en Circuitos de Microondas, Servicio de
Publicaciones de la UAH. 2001.



1
RESONANCIA EN LNEAS DE
TRANSMISIN
Jess Corrales Serrano
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : jesusco84@gmail.com


Resumen- En este trabajo se realizar un estudio sobre la
resonancia en lneas de transmisin, estudiando como varia
esta, en funcin de la longitud de la lnea y en funcin de la
impedancia de carga. Tambin se obtendrn los circuitos
equivalentes de los tramos de lneas de transmisin en
parmetros concentrados y sus relaciones con los parmetros
primarios y secundarios de la lnea.
I. INTRODUCCIN
A altas frecuencias, usualmente en el rango de 100 a
1000 MHz, las secciones de lneas de transmisin acabadas
en cortocircuito y circuito abierto son usadas para la
realizacin de circuitos resonantes, en lugar del clsico
circuito RLC. Esto es debido al alto factor de calidad Q que
podemos obtener.
II. FACTOR DE CALIDAD
Un parmetro importante de los circuitos resonantes es
el factor de calidad Q, este parmetro es un indicativo de la
eficacia con que se almacena la energa en un circuito o en
un componente individual del mismo [1]. Se define como:
max max
Energia maxima almacenada
2 2
Energia disipada en un periodo
W W
Q
PT P
= = =
Ec. 1
El factor Q definido anteriormente es caracterstico de los
circuitos resonantes en ausencia de efectos de carga, por lo
que se denomina como factor de calidad propio o descargado
del circuito: Q
U.
En la prctica, no obstante, un circuito resonante es
cargado por otro circuito, lo que provocara el efecto de bajar
el Q global del circuito, definiendo a este factor de calidad
como Q
T
o factor de calidad total. Si al circuito resonante
serie (Figura 1) le aadimos una resistencia de carga R
L
, en
serie con R, la resistencia efectiva va a ser R
L
+R. Si en el
circuito resonante paralelo (Figura 2) lo cargamos con una
resistencia de carga R
L
, la resistencia efectiva pasa a ser
R.R
L
/(R+R
L
). Si definimos el factor de calidad de la carga:
Q
L
, como el factor de calidad del circuito cuando la
resistencia que carga el circuito es nicamente la carga
externa. Podemos calcular el factor de calidad total del
circuito como:
1 1 1
T U L
Q Q Q
= +
Ec. 2
III. CIRCUITO RESONANTE SERIE
En la figura 1 se representa el circuito resonante serie.
R L
C

Figura 1. Circuito resonante serie
La frecuencia de resonancia es aquella que hace mxima
la respuesta (corriente) en nuestro circuito, para esta
frecuencia las energas almacenadas en la bobina y el
condensador se igualan. Para nuestro circuito resonante
serie:
2
1 1
o o
LC LC
= =
Ec. 3
La impedancia de entrada del circuito es:

2
1 1
1
in
Z R j L j R j L
C LC



= + = +


Ec. 4
Sustituyendo la ecuacin 3 en 4, la impedancia de
entrada puede expresarse como:
2 2 2
2 2
1
o o
in
Z R j L R j L




= + = +


Ec. 5
Donde:
2 2
(2 ) 2
o
=
Por lo tanto:
2
in
Z R j L = + Ec. 6
Utilizando la ecuacin 1 podemos determinar el factor de
calidad del circuito, siendo para el circuito resonante serie:
1
o o
o
L f
Q
R CR BW

= = =
Ec. 7
En funcin de este factor, la impedancia de entrada puede
ponerse como:
2
in
o
RQ
Z R j

= +
Ec. 8

2
IV. CIRCUITO RESONANTE PARALELO
En la figura 2 se representa el circuito resonante paralelo.

C R
L

Figura 2. Circuito Resonante paralelo

La frecuencia de resonancia es aquella que hace mxima
la respuesta (tensin) en nuestro circuito, para esta
frecuencia las energas almacenadas en la bobina y el
condensador se igualan. Para nuestro circuito resonante
serie:
2
1 1
o o
LC LC
= =
Ec. 9

La impedancia de entrada del circuito es:
1 1
2
1 1 1 1
1
IN
Z j C j C
R j L R LC




= + + = +


Ec. 10

Sustituyendo la ecuacin 9 en la 10, la impedancia de
entrada puede expresarse como:
1 1
2 2 2
2 2
1 1
1
o o
IN
Z j C j C
R R





= + = +


Ec. 11
Donde:
2 2
(2 ) 2
o
=
Por lo tanto:
1
1
2
IN
Z j C
R



= +


Ec. 12
Y su admitancia:

1
2
IN
Y j C
R
= +
Ec. 13
Utilizando la ecuacin 1 podemos determinar el factor de
calidad del circuito, resultando para el circuito resonante
paralelo:
o
o
o
f R
Q CR
L BW

= = =
Ec. 14
En funcin de este factor, la impedancia de entrada puede
ponerse como:
1
1
2
IN
o
Q
Z j
R R


= +


Ec. 15
V. LINEA ACABADA EN CORTOCIRCUITO

Figura 3. Lnea acabada en cortocircuito
La impedancia medida a la entrada de un tramo de lnea
de bajas prdidas y longitud d se obtiene aplicando la
siguiente expresin [2]:
( )
( )
L C
IN C
C L
Z Z tgh d
Z Z
Z Z tgh d

+
=
+
Ec. 16
Donde es la constante de propagacin en la lnea
j = + .
Particularizando la expresin 16 para el caso en el que
0
L
Z = , la impedancia de entrada toma el siguiente valor:
( )
IN C
Z Z tgh d = Ec. 17
La tangente hiperblica de un nmero complejo tiene la
siguiente propiedad:
( ) ( )
( )
1 ( ) ( )
tgh x jtg y
tgh x jy
jtgh x tg y
+
+ =
+
Ec. 18
Empleando las ecuaciones 17 y 18, la impedancia de
entrada puede escribirse como sigue:
( ) ( )
1 ( ) ( )
IN C
tgh d jtg d
Z Z
jtgh d tg d


+
=
+
Ec. 19
Si ahora se aplica la condicin de bajas perdidas, la
tangente hiperblica puede aproximarse por su argumento, y
finalmente, la ecuacin 19 queda de la siguiente forma:
1
( )
1 ( )
IN d C
d jtg d
Z Z
j dtg d

Ec. 20
Considerando ahora el caso en el que la longitud d de la
lnea es igual a /2 o mltiplo entero (d=n/2). La longitud
elctrica toma el valor dado por la ecuacin:
o
d n

=
Ec. 21
Donde
o
es la pulsacin para la cual d=n/2. En un
margen de frecuencias estrecho entorno a se puede
considerar =
0
+. Por tanto, la longitud elctrica es:
o
d n n

= +
Ec.22

3
El valor de la tangente puede aproximarse por su
argumento en un margen de valores estrecho en torno a ,
por tanto:
o o o
tg n n tg n n




+ =


Ec. 23
Combinando las ecuaciones 20 y 23:
1
o
IN C
o
d j n
Z Z
j d n

+
=

+
Ec. 24
Puesto que la lnea es de bajas prdidas, y considerando
un ancho de banda reducido en torno a la frecuencia de
resonancia:
1
o
IN C
d n
o
Z Z d j n

Ec. 25
Comparando las ecuaciones 25 y 6 se obtienen las
relaciones siguientes:
( )
( )
( )
2
2
C
C
o
C o
R Z d
n
L Z H
C F
Z n

=
=
=
Ec. 26
El factor de calidad de la lnea cortocircuitada puede
calcularse a partir del circuito equivalente de parmetros
concentrados o tambin por comparacin de las ecuaciones
25 y 8. Resultando:
1
2 2
o
o o
n d
o
L n
Q
R CR d



=
= = = =
Ec. 27
Donde es la atenuacin de la lnea a la frecuencia de
resonancia. Al igual que las lneas ideales, las lneas de bajas
prdidas se comportan como un circuito resonante serie
(Figura 1) cuando la longitud es /2 o mltiplo entero. El
comportamiento de la lnea de bajas prdidas cuando su
longitud es mltiplo impar de un cuarto de onda (d=(2n-1)
/4) es el de un circuito resonante paralelo (Figura 2). La
admitancia de entrada en la lnea de transmisin es:
1 ( ) ( )
( ) ( )
IN C
jtgh d tg d
Y Y
tgh d jtg d


+
=
+
Ec. 28
Si ahora se aplica la condicin de bajas prdidas, la
tangente hiperblica puede aproximarse por su argumento, y
finalmente, la ecuacin anterior queda de la siguiente forma:
1
1 ( )
( )
IN d C
j dtg d
Y Y
d jtg d

Ec. 29
En un margen de frecuencias estrecho en torno a
o
se
puede considerar =
0
+. Por lo tanto, la longitud elctrica
es:
(2 1) (2 1)
2 2
o
d n n

= +
Ec. 30
El valor de la tangente puede aproximarse por su
argumento en un margen de valores estrecho entorno a ,
por tanto:
1 1
( )
(2 1)
(2 1)
2
2 o
o
tg d
n
tg n



Ec. 31
Combinando las ecuaciones 29 y 31:
1
1
(2 1)
2
1
(2 1)
2
o
IN C
o
j d
n
Y Y
d j
n



Ec. 32
Puesto que la lnea es de bajas prdidas, y considerando
un ancho de banda reducido en torno a la frecuencia de
resonancia:
(2 1) 1
2
(2 1)
2
o
IN C
d n
o
Y Y d j n

Ec. 33
Procediendo de manera anloga a como se hizo en el caso
de la resonancias serie, y teniendo en cuenta la expresin de
la admitancia de entrada de un circuito resonante paralelo
(Ecuacin 13) de parmetros concentrados en un estrecho
margen de frecuencias en torno a la frecuencia de resonancia.
Obtenemos las relaciones siguientes:
( )
( )
( )
2
(2 1)
4
4 1
(2 1)
C
o C
C
o o
Z
R
d
C n F
Z
Z
L H
C n


=
=
= =

Ec. 34
De nuevo, se obtiene el factor de calidad a partir de los
elementos del circuito de parmetros concentrados
equivalente:
2
o
o
Q CR

= =
Ec. 35

4
VI. LINEA ACABADA EN CIRCUITO ABIERTO

Figura 4. Lnea acabada en circuito abierto
Particularizando la ecuacin 16 para el caso en el que
L
Z = , la impedancia de entrada toma el siguiente valor:
( )
C
IN
Z
Z
tgh d
=
Ec. 37
Por lo tanto su admitancia toma el valor:
1 1
( )
( )
IN C
C
IN
Y Y tgh d
Z
Z
tgh d

= = =
Ec. 38
Aplicando la propiedad de la tangente hiperblica,
ecuacin 18. Y utilizando la ecuacin 38. La admitancia de
entrada puede escribirse como sigue:
( ) ( )
1 ( ) ( )
IN C
tgh d jtg d
Y Y
jtgh d tg d


+
=
+
Ec. 39
Si ahora se aplica la condicin de bajas prdidas, la
tangente hiperblica puede aproximarse por su argumento, y
finalmente, la ecuacin 39 queda de la siguiente forma:
1
( )
1 ( )
IN d C
d jtg d
Y Y
j dtg d

Ec. 40
Considerando ahora el caso en el que la longitud d de la
lnea es igual a /2 o mltiplo entero (d=n/2). La longitud
elctrica toma el valor dado por la ecuacin:
o
d n

=
Ec. 41
Donde
0
es la pulsacin para la cual d=n/2. En un
margen de frecuencias estrecho entorno a
0
se puede
considerar =
0
+. Por tanto, la longitud elctrica es:
o
d n n

= +
Ec.42
El valor de la tangente puede aproximarse por su
argumento en un margen de valores estrecho en torno a ,
por tanto:
o o o
tg n n tg n n




+ =


Ec. 43
Combinando las ecuaciones 40 y 43:
1
o
IN C
o
d j n
Y Y
j d n

+
=

+
Ec. 44
Puesto que la lnea es de bajas prdidas, y considerando
un ancho de banda reducido en torno a la frecuencia de
resonancia:
1
o
IN C
d n
o
Y Y d j n

Ec. 45
Comparando las ecuaciones 45 y 13 se obtienen las
relaciones siguientes:
( )
( )
( )
2
1
2 2
1
C
C
C
o C o
o
Z
R
Y d d
Y n n
C F
Z
L H
C


= =
= =
=
Ec. 46
El factor de calidad de la lnea cortocircuitada puede
calcularse a partir del circuito equivalente de parmetros
concentrados o tambin por comparacin de las ecuaciones
45 y 15. Resultando:
2 2
o
o
o n d
o
R n
Q CR
L d


=
= = = =
Ec. 47
Al igual que las lneas ideales, las lneas de bajas prdidas
se comportan como un circuito resonante paralelo (Figura 2)
cuando la longitud es /2 mltiplo entero. El
comportamiento de la lnea de bajas perdidas cuando su
longitud es mltiplo impar de un cuarto de onda (d=(2n-1)
/4) es el de un circuito resonante serie (Figura 1). La
impedancia de entrada en la lnea de transmisin es:
1 ( ) ( )
( ) ( )
IN C
jtgh d tg d
Z Z
tgh d jtg d


+
=
+
Ec. 48
Si ahora se aplica la condicin de bajas prdidas, la
tangente hiperblica puede aproximarse por su argumento, y
finalmente, la ecuacin anterior queda de la siguiente forma:
1
1 ( )
( )
IN d C
j dtg d
Z Z
d jtg d

Ec. 49
En un margen de frecuencias estrecho en torno a
0
se
puede considerar =
0
+. Por lo tanto, la longitud elctrica
es:
(2 1) (2 1)
2 2
o
d n n

= +
Ec. 50

5
El valor de la tangente puede aproximarse por su
argumento en un margen de valores estrecho entorno a ,
por tanto:
1 1
( )
(2 1)
(2 1)
2
2 o
o
tg d
n
tg n



Ec. 51
Combinando las ecuaciones 49 y 51:
1
1
(2 1)
2
1
(2 1)
2
o
IN C
o
j d
n
Z Z
d j
n



Ec. 52
Puesto que la lnea es de bajas prdidas, y considerando
un ancho de banda reducido en torno a la frecuencia de
resonancia:
(2 1) 1
2
(2 1)
2
o
IN C
d n
o
Z Z d j n

Ec. 53
Procediendo de manera anloga a como se hizo en el caso
de las resonancias paralelo, y teniendo en cuenta la expresin
de la impedancia de entrada de un circuito resonante serie
(Ecuacin 6) de parmetros concentrados en un estrecho
margen de frecuencias en torno a la frecuencia de resonancia.
Obtenemos las relaciones siguientes:
( )
( )
( )
2
(2 1)
4
1
C
C
o
o
R Z d
L Z n H
C F
L

=
=
=
Ec. 54
De nuevo, se obtiene el factor de calidad a partir de los
elementos del circuito de parmetros concentrados
equivalente:
1
2 2
o
o o
n d
o
L n
Q
R CR d



=
= = = =
Ec.55
VII. SIMULACIONES

Figura 5. Impedancia y admitancia de entrada en una lnea acabada
en circuito abierto

Figura 6. Impedancia de entrada a un circuito RLC serie
VIII. CONCLUSIONES
En resumen, para longitudes elctricas (.d) iguales a
/2 o sus mltiplos impares, la lnea terminada en
cortocircuito se comporta como un circuito resonante
paralelo. En cambio, para mltiplos pares de /2 ( y sus
mltiplos) la lnea cortocircuitada se comporta como un
circuito resonante serie. Pero a diferencia de lo que sucede
con un circuito RLC ideal que presenta una nica frecuencia
de resonancia serie o paralelo (Figura 6), la lnea
cortocircuitada presenta infinitas frecuencias de resonancia
serie y paralelo alternadas entre si.
Para el caso de la lnea terminada en circuito abierto
(Figura 5) es exactamente inverso al de la lnea terminada en
cortocircuito. Cuando la longitud elctrica es igual a /2 o
sus mltiplos impares la lnea terminada en circuito abierto
se comporta como un circuito resonante serie. Cuando la
longitud elctrica es mltiplo par de /2 la lnea se comporta
como un circuito resonante paralelo.

IX. REFERENCIAS
[1] D. M. Pozar, Microwave Engineering, 2
rd
.ed., pp 300-313John
Wiley & Sons, Inc 1998.
[2] Lneas de transmisin y redes de adaptacin en circuitos de
microondas. J. Alpuente, M.P. Jarabo, P.L. Lpez y J.A. Pamies.
Servicio de publicaciones de la UAH. 2001
[3] Robert E. Collin, Foundations for Microwave Engineering, 2
rd
.ed, pp
481-490 IEEE Press Series on Electromagnetic Wave Theory, Donald
G. Dudley, Series Editor.

1
RESONANCIA EN GUAS DE ONDAS
Eva Llorente Remartnez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :eva.llorente@yahoo.es

Resumen- El documento que se presenta a continuacin
trata de exponer 2 tipos de resonadores, las cavidades
rectangulares y las cavidades cilndricas, sus modos
fundamentales de propagacin, sus frecuencias de corte,
y sus respectivas cartas de modos.
I. INTRODUCCIN
Las estructuras resonantes de microondas se utilizan en la
realizacin de una gran variedad de aplicaciones como
filtros, osciladores y amplificadores.
En baja frecuencia, las estructuras resonantes estn
formadas por condensadores y bobinas, segn aumenta la
frecuencia de trabajo estos elementos no se pueden utilizar.
Los resonadores en los circuitos de microondas se pueden
desarrollar con lneas de transmisin. Sin embargo, las
estructuras resonantes de microondas se entienden en su
mayor parte como cavidades resonantes.
Los resonadores convencionales son guas de onda
rectangulares o cilndricas donde las energas elctricas y
magnticas se almacenan en los campos elctricos y
magnticos dentro de los campos electromagnticos de la
cavidad, generando as el equivalente en alta frecuencia de
condensadores y bobinas. Al igual que en baja frecuencia, las
cavidades resonantes presentan una resistencia parasita ya
que las paredes metlicas de las guas se disipa energa. Esta
resistencia se puede determinar mediante las corrientes que
circulan por las paredes de la cavidad.
En este documento se va desarrollar el funcionamiento de
las cavidades rectangulares, cilndricas, sus modos
fundamentales de trabajo y sus cartas de modos
II.1Cavidades Rectangulares
Las cavidades rectangulares son secciones de gua de
onda rectangular, Debido a que en las guas de onda hay
prdidas de radiacin, las secciones de las mismas son cortas
y cerradas por ambos lados. Las energas elctricas y
magnticas se almacenan en la cavidad. La potencia se puede
disipar tanto en las paredes metlicas de la gua como en el
dielctrico de la cavidad.
En la figura 1 se muestra la forma de la gua rectangular.
Esta es de longitud d, la cara ms ancha de la gua es de
dimensin a y la cara ms estrecha tiene longitud b. En
primer lugar, vamos a buscar la frecuencia de resonancia,
posteriormente deduciremos el factor de calidad de la
cavidad (Q
c
).

Fig. 1. Cavidad rectangular
Para tener un criterio de cmo varan los ejes diremos que
el eje z varia entre z =0,d; el eje y entre y =0,b; y el x de tal
forma que x =0,a.
Para resolver las ecuaciones de los campos elctrico y
magntico comenzaremos con las ecuaciones de onda y el
mtodo de separacin de variables de tal forma que se
satisfagan las condiciones de contorno en las paredes de la
gua.
Las componentes x e y del campo elctrico son nulas
0
x y
E E = = en las paredes para z =0,d. Las componentes
transversales del campo elctrico para los modos TE
mn
o
TM
mn
de la gua rectangular se pueden expresar de la
siguiente forma:
( , , ) ( , )[ ]
mn mn j z j z
t E x y z e x y A e A e


+
= + Ec.1
donde ( , ) e x y

se define como la variacin transversal del


modo, A
+
y A

hacen referencia a las amplitudes


(arbitrarias en este caso) de las ondas incidentes y reflejadas
en la cavidad.
La constante de propagacin para los modos TE
mn
y
TM
mn
es
2 2
2
, m n
m n
k
a b

| | | |
=
| |
\ \
Ec.2
donde k = .
Aplicando la condicin 0 t E

= para 0 z = implica que


A A
+
= y teniendo 0 t E

= para z d = la Ec.1 queda


simplificada de la siguiente forma
,
( , , ) ( , ) 2 sin( ) 0 t
m n
E x y d e x y A j d

+
= = , Ec.3
donde la nica solucin no tribial se obtiene para 0 A
+


2
, m n
l = para 1, 2, 3... l = Ec.4
Todo lo anterior implica que la longitud de la cavidad
debe ser un mltiplo entero de / 2 a la frecuencia de
resonancia.
El nmero de ondas resonantes dentro de la cavidad viene
dado por
2 2 2
,
,
m n
m n l
k l
a b d
| | | | | |
= + +
| | |
\ \ \
Ec.5
Cuando hablamos del modo TE
mnl
o del TM
mnl
estamos
haciendo referencia al nmero de variaciones que se
producen en las direcciones x, y, z.
La frecuencia de resonancia para los modos viene dada
por la siguiente ecuacin:
2
mnl
mnl
r r
ck
f

= Ec.6
Sustituyendo la Ec.5 en la Ec.6 obtenemos que la
frecuencia de resonancia es:
2 2 2
2
mnl
r r
c m n l
f
a b d


| | | | | |
= + +
| | |
\ \ \
Ec.7
Si b<a<d, el modo fundamental ser el TE
101
, que se
corresponde con el modo fundamental de la cavidad (TE
10
)
en una gua de longitud / 2
g
. El modo fundamental para el
campo magntico es el TM
110
.
La carta de modos para el modo fundamental es la que se
muestra en la figura 2.

Fig. 2. Carta de modos para el modo fundamental TE101.
El factor de calidad de la cavidad resonante va a depender
del factor de calidad de la gua y del factor de calidad del
dielctrico del interior de la misma.

1
1 1
T
c d
Q
Q Q

| |
= +
|
\
Ec.8
El factor de calidad de la gua es

0
2
e
c
c
W
Q
P

= , Ec.9
donde
0
es la pulsacin a la frecuencia de trabajo, W
e
es la
energa elctrica de la cavidad, y P
c
es potencia disipada en
las paredes de la misma.

4
e y y
V
W E E dV

, Ec.10
que en nuestro caso en particular queda

2
0
16
e
abd
W E

= . Ec.11
2
2
s
c T
abd
R
P H dS =

, Ec.12
donde
0
/ 2
s
R = y H
T
es la componente tangencial
del campo magntico en la superficie de las paredes de la
gua.

A partir de las ecuaciones de contorno de cada una de las
componentes del campo elctrico y magntico de la cavidad.
Sabiendo que A A
+
= obtenemos:
sin [ ]
j z j z
y
x
E A e e
a

+
= , Ec.13
sin [ ]
j z j z
x
TE
A x
H e e
Z a

= + , Ec.14
cos [ ]
j z j z
z
j A x
H e e
k a a

= + . Ec.15
Si
0
2 E jA
+
= y utilizando Ec.4, las ecuaciones
anteriores se pueden reducir a:
0
sin sin
y
x l z
E E
a d

= , Ec.16
0
sin cos
x
TE
jE x l z
H
Z a d

= , Ec.17
0
cos sin
z
j E x l z
H
k a a d

= , Ec.18
Sustituyendo la Ec.17 en la Ec.12 y tomando como limites
de las integrales en los intervalos de 0 x a , 0 y b y
0 z d , obtenemos que
2
s
c
R
P =
2
0 0
2 ( 0)
b a
x
y x
H z dxdy
= =

= +


2 2 2
0 0 0 0
2 ( 0) 2 ( 0) ( 0)
d b d a
z x z
z y z x
H x dydz H y H y dxdz
= = = =
(
+ = + = + =


Ec.19

2 2 2 2
0
2 2 2
8 2 2
s
c
R E l ab bd l a d
P
d a d a

| |
= + + +
|
\
. Ec.20
Si sustituimos Ec.20 en la Ec.9 obtenemos que el factor
de calidad de la cavidad es de la siguiente forma:
3
2 3 3 2 3 3
( ) 1
2 (2 2 )
c
s
kad b
Q
R l a b bd l a d ad

=
+ + +
Ec.21
El factor de calidad del dielctrico es
a
b
a
d

3
2
e
d
d
W
Q
P

= , Ec.22
0
1
2 8
d
V
abd E
P J E dv

= =


, Ec.23
Sustituyendo Ec.23 en Ec.22. Sabiendo que un dielctrico
con prdidas tiene una conductividad
0
tan
r
= = donde tan hace referencia a
las prdidas tangenciales del material. Al simplificar
obtenemos que el factor de calidad del dielctrico es:
1
tan
d
Q

= Ec.24

II.2Cavidades Cilndricas
Las cavidades cilndricas se pueden construir a partir de
una seccin de gua de onda cilndrica. El modo TE
fundamental de las guas de onda cilndricas es el TE
11
y el
de las cavidades el TE
111
mientras que el modo TM
fundamental es el TM
011
.
Estas cavidades se construyen con una tapa mvil de tal
forma que permita sintonizarla a la frecuencia de resonancia,
y la cavidad est acoplada a una gua de onda con una
pequea apertura. La potencia se absorbe en la cavidad ya
que est sintonizada a la frecuencia de trabajo del sistema.
Esta absorcin se puede controlar con un medidor de
potencia introducido en el propio sistema. El sintonizador
suele estar calibrado en frecuencia. Mientras que la
frecuencia de resonancia est determinada por el Q del
circuito, el modo TE
011
se suele utilizar en medidores de
frecuencia porque su factor de calidad es mucho mayor que
el del modo fundamental de la cavidad.


Fig. 3. Carta del modo TE111

Fig. 4. Carta del modo TM011

Fig. 5. Carta del modo TE011
En la figura 6 se muestra la forma de una cavidad
circular. La solucin se simplifica teniendo en cuenta el
modo de trabajo de la cavidad y haciendo que se cumplan las
condiciones de contorno en las paredes esta.

Fig. 6. Cavidad cilndrica
Resolvemos las condiciones de contorno a partir de los
campos transversales (E

, E

) de los modos TE
nm
o TM
nm
de
la cavidad.
( , , ) ( , )[ ]
nm nm
j z j z
t E z e A e A e


+
= +

, Ec.25
donde ( , ) e

representa la variacin transversal del modo,


y A
+
y A
-
son amplitudes arbitrarias de las ondas incidentes y
reflejadas. La constante de propagacin para los modos TE
nm
es
2
2 nm
nm
p
k
a


| |
=
|
\
, Ec.26
donde p
nm
es la m-sima raz de la derivada de la funcin de
Bessel de primera especie. Estos valores vienen dados en
unas tablas matemticas.
Para los modos TM
nm
la constante de propagacin es
2
2 nm
nm
p
k
a

| |
=
|
\
, Ec.27
donde p
nm
es la m-sima raz de la funcin de Bessel de
primera especie. Estos valores tambin vienen dados en
tablas matemticas.
En ambos casos k = .
Para 0 t E =

y 0, z d = las amplitudes arbitrarias (A


+
y
A
-
) tienen que cumplir que A A
+
= , y
sin 0
nm
A d
+
= , tenemos que
nm
d l = para valores de 0,1, 2, 3,..., l = Ec.28
d
a

2a
l
2a
l
2a
l

4
Esto implica que la longitud de la gua debe ser un
multiplo entero de 2
g
.Por lo tanto la frecuencia de
resonancia para el modo TE
nml
es
2 2
2
nm
mnl
r r
p c l
f
a d

| | | |
= +
| |
\ \
, Ec.29
La frecuencia de resonancia para el modo TM
nml
es
2 2
2
nm
mnl
r r
p c l
f
a d


| | | |
= +
| |
\ \
Ec.30
Para deducir el factor de calidad para el modo TE
nml
,
escribimos las ecuaciones para cada una de las componentes
de los campos elctrico y magntico, teniendo en cuenta que
A A
+
= .
0
cos sin
nm
z n
p l z
H H J n
a d

| |
=
|
\
, Ec.31
0
cos cos
nm
n
nm
aH p l z
H J n
p a d

| |
=
|

\
, Ec.32
( )
2
0
2
sin cos
nm
n
nm
a nH p l z
H J n
a d
p

| |
=
|
\
, Ec.33
( )
2
0
2
sin sin
nm
n
nm
jk a nH p l z
E J n
a d
p

| |
=
|
\
, Ec.34
0
cos sin
nm
n
nm
jk aH p l z
E J n
p a d

| |
=
|

\
, Ec.35
0
z
E = , Ec.36
donde = y
0
2 H jA
+
= .
Como las cantidades medias de energa elctrica y
magntica son iguales, la energa total es
( )
2
2 2
0 0 0
2
2
d a
e
z
W W E E d d dz


= = =
= = +


( )
2
2 2 2 2
2 2 0
2
0
4
a
nm nm
n n
nm
nm
k a dH p p na
J J d
a p a
p


=
(
| |
| | | |
( = +
| | |

\ \ (
\


( )
( )
2
2 2 4 2
2 0
2
1
8
n nm
nm
nm
k a dH n
J p
p
p

(
| |
( =
|

(
\

, Ec.37

La potencia disipada por la cavidad es
2
tan
2
s
c
s
R
P H ds =



2
2
2
0 0
( ) ( )
2
d
s
z
z
R
H a H a ad dz


= =

(
= = + =



2
2 2
0 0
2 ( 0) ( 0)
a
H z H z d d




= =

(
+ = + =
`
(


)



( )
( ) ( )
2
2
2 2
2 2
0 2 2
1 1
2 2
s
n nm
nm
nm nm
R da an a n
H J p
p
p p

(
| | | |
| |

(
= + + | |
` |
| | (

\
\ \
)
Ec.38
El factor de calidad viene dado por la frmula
0
c
c
W
Q
P

= Ec.39
Sustituyendo la Ec.37 y la Ec.38 en la Ec.39 obtenemos
que el factor de calidad de la cavidad es:
( )
( )
( ) ( )
2
3
2
2
2
2 2
2 2
1
4
1 1
2
nm
c
nm s
nm
nm nm
n
p ka ad
Q
p R
ad an a n
p
p p


| |

\
=
(
| | | |
| |
(
+ + | |
` |
| | (
\ \ \
)
Ec.40
El factor de calidad del dielctrico
d
d
W
Q
P

= Ec.41
La potencia disipada por el mismo tiene la siguiente
expresin:
( )
( )
2
2 2 4 2
2 0
2
1
1
2
8
d n nm
nm V nm
k a H n
P J E dv J p
p
p

(
| |
( = =
|

(
\

Ec.42
De tal forma que el factor de calidad del dielctrico es:
1
tan
d
Q

= Ec.43
II. CONCLUSIONES
El uso de resonadores est muy enfocado en su mayor
parte a la realizacin de filtros de microondas, aunque
tambin se pueden realizar otro tipo de circuitos. Como se
puede observar, estos circuitos estn caracterizados por su
frecuencia de trabajo y su factor de calidad, y se disean
nica y exclusivamente para que trabajen a dicha frecuencia
al igual que sucede con los resonadores de baja frecuencia.
III. BIBLIOGRAFIA
[1] D. M. Pozar Microwave engineering, 3
rd
.ed.,Jonh Wiley & Sons,
USA, 2005
[2] I. Bahl and P. Bhartia, Microwave Solid State Circuit Design,
2
nd
.ed., New Jersey, United States of America: AWiley-Interscience
publication, 2003.

1
RESONANCIA EN GUAS DE ONDA
Alberto Agustn Cid Martn
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :alberto_cid_martin@hotmail.com

I. INTRODUCCIN
Las cavidades resonantes son dispositivos de microondas
que estn esencialmente constituidos por una regin
dielctrica encerrada por paredes conductoras y slo a
determinadas frecuencias, las denominadas de resonancia,
son capaces de almacenar grandes densidades de energa.

Se suele utilizar mucho en frecuencias por encima de los
3 GHz, por eso es usado en la actualidad para microondas.
Determinar el factor de calidad, la frecuencia de resonancia y
la potencia que es capaz de disipar ser nuestros principales
parmetros a tener en cuenta.

Los resonadores tienen infinidad de modos de resonancia
que podemos estudiar usando las leyes de Maxwell, y
aplicndole las condiciones idneas como veremos en los
siguientes apartados.

II.1Cavidades Rectangulares.

Una cavidad rectangular, tenemos que entenderla como
una gua de onda de forma rectangular cortocircuitada en
ambos extremos. Tomaremos para nuestra explicacin una
gua de onda de alto b ancho a y largo l, utilizaremos
un sistema de coordenadas xyz como el definido en la
figura.

La cavidad rectangular, ser resonante a unas frecuencias
determinadas y funcionar como si se tratase de un circuito
resonante serie, o paralelo en resonancia.



Fig. 1 Cavidad Rectangular



Para el anlisis, asumiremos que las paredes de la
cavidad son conductores perfectos, as como que la regin en
interior de la cavidad es un aislante perfecto. La onda
estacionaria que se produce en el interior de la gua, ser el
resultado de dos ondas iguales que viajan en sentido
contrario
Suponemos un campo elctrico viajando a lo largo del
eje z con sus componentes perpendiculares a la cara ms
ancha de la gua es decir en direccin y
z j
y
a
x
sen E z y x E

= A
0
) , , ( Ec. 1
z j
y
a
x
sen E z y x E

= A
0
) , , ( Ec. 2
+
=
0 0
E E Ec. 3
La suma de ests dos seales en un punto determinado y
cumpliendo las condiciones:
0 ) 0 ( = = z E Ec. 4
0 ) ( = = l z E (siendo l la longitud de la gua) Ec.
5
Estas condiciones son debidas a que el campo elctrico
en los extremos de la onda ser nulo ya que tenemos las
paredes cortocircuitadas. La suma resultante de las ondas
opuestas ser:
0 ) ( ) (
0
= = + =
=
+
l z
d sen
a
x
sen E E E E

Ec. 6
Para el caso concreto de z=l nuestro campo se hace 0,
con lo que necesitamos que:
... 3 , 2 , 0 ) ( = =
=
d z sen
l z
Ec. 7
,...) 6 , 5 , 4 , 3 , 2 , 1 (
2
= = p p l
g

Ec. 8






2


As obtendremos que la cavidad deba tener una longitud
de un mltiplo entero de medias longitudes de onda a la
frecuencia de resonancia, por lo que tendramos que tener en
cuenta esta longitud para la fabricacin de la gua. Nos
encontraremos en este caso en que la cavidad es una versin
en gua de onda del resonador /2 cortocircuitado en su
extremo.
p l
g
=
2

Ec. 9


Fig. 2 Campo elctrico en cavidad rectangular con p=1


Fig. 3 Campo elctrico en cavidad rectangular con p=2

Obtendremos infinitas soluciones, tantas como valores
podemos darle al parmetro p. Por eso diferenciaremos los
modos resonantes de la cavidad:
) 0 , 0 (
, ,
=
z z p n m
H E TE Ec. 10
) 0 , 0 (
, ,
=
z z p n m
E H TM Ec. 11
II.2Frecuencia de resonancia

El clculo de la frecuencia de resonancia de nuestra
cavidad depender del modo resonante en el que nos
encontremos, del nmero de onda K, permitividades
relativas elctricas y magnticas del medio adems de la
longitud necesario para tener resonancia.

La frecuencia de resonancia es inversamente
proporcional a la longitud de la misma, y viene dada por la
siguiente expresin:



r r
mnp
mnp
k c
f

=
2
Ec. 12
8
2 2 2
2

=
d
p
b
n
a
m c
f
r r
mnp


Ec. 13

Si a<b<d entonces estaremos trabajando en el modo
resonante fundamental (modo que tiene la frecuencia de
resonancia ms baja) el TE
101
que equivale al modo
dominante en una gua rectangular siendo d=
g
\2.
El modo dominante para el Transversal Magntico ser el
TM
110
.

Podemos observar cmo se reparte el campo elctrico en
el modo fundamental TE
101


Fig. 4 Distribucin del campo en una gua rectangular

El campo es MAX en el medio de la cavidad y en el
centro de la cara ms ancha (g\4) valiendo 1 en ese punto.
Segn nos alejamos del medio de la cavidad va
disminuyendo, as valdr
2
2
para una longitud (g\8). El
campo ser nulo en z=0.

II.3Factor de calidad en cavidad rectangular

Para encontrar el factor de calidad (Q), nos basaremos en
la cantidad de energa que es capaz de almacenar la cavidad,
as como la potencia perdida en las paredes del conductor y el
dielctrico



3
M
V
y y e
W E
abd
dv E E W = = =

2
0
*
16 4

Ec. 14

+ + + = =

a
d
d
a l
a
bd
d
ab l E R
dS H
R
P
s
Paredes
t
s
c
2 2 8 2
2
2 2
2
2
2 2
0
2



Ec. 15




=

= =
V V
d
E abd
dV E dV E J P
8 2 2
1
2
0
2



Ec. 16
Relaciones de Potencia disipada en los conductores y
potencia disipada en el dielctrico.
c
E
c
P
W
Q
0
2
= Ec.17

tg P
W
Q
D
E
D
1 2
0
= = Ec. 18
1
1 1

+ =
C D
T
Q Q
Q Ec. 19

II.4Cartas de modos

Las cartas de modos, son unas grficas que nos
relacionan la frecuencia de resonancia de una cavidad, en
funcin de las dimensiones de dicha cavidad (longitud y
anchura).

As en un caso prctico de tener unas medidas definidas,
tendremos una recta para cada modo de propagacin TE, o
TM


Fig. 5 Carta de modo cavidad rectangular


III.1Cavidades Cilndricas.

Al igual que en las cavidades rectangulares, la gua
cilndrica ser una gua de forma cilndrica cortocircuitada
en ambos extremos, al igual que en apartados anteriores
habr resonancia a frecuencias donde l sea mltiplo de
g
/2.
Estas guas podrn albergar modo TE
nmp
y TM
nmp
donde p
representa el nmero de medias longitudes de onda en la
direccin del eje z. El modo dominante de una cavidad
cilndrica es el TE
111

Las cavidades circulares se usan en multitud de ocasiones
como frecuenciometros utilizando un modo TE
011
debido a
su alto factor de calidad Q. Para esto, la cavidad est
construida con una pared superior movible que permite
sintonizar la frecuencia de resonancia.


Fig. 6 Cavidad cilndrica.

III.2 Frecuencia de resonancia.

Analizaremos una cavidad cilndrica de la misma manera
que lo hicimos con la rectangular, adems los modos de la
gua circular satisfacen las condiciones de contorno
necesarias para resonancia. Podremos expresar el campo
transversal elctrico como:

[ ]
z j z j
t
nm nm
e A e A E E
+
+ = Ec. 19
Para que esta ecuacin se haga E
t
=0 para z=0 o z=d debemos de
cumplir que:
+
= A A Ec. 20
l d d A
nm nm
= =
+
0 ) sin( Ec. 21


Fig. 7 Distribucin del campo elctrico para l= y l=2.




4
En la siguiente figura, podemos observar una
representacin de la distribucin que tendr el campo
elctrico dentro de la gua dependiendo del modo que est
utilizando


Fig.8 Distribucin del campo elctrico para distintos modos.
La frecuencia de resonancia para el modo TE vendr
dada por la siguiente expresin. Mientras que para calcular
la frecuencia de resonancia del modo TM, solo habr que
cambiar el parmetro P
nm
por P
nm
(parmetros de Bessel)

2 2
2

=
d
l
a
p c
f
nm
r r
mnl


Ec. 22


En las cavidades de las guas cilndricas no se utiliza el
modo fundamental (TE
111
) sino que se utilizan los modos
circulares (TE
011
). La atenuacin debida a los conductores
es mucho ms baja en el modo fundamental. Por esto:

Q PRDIDAS ATT Ec. 23
III.3Cartas de modos

Las cartas de modos son como en guas rectangulares una
rpida forma de poder obtener la frecuencia de resonancia en
funcin de las dimensiones de nuestra gua.


Fig. 9 Carta de modos cavidad cilndrica

III.4 Factor de calidad

Para poder obtener el factor de calidad de una cavidad
cilndrica haremos un estudio basndonos en la energa
almacenada y la potencia disipada como en las rectangulares.
De esta manera podremos averiguar como de buena es
nuestra cavidad, es decir una relacin entre la potencia que
pierde y la que almacena.

( )

+ =
2

,
2
2

,
2

,
2 2
0
1 1
2
) (
2
m n
m n m n
m n n
s
c
P
n
P
a
P
an ad
P J H
R
P

Ec. 24

tan
1
=
d
Q Ec. 25
c
c
P
W w
Q
0
= Ec. 26

El factor de calidad total se obtendr aplicando la Ec. 19
como en el caso anterior. Como podemos observar arriba Q
c
decrecer segn la raz de la frecuencia. Luego como
podamos prever segn aumentamos la frecuencia nuestros
elementos se comportan de forma menos eficaz.
II. CONCLUSIONES

Las cavidades rectangulares son guas de onda
resonantes, que son capaces de almacenar una gran cantidad
de energa, que son capaces de comportarse como un circuito
resonante serie o paralelo.
Las prdidas son directamente proporcionales a la
frecuencia, mientras que el factor de calidad disminuye
segn aumenta la frecuencia

III. REFERENCIAS
[1] Peter A. Rizzi, Microwave Engineering Passive Circuits, 3
rd
.ed.,
Englewood Cliffs.New Yersey : Prentice-Hall, 1988.
[2] David M. Pozar, Microwave Engineering, University of
Massachusetts at Amherst. John Wiley & Sons, INC, Second Edition.
1998
[3] Pablo l Espi. Apuntes UAH. 2007





1
DISEO DE FILTROS
Lovera Mata, Carlos Antonio
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :carlos.lovera@alu.uah.es

Resumen- El objetivo de este documento es describir los
conceptos bsicos en el diseo de filtros que permite la
caracterizacin de los mismos en la banda de frecuencias
desde los 300Mhz hasta los 300Ghz (microondas) a travs
de los mtodos parmetros imagen y prdidas de
insercin, as como las propiedades y la descripcin del
diseo de filtros por medio de inversores de inmitancia
(inversores de impedancia o admitancia). No es la
intencin de este documento abarcar la explicacin de las
diferentes aproximaciones para la sntesis de los filtros ni
los diferentes tipos de los filtros existentes.
I. INTRODUCCIN
El principal motivo por el cual planteamos el estudio de
los conceptos bsicos de los filtros es el importante papel que
juegan estos dispositivos en diversas aplicaciones de
radiofrecuencia y microondas, sobre todo en el creciente
campo de comunicaciones inalmbricas en el cual se
requieren dispositivos con requerimientos cada vez ms
exigentes y que aprovechen de mejor manera el espectro de
frecuencias que disponemos.
De forma general, todos los componentes de microondas
pueden ser considerados como filtros, puesto que cada uno
de ellos puede tener un comportamiento que limite la banda
(de frecuencias) del sistema donde es usado.
Los filtros de microondas descritos en este documento
son circuitos de dos puertas, recprocos, terminados, pasivos,
lineales, reflexivos y con prdidas. Con un circuito de dos
puertas nos referimos simplemente a un dispositivo con dos
terminales elctricos. Un dispositivo en el cual no se requiere
un sentido de propagacin entre puertas, es recproco. Un
dispositivo terminado se refiere a un dispositivo diseado
para operar con una fuente resistiva y una impedancia de
carga. Pasivo es aquel filtro que no tiene una fuente interna
de energa (la potencia entrante no es amplificada). La
linealidad comprende un dispositivo en el que todos los
niveles de potencia son proporcionales a la potencia de
entrada. Un filtro reflexivo es aquel que genera rechazo por
reflejar las ondas incidentes, no genera nuevas frecuencias e
intermodulacin, y no comprime la seal. Los filtros que
disipan las seales rechazadas internamente son llamados
filtros disipativos. Y por ltimo, los dispositivos con
prdidas son aquellos en los que la potencia incidente es
mayor que las potencia transmitida o reflejada, es decir,
cierta proporcin de la potencia es siempre atenuada dentro
del filtro.
Cuando se disea un filtro, los parmetros que deben
tomarse en cuenta son: El ancho de banda, las prdidas de
insercin, las atenuaciones, las frecuencias de diseo, la
impedancia de entrada y salida que presenta el dispositivo, la
relacin de onda estacionaria, el retardo de grupo, la
linealidad en la fase y la respuesta transitoria.
El complejo comportamiento de las ondas en los circuitos
microondas hace virtualmente imposible el desarrollo de
procedimientos generales y completos para la sntesis de
filtros. En virtud de estas complicaciones aadidas, un
importante nmero de tcnicas han sido desarrolladas para
disear filtros de microondas y a su vez, para estos casos, un
prototipo de filtros de baja frecuencia puede ser usado como
modelo, reemplazando todos los elementos inductivos y
capacitivos por elementos de circuitos de microondas que
tiene un comportamiento equivalente sobre el rango de
frecuencias que nos interese (los inversores de impedancia o
admitancia son un ejemplo de dichos circuitos equivalentes
desarrollados y los cuales sern explicados en los prximos
apartados), cabe destacar que las bobinas y los
condensadores poseen efectos parsitos que evitan el
funcionamiento deseado a altas frecuencias. Por estas
razones, se han dedicado muchos esfuerzos en el diseo de
filtros de microondas basados en la aplicacin de tcnicas de
sntesis para filtros de baja frecuencia.
Hay esencialmente dos tcnicas de sntesis de filtros a
baja frecuencia que son comnmente usadas. Nos referimos
al mtodo de parmetros imgenes y al mtodo de prdidas
de insercin, las cuales sern explicadas en los siguientes
apartados.
II.1 MtodoParmetros Imagen
Considere un circuito de dos puertas con parmetros
ABCD terminado con la carga Z
2
a la salida y a la entrada
con una impedancia interna del generador igual a Z
1
como se
muestra en la fig. 1. Para valores especficos de Z
1
y Z
2
,
conocidas como Impedancias Imagen, la impedancia a la
entrada (Z
in1
) ser igual a Z
1
y la impedancia a la salida (Z
in2
)
igual a Z
2
. Estas impedancias adaptan las terminaciones de
las dos puertas y si adems son reales, provocarn mxima
transferencia de potencia. Las ecuaciones que gobiernan la
red (tomando la corriente en la carga con el sentido indicado
en la fig. 1) sern:
1 2 2
V AV BI = + Ec. 1.1
1 2 2
I CV DI = + Ec. 1.2
puesto que
1 2
1 2
.
V V A B
I C D I
( ( | |
=
| ( (
\
,

por lo tanto (la relacin de Ec. 1.1 y Ec. 1.2)


2
1 2 2 2
1
1 2 2 2
in
V AV BI AZ B
Z
I CV DI CZ D
+ +
= = =
+ +
Ec. 1.3

Anlogamente, poniendo V
2
e I
2
en funcin de V
1
e I
1
,

2 1 1
V DV BI = Ec. 1.4
2 1 1
I CV AI = + Ec. 1.5
obtenemos que (la relacin de Ec. 1.4 y Ec. 1.5):

2 1 1 1
2
2 1 1 1
in
V DV BI DZ B
Z
I CV AI CZ A
+
= = =
+ +
Ec. 1.6

Como sabemos que
1 1 in
Z Z = y
2 2 in
Z Z = , nos quedan
las ecuaciones:
( )
1 2 2
Z CZ D AZ B + = + Ec. 1.7
( )
2 1 1
Z CZ A DZ B + = + Ec. 1.8

que al ser resueltas dan como resultado:

1
AB
Z
CD
=
2
DB
Z
AC
=

Ntese que
2 1
D
Z Z
A
| |
=
|
\
Ec. 1.9

Si el generador con impedancia interna de valor Z
1
es
conectado a la entrada y a su vez, la salida es terminada con
la carga Z
2
, los niveles de de tensin y corriente pueden
analizarse en funcin de ecuaciones Ec. 1.4 y Ec. 1.5,

2 1 1 1
1
B
V DV BI D V
Z
| |
= =
|
\
Ec. 1.10
( )
2 1 2 1 1
I CV AI CZ A I = + = + Ec. 1.11

donde
1
V es la tensin en terminales de la puerta de entrada
y el generador de tensin es de valor
1
2V . Por tanto
encontramos que:
( )
2
1
V D
AD BC
V A
= Ec. 1.12
( )
2
1
I A
AD BC
I D
= Ec. 1.13

Si definimos el Factor de Propagacin Imagen como

e AD BC

= Ec. 1.14


A partir de Ec. 1.14,
e AD BC

= + Ec. 1.15

o lo que es igual,
cos ( ) h AD = Ec. 1.16
( ) senh BC = Ec. 1.17

El factor
( )
2
/ A D
es interpretado como el valor de la
Impedancia de Transformacin.
Si N circuitos de 2 puertas son conectados en cascada y
estos tienen una constante de propagacin
n
, donde n=1, 2,
, N y el valor de la transformada de voltaje


1
1
1
D
T
A
=
2,..., ,..., n N
T T T Ec. 1.18

y cada seccin est terminada con una impedancia igual a su
impedancia imagen de salida, el valor de transferencia total
es:


1
2 1
1 2
1 2
. ... ... .
N n
N
N n
n
V
T T T e e e T e
V

= =

Ec. 1.19

Por lo que la impedancia imagen a la salida de cada
seccin es igual a la impedancia imagen de la seccin
adyacente. Con esta red de filtros terminada en una carga
N
Z
, y un generador a la entrada con impedancia interna de
1
Z , el
sistema estar adaptado para una mxima transferencia de potencia.
Para circuitos simtricos no se obtienen ningn cambio
para el valor de la impedancia, es decir, el filtro consistir en
N secciones simtricas terminadas en impedancias de carga
del mismo valor que la impedancia imagen
i
Z el cual se
comportar como una estructura simtrica infinita con sus
respectivas caractersticas en banda de paso y en banda
atenuada.
En el mtodo de Parmetros Imagen para el diseo de
filtros, los parmetros ABCD del circuito son elegidos en
funcin de los valores en banda de paso y en banda atenuada
requeridos.
Las deficiencias de los filtros son apreciables debido a
que las impedancias imagen van en funcin de la frecuencia
y no permanecen iguales a las impedancias terminadas sobre
la banda de paso deseada. Resultando que la prdida de
transmisin (debido a la desacoplo de cargas) dentro de la
banda de paso es un valor que no puede ser determinado
despus que el filtro ha sido diseado. Adems, no hay forma
de controlar el valor para la cual la atenuacin crece con la
frecuencia ms all de los lmites de la banda de paso, aparte
de aumentar las secciones del filtro. An as, mucho de los
ms usados filtros han sido desarrollados bajo estos
basamentos.


Fig. 1. Parmetros Imagen para un circuito de dos puertas.
A
C
B
D
Z1
2V1
Z
in,1
=Z
1
Z
in,2
=Z
2

V2
I2
V1
I1
Z2

3
II.2 Mtodo Prdidas de Insercin
Se definen las prdidas de insercin
i
l de un circuito
pasivo como la razn entre la potencia entregada a la carga
cuando el generador se encuentra directamente conectado a
ella y la potencia cuando entre generador y la carga se
conecta el circuito bajo estudio.

2 2
1
.(1 ) (1 )
DG DG
i
L DG IN IN
P P
l
P P
= = =

Ec. 2.1

donde
IN
es el coeficiente de reflexin a la entrada cuando
la red est terminada por una impedancia resistiva igual a la
impedancia interna del generador.
Las prdidas de insercin medida en dB es,

10log( ) 20log( )
i i IN
L l = = Ec. 2.2

El mtodo de prdidas de insercin para diseo de filtro
comienza especificando el valor de las prdidas de insercin
o la magnitud de las prdidas de insercin como funcin de
. Un filtro que da un valor de prdidas de insercin
deseado es un filtro sintetizado. Este procedimiento se
considera el mismo que se sigue en la sntesis de filtros con
transformadores / 4 . De hecho, los transformadores
/ 4 de mltiples secciones pueden considerarse como un
tipo particular de filtro paso banda.
Hay que tomar en cuenta, sin embargo, que no puede
elegirse un valor arbitrario de ( ) ya que no corresponde
a un circuito fsico. Las condiciones que se impondrn sobre
son conocidas como las condiciones para la realizacin
fsica y algunas de estas sers explicadas a continuacin.
Para un circuito reflexivo est claro que la potencia
reflejada no puede exceder la potencia incidente, y por lo
tanto, una restriccin de ( ) es ( ) 1 .
Si la impedancia normalizada a la entrada del circuito es

__ __ __
( ) ( ) ( ) Z R j X = + Ec. 2.3
tenemos
__ __ __
__ __ __
1 ( ) 1 ( )
( )
1 ( ) 1 ( )
IN
IN
Z R j X
Z R j X


+
= =
+ + +
Ec. 2.4

por lo tanto
__ __
__ __
( ) 1 ( )
( ) ( )
( ) 1 ( )
R j X
R j X



= =
+
Ec. 2.5

y en consecuencia
2
2
( ) ( ) ( ) ( )
IN
= = Ec. 2.6

Ahora cualquier funcin de impedancia en baja
frecuencia (impedancia del circuitos hechas a base de
resistencias, condensadores y bobinas) pueden ser expresadas
como una funcin de dos polinomios. De manera que puede
escribirse como:
__ __
2 2
2
__ __ 2 2
2
( ) ( 1)
( )
( ) ( )
( 1)
IN
M R X
M N
R X


+
= =
+
+ +
Ec. 2.7

donde M y N son polinomios reales y positivos de
2
. Las
prdidas de insercin pueden ahora expresarse como
__ __
2 2 2
__ 2
( ) [ ( ) 1] [ ( )]
1 1
( )
4 ( )
i
M R X
l
N
R

+
= + = +
Ec. 2.8

Por lo tanto, si sustituimos
__
2 2
( ) 4 ( ) ( ) N R Q = = Ec. 2.9

y
2 2
( ) ( ) M P = Ec. 2.10

Tendremos la condicin necesaria y suficiente para que el
circuito pueda ser fsicamente realizable,


2
2
( )
1
( )
i
M
l
Q

= + Ec. 2.11

Apreciando la ltima formula planteada, podemos
deducir que hay prcticamente un ilimitado nmero de
formas pueden ser especificadas para las prdidas de
insercin y que pueden ser fsicamente realizables. Sin
embargo, muchas de estos circuitos pueden llegar a ser
bastante complejos y slo unos pocos de son realmente tiles
y utilizados a nivel prctico, entre las cuales se encuentran
las que brindan una respuesta mximamente plana
(comnmente llamados Filtros de Butterworth) en la banda
de paso o aquellas que dan un rizado en bandas de paso y
atenuadas equivalentes a las deseadas (Filtros de
Chebyshev).

II.3 Inversores de Inmitancia
Los inversores de inmitancia son inversores de
impedancia o de admitancia. Un inversor de impedancia
ideal es un circuito de dos puertas que tienen la nica
propiedad de que a todas frecuencias, cuando en una puerta
hay una impedancia
2
Z , la impedancia
1
Z vista hacia
adentro en la otra la puerta ser


1
2
K
Z
Z
= Ec. 3.1
donde K es un nmero real definido como la impedancia
caracterstica del inversor.

Como puede apreciarse, si
2
Z es inductancia /
conductancia,
1
Z ser conductancia / inductancia, y por lo
tanto el inversor de impedancia tiene un cambio de fase de
90 grados o un mltiplo de este. Los inversores de
impedancia son tambin conocidos como Inversores K. La
matriz ABCD de un inversor de impedancia ideal puede ser
expresado como

4


0
1
0
jK
A B
C D
jK
| |
| |
|
=
|
|

\ |
\

Ec. 3.2

Asimismo, un inversor ideal de admitancia es un circuito
de 2 puertas que presenta como propiedad a toda frecuencia
que, si una admitancia
2
Y es conectada en una puerta, la
admitancia
1
Y vista hacia dentro de la otra puerta ser,

1
2
J
Y
Y
= Ec. 3.3
donde J es un nmero real definido como la admitancia
caracterstica del inversor.
Similarmente a los inversores de impedancia, estos tiene
un cambio de fase de 90 grados o un mltiplo de este. Los
inversores de admitancia son tambin conocidos como
Inversores J. La matriz ABCD de un inversor de impedancia
ideal puede ser expresado como


1
0
0
A B
jJ
C D
jJ
| |

| |
|
=
|
|
\ |
\

Ec. 3.4

Como se aprecia en la fig.2a y fig.2b, puede demostrarse
por anlisis de circuitos que una inductancia en serie con un
inversor a cada lado es como una capacitancia hacia el
exterior de los terminales.


Fig. 2a. Inversor de inmitancia usado para convertir una
inductancia en serie en un circuito equivalente de capacitancia en
paralelo.


Fig. 2b. Inversor de inmitancia usado para convertir una
capacitancia en paralelo en un circuito equivalente de inductancia
en serie.
Por ejemplo, un prototipo de estructura comn de un
filtro paso bajo puede convertirse a una forma como la
indicada en la fig.3.


Fig. 3. Prototipo de filtro paso bajo modificado usando inversores
de inmitancia
Una de las formas ms simples de hacer un inversor es
con una lnea de transmisin de longitud / 4 o incluso,
puede hacerse un inversor mediante la implementacin de un
circuito mixto formado por bobinas, condensadores y
elementos de lneas de transmisin.
En realidad, los parmetros J y K de los inversores de
inmitancia reales son dependientes de la frecuencia y pueden
aproximarse al comportamiento de un inversor de inmitancia
ideal. Los filtros diseados por inversores de inmitancia son
ms usados en aplicaciones con filtros de banda estrecha.
II. CONCLUSIONES
Los mtodos explicados confluyen en la idea de realizar
filtros que permitan un diseo sencillo, eficiente y de bajo
costo, basndose a su vez, en la idea de la adaptacin de
cargas que permite mxima transferencia de potencia.
Teniendo en cuenta que en el mtodo de Parmetros
Imagen hay una dependencia directa de los parmetros
ABCD del dispositivo usado, este es usualmente menos
valorado que el mtodo de Prdidas de Insercin.
Los inversores de inmitancia junto con las
Transformaciones de Richards y las Equivalencias de Kuroda
(no tratados en este documento) juegan un papel importante
en la flexibilidad que nos aporta a la hora de disear, en este
caso, un filtro de microondas.
Todo lo explicado en este documento ha sido tomado de
la bibliografa reseada a continuacin.
III. BIBLIOGRAFA
[1] J. Hong and M.J.. Lancester, Microstrip filters for RF/Microwave
applications, 1
st
.ed., NY, United States of America: AWiley-
Interscience publication, 2001.
[2] R. E. Collin, Foundations for Microwave Engineering, 2
nd
.ed.,
Singapore: McGraw Hill International Edition, 1992.
[3] I. Bahl and P. Bhartia, Microwave Solid State Circuit Design,
2
nd
.ed., New Jersey, United States of America: AWiley-Interscience
publication, 2003.
J J
C
C
J
J J L
C
K K
L
C

1
DISEO DE FILTROS

Alberto Martn Fernndez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail: ilde84@hotmail.com

Resumen- Este documento muestra distintos mtodos de
diseo de filtros de microondas, el estudio est centrado
en dos mtodos, diseo mediante parmetros imagen y
mediante prdidas de insercin.
Tambin dedicamos un apartado a la aplicacin de
inversores de impedancia y admitancia al diseo de
filtros.

I. INTRODUCCIN

Se definen las prdidas de insercin de un circuito
pasivo en un sistema como la razn entre la potencia
entregada a la carga cuando el generador se encuentra
directamente conectado a ella y la potencia entregada cuando
entre el generador y la carga se conecta el circuito bajo
estudio [3].
El diseo de filtros mediante el mtodo de parmetros
imagen tiene muchas caractersticas en comn con el las
estructuras peridicas, pero el mtodo de estructuras
peridicas est mas enfocado al tema de pticas que de
microondas, por lo que no entraremos en detalle.

II. DESARROLLO

II.1Diseo de Filtros mediante el mtodo de Parmetros
imagen

Para redes no simtricas nos encontramos con dos
impedancias caractersticas
B
Z Z
+
= + y cada seccin
tiene un factor de propagacin
d
e

. Una estructura
peridica de esta forma tiene caractersticas de banda de
paso y banda atenuada y por lo tanto es un filtro de paso
banda. Sin embargo la terminacin de carga para prevenir
reflexiones es
B
Z y es compleja cuando 0 .
Normalmente, un filtro debe funcionar entre las
terminaciones de carga, y en este caso no sera posible tener
la misma terminacin de entrada y salida a menos que sea
cero, es decir, a menos que se utilizaran redes simtricas o se
correspondieran las secciones de la entrada con las de la
salida.
Por esta razn el mtodo de diseo de filtros mediante
los parmetros imagen se basa en consideraciones
ligeramente diferentes a las utilizadas para el mtodo de
estructuras peridicas [1].
Considerando una red simple de dos puertas, entrada y
salida, con los parmetros A,
B, C y D. Cuya salida est terminada con una carga
2 i
Z y la
entrada la terminamos con una carga
1 i
Z , como se muestra en
la figura 1:

Fig. 1. Parmetros imagen de una red de dos entradas. [1]

Si
1 i
Z y
2 i
Z son reales proporcionan mxima
transferencia de potencia cuando el generador tiene una
impedancia interna igual a la impedancia imagen [1].
Las ecuaciones que rigen las redes de dos puertas son:
1 2 2
V AV BI = +
1 2 2
I CV DI = + Ec. 1
por lo tanto:
2 1 2 2
,1
1 2 2 2
i
in
i
AZ B V AV BI
Z
I CV DI CZ D
+ +
= = =
+ +
Ec. 2

Despejamos V
2
e I
2
y obtenemos :
2 1 1
V DV BI =
1 2 2
I CV DI = + Ec. 3
De la misma forma tenemos:
1 2 1 1
, 2
2 1 1 1
i
in
i
DZ B V DV BI
Z
I CV AI CZ A
+
= = =
+ +

Ec.4
Sabiendo que
1 ,1 i in
Z Z = y
2 , 2 i in
Z Z = obtenemos:
1 2 2
( )
i i i
Z Z AZ C D B = + + Ec.5a
2 1 1
( )
i i i
Z Z DZ C A B = + + Ec.5b
Estas dos ecuaciones dan como solucin:
1 i
AB
Z
CD
=
2 i
DB
Z
AC
= Ec. 6
Tambin encontramos que
2 1
( / )
i i
Z D A Z = .
Si un generador con impedancia interna
1 i
Z est conectado a
la puerta de entrada y la puerta de la salida est terminada
con la carga
2 i
Z , la corriente y la tensin transferidas pueden
hallarse mediante las siguientes relaciones:
2 1 1 1
1 i
B
V DV BI D V
Z
= =



Ec.7
2 1 1 1 1
( )
i
I CV AI CZ A I = + = + Ec.8
Donde V
1
es la tensin que hay en la puerta de entrada
mientras que la tensin del generador
es 2V
1
. As nos encontramos con que:
Z
in,1
Z
in,2
V
1
V
2
I
1
Z
in,1
=Z
i1
Z
in,2
=Z
i2
I
2
A B
C D
Z
i2

2V
1

Z
i1

2
( )
2
1
V D
AD BC
V A
= Ec. 9a
( )
2
1
A
AD BC
D
I
I
= Ec. 9b
De forma anloga sabemos que:
( )
1
2
V A
AD BC
V D
= + Ec. 10a
( )
1
2
D
AD BC
A
I
I
= + Ec. 10b
La constante de propagacin en este caso se define como:
e AD BC

= Ec. 11a
Donde comprobamos:
e AD BC

= + Ec. 11b
Y cosh AD = Ec. 11c
sinh BC = Ec. 11d
El factor
( )
2
/ A D es interpretado como una transformacin
proporcional de impedancia y puede ser visto como un
transformador ideal de relacin / A D .
Para una red con prdidas, A y D son reales mientras que B y
C con imaginarios.
En la banda de paso de un filtro, es imaginario puro igual
que j, esto ocurre debido a | | 1 AD < , como se muestra en la
Ec. (11c).
Adems en la banda de paso la impedancia imagen es real
pura, mientras que en la banda eliminada la impedancia
imagen es imaginaria pura, como se muestra a continuacin.
En el paso banda, B y C deben tener el mismo signo,
entonces | | | | | | BC j B j C BC = = para hacer que sinh
en Ec. (11d) sea imaginario puro, esto es, =j. Por lo tanto, en
Ec. (6), AD debe ser real y positivo para dar una solucin real
a cosh . Por lo tanto las impedancias imagen en la banda de
paso del filtro son reales [1] y [2].
Si N redes de dos puertas estn conectadas en cascada y estas
tienen constantes de propagacin
n
, n =1,2,.,N, la tensin
es proporcional a :
1
1
1
D
T
A
= T
2
,..,T
n
,,T
N
Ec. 12
Y las secciones de salida estn terminadas con impedancias
iguales a la impedancia imagen de salida la tensin que se
transfiere es
2
1 2
1
1 1 1
n
N
N N
N n
n
N
V V V
TT T e T e
V V V
1 2

=

= = =

La
impedancia imagen a la salida de cualquiera de las secciones
es igual a la impedancia imagen a la entrada de la seccin
adyacente. Con una red terminada con una impedancia de
carga Z
iN
igual a la impedancia imagen a la salida y con un
generador a la entrada cuya impedancia interna sea Z
i1

nuestra red ofrece mxima transferencia de potencia. El filtro
funciona entre los niveles de impedancia Z
iN
y Z
i1
, que
ofrecen una idea general de las posibles variaciones de los
valores.
2 2
1
1 1 1
N
iN iN i
n
n
i iN i
Z Z Z
T
Z Z Z
=

= =

Ec. 13
En una red simtrica de dos puertas, A=D y
1 2 i i
Z Z = y
ambos tienen caractersticas iguales a la impedancia
B
Z
+
.
El filtro consta de N secciones simtricas terminadas con
impedancias de carga iguales a las impedancias imagen Z
i
, su
comportamiento es el mismo que el de una estructura
peridica infinita con caractersticas de banda de paso y
caractersticas de banda atenuada.
En el mtodo de parmetros imagen para diseo de filtros, los
parmetros A,B,C,D son elegidos para establecer las
relaciones necesarias entre la banda de paso y la banda
eliminada.
Adems, los parmetros imagen son elegidos iguales a las
terminaciones de impedancia, intentando centrarlas en la
banda de paso.
Esto provoca deficiencias en el filtro, apareciendo unas
prdidas en la transmisin en la banda de paso, estas prdidas
no pueden ser determinadas antes del diseo del filtro.
Adems, no hay medios disponibles para el control de la
velocidad a la que la atenuacin aumenta con la frecuencia
ms all de los lmites de la banda de paso, adems de
aumentar el nmero de secciones del filtro.

II.2 Diseo de Filtros mediante el mtodo de las Prdidas de
insercin

Las prdidas de insercin pueden dividirse en dos causas:
prdidas por reflexin y prdidas por disipacin de la propia
red y se definen del siguiente modo [3]:
2
11
1
1 | |
refl
L
s
=


2
11
2
11
1 | |
| |
dis
s
L
s

= Ec. 14

Se definen las prdidas de insercin de un filtro como [4]:
( ) 1
( ) 1 |
DG
LR
L
P
P
P
2
= =
() |
,
0
0

() =
+

Ec.15
La funcin
2
| () | es una funcin par, de manera que puede
escribirse:
)
) ) N
2
2
2 2
(
| () | =
( + (
Ec. 16
donde M y N son polinomios de
2
. Por lo tanto:
)
1
)
RL
P
2
2
(
= +
(
Ec. 17

El mtodo consiste en sintetizar redes que conformen una
respuesta deseada, del tipo:
Mximamente plana, con
2
2
c
1
N
RL
P K

= +





O de igual rizado, con
2 2
c
1
RL N
P K T

= +






El diseo de filtros comprende las siguientes etapas [4]:


3
Diseo de un prototipo paso bajo

Para evitar las prdidas se utilizan elementos de circuito que
presenten impedancias reactivas puras, de parmetros
concentrados (L C). Se acostumbra a utilizar una topologa
en forma de escalera LC doblemente enlazada, como se
indica en la siguiente figura.


Fig.2. Circuito en escalera con impedancias reactivas puras.[4].

Los valores de las inmitancias gk estn tabulados para
diferentes tipos de respuesta.

Escalado de frecuencia e impedancias

La mayora de los filtros de microondas se pueden realizar a
partir de un filtro prototipo de paso bajo normalizado. Puede
haber necesidad de desnormalizar los valores de las
reactancias.
Si el prototipo slo tiene impedancias normalizadas, pero no
escalado de frecuencias, basta con multiplicar las
impedancias normalizadas por la nueva impedancia de
referencia R
0
(R
0
= 50 ).
Si el prototipo slo tiene escalada la frecuencia, para
trasladar la frecuencia de corte de 1 a
c
hay que transformar:

-
c c
L
j L j L L

Ec.18
-
c c
C
C
j j C C





Cuando impedancias y frecuencias estn normalizadas:
0 0
c c
L
j L j R L L R



Ec. 19a
c 0 c 0
C
C C
j j C
R R



Ec. 19b
Para pasar un filtro prototipo de paso bajo a uno de paso alto,
al desnormalizar la frecuencia, la transformacin a aplicar es:
c

Ec. 20
El filtro prototipo paso bajo tambin se puede utilizar
para hacer una transformacin de frecuencias con respuesta
paso banda o banda eliminada. Si 1 y 2 representan los
lmites de la banda paso/banda eliminada, se pueden aplicar
las siguientes transformaciones, respectivamente:
0 0 0
2 1 0 0
1
=





1
0
0







Ec. 21

donde
2 1
0

=

es la anchura de banda fraccional [4].




Fig.3. Resumen de las principales transformaciones de frecuencia, sin incluir
el escalado de impedancias. [4].

II.3. Aplicacin de Inversores de Impedancia y Admitancia al
diseo de Filtros

Un inversor de impedancias o de admitancias, es una red
recproca, simtrica y sin prdidas en la que se cumple la
siguiente relacin entre las impedancias a su entrada y salida
[3]:
2
IN
L
K
Z
Z
=
2
IN
L
J
Y
Y
= Ec. 22
Donde K
2
y J
2
son las llamadas constantes de inversin. La
siguiente figura recoge el funcionamiento de estos inversores:

Fig. 4. Inversor de impedancias. [3].

Los parmetros [S] del inversor de impedancias han de
cumplir las siguientes condiciones:
2
11 12
| | 1 | | S S =
2

11 12
= + Ec. 23
En un inversor de impedancias, los parmetros de la diagonal
de su matriz [S] han de ser reales. Resultando una matriz [S]
de la forma:
0
1
1
Z
j
S
j
2
2

=





Ec. 24
Mientras que la constante de inversin toma el valor de:
0
(1 )
(1 )
K Z
+
=

Ec. 25
Es posible redefinir un inversor de impedancias como una red
pasiva, recproca, simtrica y sin prdidas cuyo coeficiente
S
11
sea real.
Los inversores de impedancias y admitancias son redes de
gran utilidad en la realizacin de filtros de microondas. Una
forma de implementar estos filtros es a partir de redes
formadas por bobinas y condensadores en escalera cuyos
valores se ajustan mediante aproximaciones (butterworth,
chebychev). Es decir, el filtro est formado por una
Z
IN
=K
2
/Z
L

K Z
L

4
sucesin en cascada de elementos conectados
alternativamente en serie y paralelo [3]. Dependiendo del
medio de transmisin o los elementos con los que se va a
realizar el filtro, puede resultar ms conveniente emplear tan
solo elementos en serie o en paralelo. Esto es posible si se
introducen en la red en escalera inversores de impedancia o
admitancia como los descritos. Considere el siguiente circuito
formado por una admitancia en paralelo y dos inversores K
idnticos:


Fig. 5. Dos inversores con admitancia. [3].

Las matrices T correspondientes a los inversores y la
admitancia son:
2
1
1
1
inv
j
T

=





Ec. 26
0 0
0 0
1 1
1
2 2
1 1
1
2 2
Y
YZ YZ
T
YZ YZ
+
=
+





Ec. 27
Tras efectuar el producto de matrices correspondientes a la
asociacin en cascada del circuito, aplicando la
transformacin inversa entre las matrices T y S y
sustituyendo K (Ec. 25)se llega a:
2
0
2
2
0
0
2
1
2
2
Y
K
Z
S
Y
Y
K
K
Z
Z

=
+







Ec. 28
Si se compara la matriz anterior con la de una impedancia
serie, salvo el desfase de 180 de los parmetros S
12
y S
21
, se
puede establecer la igualdad:
2
Z K Y = . Ec. 29
Por tanto, a efectos de la impedancia, la admitancia en
paralelo junto con los dos inversores equivale a una
impedancia en serie de valor (Ec. 29).
Anlogamente, si se asocian una impedancia serie con dos
inversores J, se obtiene un circuito equivalente, a efectos de
impedancia, que consiste en una admitancia paralelo cuyo
valor es el siguiente:
2
Y J Z = Ec. 30

III. CONCLUSIONES

Al finalizar el trabajo observamos las grandes diferencias
entre los mtodos estudiados.
Siendo dos de los mtodos ms usados para el diseo de este
tipo de filtros, para el diseo mediante parmetros imagen se
analizan las ecuaciones del circuito mientras que en el diseo
mediante prdidas de insercin se trabaja ms con potencias.
Tambin observamos la gran utilidad de los inversores en el
diseo de filtros, cabe resaltar la facilidad de diseo, ya que
bsicamente se trata bobinas y condensadores en escalera.


IV. REFERENCIAS

[1] Robert E. Collin, Foundations for microwave
Enginnering 1992. Mc. Graw-Hill.
[2] Ian Hunter, Theory and design of microwave filters
2001. IEE.
[3] R. Snchez Montero, P. L. Lpez Esp, M. P. Jarabe
Amores, J. Alpuente Hermosilla Teora de circuitos
de microondas. Parmetros S 2004. UAH.
[4] Universidad de Sevilla, 4 Ingeniero de
Telecomunicaciones, Microondas Diseo de
Filtros. 2006.





Y K K

1
FILTROS PASO BAJO CON STUBS
CARLOS OLIVER LEN
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :carlosoliverlen@hotmail.com

Resumen- En el presente escrito se expondr como
evoluciono la creacin de filtros con elementos pasivos
para microondas, centrndonos en los estudios de Paul I.
Richards sobre transformaciones de dichos elementos en
guas de ondas, y como despus Kuroda aplicando las
transformaciones de Richards estableci las
equivalencias que permiten construir fsicamente los
diseos de los filtros empleando stubs. Finalmente se
planteara el anlisis de la equivalencias de Kuroda
usando parmetros S.
I. INTRODUCCIN
Son sin duda los filtros unos de los elementos mas
importantes para cualquier sistema de tratamiento de seales
sea cual sea el mbito de su aplicacin. Para la
simplificacin de los clculos se idearon las
transformaciones en frecuencia y en amplitud, con fin de
referenciar cualquier tipo de filtro a uno bsico, un filtro
paso bajo, al que le daremos unas caractersticas de respuesta
(lineal o rizada) en sus bandas de paso o atenuada haciendo
uso de las Teoras clsicas de aproximacin, Butterworth,
Chevichev y Elptica. Posteriormente mediante la sntesis de
la funcin de transferencia y haciendo uso de las distintas
formas cannicas y no cannicas de diseo calcularamos los
valores de las bobinas y condensadores que formaran el
diseo fsico del filtro.
Es en el uso de las microondas donde esta teora clsica
presenta problemas de diseo debido a las altas frecuencias
de trabajo, lo que implica complicaciones de fabricacin de
los elementos pasivos que conformaran la estructura fsica
del filtro.
II. DESARROLLO
Se puede considerar a Paul I. Richards como el padre de
la teora moderna de filtros para microondas, ya que en 1948
para sintetizar una red LC empleo lneas de transmisin, con
el uso de una simple transformacin.

tan( ) tan
p
d
d
v


= =



[1] Ec.1
Todos los stubs utilizados tenan la misma longitud
elctrica, / 8 , de hay que se les diera el nombre de
equiporporcionados. Una caracterstica comn a todos los
filtros diseados con esta transformacin es una respuesta en
frecuencia peridica de periodo 4 C . Las equivalencias
ideadas por Richards corresponden a la fig.1 para las bobinas
y para los condensadores. [1]


Fig.1. Transformaciones de Richards usando lneas de transmisin

Fue cuando los estudios de Richards llegaron a Japn
donde K. Kuroda en 1955, basndose en ellos realizo una de
las contribuciones ms tiles para la construccin fsica de
los diseos usando las transformaciones de Richards. Ideo
una serie de transformaciones que tenan como objetivo:
a) Separar fsicamente los stubs con lneas de transmisin.
b) Trasformar stubs serie en stubs paralelo.
c) Cambiar impedancias caractersticas de difcil diseo en
otras mas apropiadas.
Podemos observar las transformaciones de Kuroda en la
fig.2. [2], en las cuales las dos primeras corresponden a
transformaciones de pequeas secciones de stubs en serie y
circuito abierto o en paralelo en corto circuito; en las cuales
no son requeridas las impedancias del transformador.
En las transformaciones de el stub en paralelo
cortocircuitado y el stub en serie en circuito abierto si son
necesarias las impedancias del transformador.

2

Fig.2. Equivalencias de Kuroda, con lneas de transmisin

Las lneas remarcadas en negrita representan las lneas de
transmisin de filtros en altas frecuencias. Los mtodos de
clculo de las distintas impedancias y admitancias de las
transformaciones estn expuestos a continuacin:

a)
' 0 0 1
0
0 1
Z Z Z
Z
n Z Z

= =
+
Ec.2

2
' 0 0
1
1 0
Z Z
Z
m Z Z
= =
+
Ec.3

0
1
1
Z
n
Z
= + Ec.4

1
0
1
Z
m
Z
= + Ec.5

'
1 1
'
0 0
Z Y n
Z Y m
= = Ec.6



b)
' 0 0 1
0
0 1
Y Y Y
Y
n Y Y

= =
+
Ec.7

2
' 0 0
1
1 0
Y Y
Y
m Y Y
= =
+
Ec.8

0
1
1
Y
n
Y
= + Ec.9

1
0
1
Y
m
Y
= + Ec.10

'
1 1
'
0 0
Y Z n
Y Z m
= = Ec.11

c)
'
0 0
Z n Z = Ec.12

'
1 1 0
Z Z Z = + Ec.13

0
1
1
Z
n
Z
= + Ec.14

'
1 1
'
0 0
Z Z
Z Z
= Ec.15

d)
'
0 0
Y n Y = Ec.16

'
1 1 0
Y Y Y = + Ec.17

0
1
1
Y
n
Y
= + Ec.18

'
1 1
'
0 0
Y Y
Y Y
= Ec.19

Aplicando las Transformaciones de Richards a las
equivalencias de Kuroda para lneas de transmisin de
longitud / 8 , obtenemos una relacin directa entre bobinas y
condensadores [1]:



0
Z
0
2
Z
n

1
Z
0
Z
2
0
n Z
1
1
Z
2 1
0
1
Z
n
Z
= +

0
Z
1
Z
0
2
Z
n

0
2
Z
n
Y1
Zo Zo
Z1
Z1
Zo
Z1
Yo
Y1
Y1
Yo
Yo
Y1
Zo
Yo
Z1
1: n
1: n
a)
b)
c)
d)
2
1: n
2
0
1
n Z

0
2
Z
n


3

Finalmente haciendo uso de los parmetros S se
demostraran las equivalencias de Kuroda, para ello se
obtendrn las matrices de parmetros, para que las
igualdades se cumplan los parmetros del circuito original y
su transformacin debern de ser iguales:



jZc 2 jZc 2 jZc




jZc





jZc
2
jZc

2
jZc







Aplicando simetra:



2 jZc . C A 2 jZc



2
in
Z jZc = 0
in
Z =

0
e in o
in
Z Z
S CA
Z Z

=
+
Ec.20
0
0
in o
in
Z Z
S Cc
Z Z

=
+
Ec.21
11 22
S S =
12 21
S S =
0
11 22
e
S S S S = = + Ec.22
0
12 21
e
S S S S = = Ec.23
1 2
2
2 1
2 1
jZc
S
jZc
jZc

=

+


Ec.24



2
jZc

2
jZc



. C A



in
Z =
2
in
Zc
Z j =
2
2
2
2
jZc
S
jZc
jZc



Ec.25

III. CONCLUSIONES
La constante necesidad de trabajar en frecuencias de
elevados valores en mltiples mbitos de las
Telecomunicaciones hizo necesario la mejora de los sistemas
de tratamientos de seales; el filtrado de las mismas, etapa
esencial en cualquier sistema, fue revolucionado por
Richards quien aporto una transformacin vital a la hora de
trabajar en altas frecuencias, la transformacin de bobinas y
condensadores en lneas de transmisin y la posterior
aportacin de Kuroda con las equivalencias que permitan,
partiendo de las transformaciones de Richards transformar
lneas de transmisin serie en lneas en paralelo; simplifico
de manera notable la construccin fsica de los filtros
III. REFERENCIAS
[1] Pablo Lus Lpez Esp, Tema 5: Diseo de Filtros de Microondas; 3
ITT Sist. De Telecomunicaciones
[2] Leo Young, Microwave Filters, IEEE Trans. on Microwave Theory
and Techniques, vol. MTT-13 n5,Septiembre 1965
[3] Ralph Levy and Seymour B. Cohn A History of Microwave Filter
Research, Design, and Development, IEEE Trans. on Microwave
Theory and Techniques, vol. MTT-32 n9, Septiembre 1984.


jZc
1
1
Z

0
Z

2
0
n Z

2
0
1
n Z

2
:1 n
2 1
0
1
Z
n
Z
= +


1
DISEO DE FILTROS PASO BAJO
CON STUBS
M Dolores Fernndez-Caballero Farias
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : md.fernandez@uah.es

Resumen- En este artculo, se presenta el proceso a seguir
para construir un filtro paso bajo mediante stubs a partir
del diseo terico de una plantilla discreta. Tras exponer
los motivos por los que se realiza con lneas de
transmisin se explican las transformaciones (Richards y
Kuroda) a seguir para sustituir los elementos pasivos.
Finalmente, se adjunta el resultado de las simulaciones de
respuesta en frecuencia tanto discreta como con stubs.
I. INTRODUCCIN
Cuando diseamos filtros, lo hacemos mediante
elementos discretos, elementos que no presentan una
respuesta plana con la frecuencia, puesto que comienzan a
acumular efectos parsitos que llegan a ser muy importantes
en microondas.

Por lo tanto, necesitamos realizar los filtros con
elementos propios de nuestras bandas de trabajo, que
presenten una respuesta ms prxima a la ideal que
buscamos.

I.1 Respuesta de elementos pasivos en altas frecuencias
A continuacin, vamos a mostrar algunos ejemplos de
cmo afectan los elementos parsitos a nuestros componentes
discretos.


Fig. 1. Respuesta real de una inductancia en alta frecuencia.
2
1
L
R Lp
Z
LCp RCp
+
=
+ +
Ec.1


Fig. 2. Curva respuesta real de una inductancia con la frecuencia.



Fig. 3. Respuesta real de un condensador en alta frecuencia.
2
1
C
RLCp Lp R
Z
RCp
+ +
=
+
Ec.2

Fig. 4. Curva respuesta real de un condensador con la frecuencia.
Visto esto, se entiende mejor la imposibilidad de
utilizarlos como base de los filtros de microondas, puesto que
la imprecisin puede llegar a ser muy grande y esto es algo
que no se puede permitir en algo tan fundamental como los
filtros.
II. DESARROLLO BSICO
Hasta ahora, hemos entendido el principal problema del
diseo: tendremos unas necesidades para cierto circuito, para
el cual disearemos una plantilla de especificaciones que
debe cumplir el filtro a fabricar.


Fig. 5. Respuesta en frecuencia real de un Filtro Paso Bajo.

2
Segn el caso, nos interesar uno u otro tipo de
aproximacin a esta respuesta en frecuencia ideal. Para esto,
normalmente no es necesario llevar a cabo los clculos, sino
que se suelen usar unas tablas en las que se encuentran todos
los parmetros de diseo tabulados.



Fig.6. Tabla parmetros para filtro paso bajo normalizado
Chebychev de orden N


Estos parmetros se corresponden con un diseo
tpicamente discreto (por ejemplo, bobinas y condensadores
en escalera), pero como bien hemos dicho en la introduccin,
nos interesar cambiarlos por elementos que tengan un
comportamiento mucho ms fiable en microondas.


Fig. 7. Diseo de filtro Paso Bajo discreto.

II.1 Transformaciones de Richards


Las transformaciones de Richards establecen la
equivalencia funcional entre condensadores y bobinas y
stubs:

( ) ( )
p
d
tg d tg
v

= =
Ec. 3

Bsicamente, esta ecuacin establece la correspondencia
entre la frecuencia real y la frecuencia transformada para la
que estudiamos las lneas de transmisin.


Fig. 8. Transformacin de Richards para bobina.

Fig. 9. Transformacin de Richards para condensador.

Adems, para que ambos circuitos sean equivalentes,
debe cumplirse que:
C
C
Z L
Y C
=
=
Ec.4

II.2 Equivalencias de Kuroda


Las equivalencias de Kuroda sirven para separar
fsicamente stubs con lneas de transmisin, para transformar
stubs serie en paralelo o paralelo en serie y adems, permiten
construir fsicamente los diseos realizados con stubs
aplicando las transformaciones de Richards. Gracias a estas
relaciones podemos fabricar con cualquier sustrato los filtros,
por ejemplo, en el caso de lneas microstrip, slo con las
transformaciones de Richards no podemos hacer los filtros
porque habr impedancias caractersticas para las que no sea
posible disearlos.
Por ejemplo, si nuestro circuito tiene una impedancia
caracterstica de 5 , colocaremos gracias a las equivalencias
de Kuroda, tres circuitos de impedancia 15 en paralelo, y
de esta forma aumentaramos la impedancia caracterstica
para el diseo en lneas microstrip..
Las equivalencias de Kuroda:




Fig. 10. Equivalencias de Kuroda.




3
Adems, es condicin de diseo:
2 2
1
1
Z
n
Z
= + Ec.5

II.3 Demostracin de ecuaciones

Para llevar a cabo la demostracin de las anteriores
equivalencias de Kuroda, basta con sustituir la bobina por su
equivalente stub en cortocircuito y el condensador por el stub
en paralelo, manteniendo su posicin relativa en el circuito
(paralelo o serie).

De esta forma, a travs de los parmetros S del
cuadripolo formado por los stubs procedentes de los
elementos discretos, tan slo desplazndolos por la lnea
lambda/8 en un sentido u otro, podemos llegar a verificar la
igualdad que nos propone Kuroda.


III. DESARROLLO PRCTICO
En este apartado, vamos a simular un filtro paso bajo con
stubs.
Queremos realizar un filtro paso bajo con microstrip de
sustrato FR4, aproximacin de Chebychev, orden 3,
frecuencia de corte 2 Ghz y rizado en la banda de paso de 0.5
dB. Para ello, nos vamos a la tabla tabulada con estas
caractersticas y obtenemos los valores de los tres elementos
que compondrn nuestro filtro discreto (g1, g2, g3).
Tras esto, debemos elegir la disposicin que pretendemos
que tenga nuestro filtro; vamos a elegir comenzando con una
bobina (T-> L-C-L).


Fig.11. Filtro paso bajo discreto a disear.
Ahora, aplicando las relaciones de Richards buscamos la
disposicin que ms nos convenga, recordemos que en lneas
microstrip slo podemos poner elementos en paralelo, luego
nos interesarn stubs paralelos (efecto capacitivo).


Fig.12. Filtro con transformaciones de Richards.
Al final, aplicando las relaciones de Richards y las
equivalencias de Kuroda tengo un circuito de microondas tal
que:

Fig.13. Filtro tras equivalencias de Kuroda.

Finalmente, este circuito est preparado para disearse en
lnea microstrip, as atendiendo a las impedancias
caractersticas y a la longitud de las lneas quedar una placa
parecida a esta:


Fig.14. Filtro fabricado en microstrip.

Fig.15. Respuesta del filtro tanto discreta como con stubs reales (en rojo)
optimizada.
Se observa que la respuesta con stubs es ms restrictiva
que la de con elementos discretos, esto no es problema,
puesto que siempre que nuestro diseo sea ms estricto que
la propia plantilla de diseo del filtro, nuestro circuito
funcionar bien. Esto no puede darse a la inversa.

IV. CONCLUSIONES
Tras el trabajo concluimos que:
Los elementos discretos que conocemos van
introduciendo efectos parsitos al aumentar la
frecuencia de trabajo, y que, a frecuencias de
microondas, stos no son despreciables.
Debemos usar las transformaciones de Richards
para obtener lneas de transmisin equivalentes a
inductores o capacitores.

4
Podemos utilizar las equivalencias de Kuroda para
cambiar las impedancias caractersticas en el diseo
o bien colocar elementos en serie o paralelo, segn
nos convenga para su fabricacin.
Obtendremos una respuesta ms estrecha en
frecuencia, y por tanto ms restrictiva usando lneas
de transmisin que elementos discretos.



V. REFERENCIAS
[1] Herbert C. Krauss. Charles W. Bostian. Frederick H. Raab, Estado
Slido en Ingeniera de Radiocomunicacin, Ed. Linusa, pp. 209-242,
1984.
[2] Pablo Luis Lpez Esp, Microondas, transparencias tema 5
[3] Joaqun Garn Ciriza, Anlisis y Sntesis de Redes, transparencias
tema 1
[4] R.Snchez Montero, P.L.Lpez Esp, M.P.Jarabo Amores, J.Alpuente
Hermosilla, Teora de Circuitos de Microondas.Parmetros S, UAH,
2004
[5] R.Snchez Montero, P.L.Lpez Esp, J.Alpuente Hermosilla,
Microondas Prcticas, UAH, 2004
[6] Jia-Shen G.Hong, M.J.Lancaster Microstrip Filtres for RF/Microwave
Applications, KAI CHANG, 2001
[7] Lee Young Microwave Filters-1965 IEEE Transactions on
microwave theory and techniques, Septiembre 1965
[8] Ralph Levy, Seymour B.Cohn A History of microwave filter research,
design and development IEEE Transactions on microwave theory and
techniques, Septiembre 1984

1
FILTROS PASO BANDA Y BANDA
ELIMINADA CON LNEAS
ACOPLADAS
Alfonso Lpez Campos
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :fonsi_troya@hotmail.com

Resumen- Este documento, trata pues, de un estudio
sobre el diseo de filtros paso banda y banda eliminada
por medio de lneas acopladas. Se pretende conseguir el
circuito equivalente de un par de lneas acopladas,
posteriormente analizaremos cada uno de los filtros con
inversores de impedancia (K) y finalmente obtendremos
las ecuaciones de diseo de ambos filtros.
I. INTRODUCCIN
El diseo de filtros paso banda y banda eliminada con
alta selectividad en frecuencia y bajas prdidas de insercin
se ha incrementado con la aparicin de modernos sistemas
de comunicaciones de microondas, especialmente mviles y
por satlite. Es por esto motivo que han tomado fuerza este
tipo de filtros formados por resonadores acoplados capaces
de satisfacer dichos requerimientos[1].
Hasta el momento este tipo de filtros han sido muy
estudiados y desarrollados en tecnologa de gua, incluyendo
en algunos casos resonadores dielctricos. En la actualidad
se estn llegando a obtener respuestas similares con
resonadores acoplados en tecnologa microtira. Esta
tecnologa tiene la ventaja de conseguir diseos con un
menor coste, tamao y peso, aunque tiene prdidas mayores.
A pesar de ello, es una buena eleccin para la construccin
de filtros y a la posibilidad de usar esta tecnologa en bandas
de frecuencia de microondas relativamente bajas o cuando
las especificaciones de prdidas de insercin no sean
excesivamente estrictas [2].

II. FILTRO PASO BANDA CON LNEAS ACOPLADAS
El filtro paso banda se caracteriza por la existencia de dos
frecuencias de corte, una inferior y otra superior. Este filtro slo
atena grandemente las seales cuya frecuencia sea menor que la
frecuencia de corte inferior aquellas de frecuencia superior a la
frecuencia de corte superior, por tanto, slo permiten el paso de un
rango banda de frecuencias sin atenuar.
II.1 Circuito equivalente de un par de lneas acopladas
El par de lneas acopladas tendr el siguiente aspecto
visual:

Fig. 1. Lneas microstrip acopladas.
Dichas lneas acopladas se comportan como un inversor
de impedancias a la frecuencia para la cual su longitud fsica
es igual a /2. Esta frecuencia debe coincidir con la
frecuencia central de la banda de paso. Un par de lneas
acopladas tiene el siguiente circuito equivalente [3]:


Fig. 2. Circuito equivalente de un par de lneas acopladas.
Al unir sucesivos pares de lneas acopladas, quedan entre
los inversores de impedancia (K) tramos de lnea de
transmisin de longitud (resonadores) cuyo circuito
equivalente es:



Fig. 3. Circuito equivalente de una lnea de longitud .

II.2 Anlisis con inversores de impedancia.

El circuito equivalente de un filtro paso banda realizado
con lneas acopladas que se comportan como inversores de
impedancia es el siguiente:


Fig. 4. Filtro realizado con inversores de impedancia, K.
II.3 Ecuaciones de diseo.

Las ecuaciones de diseo (derivan de la obtencin de los
parmetros del filtro prototipo paso bajo) de los inversores son:

Ec. 1

Ec. 2

Ec. 3

2

Donde w
0
/
c
es el ancho de banda relativo del filtro y g
i

son los elementos del filtro prototipo paso bajo. Para obtener
la separacin entre los pares de lneas acopladas (S) se
calculan las impedancias par e impar mediante las siguientes
expresiones:

Ec. 4

Ec. 5

La separacin es funcin del acoplamiento, el cual se
calcula con la siguiente expresin:

C = Z
0e
Z
0o
/ Z
0e
+ Z
0o
Ec. 6

III. FILTRO BANDA ELIMINADA CON LNEAS
ACOPLADAS
El filtro banda eliminada atenuada se caracteriza porque
elimina en su salida todas las seales que tengan una frecuencia
comprendida entre una frecuencia de corte inferior y otra de corte
superior. Por tanto, estos filtros eliminan una banda completa de
frecuencias de las introducidas en su entrada.

III.1 Circuito equivalente de un par de lneas acopladas
El par de lneas acopladas (lnea de transmisin acoplada
elctricamente a los resonadores de cuarto de longitud de
onda) tendr el siguiente aspecto visual:

Fig. 5. Lneas microstrip acopladas.
Dichas lneas acopladas se comportan como un inversor
de impedancias a la frecuencia para la cual su longitud fsica
es igual a /4. La separacin entre los stubs y la lnea de
transmisin sern las capacidades (acoplamiento de las
lneas). Un par de lneas acopladas tiene el siguiente circuito
equivalente:


Fig. 6. Circuito equivalente de un par de lneas acopladas.

Al unir sucesivos pares de lneas acopladas, quedan entre
los inversores de impedancia (K) tramos de lnea de
transmisin de longitud /2 (resonadores) cuyo circuito
equivalente es:

Fig. 7. Circuito equivalente de una lnea de longitud /2.


III.2 Anlisis con inversores de impedancia.

El circuito equivalente de un filtro banda eliminada
atenuada realizado con lneas acopladas que se comportan
como inversores de impedancia es el siguiente:


Fig. 8. Filtro realizado con inversores de impedancia, K.
III.3 Ecuaciones de diseo.

Las ecuaciones de diseo de los inversores son [4]:

(Z
U
/ Z
0
)
2
= 1 / g
0
g
n+1
Ec. 7

x
i
=w
0
L
i
=1/w
0
C
i
=Z
0
(Z
U
/ Z
0
)
2
g
0
/g
i

c


para i=1 hasta n Ec. 8

donde Z
0
es la impedancia de referencia, Z
U
es la impedancia
caracterstica de los inversores de impedancia, g
i
son los
elementos del filtro prototipo paso bajo y x
i
son las
reactancias de los circuitos resonantes serie colocados en
paralelo.

Si consideramos una red de dos puertas con una nica
rama paralelo de Z = jwL + 1 / (jwC), como las de la figura
8. La rama paralelo resuena a w
0
= 1 / LC y tiene un valor
de reactancia x = w
0
L. El parmetro de transmisin de esta
red terminada por Z
0
viene dado por:

S
21
= 1 / 1 + (Z
0
/ 2Z) Ec. 9

Fijamos w = w
0
+ w. En banda estrecha, w << w
0
y
entonces la impedancia paralelo puede ser aproximada por:

Z jwL (2 w / w
0
) Ec. 10

en la cual se realizada la aproximacin (w/w
0
w
0
/w)
2w/w
0
. Sustituyendo en Ec. 9 podemos obtener:

Ec. 11

Estar en resonancia cuando w=w
0
o w=0, = 0
porque la rama resonante paralelo corta la transmisin y
causa un polo de atenuacin. Cuando hay un desplazamiento
en frecuencia de tal manera que se cumple:

[1 / 4(x/Z
0
)].[w
0
/ w

] = 1 Ec. 12

Entonces el valor de ha alcanzado el valor 0.707 o
lo que es lo mismo -3 dB. De Ecu. 12, el ancho de banda a 3
dB puede ser entonces definido como:

w
3dB
= w
+
- w
-
= w
0
/ 2(x/Z
0
) Ec. 13

y as:

(x/Z
0
) = w
0
/2 w
3dB
= f
0
/2 f
3dB
Ec. 14

3

Esta ecuacin es muy til puesto que relaciona el
parmetro de reactancia normalizada con la respuesta en
frecuencia del resonador banda eliminada microstrip.

Como conclusin podemos decir que cuando diseamos
filtros en banda eliminada de banda estrecha basados en sus
parmetros normalizados, la pareja de ecuaciones Ec.7-Ec.14
pueden ser utilizadas sin tener en cuenta la estructura de los
resonadores en banda eliminada de microondas, y sin tener
en cuenta si el acoplamiento es elctrico, magntico o mixto.
IV. CONCLUSIONES
Los resultados de este trabajo pretenden reflejar como se
puede construir a travs de lneas acopladas filtros paso
banda y de rechazo de banda que tendrn un rendimiento
bastante bueno. El desarrollo con este tipo de diseo con
lneas acopladas ofrece un gran abanico de posibilidades, ya
que los inversores, una de sus caractersticas es que permiten
cambiar de circuitos resonante paralelo a circuitos resonante
serie y viceversa.
V. REFERENCIAS
[1] G. L. Matthaei, L.Young, and E. M. T. Jones, Microwave Filters,
Impedance-Matching Networks, and Coupling Structures, Artech
House, Dedham, Mass., 1980.
[2] S. B. Cohn, Parallel-Coupled Transmission-Line-Resonator Filters,
IRE Trans. Microwave Theory and Techniques, vol. MTT-6, pp. 223-
231, April 1958..
[3] R. Snchez Montero, P. L. Lpez Esp y J. Alpuente Hermosilla
Microondas Prcticas, Universidad de lcala, 2004.
[4] Miriam Gnzalez Dez, Diseo e Implementacin de Filtros de
Microondas, Biblioteca Universidad de lcala, 2002.


1
FILTROS PASO BANDA Y BANDA
ELIMINADA CON LINEAS
ACOPLADAS
Francisco Jos Bazn Bautista
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :frank_coslada@hotmail.com

Resumen- En este documento se hace un estudio de los
filtros paso banda y banda eliminada confeccionados con
lneas acopladas para alta frecuencia o frecuencia de
Microondas. El documento, en un primer momento hace
una breve introduccin acerca de los filtros, as como la
necesidad de los filtros Paso Banda y banda eliminada en
los circuitos de Microondas. Posteriormente hace un
anlisis terico de los filtros paso banda y banda
eliminada confeccionados con lneas acopladas,
reflejando las funciones de transferencia de dichos
filtros. Finalmente, el documento nos muestra un ejemplo
prctico de dichos filtros para conocer ms a fondo la
funcin de dichos filtros.
I. INTRODUCCIN
Los filtros forman parte integral de cualquier sistema de
comunicacin y pueden adaptarse a las diferentes topologas
en funcin de los requisitos del circuito en concreto. Los
filtros se clasifican principalmente en funcin de sus
caractersticas de transmisin: filtro paso bajo, filtro paso
alto, filtro paso banda, filtro banda eliminada y filtro paso
todo. Sin embargo, por sus caractersticas los filtros paso
banda y banda eliminada, a veces son los ms necesarios,
puesto que los primeros nos permiten seleccionar la
informacin que necesitamos, mientras que los segundos nos
permiten eliminar la informacin que no necesitamos.
Los filtros habitualmente estn construidos mediante
circuitos LC para bajas frecuencias, pero en el caso de las
microondas no podemos disear estos filtros con circuitos
LC convencionales (como posteriormente veremos en
teora), puesto que las bobinas y los condensadores
convencionales trabajan perfectamente a bajas frecuencias,
pero a las frecuencias de las microondas poseen
caractersticas parsitas que impiden su buen funcionamiento
en alta frecuencia. Por tanto, lo que hacemos para alta
frecuencia o frecuencia de las microondas, es sustituir cada
circuito LC correspondiente al diseo del filtro por unos
tramos de lneas de transmisin acopladas, cuyo
funcionamiento sea el mismo para alta frecuencia. Adems
lo ms habitual es implementar estos tramos de lnea que
forman el filtro en tecnologa microstrip, consiguiendo
nuestro filtro de alta frecuencia.
Este documento describe la teora y el diseo de los
filtros de banda paso banda y banda eliminada
confeccionados con lneas acopladas. Los filtros paso banda
y banda eliminada confeccionados con lneas acopladas
pueden utilizarse para optimizar los sistemas de
comunicacin de alta frecuencia. Ofrecen un tamao
bastante compacto y unas prdidas de insercin razonables,
lo cual puede representar un problema en los sistemas de alta
frecuencia.
II. Filtros con lneas acopladas
Los filtros Paso Banda y Banda eliminada con lneas
acopladas, tal y como hemos expuesto anteriormente, poseen
una gran importancia en las microondas, puesto que nos
permiten seleccionar la informacin que necesitamos y
atenuar la informacin que no nos interesa o en el dominio
de la frecuencia, evitando ruidos y distorsiones. La forma
ms habitual de construir o disear un filtro paso banda es
mediante la tecnologa microstrip, empleando una par de
lneas de transmisin de longitud /4 acopladas.
II.1 Introduccin terica
El diseo de este tipo de filtros se basa en el concepto de
inversor de admitancia. Un par de lneas de transmisin
microstrip poseen el siguiente aspecto:

Fig. 1. Lneas microstrip acopladas
Estas lneas se comportan como inversores de
admitancia a la frecuencia para la cual su longitud fsica
es igual a /4. Esta frecuencia debe coincidir con la
frecuencia central de la banda de paso.
II.2 Teora de lneas acopladas
Un par de lneas microstrip acopladas, poseen el
siguiente circuito equivalente:

Fig. 2. Circuito equivalente de un par de lneas acopladas

2
Encadenamos sucesivos pares de lneas acopladas
para disear nuestro filtro, quedndose entre los
inversores de admitancia (J) tramos de lnea de
transmisin de longitud /2 (resonadores).
El circuito equivalente de un resonador microstrip en
/2 es el siguiente:

Fig. 3. Circuito equivalente de una lnea /2
Cuyos valores Lo y Co son:
o
o
o
o
o
o
Y
C
Z
L

2
2
=
=

Ec.1
Por tanto, el circuito equivalente de un filtro realizado
con lneas acopladas es el siguiente:
Fig. 4. Filtro realizado con inversores de admitancia, J.
Las ecuaciones de diseo de los inversores son las siguientes:

=
=

=
+
+
+
0
1 2
2 1
1
01
1 1
1 ,
1 0
01
2
2
2

o
N N
i
i i
g g
J
g g
J
g g
J
Ec.2
Donde es el ancho de banda relativo del filtro, o es la
pulsacin central del filtro y gi son los valores de los
elementos discretos correspondientes al diseo del filtro
Paso bajo prototipo.
Antes de seguir explicando la confeccin de los filtros
debemos de hacer hincapi en la obtencin del filtro
prototipo, puesto que a partir de ste, aplicando
transformaciones obtenemos nuestro filtro deseado.
En primer lugar, obtenemos el valor de los elementos
discretos que forman el filtro paso bajo prototipo se
mediante de tablas o graficas tabuladas para un orden N,
una frecuencia de corte y un rizado en banda de paso
especificado para el diseo. Veamos un ejemplo:
N g1 g2 g3 g4 g5
1 0.6986 1.0000
2 1.4029 0.7071 1.9841
3 1.5963 1.0967 1.5963 1.000
4 1.6703 1.1926 2.3661 0.8419 1.9841

Fig. 5. Elementos del filtro prototipo Chebychev para 0.5dB de rizado
Seguidamente, a partir de los g del filtro prototipo
calculamos el valor de los inversores, y a partir de stos,
obtenemos la separacin entre los pares de lneas
acopladas (S), las cuales se calculan mediante las
impedancias par e impar de la siguiente manera:
J J
Z
Z
J J
Z
Z
o
oo
o
oe
+ =
+ + =
2
2
1
1
Ec.3
De tal forma que la separacin es funcin del
acoplamiento, la cual se calcula con la siguiente ecuacin:
oo oe
oo oe
Z Z
Z Z
C
+

= Ec.4
En la siguiente grfica podemos ver la relacin entre el
acoplamiento y la separacin entre tiras para hacernos una
idea de lo expresado anteriormente:

Fig. 6. Variacin del acoplamiento C, en funcin, de la separacin
entre tiras. Ref:
http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/apuntes/filtros05_0
6.pdf
Por tanto, para un diseo especificado los pasos a
seguir seran en primer lugar, obtener el filtro paso bajo
prototipo para las especificaciones deseadas.
Posteriormente, calculamos los inversores, as como las
impedancias par e impar para hallar el acoplamiento que
necesitamos en cada caso. Finalmente con esos valores de
acoplamiento obtenemos mediante la grfica el valor de la
separacin entre nuestras tiras.
Veamos un dibujo de un filtro Paso Banda y un Banda
Eliminada para ver un ejemplo de ambos construidos
mediante lneas acopladas:


3


Fig. 7. Filtro Paso Banda

Fig. 8. Filtro Banda Eliminada


Podemos observar las diferencias entre un tipo de
acoplamiento y otro en los dibujos anteriores.
III. Diseo de Filtros
Una vez realizado el estudio terico del diseo de este
tipo de filtros, as como la teora de las lneas acopladas en el
cul se basa este diseo. Ahora vamos a realizar dos
ejemplos prcticos sobre un programa de simulacin para
obtener la respuesta que tendran nuestros filtros con lneas
acopladas en tecnologa microstrip.
III.1 Filtro Paso Banda
Diseemos un filtro Paso Banda con lneas acopladas en
tecnologa microstrip con unas especificaciones
determinadas:
Supongamos que se nos pide disear un filtro Paso
Banda con caracterstica de Chebychev de orden 5, rizado de
0,5dB, centrado en la banda de 1.5Ghz a 3Ghz y con un
ancho de banda relativo del 5%. Las impedancias de los
accesos deben de ser de 50. Adems el filtro ser
implementado mediante tecnologa microstrip con lneas
acopladas y el sustrato utilizado es el FR4.
En primer lugar, con las condiciones de filtro
especificadas obtenemos mediante una tabla como la vista
anteriormente los elementos gi del filtro paso bajo prototipo.
A partir de estos obtenemos los valores de nuestras
impedancias par e impar, y a partir de stas el acoplamiento
C existente para las condiciones especificadas. Finalmente
para dicho acoplamiento obtenemos mediante grfica la
separacin S entre tiras microstrip para la configuracin
especificada.
Una vez obtenido el filtro con lneas acopladas con lneas
acopladas en tecnologa microstrip, partiendo del diseo de
un filtro paso banda ideal con elementos discretos para la
misma configuracin, optimizaremos las caractersticas de
las lneas microstrip para conseguir que nuestro filtro sea lo
mejor posible (optimizamos la separacin entre tiras hasta un
10% partiendo del valor terico calculado, para conseguir
que nuestro diseo sea realizable y lo mejor posible).
Observemos la respuesta de nuestro diseo una vez
optimizado en un simulador de circuitos de microondas
denominado MIMICAD:

Fig. 9. Representacin del parmetro S21 en dB del Filtro Paso Banda
Simulado.

III.2 Filtro Banda Eliminada
Diseemos un filtro Banda Eliminada con lneas
acopladas en tecnologa microstrip con unas especificaciones
determinadas:
Supongamos que se nos pide disear un filtro Banda
Eliminada con caracterstica de Chebychev de orden 5,
rizado de 0,5dB, centrado en la banda de 1.5Ghz a 3Ghz y
con un ancho de banda relativo del 5%. Las impedancias de
los accesos deben de ser de 50. Adems el filtro ser
implementado mediante tecnologa microstrip con lneas
acopladas y el sustrato utilizado es el FR4.
En primer lugar, con las condiciones de filtro
especificadas obtenemos mediante una tabla como la vista
anteriormente los elementos gi del filtro paso bajo prototipo.
A partir de estos obtenemos los valores de nuestras
impedancias par e impar, y a partir de stas el acoplamiento
C existente para las condiciones especificadas. Finalmente
para dicho acoplamiento obtenemos mediante grfica la
separacin S entre tiras microstrip para la configuracin
especificada.
Una vez obtenido el filtro con lneas acopladas con lneas
acopladas en tecnologa microstrip, partiendo del diseo de
un filtro Banda Eliminada ideal con elementos discretos para
la misma configuracin, optimizaremos las caractersticas de
las lneas microstrip, para conseguir que nuestro filtro sea lo
mejor posible (optimizamos la separacin entre tiras hasta un
10% partiendo del valor terico calculado, para conseguir
que nuestro diseo sea realizable y lo mejor posible).
Observemos la respuesta de nuestro diseo una vez
optimizado, pero esta vez representamos la funcin de
transferencia del filtro en funcin de la atenuacin:

Fig. 9. Representacin de la atenuacin en dB del Filtro Banda Eliminada.
Ref: http://www.rock.com.ar/especiales/sonido/img/10-04c.gif

4
II. CONCLUSIONES
Los filtros Paso Banda y Banda eliminada son muy
habituales en los sistemas de microondas, as como en
radiocomunicacin, puesto que nos permiten seleccionar la
informacin que necesitamos con una calidad aceptable. Por
tanto, el diseo de filtros Paso Banda y Banda eliminada
tambin lo es.
El diseo de filtros con lneas acopladas es uno de los
ms utilizados o el ms utilizado a la hora de realizar filtro
paso Banda o Banda eliminada, puesto que es el mtodo ms
sencillo para la realizacin de este tipo de filtros para altas
frecuencias o microondas en tecnologa microstrip.
Del estudio realizado, podemos conocer como se
construye un filtro Paso Banda o Banda eliminada en
tecnologa microstrip, partiendo siempre de un filtro
prototipo y optimizndolo para conseguir la mayor calidad
posible en nuestro filtro.
Por otro lado, no hemos mencionado la caracterstica de
usar un tipo de sustrato u otro a la hora de realizar un filtro,
lo cual es de gran importancia. Por tanto, debemos recalcar
que la respuesta del filtro, se paso banda o banda eliminada,
depende en gran parte de las caractersticas del sustrato
utilizado. Puesto que cada sustrato posee una r y una
tangente de prdidas determinadas que nos permiten obtener
una mejor o peor respuesta de nuestro filtro diseado, por
tanto una mayor o peor calidad.
Por tanto, debemos de deducir que la respuesta de un
sustrato de mayor calidad cumplir con mayor calidad las
especificaciones del filtro indicado pero con mayor coste.
Podemos concluir, que en primer lugar siempre
elegiremos el sustrato a utilizar en funcin de la aplicacin y
los recursos que dispongamos. Posteriormente aplicaremos
la teora de lneas acopladas y optimizaremos nuestro filtro
terico mediante un simulador. Hasta que finalmente
realizamos el diseo propiamente dicho.

IV. REFERENCIAS
[1] A.Bhargava, K. Singh y Dr. S. Pal, Filtros de banda eliminada para
lineas acopladas simtricas y asimtricas en las bandas Ku/Ka,
http://www.redeweb.com/_txt/626/46.pdf
[2] Leo Young,Microwave Filters, IEE Transactions on microwave
theory and techniques, Vol. MTT-13, No. 5.September 1965.
[3] R. Snchez Montero, P.L. Lpez Esp,J.Alpuente Hermosilla,
Microondas prcticas,Servicio de publicaciones de la universidad de
Alcal de Henares.
[4] P.L. Lpez Esp, Tema 5: Diseo de filtros de Microondas,
http://agamenon.tsc.uah.es/Asignaturas/ittst/mic/apuntes/filtros05_06.p
df
[5] Microwave Engineering. D. Pozar. Artech House
[6] Representacin de la atenuacin en dB del Filtro Banda Eliminada.
Ref: http://www.rock.com.ar/especiales/sonido/img/10-04c.gif

1
FILTROS PASO BAJO Y PASO ALTO
Cristina Martn Prez
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail :cristina_martin_perez@hotmail.com

Resumen- Este documento es una introduccin al diseo
en tecnologa microstrip de filtros paso bajo con secciones
cortas de lneas de transmisin y filtros paso alto con
stubs. Se comenzar con una breve introduccin a todos
los filtros de microondas y con el estudio de la tecnologa
microstrip en la que se van a implementar los filtros que
dan nombre al documento. Posteriormente se describirn
los principales pasos a seguir en el diseo de los filtros
paso bajo realizados mediante secciones cortas de lneas
de transmisin y de los filtros paso alto realizados con
stubs .
I. INTRODUCCION
Un filtro es una red de dos puertas empleada para
controlar la respuesta en frecuencia en un determinado punto
de un sistema, propiciando la transmisin en las frecuencias
de la banda (o bandas) de paso del filtro y la atenuacin en la
banda (o bandas) eliminada de este. Las respuestas tpicas
son paso bajo, paso banda, paso alto y banda eliminada.

Los filtros tienen un importante papel en muchas
aplicaciones de microondas. Las nuevas aplicaciones en el
campo de las telecomunicaciones continuamente desafan al
diseo de estos filtros con requerimientos ms rigurosos cada
vez, como son mayores rendimientos, tamaos menores,
menores pesos y por supuesto menor coste. Los recientes
avances en nuevos materiales y tecnologas de fabricacin
han estimulado el rpido desarrollo de nuevos filtros de
microondas con lneas de transmisin. Al mismo tiempo, los
avances en las herramientas de software de diseo tales como
los simuladores electromagnticos han revolucionado el
diseo de este tipo de filtros.

Dependiendo de las especificaciones, los filtros pueden
disearse con elementos concentrados o distribuidos, que a
su vez se pueden realizar en diferentes estructuras como
guas de ondas, cable coaxial lneas microstrip [1].
.
II. LINEAS MICROSTRIP
Los filtros que se van a disear a continuacin se van a
implementar bajo tecnologa microstrip.
II.1 Estructura microstrip
La estructura de una lnea microstrip es la mostrada en la
siguiente figura:

Fig. 1. Estructura microstrip

Se observa que la estructura est formada por una tira
conductora (lnea microstrip) con una anchura W y un grosor
t. Dicha tira est colocada sobre un sustrato dielctrico con
constante dielctrica
r
y grosor h. Por ltimo, debajo del
sustrato se encuentra el plano de masa [2].

II.2 Constante dielctrica efectiva e impedancia
caracterstica

Las caractersticas de transmisin en lneas microstrip estn
descritas por dos parmetros, la constante dielctrica efectiva
re
y
la impedancia caracterstica Z
c
.
Para la obtencin de dichos parmetros se pueden utilizar
varios mtodos en funcin de las caractersticas del sustrato
microstrip. En el presente trabajo se ha utilizado el programa
de simulacin PCAAD debido a su fcil manejo y la rpida
obtencin de los parmetros.



Fig. 2. Ventana de PCAAD que permite el clculo de estos
parmetros para un sustrato FR4





2
II.3 Longitud de onda, constante de propagacin, velocidad
de fase y longitud elctrica

Una vez determinada la constante dielctrica efectiva, la
longitud de la onda guiada para el modo cuasi-TEM del
sustrato microstrip viene dada por

0
=
g

re
Ec. 1

donde
0
es la longitud de onda en el espacio libre a la
frecuencia de trabajo f. En unidades prcticas tendremos

( ) mm
300
=
g
f(Ghz)
re
Ec. 2
La constante de propagacin y la velocidad de fase v
p
pueden determinarse de la siguiente manera


2
=

g
Ec. 3

2f c
v = = =
p

re
Ec. 4

donde c es la velocidad de la luz en el espacio libre
(c=3*10
8
).

La longitud elctrica para una longitud fsica l dada de
la lnea microstrip est definida

= l
Ec. 5
[2]

II.4 Sustrato FR4

Para realizar el diseo de los filtros utilizaremos el sustrato
microstrip FR4 cuyas caractersticas son las que se presentan a
continuacin:

Caracterstica
r
T H tan
Valor 4,5 0,035 1,6 0,03 0,712


Tabla 1. Caractersticas del sustrato FR4

[3]

III. FILTROS PASO BAJO CON SECCIONES CORTAS
DE LINEAS DE TRANSMISION
III.1 Introduccin

Los filtros paso bajo en tecnologa microstrip pueden
realizarse mediante stubs empleando la transformacin de
Richards y las equivalencias de Kuroda, pero en algunas
ocasiones, la aplicacin de las equivalencias de Kuroda da
lugar a tramos de lnea de impedancia caracterstica de difcil
construccin. Otra tcnica que permite la construccin de
filtros con respuesta paso bajo consiste en el empleo de
secciones de lnea de transmisin de impedancia fija y
longitud a determinar. Este ltimo mtodo es el que se
utilizar en este documento.
Una seccin de lnea de transmisin de longitud elctrica
inferior a /2 admite un circuito equivalente como el
mostrado en la figura 3.


Fig. 3. Circuito equivalente de una seccin de lnea

Si la lnea tiene longitud menor que /4 y la impedancia
caracterstica es elevada (Z
C
= Z
HG
):

X
L
= Z
HG
d Ec.6
B
C
= 0

Por tanto, una lnea con longitud elctrica corta y alta
impedancia caracterstica tiene un circuito equivalente
aproximadamente igual a una inductancia serie.

Si la lnea tiene longitud menor que /4 y la impedancia
caracterstica es pequea (Z
C
= Z
LW
):
X
L
= 0 Ec.7
B
C
= Y
LW
d

Por tanto, una lnea con longitud elctrica corta y baja
impedancia caracterstica tiene un circuito equivalente
aproximadamente igual a una capacidad paralelo.

Los valores de impedancia alta y baja (Z
HG
y Z
LW
) se
fijan a los valores ms extremos prcticamente realizables.
La solucin buscada son las longitudes de los diferentes
tramos de lnea.
Introduciendo los valores de diseo y la desnormalizacin
en impedancia se obtienen las ecuaciones de diseo de este
tipo de filtros:
0
HG HG
HG
LZ
d
Z
=
Ec.8

0
LW
LW LW
Z C
d
Z
=
Ec.9

[3]
III.2 Ejemplo de diseo

Supongamos que queremos disear un filtro Chebychev
de orden 5, rizado en la banda de paso de 0.5 dB y
frecuencia de corte de 2 GHz. Los valores mximo y mnimo
realizables corresponden a anchuras de 0.2mm para las lneas
de alta impedancia y de 18 mm para las lneas de baja
impedancia. Consideraremos que el primer elemento del
prototipo tiene carcter capacitivo. El filtro se implementar
con tecnologa microstrip y el sustrato utilizado ser el FR4.


3
Para disear este tipo de filtros, lo primero que se debe
hacer es disear el filtro paso bajo que se nos pide con
elementos discretos tal y como se muestra en la siguiente
figura.


Fig. 4. Diseo del filtro con elementos discretos
Para obtener los valores de los elementos del circuito
anterior se utiliza la siguiente tabla:

N g
1
g
2
g
3
g
4
g
5
g
6
g
7
g
8
g
9
g
10
1 0,6986 1,0000
2 1,4029 0,7071 1,9841
3 1,5963 1,0967 1,5963 1,0000
4 1,6703 1,1926 2,3661 0,8419 1,9841
5 1,7058 1,2296 2,5408 1,2296 1,7058 1,0000
6 1,7254 1,2479 2,6064 1,3137 2,4758 0,8696 1,9841
7 1,7372 1,2583 2,6381 1,3444 2,6381 1,2583 1,7372 1,0000
8 1,7451 1,2647 2,6564 1,3590 2,6964 1,3389 2,5093 0,8796 1,9841
9 1,7504 1,2690 2,6678 1,3673 2,7239 1,3673 2,6678 1,2690 1,7504 1,0000


Tabla 2. Elementos del filtro prototipo Chebychev para 0.5 dB de
rizado
Como el filtro es de orden 5, los valores de los elementos
del filtro a disear son los siguientes:

g
1
= g
5
= 1.7058
g
2
= g
4
= 1.2296
g
3
= 2.5408
g
6
= 1.0000

El siguiente paso para la construccin del filtro es el de
calcular a travs de la herramienta PCAAD las impedancias
caractersticas y las constantes dielctricas efectivas
correspondientes a las anchuras de las lneas de alta y baja
impedancia. Una vez realizado esto, se obtienen los siguientes
resultados:

Lneas de alta impedancia
re
= 2.98 Z
HG
= 144.5
Lneas de baja impedancia
re
= 11.32 Z
HG
= 7.8

Por ltimo obtendremos de las ecuaciones 8 y 9 los
valores de las longitudes de las lneas que componen el filtro
sin ms que sustituir en las mismas los valores de los
elementos del filtro discreto, los valores de las impedancias y
las constantes dielctricas obtenidas anteriormente para cada
una de las lneas. Haciendo todo esto se obtienen los
siguientes resultados:

d
0
= 20.21 mm (Accesos: /4, Z
0
= 50 )
d
1
= d
5
= 5.32 mm
d
2
= d
4
= 5.88 mm
d
3
= 7.92 mm

Con los resultados obtenidos, el diseo en tecnologa
microstrip con sustrato FR4 es el siguiente:




Fig. 5. Diseo del filtro en tecnologa microstrip
III. 3 Simulacin del ejemplo
Una vez obtenido el diseo del filtro se puede pasar a
realizar su simulacin con la herramienta de software
MMICAD para obtener la respuesta del mismo.


Fig. 6. Simulacin en MMICAD del filtro del ejemplo optimizado
A travs de la optimizacin se consigue que la frecuencia
de corte del filtro sea la pedida.


IV. FILTROS PASO ALTO CON STUBS
IV.1 Introduccin

Los filtros paso alto pueden ser construidos mediante
elementos concentrados o distribuidos. Nosotros nos vamos a
centrar en la realizacin de filtros paso alto con elementos
distribuidos como son las lneas de transmisin de igual
longitud elctrica.

El diseo con el que se va a trabajar es el mostrado en la
figura 7. Este diseo consiste en una serie de stubs paralelo
cortocircuitados, conectados en cascada y de longitud
elctrica
c
a una determinada frecuencia especificada f
c

(normalmente ser la frecuencia de corte paso alto) separados
por lneas conectoras de longitud elctrica 2
c
.[2]



Fig. 7. Filtro paso alto con stubs



4
Este diseo presenta la ventaja de obtener un filtro de
orden 2n-1 empleando tan solo n stubs. Los filtros as
construidos presentan una respuesta peridica, de periodo
cuya banda de paso se encuentra entre los valores de
frecuencia f
c
y f
c
(/
c
-1).

La realizacin del diseo se realiza a partir de las
tablas. La siguiente tabla indica las admitancias
caractersticas para una respuesta Chebychev con 0.1 dB de
rizado.[3]

y1 y1,2 y2 y2,3 y3
yn yn-1,n yn-1 yn-2,n-1 yn-2
25 0,15436 1,13482
2 30 0,22070 1,11597
35 0,30755 1,08967
25 0,19690 1,12075 0,18176
3 30 0,28620 1,09220 0,30726
35 0,40104 1,05378 0,48294
25 0,22441 0,11113 0,23732 1,10361
4 30 0,32300 1,07842 0,39443 1,06488
35 0,44670 1,03622 0,60527 1,01536
25 0,24068 1,10540 0,27110 1,09317 0,29659
5 30 0,34252 1,07119 0,43985 1,05095 0,48284
35 0,46895 1,02790 0,66089 0,99884 0,72424
25 0,25038 1,10199 0,29073 1,08725 0,33031 1,08302
6 30 0,35346 1,06720 0,46383 1,04395 0,52615 1,03794
35 0,48096 1,02354 0,68833 0,99126 0,77546 0,98381
Admitancias caractersticas para un rizado de 0,1 dB
c n y3,4

Tabla 3. Elementos para filtros paso alto de 0.1 dB de rizado
IV.2 Ejemplo de diseo
Supongamos que queremos disear un filtro paso alto
con respuesta Chebychev y rizado en la banda de paso de 0.1
dB. El filtro estar compuesto por cuatro stubs terminados en
cortocircuito. La frecuencia de corte ser de 1GHz y el lmite
superior de la banda ser 5 GHz. El filtro se implementar
con tecnologa microstrip y el sustrato utilizado ser el FR4.

Observamos en la tabla 3 que para obtener los valores de
las admitancias caractersticas necesitamos conocer el
nmero de stubs (dato) y la longitud elctrica de las lneas.
Como se vio en la introduccin la frecuencia de corte
superior es f
c
(/
c
-1). Si igualamos la expresin anterior al
valor que se nos da en el enunciado obtenemos un valor de
longitud elctrica de 30. Con estos datos, los valores de las
admitancias normalizadas y de las impedancias (previa
desnormalizacin) sern:

y
0
=1 Z
0
= 50
y
1
= y
4
=0.323 Z
1
= 154.8
y
2
= y
3
=0.394 Z
2
= 126.9
y
1,2
= y
3,4
= 1.078 Z
12
= 46.36
y
2,3
=1.065 Z
23
= 46.96

Para obtener las longitudes de las lneas haremos uso de
las caractersticas del sustrato microstrip descritas en II.3 y
para obtener las anchuras de las lneas utilizaremos el
programa PCAAD. Con esto obtenemos:

W
0
=3.008 mm d
0
= 13.46 mm
W
1
= W
4
=0.151 mm d
1
= 4.88 mm
W
2
= W
3
=0.327 mm d
2
= 4.88 mm
W
1,2
= W
3,4
= 3.409 mm d
12
= 8.93 mm
W
2,3
=3.338 mm d
23
= 9.12 mm





El diseo el filtro paso alto del ejemplo realizado en
tecnologa microstrip y con sustrato FR4 ser:



Fig. 8. Diseo del filtro en tecnologa microstrip

IV. 3 Simulacin del ejemplo

La simulacin del filtro optimizado propuesto en el
ejemplo se muestra en la siguiente figura.

Fig. 9. Simulacin en MMICAD del filtro del ejemplo optimizado

V. CONCLUSIONES
Existen varios mtodos para realizar filtros de
microondas en tecnologa microstrip. En este documento
se han visto dos de ellos: realizacin de filtros paso bajo
con secciones cortas de lneas de transmisin y
realizacin de filtros paso alto con stubs.

Los dos mtodos que se han tratado permiten por un
lado obtener los diseos de los filtros para
implementarlos en tecnologa microstrip, y por otro lado,
permiten obtener los datos necesarios para poder observar
el comportamiento en frecuencia de dichos filtros a travs
de la simulacin.


VI. REFERENCIAS
[1] Miriam Gonzlez Dez, Diseo e Implementacin de Filtros de
Microondas, Trabajo Fin de Carrera, Universidad de Alcal de
Henares, Septiembre 2002.
[2] Jia-Sheng Hong and M.J.Lancaster, Microstrip Filters for
RF/Microwave Applications, Wiley-Interscience publication, 2001.
[3] R.Snchez Montero, P.L.Lpez Espi, J.Alpuente Hermosilla,
Microondas Prcticas, Servicio de Publicaciones de la Universidad
de Alcal de Henares, 2004


FILTROS PASO BAJ O Y PASO ALTO
ngela Sancho Marcos
Ingeniera Tcnica de Telecomunicacin. Especialidad en Sistemas de Telecomunicacin.
Microondas 2007/08
Universidad de Alcal
e-mail : angela_smar@hotmail.com

Resumen- Diseo de filtros paso bajo y paso alto. En el
caso de filtros paso alto se va a realizar una
implementacin con parmetros distribuidos, utilizando
para el diseo el mtodo de prdidas de insercin, el
resultado va a ser un filtro paso alto que consistir en la
unin en cascada de una serie de stubs paralelo
cortocircuitados. Sin embargo para el caso de filtros paso
bajo, no se va a utilizar stubs, sino que se disearn a
partir de secciones alternativas de lneas de transmisin de
impedancias caractersticas muy altas y muy bajas.
I. INTRODUCCIN
Un filtro es una red de dos puertas empleada para
controlar la respuesta en frecuencia en un determinado punto
de un sistema, propiciando la transmisin en las frecuencias
de la banda de paso y la atenuacin en la banda eliminada de
ste. Las respuestas tpicas son paso bajo, paso alto, paso
banda y banda eliminada. Es este trabajo hablar de los dos
primeros.
Dependiendo de las especificaciones, los filtros pueden
disearse con elementos concentrados o distribuidos, que a su
vez se pueden realizar en diferentes estructuras como son
guas de ondas, cable coaxial o lneas microstrip.
El trmino microondas se emplea para describir ondas
electromagnticas en el rango de frecuencias desde 300MHz
hasta 300GHz, lo que corresponde a longitudes de onda en el
espacio libre desde 1m hasta 1mm, esto hace que los filtros
con elementos concentrados no tengan las respuestas
esperadas y por tanto se haga necesario implementarlos con
circuitos de parmetros distribuidos.
Hay varias teoras para el diseo de filtros como la de los
parmetros imagen, basado en teora de cuadripolos y el
mtodo de las prdidas de insercin, que utiliza tcnicas de
sntesis de redes para disear filtros con una determinada
respuesta en frecuencia.
El diseo se simplifica comenzando con un prototipo paso
bajo que est normalizado en frecuencia e impedancias de
terminacin. Despus les son aplicadas unas
transformaciones para pasar los prototipos al rango de
frecuencias deseado y a las terminaciones de referencia.
[1], [2].
II. DESARROLLO
La transformacin de Richards establece la equivalencia
funcional entre condensadores y bobinas y stubs.
Las equivalencias de Kuroda permiten construir
fsicamente los diseos realizados con stubs aplicando la
transformacin de Richards.
II.1 Filtros paso bajo

En algunas ocasiones, la aplicacin de las equivalencias
de Kuroda para el diseo de filtros paso bajo da lugar a
tramos de lnea de impedancia caracterstica de difcil
construccin. Otra tcnica que permite la construccin de
filtros con respuesta paso bajo consiste en el empleo de
secciones de lnea de transmisin de impedancia fija y
longitud a determinar.
Un modo relativo de implementar un filtro paso bajo con
lneas microstrip o stripline es usar secciones alternativas de
lneas de impedancia caracterstica muy altas y muy bajas.
Tales filtros por lo general son llamados filtros de hi-z (de
alta impedancia) y low-z (de baja impedancia) y stos son
ms fciles de disear y ocupan menos espacio que un filtro
paso bajo similar utilizando stubs
A causa de las complicadas aproximaciones, su
funcionamiento elctrico no es bueno, entonces el empleo de
tales filtros por lo general es limitado en aplicaciones donde
exista un pico y no sea rechazado fuera de banda con
productos mezcladores. [1], [4], [5].

II.1.1 Filtros con secciones cortas de lneas de transmisin



Fig. 1- Circuito equivalente en T de una seccin de lnea


Fig. 2- Equivalente T para una seccin de lnea de transmisin en
la que

<<
2




1


Fig. 3- Circuito equivalente para

<<
4

y Z grande
0




Fig. 4-Circuito equivalente para

<<
4

y Z
0
pequea

El primer paso es encontrar el circuito equivalente
aproximado para una longitud corta de lnea de transmisin
que tiene impedancia caracterstica muy grande o muy
pequea. Los parmetros Z para una lnea de longitud e
impedancia caracterstica Z
0
son:

cot
22 11
j Z Z = =
Ec. 1

csc
21 12
j Z Z = =
Ec. 2

Los elementos serie del circuito equivalente en T son:


=
2
tan
sin
1 cos
0 0 12 11

jZ jZ Z Z
Ec. 3

Donde el elemento paralelo del equivalente en T es Z
12
. Si
<<
2
, los elementos serie tienen una reactancia positiva
(bobina), mientras que el elemento paralelo tiene una
reactancia negativa (condensador). As tenemos el circuito
equivalente mostrado en la figura 2, donde:

=
2
tan
2
0

Z
X
Ec. 4

sin
1
0
Z
B =
Ec. 5
Si asumimos una longitud de lnea corta ( <<
4
) y
una impedancia caracterstica grande, se reducen
aproximadamente a:


0
Z X
Ec. 6
Ec. 7 0 B

Lo que implica un circuito equivalente como el de la
figura 3 (una bobina serie). Para una longitud corta de lnea e
impedancia caracterstica pequea, las ecuaciones Ec.4 y
Ec.5 se reducen aproximadamente a:
Ec. 8 0 X


0
Y B
Ec. 9

Lo que implica un circuito equivalente como el de la
figura 4(condensador paralelo). Las bobinas serie de un filtro
prototipo paso bajo puede ser sustituidas por secciones de
lnea de alta impedancia (Z
0
=Z
h
), y los condensadores
paralelo pueden ser sustituidos por una seccin de lnea de
baja impedancia (Z
0
=Z
l
). La proporcin Z
h
/Z
l
debera ser tan
alta como sea posible, entonces los valores reales de Z
h
y Z
l

por lo general son los de la impedancia caracterstica ms alta
y ms baja que prcticamente puede ser fabricado.

Entonces la longitud de las lneas puede ser determinada
con las ecuaciones Ec.6, Ec.7, Ec.8, Ec.9; para conseguir la
mejor respuesta, estas longitudes deberan ser evaluadas en
c
= . Luego las longitudes elctricas de la seccin de
inductor pueden ser calculadas como:

h
Z
LR
0
=
(inductor) Ec.10
Y la longitud elctrica de la seccin del condensador como:

0
R
CZ
l
=
(capacitor), Ec.11
Donde R
0
es la impedancia del filtro y L y C son los
valores de los elementos normalizados del prototipo de paso
bajo. [1], [4], [5].
II.2 Filtros paso alto

Los filtros paso alto pueden ser construidos con
elementos distribuidos como son las lneas de transmisin de
igual longitud elctrica. Este tipo de filtros es semejante a los
filtros paso banda realizados con stubs, por tener estas redes
respuestas peridicas en frecuencia, en particular para
aplicaciones de gran ancho de banda, pero no sern diseos
ptimos. Esto sucede porque las lneas de conexin en filtros
son redundantes, y por tanto sus propiedades de filtrado no
son aprovechadas del todo. Por sta razn se disean tambin
otro tipo de filtros paso alto distribuido, con stubs terminados
en cortocircuito.

II.2.1 Filtros paso alto con stubs terminados en
cortocircuito.

El diseo es el de la figura 5 el cul consiste en una serie
de stubs paralelo cortocircuitados, conectados en cascada y
de longitud elctrica
c
a una determinada frecuencia ,
que normalmente ser la frecuencia de corte paso alto,
separados por lneas conectoras de longitud elctrica 2
c
f
c
.
Aunque el filtro consiste en n stubs, su respuesta en
frecuencia tiene grado 2n-1 con lo que su respuesta paso alto
tiene 2n-1 rizados en la banda de paso. En el caso del
filtro con lneas de igual longitud tiene una respuesta de
orden n para n stubs, lo que implica que el filtro con stubs de
la figura 5 tenga una selectividad mayor, por lo que se dice
que es ptimo.



Fig. 5- Filtro paso alto ptimamente distribuido
2

En la figura 6 se muestra la caracterstica de transmisin
tpica de este tipo de filtros, donde f es la variable de
frecuencia y la longitud elctrica, que es proporcional a la
frecuencia del siguiente modo:

c
c
f
f
=
Ec.12



Fig. 6- Respuesta caracterstica del filtro paso alto con stubs ptimamente
distribuidos [6]


Para las aplicaciones paso alto, el filtro tiene una banda
de paso principal que va desde
c
hasta
c
con
frecuencia de corte en
c
.
Los armnicos peridicos en la banda de paso estn
centrados en
2
5
,
2
3
=
,y separados por polos de
atenuacin en ... 2 , = por tanto, la funcin de
transferencia de la red de la figura 5 ser:


( )
( )

2 2
2
21
1
1
N
F
S
+
=
Ec.13
donde: es la constante de rizado en la banda de paso
es la longitud elctrica
es la funcin de filtrado
N
F

+
=

2
cos 2
1 1 1 1
3 2
2
1 2
2
c
n c
c
n c
N
x
x
T x
x
x
T x
F
Ec.14
donde: n es el nmero de stubs cortocircuitados,

2
sin x
Ec.15

=
c c
x

2
sin
Ec.16
( ) ( ) x n x T
n
1
cos cos

= es la funcin de
Chebychev de primer orden de grado n



En la Tabla 1 se tabulan algunos valores tpicos de la red
de la figura 5 para el diseo prctico de filtros paso alto
optimizados con un nmero de stubs desde 2 hasta 6 y un
rizado en la banda de paso de 0.1dB para
Hay que tener en cuenta que los elementos tabulados son
los valores de las admitancias caractersticas normalizadas de
las lneas de transmisin, y que para una impedancia de
terminacin dada Z
. 35 , 30 , 25
o o o
c
=
0
las impedancias caractersticas se
determinan: [2], [4] [5].

i
i
Y
Z
Z
0
=
;
1 ,
0
1 ,
+
+
=
i i
i i
Y
Z
Z
Ec.17


N11
c


(
o
)
Y
1
Y
n
Y
1,2
Y
n-1,n
Y
2
Y
n-1
Y
2,3
Y
n-2,n-1
Y
3
Y
n-2
Y
3,4

2
25
30
35
0.15436
0.22070
0.30755
1.13482
1.11597
1.08967

3
25
30
35
0.19690
0.28620
0.40104
1.12075
1.09220
1.05378
0.18179
0.30726
0.48294

4
25
30
35
0.22441
0.32300
0.44670
0.11113
1.27842
1.03622
0.23732
0.39443
0.60527
1.10361
1.06488
1.01536

5
25
30
35
0.24068
0.34252
0.46895
1.10540
1.07119
1.02790
0.27110
0.43985
0.66089
1.09317
1.05095
0.99884
0.29659
0.48284
0.72424

6
25
30
35
0.25038
0.35346
0.48096
1.10199
1.06720
1.02354
0.29073
0.46383
0.68833
1.08725
1.04395
0.99126
0.33031
0.52615
0.77546
1.08302
1.03794
0.98381

Tabla 1- Elementos para filtros paso alto ptimamente distribuidos con
0,1dB de rizado en la banda de paso

III. CONCLUSIONES
Los filtros tienen un importante papel en muchas
aplicaciones de microondas. Las nuevas aplicaciones en el
campo de las telecomunicaciones desafan continuamente al
diseo de estos filtros con requerimientos ms rigurosos,
como son mayores rendimientos, menores tamaos, menores
pesos y menor coste. Es por ello que los filtros descritos
anteriormente son los diseos ptimos. En el caso de filtro
paso bajo se consigue con secciones de lneas de transmisin
de impedancia caracterstica muy altas y muy bajas, sin
embargo para filtros paso alto se ha utilizado el mtodo de
prdidas de insercin con un diseo realizado con una serie
de stubs paralelo cortocircuitados.
IV. REFERENCIAS
[1] David Pozar, Microwave Engineering. Ed. J ohn Wiley 2 Ed, 1998
[2] Diseo e Implementacin de Filtros de Microondas Proyecto Fin de
Carrera 2002. MiriamGonzalez Diez.
[3] J ag. Malherbe, Microwave Transmission Line Filters, Artech House
[4] Microwave Filtres-1965Leo Young, IEEE TRANSACTIONS ON
MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES.
[5] A History of Microwave Filter Research, Desing, and Development,
Ralph Levy. IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY
AND TECHNIQUES
[6] Microondas Prcticas, R .Snchez Montero, P. L. Lpez Esp,
J .Alpuente Hermosilla. Publicaciones UAH .
3