TIPOS DE MEMORIAS:

Parmetros y caractersticas: Capacidad, velocidad, operacin. Arquitectura y funcionamiento, tipos de tecnologa. voltaje de

Que es una memoria: es un aparato o un dispositivo capaz de mantener o almacenar un tipo de informacin, esta informacin es utilizada para ser almacenada o retenida para cumplir un serie de procesos electrnicos segn el dispositivo que la requiera, generalmente es un chip que junto con otros componetes se completa para llevar a cabo su labor, las memorias las encontramos hoy en dia en todos los dispositivos electrnicos sobre todo aquellos que manejen algn tipo de software como neveras, televisores, celulares, dvds, computadores, mp3, etc. Se han vuelto muy importantes en la vida del hombre.

Memorias de en un computador. Memoria ram:

En ingles que significa ramdom access memory o memoria de acceso aleatorio. Es un tipo de memoria basada en los semiconductores, los avances tecnolgicos las han hecho con el pasar de los aos dispositivos muy eficientes ya que cada vez mas mejoran sus aspectos como pueden ser: su velocidad, capacidad, tecnologa etc. Una de las caractersticas mas destacadas de este tipo de memoria es que tiene la capacidad de ser leda o escrita por el microprocesador u otros dispositivos de hardware acoplados al computador es decir es un tipo memoria tanto de lectura como de escritura a diferencia de la ROM que es solo de lectura. Tambin es caracterstica porque esta memoria almacena o carga los procesos que requiera un computador para su buen funcionamiento de una forma temporal, es decir que mientras el computador se encuentre encendido esta puede guardar informacin necesaria para que el computador complete sus tareas pero una vez que el ordenador se apaga, la memoria es borrada y ser nuevamente utilizada cuando el ordenador este otra vez en funcionamiento ha esta caracterstica se le llama voltil es decir la memoria ram es voltil por que cumple este tipo de funcin. Para que sirve: La memoria ram sirve para cargar lo procesos que un procesador necesita para poder manejar la informacin esta memoria guarda los nuevos datos que se estn creando en el ordenador como puede ser mientras se esta escribiendo un archivo de texto, la memoria ram gurda esta informacin hasta que el usuario decida grabarla en otro dispositivo como el disco duro, memoria flash, CD, etc. La memoria ram es muy importante, es la intercesora entre la informacin y el procesador, esta memoria permite que ordenador trabaje ms rpido. Si no

hubiera una memoria ram el procesador cuando debera realizar alguna tarea tendra que ingresar a la imforacion del disco duro como puede ser la ejecucin de un programa y cuando nesecite otro tipo de informacin tendra que volver a hacerlo es decir instruccin por instruccin lo que hara muy lento el trabajo del computador porque este proceso hace que el procesamiento de la informacin sea lento, cuando la memoria ram se invento se descubri que el procesador poda acceder muchsimo mas rpido a esta memoria que a la del disco duro u otro dispositivo de almacenamiento, por lo tanto el sistema que se maneja es as. La memoria ram carga todas las instrucciones que el procesador debe de hacer una vez que lo hace puede interactuar mas rpido con los programas o informacin del disco duro es como un atajo que hay entre si lo que hace que el trabajo del ordenador sea mucho mas rpido y eficiente. Eficiente.

TIPOS Y FUNCIONAMIENTO Todas hacen la misma funcin, pero entre ellas las diferenciamos por el tiempo de acceso y la capacidad, o por el modo como trabajan:

DRAM (Dynamic Random Access Memory): Tipo de memoria de gran capacidad, pero que precisa ser constantemente refrescada (reenergizada) o perdera su contenido. FPM (Fast Page Mode) DRAM: Este tipo de chip de memoria es una mejora con respecto a la anterior, ya que con ella se logra acceder ms rpidamente a la informacin. Actualmente tecnologa ya est obsoleta, vindose reemplazada por la SDRAM. EDO (Extended Data Out) DRAM: Es similar a la FPM con una leve modificacin. La ventaja principal de la EDO es que mantiene la informacin disponible por ms tiempo, acortando la secuencia de lectura de la memoria. Su funcionamiento es entre un 10% y 20% ms rpido que la FPM. Esta tecnologa finaliz su produccin a fines del ao 2000. SDRAM (Synchronous DRAM) o DRAM Sincrnica: Es el cambio ms radical y reciente en tecnologas de memorias, porque la extraccin de informacin est sincronizada con el reloj de la placa base que controla la CPU. Al existir este sincronismo con el procesador, se eliminan en gran medida los tiempos de espera, lo que redunda en un manejo de la informacin ms eficiente. En 1998, SDRAM se convirti en el estndar de memoria de la mayora de los ordenadores. SDRAM II o DDR (Double Date Rate): Es la generacin actual de SDRAM. Se basa en el mismo principio de la SDRAM, pero duplica su velocidad de lectura de informacin. RDRAM (Rambus Dynamic RAM): Es usada en la industria del entretenimiento, estaciones grficas y trabajo con video. Direct RDRAM: Es la tercera generacin de Rambus. Se comercializa en mdulos RIMM y SORIMM LA BIOS

El BIOS (Basic Input-Output System) es un sistema bsico de entrada/salida que normalmente pasa inadvertido para el usuario final de computadoras. Se encarga de encontrar el sistema operativo y cargarlo en memoria RAM. Posee un componente de hardware y otro de software, este ltimo brinda una interfaz generalmente de texto que permite configurar varias opciones del hardware instalado en la PC, como por ejemplo el reloj, o desde qu dispositivos de almacenamiento iniciar el sistema operativo (Windows, GNU/Linux, Mac OS X, etc.). El BIOS gestiona al menos el teclado de la PC, proporcionando incluso una salida bastante bsica en forma de sonidos por el parlante incorporado al gabinete cuando hay algn error, como por ejemplo un dispositivo que falla o debera ser conectado. Estos mensajes de error son utilizados por los tcnicos para encontrar soluciones al momento de armar o reparar un equipo. Basic Input/Output System - Sistema bsico de entrada/salida de datos). Programa que reside en la memoria EPROM (Ver Memoria BIOS no-voltil). Es un programa tipo firmware. La BIOS es una parte esencial del hardware que es totalmente configurable y es donde se controlan los procesos del flujo de informacin en el bus del ordenador, entre el sistema operativo y los dems perifricos. Tambin incluye la configuracin de aspectos importantsimos de la mquina.

Memoria rom: (read only memory) memoria de solo lectura:

Esta solada o conectada a la placa madre es una clase de medio de almacenamiento utilizado en los ordenadores y otros dispositivos electrnicos. Los datos almacenados en la ROM no se puede modificar -al menos no de manera rpida o fcil- y se utiliza principalmente para contener el firmware (software que est estrechamente ligada a hardware especfico, y es poco probable que requieren actualizaciones frecuentes). En la memoria ROM se guarda la informacin que es necesario conocer para la puesta en marcha del ordenador. La ROM interviene de forma casi exclusiva en el proceso de arranque o encendido del equipo. Durante este proceso se realiza un pequeo test en el que se comprueba que todos los perifricos estn conectados correctamente y que no hay ningn problema en ellos. Si todo es correcto, se da paso a la carga del sistema operativo, en caso contrario, se muestra

un mensaje de error en pantalla y una serie de pitidos avisan del tipo de error encontrado. Caracteristica: Esta memoria en un computador contiene el programa del bios, que es importante para el reconocimiento de dispositivos, antiguamente los ordenadores manejaban su sistema operativo en la memoria romsi este se queria actualizar habia que remplazar la rom por otra, esto se hacia asi tubieran la capacidad de tener discos de almacenamiento masivo como los discos duros ya que inicialmente la memoria rom era mucho mas facil y rapida de leer para el procesador esta tiene que primero cargar su imformacion en la memoria ram para luego ser ejecutada por el procesador. Las memorias rom las encontramos en la mayoria de dispositivos electrnicos tales como, celulares, equipos de sonido, televisores etc, a estas se les atribuye el sistem operativo que se le denomina firmaware. Auque tambien estos dispositivos tiene sus sistema en memorias tipo flash. El contenido de estas memorias no es vaciado cuando se apaga el ordenador por lo tanto no es una memoria voltil, Un claro ejemplo de memorias rom los encotramos en videojueos como el nintendo 64, game boy, supernintento, sega. Estos requieren la introduccin de un cartucho que es una memoria rom que contiene la informacin necesaria para ejecutar el juego.

Tipos de memoria rom:

PROM (Programmable Read-Only Memory): Memoria inicialmente vaca que slo permite una nica grabacin. Para grabar en ella es necesario disponer de un dispositivo especial, llamado programador PROM. La escritura en la memoria PROM se hace fundiendo sus fusibles, este es el motivo por el que se puede grabar en ella una nica vez.

Las podemos encontrar en dispositivos que tengan memorias de funciones en ese caso esas serian las memorias prom. Su estado del fusible siempre esta en 1 bit y cuando son grabadas pasan a 0.

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): Similar a la anterior, pero permite mltiples grabaciones. Para escribir datos en ella es necesario disponer de un programador EPROM y para vaciarla es necesario exponerla a una luz ultravioleta.

son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable de slo lectura). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante, cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 0 (por eso, una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1. Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado. Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (OneTime Programmable, programables una sola vez). La nica diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMs incluidas en algunos microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo sustituidas progresivamente por EEPROMs (para fabricacin de pequeas cantidades donde el coste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilizacin). Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se puede leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que contena el nombre del productor del BIOS, su revisin y una advertencia de copyright. Esta memoria puede mantener esta carga durante 20 aos Con capacidad de 2 kbits 128kbits 2mb 1.8 voltios Con una velocidad de transferencia de 400kbit por segundo con interface de 8bits

Programador eprom

Reseteador eprom

EEPROM (Electrically Erasable Read-Only Memory): Al igual que la EPROM permite mltiples grabaciones. La diferencia entre amabas radica en que esta puede ser borrada aplicando simplemente una carga elctrica, por lo que no es necesario sacarla del ordenador.

son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no voltiles. Las celdas de memoria de una EPROM estn constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante, su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 lgico. Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces. Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez. Estas son tipos de comunicacin en bus diseado principalenntte para la comunicacin intercambio de datos entre los microcontroladores y sistemas electronicos.

EEPROM presente en una memoria RAM ddr2

La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunin de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invencin y en 1988 lanz el primer chip comercial de tipo NOR. Con capacidades de 256kbit 4mb 8mb 32mb 64mb 128mb interfaz de 8bits y 16bits Consumos de 1.8 a 5 v Velocida de 3kbits hasta 3.2mbits

EEPROM en placa electrnica Programador eeprom

MEMORIA FLASH: de memoria

Subtipo mejorado EEPROM.

es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que mltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operacin de programacin mediante iado tarjetas de hasta 32 GB (32 GiB) por parte de la empresa Panasonic en formato SDpo de memorias similares como EEPROM y ofrece rendimientos y caractersticas muy superiores. Econmicamente hablando, el precio en el mercado ronda los 13 para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque, evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento de unos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extincin, y de hasta 600 para la gama ms alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discos duros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash. Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y es muy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado. Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln, dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del voltaje necesario para su borrado. Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para almacenar los 0s 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias basadas en ORNAND. Los sistemas de archivos para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extrable. Otra caracterstica de reciente aparicin (30-9-2004) ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C hasta los 85 C. Las aplicaciones ms habituales son:

El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio. Las PC Card Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware. Funcionamiento Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene un arreglo de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin. Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan. Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate AvalancheInjection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan la informacin. Memoria flash de tipo NOR En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG, modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara CG en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado

natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto. Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido. Memorias flash de tipo NAND Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.

Comparacin de memorias flash basadas en NOR y NAND: Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de las memorias tradicionalmente valorados.

La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND. El coste de NOR es mucho mayor. El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificacin. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos. En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas. La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte). La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s por pgina en NAND. La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND. La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como errneos e inservibles.

En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos y rpidos pero carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qu sea lo que se busque, merecer la pena decantarse por uno u otro tipo. Tipos de tecnologas:

Existen dos tipos de memorias ram: Memoria RAM esttica o Sram : Es un tipo de memoria que mantiene sus datos sin necesidad de refresco es una memoria costosa , se estima que es mas costosa que que la dram en una proporcin de byte a byte, algunas veces consume mucho menos energa, esta memoria es utilizada , existen muchos tipos de memorias Sram las podemos encontrar en porttiles, automviles, celulares, Reuters, esta meoria no es utilizada como memoria principal del sistema, se utiliza como cache que viene siendo un componente del procesador, este tipo de memorias puede ser voltiles o no voltiles, segn el dispositivo que la requiera. as SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), y Output Enalbe (OE). Esta memoria en estructura en mucho mas grande que un memoria dram ya que necesita muchos transistores por eso nunca se encuentra un Sram De 1gb es un tamao muy exagerado y requiere mucha performance cuando se habla de memoria Sram, se debe referir a valores en kbits aunque ese termino esta cambiando

gracias a que hoy da una de las memorias Sram con mas capacidad es la cache del procesador core i7 que tiene 8mb dividida en 3 canales L1,L2,L3 por lo tanto es muy eficiente.

Celda de las memorias sram

Memoria Cache o RAM Cache Un cache es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cache frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cache y cache de disco. Una memoria cache, llamada tambin a veces almacenamiento cache o RAM cache, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cache es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando un dato es encontrado en la cache, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un cache juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria cache usan una tecnologa conocida por cache inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qu informacin debe de ser puesta en el cache constituyen uno de los problemas ms interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cache estn construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una cache L2 de 512 Kbytes.

Procesador Intel core i7 con cache de 8 Mb en L1,L2,L3

El cache de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cache, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cache del disco para ver si los datos ya estn ah. La cache de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro

Memoria RAM dinmica DRAM: es un tipo de memoria que se utiliza en los mdulos de memorias RAM o como memoria principal de sistema es la mas conocida de todas se le llama dinmica porque para revisar un dato se requiere revisar todos los anteriores cada cierto tiempo es decir en un ciclo de refresco. Esta memoria tiene la ventaja de que se fabrica con una gran densidad o gran capacidad, esta se invento en los laboratorios IBM esta compuesta de un transistor y un condensador por cada celda , a diferencia de Sram Que tiene 6 transistores o mas en cada una es una memoria que al principio se consideraba lenta, los primeros modelos de memorias RAM para la unidad del sistema contaban con un bus muy pequeo lo que hacia que fueran muy lentas, hoy en da ese termino a cambiado, en si la memoria DRAM. es lenta porque tiene que refrescarse cada rato pero los buses de transmisin actuales han hecho de que los usuarios no les presten tanto atencin a su lentitud ya que a pesar de ser DRAM son muy rpidas y su necesidad y eficiencia la vamos a seguir necesitando en nuestros computadores.

Memorias Dinmicas Celdas de una memoria dinmica

Estos tipos de memorias pueden ser sincronizadas o a asncronas: Memorias sincronizadas: Son aquellas que funcionan sincronizadamente con la frecuencia del procesador lo que hace que halla un bus mas alto y estable. Es la mejor combinacin y es la que se esta tratando actualmente en las configuracin por defecto de la BIOS del los sistemas modernos Memorias asncronas: quiere decir que no van sincronizadas con la memoria del procesador es decir que la frecuencia del procesador va a una velocidad y la memoria ram a otro velocidad, esta caracterstica la tenan los chipset de las tarjetas madres viejas , que tenan este tipo configuracin por defecto, mucha gente con conocimiento sabia que esta no era lo mejor por lo tanto cambiaban la configuracin manualmente esto haba que hacerlo cada vez que se reiniciara la BIOS,

SDR SDRAM (del ingls, Single Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, Es una memoria dinmica de acceso sncrono de tasa de datos simple Se comercializ en mdulos de 32, 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy poca gente saba entonces que lo 'correcto' era decir SDR), de modo que cuando aparecieron las DDR SDRAM, los nombres 'populares' de los dos tipos de tecnologas fueron SDRAM y DDR, aunque las memorias DDR tambin son SDRAM. Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere una cach con velocidad suficiente como para no desperdiciar su potencial. DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en espaol. Son mdulos de memoria RAM compuestos por memorias sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultneamente en un mismo ciclo de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 3 GiB. Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permiti competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz. Memoria ddr

Tambin se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MiB/s Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los mdulos de memoria intercambian informacin con el bus a travs de un slo canal, para ello slo es necesario introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots. Dual Memory Channel: Se reparten los mdulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco. Dual Memory Channel

Single Memory Channel

RDRAM: La RDRAM es un tipo de memoria sncrona, conocida como Rambus DRAM. ste es un tipo de memoria de siguiente generacin a la DRAM en la que se ha rediseado la DRAM desde la base pensando en cmo se debera integrar en un sistema. El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseo que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que tambin solucionan los problemas de granularidad y nmero de pins. Este tipo de memoria se utiliz en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.

Caractersticas RDRAM: Una de las caractersticas ms destacable dentro de las RDRAM es que su ancho de palabra es de tan slo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, y tambin trabaja a una velocidad mucho mayor, llegando hasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos11111 positivos y negativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800 Mhz virtuales o equivalentes, este conjunto le da un amplio ancho de banda. Posteriormente nos encontramos que la frecuencia principal de las RDRAM es de 1200 Mhz, la configuracin del mdulo RIMM 4800 que incorpora dos canales RDRAM separados a 1200 Mhz en un solo mdulo. Adems, han pasado de RIMMs de los 16 bits a conseguir mdulos de 32 y 64 bits. RIMM, acrnimo de Rambus Inline Memory Module, designa a los mdulos de memoria RAM que utilizan una tecnologa denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los aos 1990 con el fin de introducir un mdulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los mdulos de memoria SDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellos aos. Los mdulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metlica que recubre los chips del mdulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y estn disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tena un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un mdulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR. Inicialmente los mdulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium III. Rambus no manufactura mdulos RIMM si no que tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el principal fabricante de stos. A pesar de tener la tecnologa RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la tecnologa SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnologa no han tenido gran aceptacin en el mercado de PC. Su momento lgido tuvo lugar durante el periodo de introduccin del Pentium 4 para el cual se disearon las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos ms econmicos decidi lanzar placas base con soporte para SDRAM y ms adelante para DDR RAM desplazando esta ltima tecnologa a los mdulos RIMM del mercado.

PC600: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 300 MHz clock rate, 1200 MB/s bandwidth PC700: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 355 MHz clock rate, 1420 MB/s bandwidth PC800: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 400 MHz clock rate, 1600 MB/s bandwidth PC1066 (RIMM 2100): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 533 MHz clock rate, 2133 MB/s bandwidth PC1200 (RIMM 2400): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 600 MHz clock rate, 2400 MB/s bandwidth RIMM 3200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 400 MHz clock rate, 3200 MB/s bandwidth RIMM 4200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 533 MHz clock rate, 4200 MB/s bandwidth RIMM 4800: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 600 MHz clock rate, 4800 MB/s bandwidth RIMM 6400: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 800 MHz clock rate, 6400 MB/s bandwidth

FB-DIMM ddr2 La memoria FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) es una variante de las memorias DDR2, diseadas para aplicarlas en servidores, donde se requiere un transporte de datos rpido, efectivo, y coordinado. La memoria FB-DIMM combina la arquitectura interna de gran velocidad de la memoria DDR2, con una interfaz de memoria en serie punto a punto que une cada mdulo FB-DIMM como en una cadena.

La interfaz de la memoria serial FB-DIMM Las memorias de mdulos convencionales usan una conexin paralela, en cual en cada canal de memoria el mdulo del mismo tiene unos enlaces separados a ese canal y al controlador de memoria. Con grandes concentraciones de memoria, estas conexiones pueden sobrecargar la capacidad del controlador de memoria, provocando errores y retrasos en el flujo de informacin. Este problema tiende a negar el beneficio de memorias de mayor velocidad, mientras ms rpido se inunde de informacin el canal, ms errores van a ocurrir. Lo que nos conduce entre, poca cantidad de memorias rpidas, veloces, o ms cantidad de memorias lentas, menos veloces, memoria ms efectiva, cualquiera de las opciones es ideal para las aplicaciones de los servidores modernos. La memorias FB-DIMM usa pistas de memorias serial bi-direccionales las cuales pasan por cada mdulo de memoria, en vez de tener pistas individuales que mandan datos a cada mdulo. Similar a las PCI Express (otra tecnologa serie moderna), FB-DIMM transmite los datos a la memoria en paquetes, controlados de forma precisa por un integrado AMB (Advanced Memory Buffer) que se encuentra en cada mdulo FBDIMM.

Cada canal de FB-DIMM puede contener hasta 8 (ocho) mdulos FB-DIMM, y la arquitectura actual admite hasta 6 (seis) canales por cada controlador de memoria. Tiene una fuente de datos en lo que a controlador de memoria concierne, y todos los datos llegan en paquetes de manera ordenada, errores y seales de interferencia no son ms un problema. Un controlador de memoria, convencional, requiere 240 trace lines dedicados por canal, pero el controlador de memoria de FB-DIMM requiere solo 70, reduciendo los circuitos complejos y haciendo que sea ms fcil aadir canales de FB-DIMM adicionales. Similar al efecto de simplificacin que Hypertransport y PCI Express han tenido en el diseo de la placa madre.

En memorias convencionales, a ms alto sea la crecida de densidad de memoria, ms errores de desgaste de tiempo y seal ocurren. En cambio, en FB-DIMM, la tecnologa de bus serial de datos niega este problema al proveerle de una nica ruta de informacin de todos los mdulos en un canal, y coordinando la informacin, los datos, mediante chips AMB que se encuentran en cada mdulo de memoria FB-DIMM.

Memorias fb ddr2 con blindaje metlico

INSTALACION DE MEMORIAS

MERORIA SIMM DE 30 CONTACTOS

Muesca

30 contactos

Lado liso

ZOCALO SIMM DE 30 CONTACTOS

MEMORIA SIMM DE 72 CONTACTOS

Muesca 36 + 36 = 72 pines Por un solo lado Una ranura

Lado liso

ZOCALO SIMM DE 72 CONTACTOS

MEMORIAS DIMM

Muesca

Dos particiones

168 contactos o pines

Es una memoria que se caracteriza por tener 168 contactos, pueden ser de dos tipos de tecnologa BUFFERED y UNBEFFERED, los cuales varan dependiendo de las distintas tecnologas y tambin su requerimiento de alimentacin, por ejemplo una DIMM trabaja con una tensione de 3,3 Vcc o 5Vcc dependiendo de su tipo.

ZOCALO DE MEMORIA DIMM

COMO INTERPRETAR LAS RANURAS BUFFERED

La ranura indicadora de la arquitectura se encuentra al centro de los contactos 10 y 11 y la ranura del indicador de tensin se encuentra a la izquierda junto al contacto 40 y alejado del 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 5V.

La ranura de arquitectura se encuentra al centro de los pines 10 y 11, y la ranura de la indicacin de la tensin se encuentra al centro de los contactos 40 y 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 3.3V.

La ranura de arquitectura esta al centro de los contactos 10 y 11 lo cual indica que es BUFFERED. El de tensin se encuentra alejado del contacto 40 y junto al contacto 41 y esto nos indica que carece de importancia la tensin de alimentacin. Por lo expuesto podemos decir que este es un DIMM BUFFERED de X,X V. Donde X,X significa que la tensin carece de importancia.

COMO INTERPRETAR LAS RANURAS UNBUFFERED

Ahora podemos notar que la ranura de arquitectura no se encuentra al centro de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al contacto 11 es decir a la derecha del centro y esto nos indica que el tipo de memoria es UNBUFFERED. Como la ranura de indicacin de tensin se encuentra a la izquierda del centro, es decir, junto al contacto 40 y alejado del 41 podemos decir que es de 5V. Entonces por lo anteriormente dicho podemos decir que este es un DIMM UNBUFFERED de 5V.

Podemos notar nuevamente que la ranura de arquitectura se encuentra a la derecha y la de tensin al centro por lo cual inferimos que es un DIMM UNBUFFERED de 3,3V.

Tenemos el indicador de la arquitectura a la derecha del centro contra el contacto 11 lo que indica que es UNBUFFERED y la ranura de alimentacin a la derecha del centro junto al contacto 41 con lo cual que el valor de la tensin de alimentacin es indistinto, por lo tanto este es un DIMM UNBUFFERED de X,X V. Donde X,X indica que la tensin carece de importancia.

En conclusin podemos afirmar que una memoria DIMM es BUFFERED cuando su arquitectura se encuentra en el medio de los contactos 10 y 11, y es una memoria DIMM UNBUFFERED cuando su arquitectura no se encuentra en medio de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al contacto 11, dependiendo de su tecnologa varia su voltaje.

DIMM BUFFERED

DIMM UNBUFFERED

MEMORIAS DIMM DDR DE 184 CONTACTOS

Este tipo de memoria tiene 184 contactos, es decir 92 por lado pero el tamao fsico es el mismo y por lo tanto los contactos son ms pequeos. De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zcalo de DIMM o al revs, debido ya que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una y desplazada del centro hacia la derecha, el otro punto que debemos mencionar es que la tensin de alimentacin es de 2,5 o 1,8 Voltios, otra caracterstica es La doble traba de ranura, nos permite insertar estos DDR en zcalos de simple o doble altura.

ZOCALO DE DIMM DDR

COMO INTERPRETAMOS RANURAS EN DDR En las memorias DDR las ranuras se utilizan para determinar la tensin de alimentacin de los mdulos. Solo existen dos versiones, una de 2.5 Voltios y otra de 1,8 Voltios, tambin se reserv una tercera versin para futuras aplicaciones y que se identifica por su sigla en ingles TDB (To Be Develop A Ser Desarrollado). Las figuras siguientes nos muestran los distintos posicionamientos de las ranuras (izquierda, centro o derecha) respecto del centro formado entre los contactos 52 y 53.

LECTURA DE LAS INDICACIONES DE UNA MEMORIA RIMM

47

Cont.1 Cont.92 Cont. 46

ranuras de posicionamiento

Cont.

Antes de comenzar a explicar como se leen las ranuras, debemos mencionar que el tamao de de estos mdulos es igual al de un DIMM, pero con la diferencia que poseen 184 contactos (92 por lado), igual que en las DDR pero con distinta distribucin fsica y tienen 2 ranuras de posicionamiento. Una caracterstica distintiva y mucho ms llamativa, es que se presentan con una cubierta metlica que oficia de disipador trmico, ya que desarrollan mas calor que el resto de las memorias y de esta forma cambiando la vista tradicional de los mdulos. En la imagen anterior podemos observar una memoria con el

disipador trmico montado y en la figura de la parte de abajo una vista de la misma memoria sin el disipador trmico, donde podemos ver la disposicin tradicional de los chips.

Debemos mencionar que si bien en la actualidad los mdulos RIMM funcionan a 2,5Volts, ya se encuentra en el diseo, la forma que debern tener los prximos mdulos, que trabajen con otras tensiones. Por ese motivo incluimos esta informacin.

Como podemos apreciar en la figura de la parte de arriba, para poder diferenciar las distintas tensiones de alimentacin que tendrn los RIMM, solo debemos tomar como referencia la separacin entre las ranuras de posicionamiento, tomando la medida entre sus centros. El primer ejemplo es una memoria de 2.5 Voltios (la nica disponible en la actualidad) que tiene una distancia entre ranuras de 11.50 milmetros, para los otros ejemplos la metodologa es la misma. Aun no se ha especificado que tensin tendrn los prximos RIMM, pero ya estn normalizadas las distancias que hay entre las ranuras de posicionamiento como podemos ver en los dos ltimos ejemplos de la figura.

INSTALACIN DE MDULOS DIMM, DDR Y RIMM

Como hemos observado estos tres mdulos tiene mucho en comn con respecto a sus contactos, pero como vimos es imposible colocar un mdulo de una tecnologa en otra debido a que las ranuras de posicionamiento no coinciden.

En la figura podemos ver procedimiento de extraccin de un mdulo de memoria, comenzando por abrir las trabas que lo sujeta (1) y luego retirar el mdulo tirando hacia arriba (2).

Para insertar los mdulos de memoria podemos ver en la figura de la parte de arriba el siguiente procedimiento, debemos verificar previamente que las trabas que tiene el zcalo estn abiertas (1), luego debemos observar el zcalo para tomar referencia de donde se encuentran las ranuras de posicionamiento y hacerlas coincidir con nuestro zcalo (2), luego de esta verificacin podemos insertar el mdulo (3) deslizndolo verticalmente hasta que haga tope con el fondo del zcalo, como ltimo paso y sirviendo de verificacin del procedimiento de insercin, las trabas laterales debern quedar perfectamente cerradas (4).

Los soportes son SIMM (Single Inline Memory Module) DIMM (Double Inline Module Memory). Los mdulos SIMM tienen 30 72 contactos (los contactos son esas conexiones elctricas que tienen en un borde). En cambio, los mdulos DIMM son ms modernos y tienen 168 o 184 contactos.

En este manual hablaremos fundamentalmente de las memorias con soporte DIMM, ya que son las ms usadas desde hace aos. Dentro de las memorias con soporte DIMM tenemos 2 tipos bien diferenciados, las SDRAM normales y las DDR SDRAM.

Las SDRAM normales tienen 168 contactos, los primeros mdulos se comercializaban a 66MHz de velocidad, luego surgieron los de 100 y 133MHz, que son prcticamente los nicos que se emplean en SDRAM, actualmente slo se encuentran fcilmente los SDRAM de 133MHz.

Las DDR SDRAM son comnmente conocidas como DDR, similares a las anteriores pero tienen 184 contactos y mejores prestaciones. Las ms comunes son: - DDR266 (PC2100): Frecuencia de trabajo de 266 MHz y transferencia de datos de 2,1 GB/s. - DDR333 (PC2700): 333 MHz y 2,7 GB/s

- DDR400 (PC3200): 400 MHz y 3,2 GB/s - DDR533 (PC4200): 533 MHz y 4,2 GB/s

Se puede ver claramente que, a mayor frecuencia (MHz), se pueden conseguir mayores velocidades de transferencia de datos, lo cual se transmite en mayor velocidad de funcionamiento del sistema. Las siglas DDR vienen de "Double Data Rate" y significan "Doble Tasa de Datos", esto indica que la memoria es capaz de procesador el doble de datos por cada ciclo de reloj. Por eso se dice que una memoria DDR con 133MHz trabaja como si fuera a 266MHz, ah se ve esa doble capacidad de trabajo. Qu memoria tengo que instalar en mi ordenador si quiero ampliar? Esto depende de las capacidades de la placa base. Lo ideal es acudir al manual de la placa (un librito que nos debieron entregar al comprar el ordenador) y verificar las caractersticas. Ah pondr qu tipo de memorias se deben poner y de qu velocidad. Si no estamos seguros se debe acudir a una tienda de informtica o a un especialista para que nos asesore. Si ya sabemos qu memoria vamos a poner y la tenemos en mano, slo nos queda el proceso fsico de su insercin; tambin podemos seguir estos pasos si nicamente queremos ver la memoria que ya hay puesta. * Materiales necesarios: Un simple destornillador de estrella. Lo primero que debemos hacer es apagar el ordenador y abrir la torre, esto es una operacin muy sencilla y que se debe repetir cada vez que queramos manipular un componente de su interior, no slo la memoria. Quitamos los tornillos que sujetan las tapas o la carcasa y las retiramos. * Precaucin!: Antes de manipular el interior de la torre, debemos tocar cualquier superfcie metlica para descargar nuestra electricidad esttica que sera fatal para cualquier componente interno.

Para poder insertar cualquier tipo de memoria tenemos que identificar la ubicacin de la memoria, si miramos en la placa interna veremos una zona similar a esta:

Ah estn los slots (huecos para poner la memoria) y el mdulo o mdulos que tengamos ya instalados aparecern colocados en una de las ranuras (en la imagen no sale ninguno). Seguidamente, acercamos el mdulo por el lado donde estn los conectores hacia uno de los slots libres y lo insertamos perpendicularmente y con firmeza, hasta que queden los contactos en su interior. Pero antes de hacer esto hay que tener en cuenta algunas cosas: 1) Los mdulos van sujetos lateralmente con unas piezas de plstico, antes de insertar el mdulo debemos asegurarnos de que estn abiertas para que podamos colocar el mdulo cmodamente. Una vez insertado, debemos cerrar las piezas hasta que se ajusten a las muescas laterales del mdulo.

2) Entre los contactos de las memorias puede haber 1 muesca (DDR 184 contactos) o 2 muescas (SDRAM 168 contactos), estas muescas deben coincidir con unas que existen en el hueco donde vamos a colocar la memoria.

Teniendo en cuenta estos aspectos, ya podemos insertar el mdulo con firmeza. Si vemos que no podemos ponerlo, hay que detenerse y revisar todo el proceso de nuevo y con mucho cuidado. Es importante destacar que la memoria slo entra en su sitio en una posicin determinada por las muescas, no hay varias maneras de ponerla.

Cuando hayamos insertado la memoria, slo queda comprobar que el sistema la acepta correctamente. Por ese motivo se recomienda no cerrar la torre todava, en la siguiente seccin comentaremos cmo comprobarla y corregir errores. Cuando veamos que la memoria funciona bien, podemos cerrar la torre con las tapas y colocando de nuevo los tornillos (apagando el PC previamente).

Un mdulo DIMM, o de doble mdulo de memoria en lnea, comprende una serie de memoria dinmica de acceso aleatorio de circuitos integrados. Estos mdulos estn montados en una placa de circuito impreso y diseado para su uso en ordenadores personales, estaciones de trabajo y servidores. DIMM comenzaron a reemplazar a SIMMs (mdulos nicos de memoria en lnea) como el tipo predominante de mdulo de memoria de Intel 's procesadores Pentium comenz a ganar cuota de mercado. La principal diferencia entre los SIMMs y DIMMs de memoria DIMM que se han separado los contactos elctricos en cada lado del mdulo, mientras que los contactos de los SIMMs de ambos lados son redundantes. Otra diferencia es que los SIMMs estndar tienen datos de 32 bits ruta de acceso, mientras que mdulos DIMM estndar disponen de datos de 64 bits ruta de acceso. Desde que Intel 's Pentium tiene (como lo hacen varios otros procesadores) de 64-ancho de bus de bits, se requiere SIMM instalados en pares, a fin de completar el bus de datos. El procesador entonces acceder a los dos SIMMs de forma simultnea. DIMMs se introdujeron para eliminar esta prctica. Los tipos ms comunes de DIMMs son:

72-SO pin-DIMM (no lo mismo que un 72-pin SIMM), utilizado para FPM DRAM y EDO DRAM

100-pin DIMM, utilizado para SDRAM de la impresora 144-pin SO-DIMM, utilizado para SDR SDRAM 168-pin DIMM, utilizado para SDRAM SDR (con menos frecuencia para FPM / EDO DRAM en estaciones de trabajo / servidores) 172-pin MicroDIMM, utilizado para DDR SDRAM 184-pin DIMM, utilizado para DDR SDRAM 200-pin SO-DIMM, utilizado para DDR SDRAM y DDR2 SDRAM 204-pin SO-DIMM, utilizado para DDR3 SDRAM 214-pin MicroDIMM, usado para memoria DDR2 SDRAM 240-pin DIMM, utilizado para DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FBDIMM de DRAM.

INTRODUCCION Las memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM estn enfocadas principalmente para aumentar la capacidad de memoria en una PC principalmente en la memoria RAM, este tipo de memorias son pequeas placas de circuitos impresos con varios chips de memoria integrados. Que se instalan directamente sobre la placa base se puedan insertar fcilmente; se fabrican con distintas capacidades y distintas velocidades. Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y el almacenamiento de la informacin en la memoria RAM. MEMORIAS SIMM DE 30 PINES

SIMM o Single in-line Memory Module (mdulo de memoria en lnea simple), pequea placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados. Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en lnea simple), chips de memoria independientes que se instalaban directamente sobre la placa base. Los SIMM estn diseados de modo que se puedan insertar fcilmente en la placa base de la computadora, y generalmente se utilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintas capacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. En un principio se construan con 30 contactos y luego aparecieron los de 72 contactos. Hoy en da se dificulta conseguirlas fcilmente, pero an algunos proveedores incluyen estas memorias en sus listas de precio.Este SIMM (Single In-line Memory Module) consta de 30 contactos y maneja 8 bits, ver. Las PC que utilizan tpicamente estas memorias son las 386 y 486. Estos mdulos se presentan en capacidades de 256Kbyte,1Mbyte y 4Mbyte.

Su tensin de alimentacin es de 5Vcc. Esta muesca sobre el SIMM evita que el mismo pueda ser insertado al revs en su zcalo.

Muesca MEMORIAS SIMM DE 72 CONTACTOS . En la figura podemos ver un mdulo SIMM de memoria que tiene 72 contactos y maneja 32 bits. Las PC que utilizan este tipo de memoria son algunos 486, 586, K6-II, K6-III, Celeron, Pentium, Pentium Pro y Pentium II. La capacidad de estos mdulos de memoria es de 4Mbyte, 8Mbyte, 16Mbyte, 32Mbyte y 64Mbyte. Como en el caso del SIMM de 30 contactos, esta memoria tambin funciona con 5Vcc. Estas muescas y ranuras sobre el SIMM evitan que el mismo pueda ser insertado al revs en su zcalo. Como referencia podemos citar que la ranura se conoce con el nombre de ranura de posicin.

Muesca Ranura de posicion MEMORIAS DIMM DE 168 CONTACTOS DIMM significa Dual In-line Memory Module es decir modulo de memoria dual en lnea. Este tipo de memoria posee 168 contactos y maneja 64 bits. Comercialmente estas memorias se encuentran disponibles en capacidades de 8Mbytes, 16Mbytes, 32Mbytes, 64Mbytes, 128Mbytes, 256Mbytes y 512Mbytes. Como vimos en captulos anteriores existen distintas tecnologas de memorias y tambin sus requerimientos de alimentacin son distintos, por ejemplo las DIMM trabajan con una tensin de 3,3Vcc 5Vcc, dependiendo su tipo. Otra caracterstica que sumaremos a las ya vistas es la tecnologa de Buffered.

Un DIMM unbuffered se conecta directamente a los buses de control y de direccin del sistema, esta tecnologa hace que los buses se sobrecarguen cuando instalamos ms memorias y esto es debido a la cantidad de chips que componen la memoria. Esta tecnologa es la que se utiliza en la actualidad para mquinas hogareas y la capacidad de manejar una mayor cantidad de esta memoria esta dada por la caracterstica del chipset y la placa madre. Debido a esto, la cantidad tpica de memoria que soporta una placa madre diseada para trabajar con memorias unbuffered esta limitada a un mximo de 4 mdulos DIMM. Un DIMM buffered tiene un chip extra en la lgica que reduce la carga elctrica en los buses de control y direcciones del sistema. Por tal motivo una placa madre diseada para trabajar con DIMM buffered, puede tener mas mdulos de memoria cargados al mismo tiempo debido a que el chip de buffer absorbe parte de la carga del bus. Una placa madre diseada para trabajar con esta tecnologa nos permite utilizar desde 8 mdulos y llegar hasta los 16 mdulos de memoria.

Traba de ranura

Cont. 1 cont. 10 indicador de cont. 11 cont. 41 Arquitectura

cont. 40

indicador de voltaje

En la figura podemos ver que las ranuras de posicionamiento son las encargadas de determinar tanto el tipo de tecnologa como la tensin de alimentacin del mdulo. La indicacin de la arquitectura nos indica si el DIMM es Buffered o Unbuffered.Como referencia para la posicin de las ranuras utilizaremos una posicin equidistante (centro) entre los contactos 10 y 11 para indicar la arquitectura, mientras la posicin entre 40 y 41 indicar la tensin de alimentacin. ESTUDIO Porqu la transicin de SIMM a DIMM?

Los SIMM de 72 contactos transmiten datos 32 bits a la vez mientras que los DIMM de 168 contactos transmiten datos 64 bits a la vez. Cuando los sistemas progresaron a un ancho de bus de 64 bits, result ms razonable utilizar los DIMM que los SIMM como el factor de forma de memoria estndar. La tecnologa SDRAM en s no tiene nada que ver con la transicin de SIMM a DIMM; es solamente que la transicin de EDO a la tecnologa SDRAM y la transicin de SIMM a DIMM sucedi casi al mismo tiempo. MEMORIA RIMM RIMM: mdulo de memoria RDRAM (Rambus Son los mdulos de memoria, sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuacin del canal; el canal entra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismo tamao que los DIMM y han sido diseados para soportar SPD, (Serial Presence Detect). Tambin hay RIMM de doble cara o de una cara, y pueden tener cualquier nmero de chips hasta el mximo de 32 soportados por canal. Hay mdulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la mxima cantidad total de memoria va desde los 64Mb hasta 1Gb por canal. Podemos instalar dos repetidores para aumentar el nmero de conectores, y as aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6 conectores y con dos repetidores aumentamos a 12 conectores.

La arquitectura de las memorias SDRAM estn llegando prcticamente al lmite superior de la frecuencia de operacin, con las velocidades de los microprocesadores actuales, mas los prximos por venir, nos encontramos con el problema de que la cantidad de informacin que pueden transferir es muy superior a lo que puede ofrecer la tecnologa. La introduccin de la tecnologa DRDRAM sobre mdulos RIMM de la empresa Rambus junto a Intel en 1999 puede ser una solucin al problema que planteamos por un periodo de tiempo prolongado. La tecnologa RDRAM utiliza canales especficamente diseados para transportar los datos a y desde la memoria, la primer versin sali con un canal simple o en ingles Single Channel y la siguiente versin incluy dos canales o en ingles Two Channels , un diagrama de estas tecnologas de canales. Un canal incluye un controlador de memoria, uno o mas mdulos RIMM RDRAM y en el extremo mas lejano un Terminador o en ingles (Continuity RIMM - RIMM de Continuidad),este terminador tiene como funcin cerrar el circuito al final del canal, para que retornen ciertas seales al controlador de memoria. El uso de este terminador es obligatorio y necesario para el correcto funcionamiento de este sistema, adems estos terminadores deben instalarse uno por cada canal, dependiendo de la tecnologa de canal que estemos utilizando. Una tecnologa de cuatro canales est en desarrollo y promete ser el futuro para las PC de alto desempeo, pero tendremos que esperar un poco mas de tiempo para verla.

Este canal a diferencia de las otras tecnologas trabaja con 2 bytes (16 bits) y usa un pequeo nmero de seales de alta velocidad para transportar la informacin de datos, control, y direcciones hasta una velocidad de 800Mhz, otra caracterstica es la posibilidad de transferir dos datos por cada ciclo de reloj, similar al DDR.

EST Cont.1 Cont. 92 posicionamiento Factores Caractersticos de la memoria SIMM, DIMM, RIMM Integridad de datos Uno de los aspectos en el diseo de la memoria implica el asegurar la integridad de los datos en ella almacenados. Actualmente, existen dos mtodos principales para asegurar la integridad de los datos: 1. Paridad: ha sido el mtodo ms comn usado hasta la fecha. Este proceso consiste en aadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicional nos indica si el nmero de unos es par o impar (igual se puede hacer con los ceros. A esto se denomina criterio de paridad par o impar). Cont. 46 Ranuras de Cont. 47

2. Cdigos de Correccin de Errores (ECC): Es un mtodo ms avanzado de control de la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores en bits simples. Debido a la competencia de precios, la norma ms habitual es la de no introducir mtodos de control de la integridad de los datos en la memoria, siendo ms caros aquellos mdulos que s incluyen alguno de estos dos mtodos de control de errores.

El controlador de memoria Tambin conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo de memoria), es un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente es un chip (actualmente suele venir integrado como parte de otro chip o del microprocesador) cuya funcin consiste en controlar el intercambio de datos entre microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina el funcionamiento del control de errores, si es que existe.

Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema de memoria con control de integridad. Generalmente esto se implementa en grandes servidores y ordenadores de alto rendimiento donde la integridad de datos es un factor importante. Control de Paridad Cuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informtico, se almacena un bit de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos mtodos de control de paridad: paridad par y paridad impar, dependiendo de que aquello que se controle sea el nmero de ceros o de unos en cada grupo de ocho bits en memoria. El mtodo de control de paridad tiene sus limitaciones. Por ejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero no corregirlos. Incluso puede darse el caso de que varios bits sean errneos y el sistema no detecte error alguno. ECC Este es un mtodo que se implementa en grandes servidores y equipos de altas prestaciones. La importancia de este mtodo es que es capaz de detectar y corregir errores de 1 bit. Todo esto ocurre sin que el usuario tenga constancia de ello. Cuando se detectan mltiples errores en varios bits, el sistema acaba por devolver un error de paridad en memoria. MEMORIAS DDR DE 184 CONTACTOS Estas memorias reciben su nombre por la sigla DDR que significa "Double Data Rate". Los DDR son muy similares a las DIMM SDRAM exceptuando su velocidad de trabajo, la cantidad de contactos y su tensin de alimentacin. Tienen 184 contactos, es decir 92 por lado, pero el tamao fsico es el mismo y por lo tanto los contactos son ms pequeos. De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zcalo de DIMM o al revs debido a que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una y desplazada del centro hacia la derecha. El otro punto que debemos mencionar es que la tensin de alimentacin es de 2,5 o 1,8 Voltios. La doble traba de ranura nos permite insertar estos DDR en zcalos de simple o doble altura Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias RAMBUS, ms costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR,

lo que le permiti competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz. Tambin se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MiB/s Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los mdulos de memoria intercambian informacin con el bus a travs de un slo canal, para ello slo es necesario introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de slots. Dual Memory Channel: Se reparten los mdulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a travs de dos canales simultneos, uno para cada banco.

Doble traba de ranura

Ranura de indicador de voltaje eMEMORIAS DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM. Los mdulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeo buffer que es el que guarda la informacin para luego transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 slo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la

frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los mdulos de memoria. Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fcil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los mdulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la informacin. Caractersticas

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1.8 voltios, lo que reduce el consumo de energa en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2.5. Terminacin de seal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminacin integrada" u ODT) para evitar errores de transmisin de seal reflejada.

Estndares Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMMs con 240 pines y una localizacin con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su mxima capacidad de transferencia (usualmente llamado ancho de banda). Nombre del Velocidad estndar del reloj DDR2-400 DDR2-533 DDR2-667 DDR2-800 100 MHz 133 MHz 166 MHz 200 MHz Tiempo entre seales 10 ns 7,5 ns 6 ns 5 ns 3,75 ns Velocidad Datos del reloj de transferidos E/S por segundo 200 MHz 266 MHz 333 MHz 400 MHz 533 MHz 400 millones 533 millones 667 millones 800 millones 1.066 millones Nombre del mdulo PC23.200 PC24.200 PC25.300 PC26.400 PC28.500 Mxima capacidad de transferencia 3.200 MiB/s 4.264 MiB/s 5.336 MiB/s 6.400 MiB/s 8.500 MiB/s

DDR2-1.066 266 MHz

DDR2 es la nueva tecnologa de memorias que ira, progresivamente, desplazando del mercado a las conocidas DDR. Las nuevas caractersticas son: Duplica la cantidad de datos utilizando dos relojes, as aumentando a 4 los datos en un ciclo de reloj. Cuenta con 240 Contactos en su distribucin estndar para PC. Y una sola ranura de posicionamiento. Velocidades que van desde los 400 hasta los 667 Mhz y hasta 1GB de capacidad. Menor consumo de energa (hasta un 50% menos utilizando 1,8 Volts) y mejor desempeo trmico.

Factor de Forma DDR2 240 Contactos, 1.8 V DIMM Sin Buffer (ECC y no ECC) 240 Contactos, 1.8 V DIMM ECC Registered Para utilizacin en integraciones propietarias 200 Contactos, 1.8 V SO-DIMM (Notebooks) 244 Contactos, 1.9 V Mini DIMM Registered 200 Contactos, 1.8 V Micro DIMM Las memorias DDR2 no son compatibles con DDR ya que el voltaje que utilizan es diferente

MEMORIA DDR3 Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologas de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM. El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos ocho veces mas rpido, esto nos permite obtener velocidades pico de transferencia y velocidades de bus ms altas que las versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reduccin en la latencia, la cual es proporcionalmente ms alta. Adems la DDR3 permite usar integrados de 512 megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar mdulos de hasta 16 Gb.

En febrero, Samsung Electronics anunci un chip prototipo de 512 MiB a 1066 MHz (La misma velocidad de bus frontal del [Pentium 4 Extreme Edition ms rpido) con una reduccin de consumo de energa de un 40% comparado con los actuales mdulos comerciales DDR2, debido a la tecnologa de 80 nanmetros usada en el diseo del DDR3 que permite ms bajas corrientes de operacin y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 los 2,5 del DDR). Dispositivos pequeos, ahorradores de energa, como computadoras porttiles quizs se puedan beneficiar de la tecnologa DDR3. Tericamente, estos mdulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 5331200 MHz 200-400 MHz del DDR. Existen mdulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC. Si bien las latencias tipicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estndar JEDEC para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR31333. Los DIMMS DDR3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca. La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnologa completamente distinta, ha sido usada durante varios aos en tarjetas grficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3". Los mdulos ms rpidos de tecnologa DDR3 ya estn listos al mismo tiempo que la industria se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnologa. Considerado el sucesor de la actual memoria estndar DDR2, DDR3 promete proporcionar significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminucin del gasto global de consumo. Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas en los nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnologa DDR3 Se prev que la tecnologa DDR3 sea dos veces ms rpida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcion para la combinacin de un sistema con procesadores dual y quad core (2 y 4 nucleos por microprocesador). El voltaje ms bajo del DDR3 (HyperX 1,7 V contra 1,8 V con DDR2 y ValueRAM 1,5 V contra 1,8v con DDR2) ofrece una solucin trmica ms eficaz para los ordenadores actuales y para las futuras plataformas mviles y de servidor.

Estndares] Datos Tiempo Velocidad Nombre del Velocidad transferidos Nombre entre del reloj estndar del reloj por mdulo seales de E/S segundo

del Mxima capacidad de transferencia

DDR3-NaNo 100 MHz

9,4 ns

400 MHz

800 Millones PC3-6.400

6.400 MiB/s

DDR3-1.066 133 MHz

7,5 ns

533 MHz

1.066 Millones

PC3-8.500

8.533 MiB/s

DDR3-1.333 166 MHz

6 ns

667 MHz

1.333 Millones

PC3-10.600

10.667 MiB/s

DDR3-1.600 200 MHz

5 ns

800 MHz

1.600 Millones

PC3-12.800

12.800 MiB/s

DDR3-2.000 250 MHz

4 ns

1000 MHz

2.000 Millones

PC3-16.000

16.000 MiB/s

DDR3-2.133 300 MHz

3.5 ns

1066 MHz

2.133 Millones

PC3-17.000

17.000 MiB/s

La variante GDDR El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnologa DDR2 fue la tarjeta grfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas grficas (llamada oficialmente

GDDR2) no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantsimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI Technologies ha desarrollado an ms el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es ms parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque con varios aadidos especficos para tarjetas grficas. Tras la introduccin de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950 volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450 MHz (en comparacin con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800 Ultra). Actualmente, la mayora de las tarjetas tanto de ATI como de nVIDIA usan el formato GDDR3; no obstante, ATI ya ha comenzado a distribuir las HD4890, que utilizan la nueva tecnologa GDDR5 (que alcanza los 7GHz).

Identificar el tipo de memoria que utiliza su ordenador. La fuente ms apropiada de informacin a este respecto es el manual de la placa base, aunque en general:

MICROPROCESADOR MEMORIA TPICA 386

NOTAS

DRAM o FPM en mdulos Memoria difcil de SIMM de 30 contactos, de unos encontrar, 100 u 80 ns actualizacin poco interesante FPM en mdulos SIMM de 30 Tpico de DX-33 o contactos, de 80 70 ns velocidades inferiores

486 lentos

486 rpidos FPM en mdulos SIMM de 72 Tpico de DX2-66 o Pentium lentos contactos, de 70 60 ns, a superiores y Pentium veces junto a mdulos de 30 60 66 MHz contactos Pentium FPM o EDO en mdulos SIMM de 72 contactos, de 70 60 ns MMX EDO en mdulos SIMM de 72 contactos, de 60 50 ns

Pentium AMD K6

Celaron SDRAM de 66 MHz en mdulos Suelen admitir Pentium II hasta 350 DIMM de 168 contactos, de tambin PC100 o MHz menos de 20 ns PC133; tambin en algunos K6-2 Pentium II 350 MHz o SDRAM de 100 MHz (PC100) An muy utilizada; ms en mdulos DIMM de 168 suelen admitir Pentium III contactos, de menos de 10 ns tambin PC133 AMD K6-2 AMD K6-III AMD K7 Athlon Pentium III SDRAM de 133 MHz (PC133) La memoria ms Coppermine en mdulos DIMM de 168 utilizada en la (de 533 MHz o ms) contactos, de menos de 8 ns actualidad AMD K7 Athlon AMD Duron

NOMBRE EDO RAM PC-66 SDRAM PC-100/133 SDRAM PC-600/700/800 PC-1600/2100

ARQUITECTURA SIMM-32 BITS DIMM-64 BITS DIMM-64 BITS

PINES 72 168 168

CAPACIDAD 128 Mb 256Mb 256Mb

VELOCIDAD 50 MHZ 66 MHZ 100/133 MHZ

RIMM-16 BITS DIMM-64 BITS

141 184

256Mb/1GB 256Mb

600/700/800 MHZ 200/266MHZ

PROBLEMAS DE LAS MEMORIAS RAM: Configuracin inadecuada: Tiene el nmero de parte errneo para la computadora o no sigui las reglas de configuracin. Cuando tenga un problema con la memoria, la causa generalmente es una de las siguientes: Instalacin inadecuada: La memoria podra no estar asentada correctamente, el socket est mal o el socket necesita limpieza. Hardware defectuoso: El mdulo de memoria mismo est defectuoso. El hecho de que muchos problemas de la computadora se manifiesten como problemas de memoria, hace difcil la resolucin de las fallas. Por ejemplo, un problema con la tarjeta madre o el software puede producir un mensaje de error de memoria. Veremos como ayudarles a averiguar si tiene un problema de memoria y en caso afirmativo, ayudar a identificar el problema y rpidamente obtener la solucin. Si acaba de instalar una nueva memoria, la primera posibilidad es que haya instalado las piezas incorrectas. Vuelva a verificar los nmeros de partes, confirme que configur e instal la memoria correctamente Si el sistema se ha estado ejecutando bien y repentinamente empieza a generar errores de memoria, se cae y se congela con frecuencia, la posibilidad de una falla de hardware es la ms probable, debido a que los problemas de configuracin de instalacin se muestran cuando se enciende la computadora. Algunas veces se pueden tener problemas de memoria si la computadora se sobrecalienta o si se tiene un problema con el suministro de energa o si se ha desarrollado corrosin entre el mdulo de memoria y el socket, lo que debilita la conexin Si tu PC parece lenta, experimenta demoras en su rendimiento y es incapaz de ejecutar simultneamente los programas de software que te gustara, es posible que la clave sea problemas de la memoria. Te contamos cuales son algunos de sus sntomas Recibs mensajes de error que indican que no tienes suficiente memoria. Este es el llamado de auxilio de tu computadora, aunque probablemente el bajo rendimiento se note mucho antes de que el equipo avise. La pantalla azul de la muerte" que con frecuencia congela la computadora y requiere ser reiniciada. La "pantalla azul" es una alerta del sistema que le informa sobre una falla en la memoria. Limpieza general: Estn limpios los zcalos que sostienen la memoria? Estos contactos se ensucian, lo que puede causar un deterioro en el

rendimiento de la memoria. Deshacerte del polvo y suciedad que puedan causar malas conexiones y que inhiban el rendimiento de la memoria. Un copito de algodn puede solucionar el problema. Vibracin defectuosa: Los mdulos de la memoria vibran en sus zcalos y con el tiempo se pueden soltar. Asegurate de que los mdulos de la memoria estn asegurados de manera adecuada en los zcalos. Revisa los zcalos y los mdulos de la memoria con cuidado y busca si tiene partes rotas o quemadas. Si algo est roto, se puede pegar en lugar de ser remplazado con nuevos repuestos costosos. Asegrate de que el pegante sea "seguro para el plstico". Estabilizador de voltaje: Tu PC est conectada a un estabilizador de tensin? Las subidas de energa son letales para la memoria de la computadora. Es fcil impedir que una subida de energa elctrica dae su computadora, pero no es tan fcil solucionar el problema causado por una subida de energa.