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Qué Son Los Transistores

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Qué son los Transistores : Definición Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos.

Los tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El germanio y el sicilio son los materiales más frecuentemente utilizados para la fabricación de los elementos semiconductores. Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas. Elementos de un transistor o transistores: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.


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EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. El consumo de energía es sensiblemente bajo. El tamaño y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vacío. Una vida larga útil (muchas horas de servicio). Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). No necesita tiempo de calentamiento. Resistencia mecánica elevada. Los transistores pueden reproducir otros fenómenos, como la fotosensibilidad.

Ventajas de los transistores electrónicos

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Tipos de Transistores

Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )

- BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor). El termino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.

Transistores de efecto MOSFET )

de

campo. ( JFET,

MESFET,

- JFET, De efecto de campo de unión (JFET): Tambien llamado transistor unipolar, fué el
primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. - MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor. - MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.

Transistores HBT y HEMT.

Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.

Transistor IGBT

Símbolo más extendido del IGBT: Gate o puerta (G), colector (C) y emisor (E) El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos hasta entonces no viables en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Características

Sección de un IGBT El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electronica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalentede un IGBT Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta.
SIMBOLOGIA DE LOS TRANSISTORES

Transistor Bipolar de Unión (BJT)

Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET)

Transistor de Efecto de Campo, de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)

Fototransistor

TIPOS DE ECAPSULADO

Cápsula TO-3. Se utiliza para transistores de gran potencia, que siempre suelen llevar un radiador de aluminio que ayuda a disipar la potencia que se genera en él. Arriba a la izquierda vemos su distribución de terminales, observando que el colector es el chasis del transistor. Nótese que los otros terminales no están a la misma distancia de los dos agujeros. A la derecha vemos la forma de colocarlo sobre un radiador, con sus tornillos y la mica aislante. La función de la mica es la de aislante eléctrico y a la vez conductor térmico. De esta forma, el colector del transistor no está en contacto eléctrico con el radiador. Cápsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de tensión en fuentes de alimentación y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es

necesario, si la potencia que van a disipar es reducida. Abajo vemos la forma de colocarle el radiador y el tornillo de sujección. Se suele colocar una mica aislante entre el transistor y el radiador, así como un separador de plástico para el tornillo, ya que la parte metálica está conectada al terminal central y a veces no interesa que entre en contacto eléctrico con el radiador. Cápsula TO-126. Se utiliza en transistores de potencia reducida, a los que no resulta generalmente necesario colocarles radiador. Arriba a la izquierda vemos la asignación de terminales de un transistor BJT y de un Tiristor. Abajo vemos dos transistores que tienen esta cápsula colocados sobre pequeños radiadores de aluminio y fijados con su tornillo correspondiente. Cápsula TO-92. Es muy utilizada en transistores de pequeña señal. En el centro vemos la asignación de terminales en algunos modelos de transistores, vistos desde abajo. Abajo vemos dos transistores de este tipo montados sobre una placa de circuito impreso. Nótese la indicación "TR5" de la serigrafía, que indica que

en ese lugar va montado el transistor número 5 del circuito, de acuerdo al esquema eléctrónico.

Cápsula TO-18. Se utiliza en transistores de pequeña señal. Su cuerpo está formado por una carcasa metálica que tiene un saliente que indica el terminal del Emisor.

Cápsula miniatura. Se utiliza en transistores de pequeña señal. Al igual que el anterior, tienen un tamaño bastante pequeño.

Normas de los transistores Bien se ha dicho que el transistor reune una curiosa combinación de resistencia y fragilidad al mismo tiempo. En efecto, siendo fisicamente mucho más fuerte que la válvula, en cuanto a las acciones mecánicas, es sumamente débil en lo que se refiere a la resistencia al calor, asi como a los errores de polarización eléctrica, Es por esta razón que todo aquel que pretenda introducirse en el campo del armado con transistores y diodos, deberá interiorizarse cabalmente de las siguientes normas de trabajo, las que deberá respetar al pie de la letra durante la manipulación de de los componentes.

1) No deben emplearse los soldadores de gran potencia, normales en el trabajo con valvulas, sino modelos de 40 V de de consumo como máximo .Sin embargo, pueden utilizarse soldadores de mayor potencia si los transistores se introducen en el circuito al final del armado, pero entonces habrá que utilizar el soldador indicado cuando se coloquen los dispositivos semiconductores en el circuito eléctrico.

2) La punta de cobre del soldador deberá ser de tamaño muy fino, con el fin de concentrar la temperatura en la zona de trabajo y no correr el riesgo de dañar los componentes vecinos, ya que estos circuitos están generalmente muy próximos entre sí.

3) No es recomendable la utilización de soldadores del tipo de calentamiento instantáneo, dado que contienen en su interior un transformador de alimentación que genera un campo magnético alterno a su alrededor, susceptible de afectar el funcionamiento del transistor.

4) Antes de soldar, habrá que limpiar bien las superfjcies metálicas que se van a enfrentar; luego, habrá que realizar una cuidadosa sujeción mecánica de la patita del transistor. Recuérdese que la soldadura tiene una misión eléctrica y no mecánica,

5) Se recomienda la utilización de aleación soldante formada por 60 % de estaño y 40 % de plomo, dado que es la que tiene el punto de fusión más bajo. 6) Colocar dos diodos y los transistores al final del montaje. Pueden usarlos si son de buena calidad, que aseguren la sujeciçon firme de las patas.

7) La soldadura deberá realizarse después de haber efectuado un adecuado "cortocircuito térmico", para una suficiente disipación del calor aplicado durante la soldadura. Estos cortocircuitos térmicos se realizarán tomando la patita a soldar entre las puntas de un par de pinzas metálicas a una distancia a mitad de camino entre el punto de aplicación de la soldadura y la masa del transistor.

8) La probabilidad de daños durante el proceso de soldadura. es mucho más notable en el caso de los componentes del tipo miniatura. Por ejemplo, si un resistor de composición pequeño es soldado, a un circuito utilizando un soldador adecuado, pero dejando una longitud de menos de 1.5 cm para las patitas del componente, el valor de resistencia eléctrica cambiará en más del 20 por ciento, o sea en más del valor máximo de tolerancia de fabricación.
La primera letra indica el material semiconductor utilizado en la construcción del dispositivo

A - Germanio B - Silicio C - Arseniuro de Galio D - Antimoniuro de Indio R - Material de otro tipo La segunda letra indica la construcción y utilización principal del dispositivo A - Diodo de señal (diodo detector, de conmutación a alta velocidad, mezclador). B - Diodo de capacidad variable (varicap). C - Transistor, para aplicación en baja frecuencia. D - Transistor de potencia, para aplicación en baja frecuencia E - Diodo túnel. F - Transistor para aplicación en alta frecuencia. L - Transistor de potencia, para aplicación en alta frecuencia P - Dispositivo sensible a las radiaciones. R - Dispositivo de conmutación o de control, gobernado eléctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). S - Transistor de aplicación en conmutación. T - Dispositivo de potencia para conmutación o control, gobernado eléctricamente y teniendo un efecto de ruptura (tiristor). U - Transistor de potencia para aplicación en conmutación X - Diodo multiplicador (varactor). Y - Diodo de potencia (rectificador, recuperador). Z - Diodo Zener o de regulación de tensión. La serie numérica consta: a) De tres cifras (entre 100 a 999) para dispositivos proyectados principalmente en aparatos de aplicación doméstica (radio, TV, registradores, amplificadores). b) Una letra (X,Y,Z), seguida de dos cifras (de 10 a 99) para los dispositivos proyectados para usos principales en aplicaciones industriales y profesionales. En Estados Unidos se utiliza la nomenclatura de la JEDEC ( Joint Electronic Devices Engineering Council) regulado por la EIA (Electronic Industries Association), que

consta de un número, una letra y un número de serie (este último sin significado técnico). El significado de los números y letras es el siguiente: 1N - Diodo o rectificador 2N - Transistor o tiristor 3N - Transistor de Efecto de Campo FET o MOSFET Los fabricantes japoneses utilizan el código regulado por la JIS (Japanese Industrial Standards), que consta de un número, dos letras y número de serie (este último sin ningún significado técnico). El número y letras tienen el siguiente significado: Número: 0 1 2 3 Fototransistor Diodo, rectificador o varicap Transistor, tiristor Semiconductor con dos puertas.

Primera letra: S - Semiconductor Segunda letra: A - Transistor PNP de A.F. B - Transistor PNP de B.F. C - Transistor NPN de A.F. D - Transistor NPN de B.F. F - Tiristor de puerta P G - Tiristor de puerta N J - FET de canal P K - FET de canal N

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